JP2008249466A - 凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】２つのスパイラル状接触子の間に形成された溝に微細なゴミが侵入しても、ショートしない凸形ケルビン・スパイラルコンタクタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 接続端子を有する被検査物の電子部品と電気的接続を行って電気的測定をするケルビンコンタクト型接触子であり、絶縁基板上に前記接続端子と接触する平面視してスパイラル形状を有する２つの凸形のスパイラル状接触子２，３を備え、電極端子２ｅ，３ｅからそれぞれの先端をフリーとした各１つからなり、２つが対峙して前記スパイラル状接触子２の渦巻き状のすきまに、もう１つの渦巻き状のスパイラル状接触子３が配置された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１であって、前記スパイラル状接触子２，３は、前記接続端子と接触する接触部を残して、少なくとも側面２ｃ，３ｃを電気的絶縁物７でコーティングした凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１である。
【選択図】図１

Description

高密度化を可能にし、微小のゴミが侵入してもショートしない微細な電子機器の凸形スパイラル状接触子を用いた凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ、及び、その製造方法に関する。

図８は、従来の２本探針によりケルビン接合する構成を示す斜視図である。図８に示すように、２本の探針２７，２８が上下（Ｚ軸）方向へ移動可能に構成されており、被検査物にケルビン接合することにより、微小物の物性の抵抗値を測定する（特許文献１参照）。この２探針ケルビン方式の最大の問題点は、鋭利な探針２７，２８が被検査物を突き刺すため、被検査物が損傷する。このため、この２探針２７，２８を突き刺すのではなくて、２探針２７，２８の間に挟み込みの方式（図示せず）も採用されているが、挟み込みの方式では使い込むと、左右に開口する力がへたり、耐久性に問題があった。

図９は、従来のフラット形のケルビン・スパイラルコンタクタを示し、（ａ）は球状接続端子と接続する前の状態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＥ−Ｅ線の断面図である。図９の（ａ）に示すように、これを解決したのが、ケルビン・スパイラルコンタクタ２１である（特許文献２参照）。このケルビン・スパイラルコンタクタ２１は、２つで１セットとなり、設置スペースを拡大することなく、微細で薄いスパイラル状接触子２２，２３を備えている。ケルビン・スパイラルコンタクタ２１は、２つが１セットになり、２重の渦巻き状に構成されている。
図９の（ｂ）の断面図に示すように、スパイラル状接触子２２とスパイラル状接触子２３とが交互に並んでいる。その中央にはスルーホール２４が配置されている。

図１０は、従来のケルビン・スパイラルコンタクタの断面を示し、（ａ）は球状接続端子と接続する前の状態を示す断面図、（ｂ）は球状接続端子と接続した状態を示す断面図である。図１０の（ａ）に示すように、被検査物の接続端子である球状接続端子２６に接触させた状態でガイドフレーム２２ｇ，２３ｇに当接するまでスルーホール２４に落とし込み、スパイラル状接触子２２，２３と接触させる。そして、電流を流し、その時の電圧を電圧計で測定することによって、球状接続端子２６と球状接続端子２６の間の電気物性の測定、例えば、電気抵抗を極めて高精度に測定できる。これがケルビン（Kelvin）測定である。

図１０の（ｂ）に示すように、さらに、スパイラル状接触子２２，２３は、球状接続端子２６の球面にスパイラル状接触子２２，２３の角２２ａ，２３ａが押圧されながら摺動し、球状接続端子２６の球面上に生じた極薄の酸化膜を切り込むことで、確実な通電をすることが可能である。つまり、スパイラル状接触子２２，２３の角２２ａ，２３ａは、ニッケルメッキにてスパイラル状接触子２２，２３を製造する際のメッキ析出現象によって鋭角な角が形成される特性を有している。

特許３２５２４１０号公報（段落００１３〜００１７、図５〜図８） 特許３７８５４０１号公報（段落００１３〜００１７、図１、図４）

しかしながら、スパイラル状接触子２２，２３の上面に付着した微細なゴミは、エアーブローによって吹き飛ばすため何ら支障はないが、多重巻きにしたスパイラル状接触子２２，２３にできた渦巻き状のすきまに微細なゴミが侵入した場合は、エアーブローによってさらにこの溝の間に侵入し、その後の通電によって、ショートするという問題があった。

そこで、本発明は、２つのスパイラル状接触子の間に形成された溝に微細なゴミが侵入しても、電気的接触しない、ショートしない凸形ケルビン・スパイラルコンタクタおよびその製造方法を提供することを課題とする。

請求項１に記載された発明の凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１）は、接続端子を有する被検査物の電子部品と電気的接続を行って電気的測定をするケルビンコンタクト型接触子であり、絶縁基板上に前記接続端子と接触する平面視してスパイラル形状を有する２つの凸形のスパイラル状接触子（２，３）を備え、電極端子（２ｅ，３ｅ）からそれぞれの先端をフリーとした各１つからなり、２つが対峙して前記スパイラル状接触子（２）の渦巻き状のすきまに、もう１つの渦巻き状のスパイラル状接触子（３）が配置された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１）であって、前記スパイラル状接触子（２，３）は、前記接続端子と接触する接触部を残して、少なくとも側面（２ｃ，３ｃ）を電気的絶縁物（７）でコーティングしたことを特徴とする。

請求項２に記載された発明は、請求項１に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１０）であって、前記２つのスパイラル状接触子（２，３）の電極端子（２ｅ，３ｅ）の一方を片側に寄せて配置したことを特徴とする。

請求項３に記載された発明は、請求項１または請求項２に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１，１０）の製造方法であって、Ｃｕ箔（１１）の上面をフォトレジスト（１３）で覆い、露光・現像して、フォトレジスト（１３）を、スパイラル状接触子（２，３）の形状を空洞にするように凹状に抜けた形に形成し、その上に金属メッキ（１２）を施し、フォトレジスト（１３）を薬品にて除去した後、プラズマにより、スパッタリングして膜状に電気的絶縁物（７）をコーティングする工程と、表面にスパッタエッチング加工を施し、表面の電気的絶縁物（７）を除去し、少なくとも側面（２ｃ，３ｃ）に電気的絶縁物（７）を残すスパッタエッチング工程と、を含むことを特徴とする。

請求項４に記載された発明は、請求項３に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１，１０）の製造方法であって、前記Ｃｕ箔（１１）を反転し、フォトレジスト（１３）で覆い、露光・現像する工程と、前記Ｃｕ箔（１１）にエッチングによって穴を開ける工程と、前記スパイラル状接触子（２，３）にスパッタエッチングを施し、スパイラル状接触子（２，３）の側面（２ｃ，３ｃ）にコーティングされた電気的絶縁物（７）の角（７ａ）を除去する工程と、を含むことを特徴とする。

請求項５に記載された発明は、請求項４に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１，１０）の製造方法であって、前記電気的絶縁物（７）は、ＳｉＯ_２（二酸化珪素）であることを特徴とする。

請求項１に係る発明によれば、２つのスパイラル状接触子によって形成されたすきま（スリット）に微細なゴミが侵入した場合であっても、前記接続端子と接触する接触部を残して、少なくとも側面（２ｃ，３ｃ）を電気的絶縁物（７）でコーティングしたことにより、微細なゴミの侵入が原因の電気的接触しない、ショートしない凸形ケルビン・スパイラルコンタクタを提供することができる。

請求項２に係る発明によれば、２つの電極端子を片側に寄せて配置したことにより、扱いが容易になるため、より加工精度の向上が図れ、一体加工が容易にできる。なお、電極端子を片側に寄せることによって、スパイラル状接触子の全長の長さが異なるが、測定値には全く影響が無いレベルである。

請求項３に係る発明によれば、製造方法は、Ｃｕ箔の上面をフォトレジストで覆い、露光・現像して、フォトレジストを、スパイラル状接触子の形状を空洞にするように凹状に抜けた形に形成し、その上に金属メッキを施し、フォトレジストを薬品にて除去した後、プラズマにより、スパッタリングして膜状に電気的絶縁物をコーティングする工程と、表面にスパッタエッチング加工を施し、表面の電気的絶縁物を除去し、少なくとも側面に電気的絶縁物を残すスパッタエッチング工程と、を含むことにより、スパイラル状接触子の側面に電気的絶縁物をコーティングすることができ、さらに、電気的接触部を確保するために、プラズマで電気的絶縁物のコーティングの上部の角を、あたかも面取りをしたように削ぎ落とすことができるため、電気的接触部を形成することができ、容易に、しかも、安価に製造することができる。

請求項４に係る発明によれば、Ｃｕ箔を反転し、フォトレジスを塗布し、露光・現像する工程と、Ｃｕ箔にエッチングによって穴を開ける工程と、スパイラル状接触子にスパッタエッチングを施し、スパイラル状接触子の側面にコーティングされた電気的絶縁物の角を除去する工程とを含むことにより、プラズマで電気的絶縁物のコーティングの上部の角を、あたかも面取りをしたように削ぎ落とすことができるため、電気的接触部を形成することができ、容易に、しかも、安価に製造することができる。

請求項５に係る発明によれば、電気的絶縁物をＳｉＯ_２（二酸化珪素）としたことにより、容易に電気的絶縁部を形成することができ、ショートしない凸形ケルビン・スパイラルコンタクタを提供することができる。しかも、安価に製造することができる。

＜第１実施の形態＞
以下、本発明の第１実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施の形態の凸形ケルビン・スパイラルコンタクタを示し、（ａ）は接続端子と接続する前の状態を示す拡大平面図である。
図１の（ａ）に示すように、凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１は、２つのスパイラル状接触子２，３で１セットになる。電極端子２ｅ，３ｅを左右対称に配置して、お互い接近する方向（内側）に向って干渉することなく、お互いが所定間隔をもって２回転する渦巻き状で形成されている。つまり、直交座標（ｘ軸、ｙ軸）を用いて説明すると、電極端子２ｅは−ｘ軸上に配置され、電極端子３ｅは＋ｘ軸上に配置されており、直交するｙ軸に対して左右対称の位置に配置されている。この凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１は、平面視してスパイラル（渦巻き）形状を有する２つのスパイラル状接触子２，３を備え、絶縁基板２０上に配置されている。また、スパイラル状接触子２，３の電極端子２ｅ，３ｅを基端部にして先端をフリーとした各１本からなり、根元から先端に進むにしたがって幅が狭くなるように形成されている。
なお、この電極端子２ｅ，３ｅの配置は、前記した左右対称に限らず、上下対称、右斜め対称、左斜め対称、その他の対称としてもよい。また、図１の（ａ）に示す凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１のサイズ（渦巻き径）はφ０．６ｍｍ〜０．１ｍｍであり、被検査物の接続端子のサイズが、φ１．２ｍｍ〜０．０５ｍｍに対応できる。

凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１は、ここでは左回り（反時計回り）の渦巻き状になっているが、右回り（時計回り）の渦巻き状にしてもよい。絶縁基板２０上の左側に設けられたスパイラル状接触子２と、対峙して右側に設けられ、同じく反時計方向に渦巻き状になっているスパイラル状接触子３がそれぞれ独立して構成されている。スパイラル状接触子３は、スパイラル状接触子２に干渉のないすきま８を確保して根元から先端に進むにしたがって幅も狭くなっている。したがって、この断面図（図１の（ｂ）参照）では交互に配置されている。このように、凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１は、設置スペースを拡大することなく２つのスパイラル状接触子２，３が入り組んだ形で構成されている。
なお、スパイラル状接触子２，３の渦巻き数は２回転巻きとしたが、幅をより細くして３回巻き、４回巻き、その他であってもよい。また、スパイラル状接触子２，３の渦巻き形状は、図１（ａ）、図４（ａ）では曲線状にしたが、多角形、例えば、…８、１０、１２、１６、２４角形…等、どんどん角数を増やすことで曲線状に近づけることができることから、これらの多角形をした渦巻き形状であっても構わない。

図１の（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線の断面図である。
図１の（ｂ）に示すように、凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１は、凸形に形成されている。断面に示すように、スパイラル状接触子２，３も凸形に形成されている。

図１の（ｃ）は、（ｂ）に示すスパイラル状接触子のＢ部拡大図である。
図１の（ｃ）に示すように、前記凸形ケルビン・スパイラルコンタクタのスパイラル状接触子３は、上面３ｄと下面３ｂを除く側面３ｃ、３ｃが電気的絶縁物７でコーティング（被膜）されている。被検査物の接続端子である、たとえば、球状接続端子６（図２参照）との接触面となる角３ａはスパイラル状の稜線として露出している。この凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１のスパイラル状接触子３の角度αは、９１〜１５０度の範囲で角７ａが面取りされ、被検査物の接続端子と接触する接触部の角３ａが露出している。
球状接続端子６とスパイラル状接触子３との接触角はそれぞれ異なるが、図２（ａ）に示すように、球状接続端子６と接触しているスパイラル状接触子ｄの場合で、球状接続端子６の中心位置から２０度の位置であるため、図１の（ｃ）に示す角度βは８９〜３０度が好ましい。

電気的絶縁物７は、ＳｉＯ_２（二酸化珪素）である。しかし、ＳｉＯ_２に限定するものではなく、その他の絶縁材料の電気的絶縁物７であっても構わない。
電気的絶縁物７とは、分子と分子が接触できないように間に介在し、絶縁（insulation）状態を形成する物質をいい、電気を通さない材料をいう。

図２は、本発明の第１実施の形態のスパイラル状接触子と各種接続端子との接合状態を示し、（ａ）は球状接続端子と接続した状態を示す断面図である。
図２の（ａ）に示すように、スパイラル状接触子２，３は、球状接続端子６の球面にスパイラル状接触子の角２ａ，３ａが押圧されながら摺動し、球状接続端子６の球面上に生じた極薄の酸化膜を切り込むことで、確実な通電をする。

従来の極小のコイルバネを内蔵した探針のポゴピン接触子（図示せず）では、1本に対する押圧力が１０ｇであるのに対して、このスパイラル状接触子２，３の１本による押圧力は、０．０５ｇであり、約１／２０の押圧力で安定した通電接触ができる。例えば、１０００本の接触子を有する従来のデバイスの場合、１０ｋｇにもなるが、このスパイラル状接触子２，３を採用したデバイスの押圧力は、たった５０ｇでよく、より軽量な構成での設計ができる。また、スパイラル状接触子２，３の製造方法は、光や電子ビームを用いた写真印刷技術（リソグラフィー）により行うことができるため、微細加工が容易である。

図２の（ｂ）はフラット状接続端子と接続した状態を示す断面図である。
図２の（ｂ）に示すように、スパイラル状接触子２，３は、フラット状接続端子６′のフラット面にスパイラル状接触子の角２ａ，３ａが押圧されながら摺動し、フラット状接続端子６′の面に生じた極薄の酸化膜を切り込むことで、確実な通電をすることが可能である。なお、フラット状接続端子６′は、パット状接続端子６′ともいう。

＜第２実施の形態＞
本発明の第２実施の形態を示す図４を説明する前に、その発明の過程から説明する。
図３は、凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの構成に至る過程の説明図であり、（ａ）は基本形を示すスパイラル状接触子の拡大平面図、（ｂ）は中央に溝を設けて２つにしたスパイラル状接触子の拡大平面図、（ｃ）は、電極端子の一方を移動し、さらに、スパイラル状接触子の先端部の他方を延長した状態を示すスパイラル状接触子の拡大平面図、（ｄ）は、電極端子の半円を円形に変形させ、一方を近傍に配置した状態を示すスパイラル状接触子の拡大平面図である。

図３の（ａ）に示すように、この凸形ケルビン・スパイラルコンタクタのスパイラル状接触子は1本から構成された平面視のスパイラル状接触子である。このスパイラル状接触子はａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆの順に幅が細く、かつ、凸形に上方へ向って延びている。
図３の（ｂ）に示すように、スパイラル状接触子１０の中央に切り目が入り、すきま８が形成されると、２つの電極端子２ｅ，３ｅになり、先端まで２ピースになる。
図３の（ｃ）に示すように、今度は、電極端子３ｅの位置を移動させて、電極端子２ｅから離間させ、所望のスペースを確保する。
最後は、図３の（ｄ）に示すように、電極端子２ｅ、３ｅの双方を円形（円柱形）にまとめてそれぞれの近傍に配置する。
なお、この円形の電極端子２ｅ、３ｅは、円柱形の信号線（ケーブル）としてもよい。
このように、スパイラル状接触子を２つに分割することにより、電極端子２ｅ、３ｅが近いため、渦巻き状に２つを添わせることができる。また、セットにしやすく、取り扱いが容易になるため、組立作業も容易である。

図４は、本発明の第２実施の形態の凸形ケルビン・スパイラルコンタクタを示し、（ａ）は球状接続端子及びフラット状接触子と接続する前の状態を示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＣ−Ｃ線の断面図、（ｃ）は、（ｂ）に示すスパイラル状接触子のＢ部拡大図である。なお、図４（ａ）に示す凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１のサイズはφ０．６ｍｍ〜０．１ｍｍであり、被検査物の接続端子のサイズが、φ１．２ｍｍ〜０．０５ｍｍに対応できる。

図４の（ａ）に示す凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１０と、前記した図１（ａ）に示す凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１との相違点について説明する。
図４の（ａ）に示す凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ１０は、図１に示すスパイラル状接触子２，３の電極端子２ｅ，３ｅのうち、一方の電極端子２ｅをそのままの配置にし，他方の電極端子３ｅの位置を電極端子２ｅの近傍に寄せて配置した点が異なる。
つまり、直交座標（ｘ軸、ｙ軸）を用いて説明すると、電極端子２ｅは、−ｘ軸上に配置されている。また、電極端子３ｅは、第２象限に配置されている。

ここでは、電極端子２ｅ，３ｅを接近させて干渉することなく、お互いが所定間隔をもって２回転する渦巻き状で構成されている。このように、電極端子２ｅ，３ｅが近いと、渦巻きを沿わせることが容易にできる。また、セットにしやすく、取り扱いが容易であるといったメリットがあり、都合がよい。
なお、電極端子３ｅの位置は、ｘ軸を対称軸にして第２象限から第３象限としてもよい。さらには、これらを、ｙ軸を対称軸にした左右対称位置の第１象限であってもよいし、それ以外であっても構わない。なお、２つの電極端子２ｅ，３ｅを近づけたことにより電気的接触しないように充分なすきまが設けられている。

図４の（ｂ）、図４の（ｃ）については、図１の（ｂ）、図１の（ｃ）の説明と重複するため、省略する。

ここで、凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの製造方法について説明する。
図５は、凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの製造方法を示す前半の工程図、図６は、後半の工程図である。
図５に示すように、（ａ）は、Ｃｕ箔（１１）の上面をフォトレジスト（１３）で覆い、露光・現像して、フォトレジスト（１３）を、スパイラル状接触子（２，３）の形状を空洞にするように凹状に抜けた形に形成し、その上に金属メッキ（１２）を施し、フォトレジスト（１３）を薬品（溶剤）にて除去する工程である。これは、先に同じ出願人が出願した特開２００１−１７５８５９号公報の段落番号［００５０］にて、その詳細を説明した通りである。
（ｂ）は、プラズマにより、スパッタリングして膜状に電気的絶縁物７をコーティングする工程である。電気的絶縁物７はＳｉＯ_２（二酸化珪素）で、この膜の厚みは、０．１〜０．０５μである。
（ｃ）は、表面にスパッタエッチングを施し、表面の電気的絶縁物７を除去し、少なくとも側面２ｃ，３ｃ（図１の（ｃ）参照）に電気的絶縁物７を残すスパッタエッチング工程である。表面の電気的絶縁物７をスパッタエッチングによって除去する。この際、側面２ｃ，３ｃにコーティングされた電気的絶縁物７、例えば、ＳｉＯ_２（二酸化珪素）は、角７ａが面取りされるが、側面の電気的絶縁物７は残る。
（ｄ）は、表裏を反転し、フォトレジスト１３を塗布し、露光・現像する工程である。
（ｅ）は、エッチングによってＣｕ箔１１に、穴を開ける工程である。
（ｆ）は、スパイラル状接触子２，３にスパッタエッチングを施し、スパイラル状接触子２，３の側面２ｃ，３ｃにコーティングされた電気的絶縁物７の角７ａ（図１の（ｃ）参照）を除去する工程である。
（ｇ）は、図示しない微細な凸型を使用して凸形にアニールフォーミングし、熱処理を施して内部応力を除去する工程である。
（ｈ）は、裏面に保護シート１４を貼付する工程である。

図６は、後半の工程図である。図６に示すように、
（ｉ）は、凸形のスパイラル状接触子２，３にフォトＰＩＱ１５を塗布し、フォトマスク１７して露光する工程である。
（ｊ）は、露光後、光の照射部分が除去され、熱をかけて固める工程である。
（ｋ）は、保護シート１４を剥がし、粘着シート１８を貼付する工程である。粘着シート１８にはリバーアルファーが好適である
（ｌ）は、Ｃｕ箔１１をエッチングによって除去する工程である。
（ｍ）は、リバーアルファー１８を剥がし、プリント基板２０を貼付し、ハンダリフロー１９で接着する工程である。
（ｎ）は、フォトＰＩＱ１５を溶剤で溶かし、フォトＰＩＱ１５を除去する工程である。

図７は、図６に示す凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの後半の製造方法の変形例である。図７に示すように、
（ｉ）は、凸形のスパイラル状接触子２，３にフォトＰＩＱ１５を塗布する工程である。
（ｊ）は、保護シート１４を剥がす工程である。
（ｋ）は、下面から光を照射し、露光する工程である。
（ｌ）は、光の照射部分が固まり、陰の部分が除去される工程である。
（ｍ）は、Ｃｕ箔１１をエッチングによって除去し、プリント基板２０のランド１６にハンダリフロー１９で接着する工程である。
（ｎ）は、フォトＰＩＱ１５を溶剤で溶かして除去する工程である。

なお、フォトＰＩＱ（Photosensitive PolyImide Insulated Quinones：感光性ポリミド）は絶縁膜材料をいい、たとえば、半導体用高耐熱ファインポリマや、超ＬＳＩ用高耐熱ポリイミド、半導体絶縁膜用ポリミイドなどをいう。
また、本発明はその技術思想の範囲内で種々の改造、変更が可能である。本発明は、フォトリソグラフィ技術、メッキ製造技術により微細加工を施すことを特徴としており、これを用いた製造方法やスパッタリングによるコーティング法、コーティングされた電気的絶縁物をプラズマで除去、そして、面取りをする方法等を組み合わせた加工方法は、本発明の権利範囲内のものである。さらに、ここでいう電気的絶縁物は、ＳｉＯ_２（二酸化珪素）やフォトＰＩＱに限定されるものではない。

本発明の第１実施の形態の凸形ケルビン・スパイラルコンタクタを示し、（ａ）は接続端子と接続する前の状態を示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線の断面図、（ｃ）は、（ｂ）に示すスパイラル状接触子のＢ部拡大図である。 本発明の第１実施の形態のスパイラル状接触子と各種接続端子との接合状態を示し、（ａ）は球状接続端子と接続した状態を示す断面図、（ｂ）はコーン状接続端子と接続した状態を示す断面図、（ｃ）は、フラット状接続端子と接続した状態を示す断面図である。 凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの構成に至る過程の説明図であり、（ａ）は基本形を示すスパイラル状接触子の拡大平面図、（ｂ）は中央に溝を設けて２つにしたスパイラル状接触子の拡大平面図、（ｃ）は、電極端子の一方を移動し、さらに、スパイラル状接触子の先端部の他方を延長した状態を示すスパイラル状接触子の拡大平面図、（ｄ）は、電極端子の半円を円形に変形させ、一方を近傍に配置した状態を示すスパイラル状接触子の拡大平面図である。 本発明の第２実施の形態の凸形ケルビン・スパイラルコンタクタを示し、（ａ）は接続端子と接続する前の状態を示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＣ−Ｃ線の断面図、（ｃ）は、（ｂ）に示すスパイラル状接触子のＤ部拡大図である。 凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの製造方法を示す前半の工程図である。 凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの製造方法を示す後半の工程図である。 凸形ケルビン・スパイラルコンタクタの製造方法の変形例を示す後半の工程図である。 従来の２本探針によりケルビン接合する構成を示す斜視図である。 従来のフラット状のケルビン・スパイラルコンタクタを示し、（ａ）は球状接続端子と接続する前の状態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＥ−Ｅ線の断面図である。 従来のケルビン・スパイラルコンタクタの断面を示し、（ａ）は球状接続端子と接続する前の状態を示す断面図、（ｂ）は球状接続端子と接続した状態を示す断面図である。

符号の説明

１，１０ ケルビン・スパイラルコンタクタ
２，３ スパイラル状接触子
２ａ，３ａ 角
２ｂ，３ｂ 下面
２ｃ，３ｃ 側面
２ｄ，３ｄ 上面
２ｅ，３ｅ 電極端子
２ｆ，３ｆ ランド
２ｇ，３ｇ ガイドフレーム
４ 絶縁基板（インターポーザ）
５ 被検査物（電子部品）
６ 球状接続端子
６′ フラット（パッド）状接続端子
７ 電気的絶縁物（ＳｉＯ_２：二酸化珪素）
７ａ 角
８ すきま（すきま）
１１ Ｃｕ箔
１２ 金属（ニッケル（Ｎｉ））メッキ
１３ フォトレジスト
１４ 保護シート
１５ フォトＰＩＱ
１６ ランド
１７ フォトマスク
１８ 粘着シート（リバーアルファー）
１９ ハンダリフロー
２０ 絶縁（プリント）基板
α，β 角度
ｘ，ｙ 座標軸

Claims (5)

1. 接続端子を有する被検査物の電子部品と電気的接続を行って電気的測定をするケルビンコンタクト型接触子であり、絶縁基板上に前記接続端子と接触する平面視してスパイラル形状を有する２つの凸形のスパイラル状接触子（２，３）を備え、電極端子（２ｅ，３ｅ）からそれぞれの先端をフリーとした各１つからなり、２つが対峙して前記スパイラル状接触子（２）の渦巻き状のすきまに、もう１つの渦巻き状のスパイラル状接触子（３）が配置された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１）であって、
   前記スパイラル状接触子（２，３）は、前記接続端子と接触する接触部を残して、少なくとも側面（２ｃ，３ｃ）を電気的絶縁物（７）でコーティングしたことを特徴とする凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１）。
2. 前記２つのスパイラル状接触子（２，３）の電極端子（２ｅ，３ｅ）の一方を片側に寄せて配置したことを特徴とする請求項１に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１０）。
3. 請求項１または請求項２に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１，１０）の製造方法であって、
   Ｃｕ箔（１１）の上面をフォトレジスト（１３）で覆い、露光・現像して、フォトレジスト（１３）を、スパイラル状接触子（２，３）の形状を空洞にするように凹状に抜けた形に形成し、その上に金属メッキ（１２）を施し、フォトレジスト（１３）を薬品にて除去した後、
   プラズマにより、スパッタリングして膜状に電気的絶縁物（７）をコーティングする工程と、
   表面にスパッタエッチング加工を施し、表面の電気的絶縁物（７）を除去し、少なくとも側面（２ｃ，３ｃ）に電気的絶縁物（７）を残すスパッタエッチング工程と、
   を含むことを特徴とする凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１，１０）の製造方法。
4. 前記Ｃｕ箔（１１）を反転し、フォトレジスト（１３）で覆い、露光・現像する工程と、
   前記Ｃｕ箔（１１）にエッチングによって穴を開ける工程と、
   前記スパイラル状接触子（２，３）にスパッタエッチングを施し、スパイラル状接触子（２，３）の側面（２ｃ，３ｃ）にコーティングされた電気的絶縁物（７）の角（７ａ）を除去する工程と、
   を含むことを特徴とする請求項３に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１，１０）の製造方法。
5. 前記電気的絶縁物（７）は、ＳｉＯ_２（二酸化珪素）であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載された凸形ケルビン・スパイラルコンタクタ（１，１０）の製造方法。

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