JP2008249467A - 凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】２つのスパイラル状接触子の間に形成された溝に微細なゴミが侵入しても、ショートしない凸形ケルビン・スパイラルコンタクタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に被検査物の接続端子と接触する平面視してスパイラル形状を有する２つの凸形のスパイラル状接触子２，３を備え、電極端子２ｅ，３ｅからそれぞれの先端をフリーとした各１個からなり、２つが対峙して前記スパイラル状接触子２の渦巻き状の隙間に、もう１個の渦巻き状のスパイラル状接触子３が配置された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１ａであって、スパイラル状接触子２，３は、接続端子と接触する接触部を残し、スパイラル状接触子２，３が対峙して形成した渦巻き状のすきま８に電気的絶縁物７が充填され、一体に形成したことを特徴とする凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１ａである。
【選択図】図１

Description

高密度化を可能にし、微小のゴミの侵入してもショートしない微細な電子機器の凸形スパイラル状接触子を用いた凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ、及び、その製造方法に関する。

図８は、従来の２本探針によりケルビン接合する構成を示す斜視図である。図８に示すように、２本の探針２７，２８が上下（Ｚ軸）方向へ移動可能に構成されており、被検査物にケルビン接合することにより、微小物の物性の抵抗値を測定する（特許文献１参照）。この２探針ケルビン方式の最大の問題点は、鋭利な探針２７，２８が被検査物を突き刺すため、被検査物が損傷する。このため、この２探針２７，２８を突き刺すのではなくて、２探針２７，２８の間に挟み込みの方式もあるが、挟み込みの方式では使い込むと、左右に開口する力がへたり、耐久性に問題があった。

図９は、従来のフラット形のケルビン・スパイラルコンタクタを示し、（ａ）は球状接続端子と接続する前の状態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＥ−Ｅ線の断面図である。図９の（ａ）に示すように、これを解決したのが、ケルビン・スパイラルコンタクタ２１である（特許文献２参照）。このケルビン・スパイラルコンタクタ２１は、２つで１セットとなり、設置スペースを拡大することなく、微細で薄いスパイラル状接触子２２，２３を備えている。ケルビン・スパイラルコンタクタ２１は、２つが１セットになり、２重の渦巻き状に構成されている。
図９の（ｂ）の断面図に示すように、スパイラル状接触子２２とスパイラル状接触子２３とが交互に並んでいる。その中央にはスルーホール２４が配置されている。

図１０は、従来のケルビン・スパイラルコンタクタの断面を示し、（ａ）は球状接続端子と接続する前の状態を示す断面図、（ｂ）は球状接続端子と接続した状態を示す断面図である。図１０の（ａ）に示すように、被検査物である球状接続端子２６に接触させた状態でガイドフレーム２２ｇ，２３ｇに当接するまでスルーホール２４に落とし込み、スパイラル状接触子２２，２３と接触させる。そして、電流を流し、その時の電圧を電圧計で測定することによって、球状接続端子２６と球状接続端子２６の間の電気物性の測定、例えば、電気抵抗を極めて高精度に測定できる。これがケルビン（Kelvin）測定である。

図１０の（ｂ）に示すように、さらに、スパイラル状接触子２２，２３は、球状接続端子２６の球面にスパイラル状接触子２２，２３の角２２ａ，２３ａが押圧されながら摺動し、球状接続端子２６の球面上に生じた極薄の酸化膜を切り込むことで、確実な通電をすることが可能である。つまり、スパイラル状接触子２２，２３の角２２ａ，２３ａは、ニッケルメッキにてスパイラル状接触子２２，２３を製造する際のメッキ析出現象によって鋭角な角が形成される特性を有している。

特許３２５２４１０号公報（段落００１３〜００１７、図８〜図１０） 特許３７８５４０１号公報（段落００１３〜００１７、図１、図４）

しかしながら、スパイラル状接触子２２，２３の上面に付着した微細なゴミは、エアーブローによって吹き飛ばすため何ら支障はないが、多重巻きにしたスパイラル状接触子２２，２３にできた渦巻き状の隙間に微細なゴミが侵入した場合は、エアーブローによってさらにこの溝の間に侵入し、その後の通電によって、ショートしてしまうという問題があった。

そこで、本発明は、２つのスパイラル状接触子の間に形成された溝に微細なゴミが侵入しても、電気的接触しない、ショートしない凸形ケルビン・スパイラルコンタクタおよびその製造方法を提供することを課題とする。

請求項１に記載された発明の凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１ａ）は、接続端子を有する被検査物の電子部品と電気的接続を行って電気的測定をするケルビンコンタクト型接触子であり、絶縁基板上に前記接続端子と接触する平面視してスパイラル形状を有する２つの凸形のスパイラル状接触子（２，３）を備え、電極端子（２ｅ，３ｅ）からそれぞれの先端をフリーとした各１個からなり、２つが対峙して前記スパイラル状接触子（２）の渦巻き状の隙間に、もう１個の渦巻き状のスパイラル状接触子（３）が配置された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１ａ）であって、スパイラル状接触子（２，３）は、前記接続端子と接触する接触部を残し、前記スパイラル状接触子（２，３）が対峙して形成した渦巻き状のすきま（８）に電気的絶縁物（７）が充填され、一体に形成したことを特徴とする。

請求項２に記載された発明は、請求項１に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１０ａ）であって、前記２つのスパイラル状接触子（２，３）の電極端子（２ｅ，３ｅ）の一方を片側に寄せて配置したことを特徴とする。

請求項３に記載された発明は、請求項１または請求項２に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１ａ，１０ａ）の製造方法であって、Ｃｕ箔（１１）の上をフォトレジストで覆い、露光・現像して、フォトレジストを、スパイラル状接触子（２，３）の形状を空洞にするように凹状に抜けた形に形成すると共に、その上に金属メッキ（１２）を施し、フォトレジストを薬品にて除去し、裏面にフォトレジスト（１３）を貼付して露光・現像する工程に続けて、表裏を反転し、Ｃｕ箔（１１）をエッチング加工し、穴を開ける工程と、前記フォトレジスト（１３）を除去し、微細な凸型を使用して凸形にアニールフォーミングし、熱処理を施して内部応力を除去する工程と、裏面に保護シート（１４）を貼付する工程と、凸形のスパイラル状接触子（２，３）に電気的絶縁物（７）を塗布し、フォトマスク（１７）で露光・現像する工程と、を含むことを特徴とする。

請求項４に記載された発明は、前記２つのスパイラル状接触子（２，３）のすきま（８）に電気的絶縁物（７）を充填して一体に形成する請求項１または請求項２に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１ａ，１０ａ）の製造方法であって、Ｃｕ箔（１１）の上をフォトレジストで覆い、露光・現像して、フォトレジストを、スパイラル状接触子（２，３）の形状を空洞にするように凹状に抜けた形に形成すると共に、その上に金属メッキ（１２）を施し、フォトレジストを薬品にて除去し、裏面にフォトレジスト（１３）を貼付して露光・現像する工程に続けて、スパイラル状接触子（２，３）の上面に電気的絶縁物（７）を塗布する工程と、フォトマスク（１７）にて露光・現像する工程と、Ｃｕ箔（１１）の裏面にフォトレジスト（１３）を貼付する工程と、を含むことを特徴とする。

請求項５に記載された発明は、請求項１ないし請求項４に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１ａ，１０ａ）であって、前記電気的絶縁物（７）は、フォトＰＩＱであることを特徴とする。

請求項１に係る発明によれば、スパイラル状接触子は、接続端子と接触する接触部を残し、スパイラル状接触子が対峙して形成した渦巻き状のすきまに電気的絶縁物が充填され、一体に形成したことにより、微細なゴミが侵入する余地はなく、ショートを防止できる凸形ケルビン・スパイラルコンタクタを提供することができる。

請求項２に係る発明によれば、２つの電極端子を片側に寄せて配置したことにより、扱いが容易なため、より加工精度の向上が図れ、一体加工が容易にできる。また、電極端子を片側に寄せることによって、スパイラル状接触子の全長の長さが異なるが、測定値には全く影響が無いレベルである。

請求項３に係る発明によれば、凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの製造方法は、Ｃｕ箔の上をフォトレジストで覆い、露光・現像して、フォトレジストを、スパイラル状接触子の形状を空洞にするように凹状に抜けた形に形成すると共に、その上に金属メッキを施し、フォトレジストを薬品にて除去し、裏面にフォトレジストを貼付して露光・現像する工程に続けて、表裏を反転し、Ｃｕ箔をエッチング加工し、穴を開ける工程と、フォトレジストを除去し、微細な凸型を使用して凸形にアニールフォーミングし、熱処理を施して内部応力を除去する工程と、裏面に保護シートを貼付する工程と、凸形のスパイラル状接触子に電気的絶縁物を塗布し、フォトマスクで露光・現像する工程と、を含む製造方法により、球状接続端子が今後一層進む縮小化、挟ピッチ化に対応可能となり、かつ、２本のスパイラル状接触子の間に形成された溝に微細なゴミが侵入しても、電気的接触しない、ショートしない凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの製造方法を提供することができる。

請求項４に係る発明によれば、２つのスパイラル状接触子のすきまに電気的絶縁物を充填して一体に形成する凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの製造方法であって、Ｃｕ箔の上をフォトレジストで覆い、露光・現像して、フォトレジストを、スパイラル状接触子の形状を空洞にするように凹状に抜けた形に形成すると共に、その上に金属メッキを施し、フォトレジストを薬品にて除去し、裏面にフォトレジストを貼付して露光・現像する工程に続けて、スパイラル状接触子の上面に電気的絶縁物を塗布する工程と、フォトマスクにて露光・現像する工程と、Ｃｕ箔の裏面をフォトレジストで覆う工程と、を含む製造方法により、２つのスパイラル状接触子の下面にも電気的絶縁物を設けることができ、逆Ｔ字状になってスパイラル状接触子との接触面積が増加し、一体化が補強できるため、球状接続端子と接触する場合であっても、２つのスパイラル状接触子同士が確実に電気的非接触状態にすることができる。また、ショートしない凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの製造方法を提供することができる。

請求項５に係る発明によれば、電気的絶縁物がフォトＰＩＱであることにより、接続端子とスパイラル状接触子とが確実に電気的接触することができる。

＜第１実施の形態＞
以下、本発明の第１実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施の形態の凸形ケルビン・スパイラルコンタクタを示し、（ａ）は接続端子と接続する前の状態を示す拡大平面図である。
図１の（ａ）に示すように、凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１ａは、２つのスパイラル状接触子２，３で１セットになる。電極端子２ｅ，３ｅを左右対称に配置して、お互い接近する方向（内側）に向って干渉することなく、お互いが所定間隔をもって２回転する渦巻き状で構成されている。つまり、直交座標（ｘ軸、ｙ軸）を用いて説明すると、電極端子２ｅは−ｘ軸上に配置され、電極端子３ｅは＋ｘ軸上に配置されており、直交するｙ軸に対して左右対称に配置されている。この凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１は、平面視してスパイラル（渦巻き）形状を有する２つのスパイラル状接触子２，３を備え、絶縁基板４上に配置されている。スパイラル状接触子２，３の電極端子２ｅ，３ｅを基端部にして先端をフリーとした各１本からなり、根元から先端に進むにしたがって幅が狭くなるように形成されている。
なお、この電極端子２ｅ，３ｅの配置は、前記した左右対称に限らず、上下対称、右斜め対称、左斜め対称、その他の対称としてもよい。また、図１（ａ）に示す凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１のサイズはφ０．６ｍｍ〜０．１ｍｍであり、被検査物の接続端子のサイズが、φ１．２ｍｍ〜０．０５ｍｍに対応できる。

凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１ａは、ここでは反時計方向の渦巻き状になっているが、時計方向の渦巻き状にしてもよい。絶縁基板４上の左側に設けられたスパイラル状接触子２と、対峙して右側に設けられ、同じく反時計方向に渦巻き状になっているスパイラル状接触子３がそれぞれ独立して構成されている。スパイラル状接触子３は、スパイラル状接触子２に干渉することのない隙間を確保して根元から先端に進むにしたがって幅も狭くなっている。したがって、この断面図では交互に配置されている。このように、凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１ａは、設置スペースを拡大することなく２つの微細なスパイラル状接触子２，３によって構成されている。
なお、スパイラル状接触子２，３の渦巻き数は２回転巻きとしたが、３回巻き、４回巻き、その他であってもよい。また、スパイラル状接触子２，３の渦巻き形状は、図１（ａ）、図４の（ａ）では曲線状にしたが、多角形、例えば、…８、１０、１２、１６、２４角形…等、どんどん角数を増やすことで曲線状に近づけることができることから、これらの多角形をした渦巻き形状であっても構わない。

図１の（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線の断面図である。
図１の（ｂ）に示すように、凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１ａは、凸形に形成されている。スパイラル状接触子２，３も断面図に示すように、凸形に形成されている。

図１の（ｃ）は、（ｂ）に示すスパイラル状接触子のＢ部拡大図である。
図１の（ｃ）に示すように、２つの電極端子２ｅ，３ｅを近づけたことにより電気的接触しないように、隙間には電気的絶縁物７が充填されている。図１の（ｃ）に示すように、側面２ｃ，３ｃに電気的絶縁物７のＳｉ０_２でコーティングした方が都合がよい。

電気的絶縁物７は、例えば、フォトＰＩＱ（Photosensitive PolyImide Insulated Quinones：感光性ポリミド）である。これは絶縁膜材料をいい、たとえば、半導体用高耐熱ファインポリマや、超ＬＳＩ用高耐熱ポリイミド、半導体絶縁膜用ポリミイドなどをいう。電気的絶縁物７は、フォトＰＩＱに限定するものではなく、その他の電気的絶縁物７であっても構わない。
電気的絶縁物７とは、分子と分子が接触できないように間に介在し、絶縁（insulation）状態を形成する物質をいい、電気を通さない材料をいう。

図２は、本発明の第１実施の形態のスパイラル状接触子と各種接続端子との接合状態を示し、（ａ）は球状接続端子と接続した状態を示す断面図である。
図２の（ａ）に示すように、スパイラル状接触子２，３は、被検査物の球状接続端子６の球面に接触する接触部の角３ａまで露出している。スパイラル状接触子の角２ａ，３ａが押圧されながら摺動し、球状接続端子６の球面上に生じた極薄の酸化膜を切り込むことで、確実な通電をすることが可能である。

従来の極小のコイルバネを内蔵した探針のポゴピン接触子（図示せず）では、1本に対する押圧力が１０ｇであるのに対して、このスパイラル状接触子２，３の１本による押圧力は、０．０５ｇであり、約１／２０の押圧力で安定した通電接触ができる。例えば、１０００本の接触子を有する従来のデバイスの場合、１０ｋｇにもなるが、このスパイラル状接触子２，３を採用したデバイスの押圧力は、たった５０ｇでよく、より軽量な構成での設計ができる。また、スパイラル状接触子２，３の製造方法は、光や電子ビームを用いた写真印刷技術（リソグラフィー）により行うことができるため、微細加工が容易である。

図２の（ｂ）はフラット状接続端子と接続した状態を示す断面図である。
図２の（ｂ）に示すように、スパイラル状接触子２，３は、フラット状接続端子６′のフラット面にスパイラル状接触子の角２ａ，３ａが押圧されながら摺動し、フラット状接続端子６′の面に生じた極薄の酸化膜を切り込むことで、確実な通電をすることが可能である。なお、パット状接続端子６′ともいう。

凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの構成に至った考え方から説明する。図３は、凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの構成に至る経緯を説明する説明図であり、（ａ）は基本形を示すスパイラル状接触子の拡大平面図、（ｂ）は中央に溝を設けて２つにしたスパイラル状接触子の拡大平面図、（ｃ）は、電極端子の一方を移動し、さらに、スパイラル状接触子の先端部の他方を延長した状態を示すスパイラル状接触子の拡大平面図、（ｄ）は、電極端子の半円を円形に変形させ、一方を近傍に配置した状態を示すスパイラル状接触子の拡大平面図である。
図３の（ａ）に示すように、この凸形ケルビン・スパイラルコンタクタのスパイラル状接触子は1本から構成されたスパイラル状接触子である。このスパイラル状接触子はａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆの順に幅が細く、かつ、凸形に上方へ向って延びている。
図３の（ｂ）に示すように、スパイラル状接触子１０ａの中央に切り目が入り、すきま８が形成されると、２つの電極端子２ｅ，３ｅにならい先端２ｂ，３ｂまで２ピースになる。さらに、外側の電極端子２ｅから延びたスパイラル状接触子は、図３の（ｃ）に示すように、ｆから延長しｇとする。このように、スパイラル状接触子がｆの位置からｇの位置まで、１８０度延長したことにより、スパイラル状接触子ｇの位置では可塑性が確保できるため、被検査物とのコンタクトが容易となる。
図３の（ｃ）に示すように、今度は、電極端子３ｅを上方へ移動させて、電極端子２ｅから離間させ、スペースを確保する。前記したケルビン測定は、スパイラル状接触子２はｇの位置と、スパイラル状接触子３はｆの位置との間で行われる。
最後は、図３の（ｄ）に示すように、電極端子２ｅ，３ｅの形状を半円から円形（円柱形）にまとめてそれぞれの近傍に配置する。なお、円柱形とした場合は、信号線（ケーブル）としてもよい。
このように、スパイラル状接触子を２つに分割することにより、電極端子２ｅ，３ｅが近いため、渦巻き状に２つを添わせることができる。セットにしやすく、取り扱いが容易になる。

＜第２実施の形態＞
図４は、本発明の第２実施の形態の凸形ケルビン・スパイラルコンタクタを示し、（ａ）は球状接続端子及びフラット状接触子と接続する前の状態を示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＣ−Ｃ線の断面図、（ｃ）は、（ｂ）に示すスパイラル状接触子のＤ部拡大図である。なお、図４の（ａ）に示す凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１０ａのサイズはφ０．６ｍｍ〜０．１ｍｍであり、被検査物の接続端子のサイズが、φ１．２ｍｍ〜０．０５ｍｍに対応できる。

図４の（ａ）に示す凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１０ａと、前記した図１（ａ）に示す凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１ａとの相違点について説明する。
図４の（ａ）に示す凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１０ａは、図１に示すスパイラル状接触子２，３の電極端子２ｅ，３ｅのうち、一方の電極端子２ｅをそのままの配置にし，他方の電極端子３ｅの位置を電極端子２ｅの近傍に寄せて配置した点が異なる。
つまり、直交座標（ｘ軸、ｙ軸）を用いて説明すると、電極端子２ｅは、−ｘ軸上に配置されている。また、電極端子３ｅは、第２象限に配置されている。

ここでは、電極端子２ｅ，３ｅを左右対称に配置して、お互い接近する方向（内側）に向って干渉することなく、お互いが所定間隔をもって２回転する渦巻き状で構成されている。このように、スパイラル状接触子２ａ，３ａの一方の電極端子２ｅ，３ｅを片方に寄せて配置したことにより、電極端子２ｅ，３ｅが近いと、渦巻きを沿わせることができる。また、セットにしやすい。取り扱いが容易といったメリットがあり、都合がよい。
なお、電極端子３ｅの位置は、ｘ軸を対称軸にして第２象限から第３象限としてもよい。さらには、これらを、ｙ軸を対称軸にした左右対称位置の第２象限から、第１象限であってもよいし、それ以外であっても構わない。なお、２つの電極端子２ｅ，３ｅを近づけたことにより電気的接触しないように、隙間には電気的絶縁物７が充填されている。それ以外のすきま８には、側面３ｃ，２ｃにも電気的絶縁物７は被覆されている。

図４の（ｂ）、図４の（ｃ）については、図１の（ｂ）、図１の（ｃ）の説明と重複するため、省略する。

図５は、凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの製造方法を示す前半の工程図、図６は、後半の工程図である。図５に示すように、（ａ）は、Ｃｕ箔１１の上にレジスト膜を貼付もしくは塗布し、露光・現像して、フォトレジストを、スパイラル状接触子２，３の形状を空洞にするように凹状に抜けた形に形成する。そして、その上に金属メッキ１２のＮｉメッキを施し、レジスト膜を薬品（溶剤）にて除去する工程である。このレジスト膜はドライフィルム、感光剤である。
（ｂ）は、裏面にフォトレジスト１３を貼付して露光・現像する工程である。
（ｃ）は、表裏を反転し、Ｃｕ箔１１をエッチング加工し、穴を開ける工程である。
（ｄ）は、フォトレジスト１３を除去し、図示しない微細な凸型を使用して凸形にアニールフォーミングし、熱処理を施して内部応力を除去する工程である。凸形状は円錐形状である。このアニールフォーミングでは、２５０〜３００℃の高い温度で熱処理を行う。
（ｅ）は、裏面に保護シート１４を貼付する工程である。
（ｆ）は、凸形のスパイラル状接触子２，３に電気的絶縁物７を塗布し、フォトマスク１７で露光・現像する工程である。電気的絶縁物７はフォトＰＩＱ１５である

図６は、後半の工程図である。図６に示すように、
（ｇ）は、熱をかけて固める工程である。
（ｈ）は、保護シート１４を剥がし、粘着シート１８を貼付し、エッジングでＣｕ箔１１を除去する工程である。粘着シート１８はリバーアルファーが好適である。
（ｉ）は、粘着シート１８の上面にフォトＰＩＱ１５で固めた電極端子２ｅ，３ｅと一体のスパイラル状接触子２，３を移す工程である。
（ｊ）は、プリント基板２０のランド１６にハンダリフロー１９で接着する工程である。
（ｋ）は、フォトＰＩＱ１５を薬品（溶剤）で除去する工程であり、完成となる。

図７は、スパイラル状接触子のすきまに電気的絶縁物を充填して一体に形成した凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの製造方法を示す工程図である。図７に示すように、
（ａ）は、前記したように、Ｃｕ箔１１の上にレジスト膜を貼付、または、塗布し、露光・現像して、フォトレジスト１３を、スパイラル状接触子２，３の形状を空洞にするように凹状に抜けた形に形成する。そして、その上に金属メッキ１２であるＮｉメッキを施し、レジスト膜を薬品（溶剤）にて除去する工程である。
（ｂ）は、スパイラル状接触子２，３の上面に電気的絶縁物７を塗布する工程である。
（ｃ）は、フォトマスク１７にて露光・現像する工程である。
（ｄ）は、Ｃｕ箔１１の裏面にフォトレジスト１３を貼付する工程である。
（ｅ）は、Ｃｕ箔１１をエッチングして穴を開ける工程である。
（ｆ）は、裏面のフォトレジスト１３を除去する工程である。
（ｇ）は、表裏を反転させて、図示しない微細な凸型を使用して、凸形にアニールフォーミングし、熱処理を施して内部応力を除去する工程である。

なお、本発明の第１，２実施の形態のスパイラル状接触子２ａ，３ａの側面には、電気的絶縁物があっても構わない。
また、本発明は、フォトリソグラフィ技術、メッキ製造技術により微細加工を施すことを特徴としており、これを用いた製造方法やスパッタリングによるコーティング法、コーティングされた電気的絶縁物をプラズマで除去、そして、面取りをする方法等を組み合わせた加工方法であってもよい。さらに、ここでいう電気的絶縁物７は、ＳｉＯ_２（二酸化珪素）、フォトＰＩＱで説明したが、これに限定されるものではない。

本発明の第１実施の形態の凸形ケルビン・スパイラルコンタクタを示し、（ａ）は接続端子と接続する前の状態を示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線の断面図、（ｃ）は、（ｂ）に示すスパイラル状接触子のＢ部拡大図である。 本発明の第１実施の形態のスパイラル状接触子と各種接続端子との接合状態を示し、（ａ）は球状接続端子と接続した状態を示す断面図、（ｂ）は、フラット状接続端子と接続した状態を示す断面図である。 凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの構成に至る経緯の説明図であり、（ａ）は基本形を示すスパイラル状接触子の拡大平面図、（ｂ）は中央に溝を設けて２つにしたスパイラル状接触子の拡大平面図、（ｃ）は、電極端子の一方を移動し、さらに、スパイラル状接触子の先端部の他方を延長した状態を示すスパイラル状接触子の拡大平面図、（ｄ）は、電極端子の半円を円形に変形させ、一方を近傍に配置した状態を示すスパイラル状接触子の拡大平面図である。 本発明の第２実施の形態の凸形ケルビン・スパイラルコンタクタを示し、（ａ）は接続端子と接続する前の状態を示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＣ−Ｃ線の断面図、（ｃ）は、（ｂ）に示すスパイラル状接触子のＤ部拡大図である。 凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの製造方法を示す前半の工程図である。 凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの製造方法を示す後半の工程図である。 スパイラル状接触子の渦巻き状のすきまに電気的絶縁物を充填して一体に形成した凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの製造方法を示す工程図である。 従来の２本探針によりケルビン接合する構成を示す斜視図である。 従来のフラット状のケルビン・スパイラルコンタクタを示し、（ａ）は球状接続端子と接続する前の状態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＥ−Ｅ線の断面図である。 従来のケルビン・スパイラルコンタクタの断面を示し、（ａ）は球状接続端子と接続する前の状態を示す断面図、（ｂ）は球状接続端子と接続した状態を示す断面図である。

符号の説明

１，１ａ、１０，１０ａ ケルビン・スパイラルコンタクタ
２，３ スパイラル状接触子
２ａ，３ａ 角
２ｂ，３ｂ 下面
２ｃ，３ｃ 側面
２ｄ，３ｄ 上面
２ｅ，３ｅ 電極端子
２ｆ，３ｆ ランド
２ｇ，３ｇ ガイドフレーム
４ 絶縁基板（インターポーザ）
５ 被検査物（電子部品）
６ 球状接続端子
６′ フラット状接続端子（パッド状接続端子）
７ 電気的絶縁物（ＳｉＯ_２）
８ 隙間
１１ Ｃｕ箔
１２ 金属（Ｎｉ）メッキ
１３ フォトレジスト
１４ 保護シート
１５ フォトＰＩＱ（電気的絶縁物）
１７ フォトマスク
１８ 粘着シート（リバーアルファー）
１９ ハンダリフロー（ランド）
２０ 絶縁（プリント）基板
α，β 角度
ｘ，ｙ 座標軸

Claims (5)

1. 接続端子を有する被検査物の電子部品と電気的接続を行って電気的測定をするケルビンコンタクト型接触子であり、絶縁基板上に前記接続端子と接触する平面視してスパイラル形状を有する２つの凸形のスパイラル状接触子（２，３）を備え、電極端子（２ｅ，３ｅ）からそれぞれの先端をフリーとした各１個からなり、２つが対峙して前記スパイラル状接触子（２）の渦巻き状の隙間に、もう１個の渦巻き状のスパイラル状接触子（３）が配置された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１ａ）であって、
   前記スパイラル状接触子（２，３）は、前記接続端子と接触する接触部を残し、前記スパイラル状接触子（２，３）が対峙して形成した渦巻き状のすきま（８）に電気的絶縁物（７）が充填され、一体に形成したことを特徴とする凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１ａ）。
2. 前記２つのスパイラル状接触子（２，３）の電極端子（２ｅ，３ｅ）の一方を片側に寄せて配置したことを特徴とする請求項１に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１０ａ）。
3. 凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１ａ，１０ａ）の製造方法であって、
   Ｃｕ箔（１１）の上をフォトレジストで覆い、露光・現像して、前記フォトレジストを、スパイラル状接触子（２，３）の形状を空洞にするように凹状に抜けた形に形成すると共に、その上に金属メッキ（１２）を施し、前記フォトレジストを薬品にて除去し、裏面をフォトレジスト（１３）で覆い、露光・現像する工程に続けて、
   表裏を反転し、Ｃｕ箔（１１）をエッチング加工し、穴を開ける工程と、
   前記フォトレジスト（１３）を除去し、微細な凸型を使用して凸形にアニールフォーミングし、熱処理を施して内部応力を除去する工程と、
   裏面に保護シート（１４）を貼付する工程と、
   凸形のスパイラル状接触子（２，３）に電気的絶縁物（７）を塗布し、フォトマスク（１７）で露光・現像する工程と、
   を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１ａ，１０ａ）の製造方法。
4. 前記２つのスパイラル状接触子（２，３）のすきま（８）に電気的絶縁物（７）を充填して一体に形成する凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１ａ，１０ａ）の製造方法であって、
   Ｃｕ箔（１１）の上をフォトレジストで覆い、露光・現像して、前記フォトレジストを、スパイラル状接触子（２，３）の形状を空洞にするように凹状に抜けた形に形成すると共に、その上に金属メッキ（１２）を施し、前記フォトレジストを薬品にて除去し、裏面をフォトレジスト（１３）で覆い、露光・現像する工程に続けて、
   スパイラル状接触子（２，３）の上面に電気的絶縁物（７）を塗布する工程と、
   フォトマスク（１７）にて露光・現像する工程と、
   前記Ｃｕ箔（１１）の裏面をフォトレジスト（１３）で覆う工程と、
   を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１ａ，１０ａ）の製造方法。
5. 前記電気的絶縁物（７）は、フォトＰＩＱであることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１ａ，１０ａ）。

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