JP2008244523A - 弾性表面波素子および電子機器 - Google Patents
弾性表面波素子および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008244523A JP2008244523A JP2007077867A JP2007077867A JP2008244523A JP 2008244523 A JP2008244523 A JP 2008244523A JP 2007077867 A JP2007077867 A JP 2007077867A JP 2007077867 A JP2007077867 A JP 2007077867A JP 2008244523 A JP2008244523 A JP 2008244523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- piezoelectric layer
- wave element
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Abstract
【解決手段】本発明の弾性表面波素子1は、金属酸化物を主として構成された圧電体層4と、圧電体層4の一方の面上に設けられた1対のIDT5、6とを有し、IDT5間に電圧を印加することにより、圧電体層4に弾性表面波を励振させるものであり、各IDT5、6は、圧電体層4の金属酸化物中の金属よりもイオン化傾向の大きい少なくとも1種の金属を含むAl系合金で構成されている。
【選択図】図2
Description
このような弾性表面波を利用する弾性表面波素子は、携帯電話等の通信機器用のバンドパスフィルター、基準クロックとしての共振子、信号処理用遅延素子(特に、フーリエ変換機能素子)、圧力センサーや温度センサーのような各種センサー、光偏向器等へ応用されている。
このような弾性表面波素子では、入力用のIDTに交流(電気信号)が供給されると、この交流による電場によって圧電体層にひずみが生じる。このとき、電極が櫛歯形状であることにより圧電体層に疎密が生じ、これにより弾性表面波が発生する。そして、この弾性表面波は出力用IDTに伝搬し、この弾性表面波のエネルギーは出力用IDTによって電気的エネルギーに変換・出力される。
特許文献1では圧電体層として水晶を用いているが、圧電体層としてZnOを用いることもよく行われている。
特に、圧電体層の表面の荒れの程度に対するデバイス特性の変化は、弾性表面波素子の作動周波数が高いほど顕著となる。
本発明の弾性表面波素子は、金属酸化物を主として構成された圧電体層と、
前記圧電体層の一方の面上に設けられた少なくとも1つの櫛歯状電極とを有し、
前記櫛歯状電極に電圧を印加することにより、前記圧電体層に弾性表面波を励振させるものであり、
前記櫛歯状電極は、前記金属酸化物中の金属よりもイオン化傾向の大きい少なくとも1種の金属を含むAl系合金で構成されていることを特徴とする。
これにより、デバイス特性を優れたものとしつつ、耐マイグレーション特性を向上させることができる。
これにより、比較的簡単に高速な弾性表面波素子を製造することができる。特に、このような高速な弾性表面波素子では、電極と圧電体層との間にかかる負荷が大きく、また、圧電体層の表面の荒れによるデバイス特性の変化も大きい。したがって、本発明のような電極の構成を適用することで、その効果が顕著となる。
これにより、弾性表面波を効率的に励振させることができる。
本発明の弾性表面波素子では、前記少なくとも1種の金属は、Li、Sc、Rb、K、Ba、Sr、Ca、Na、Mg、Ti、Cs、Mn、Nd、Beのうちの1種または2種以上であることが好ましい。
このような金属は、Znよりもイオン化傾向が大きい。したがって、電極と圧電体層との界面付近が水分にさらされても圧電体層中のZnが溶け出すのを防止することができる。
これにより、弾性表面波素子の高速化を図ることができる。
本発明の弾性表面波素子では、前記硬質層は、水晶で構成されていることが好ましい。
これにより、弾性表面波素子の高速化を図ることができる。
これにより、環境温度の影響を防止したり、櫛歯状電極や圧電体層を保護したりすることができる。
本発明の弾性表面波素子では、前記保護層は、SiO2を主として構成されていることが好ましい。
これにより、より確実に、環境温度の影響を防止したり、櫛歯状電極や圧電体層を保護したりすることができる。
このように圧電体層が多結晶状態である構造では、単結晶のみで構成されているものに比し、圧電体層が化学的に不安定であるため、櫛歯状電極と圧電体層との間の界面付近が水分による影響を受けやすい。したがって、このような構造では、本発明を適用することによる効果が顕著となる。
前記圧電体層の一方の面上に設けられた少なくとも1つの櫛歯状電極とを有し、
前記櫛歯状電極に電圧を印加することにより、前記圧電体層に弾性表面波を励振させる弾性表面波素子を備え、
前記弾性表面波素子の前記櫛歯状電極が、前記金属酸化物中の金属よりもイオン化傾向の大きい少なくとも1種の金属を含むAl系合金で構成されていることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子機器を提供することができる。
図1は、本発明の弾性表面波素子の実施形態を模式的に示す平面図、図2は、図1中におけるA−A線断面図である。なお、以下の説明では、図1中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」と言い、図2中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
この弾性表面波素子1は、いわゆる2ポート型と呼ばれるタイプの素子であり、入力用のIDT5に電圧を印加することにより、圧電体層4に弾性表面波を励振させ、その弾性表面波を1対の反射器7、8間で反射させながら出力用のIDT6で電圧に変換して特定の周波数の電圧を出力させる。
基板2は、硬質層3および/または圧電体層4を支持または補強する機能を有する。なお、硬質層3や圧電体層4の厚さや強度などによっては、基板2を省略することができる。
基板2の構成材料としては、例えば、Si、GaSi、SiGe、GaAs、STC、InPのような各種半導体材料、水晶、各種ガラス材料、各種セラミックス材料、ポリイミド、ポリカーボネートのような各種樹脂材料等が挙げられるが、Siが好適に用いられる。
また、基板2は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよく、この場合、各層は、前述したような材料を任意に組み合わせて用いることができる。
このような基板2の上面には、硬質層3が接合されている。
このような硬質層3の構成材料を適宜設定することにより、弾性表面波の特性を所望のものに設定することが可能となる。
硬質層3の厚さ(平均)は、特に限定されないが、1〜20μm程度であるのが好ましく、3〜10μm程度であるのがより好ましく、3〜5μm程度であるのがさらに好ましい。
このような硬質層3の上面には、圧電体層4が接合されている。
この圧電体層4の構成材料としては、例えば、酸化亜鉛(ZnO)、窒化アルミニウム(AlN)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、ニオブ酸カリウム(KNbO3)、4ホウ酸リチウム(Li2B4O7)等の金属酸化物が挙げられ、これらのうちの1種を単独でまたは2種以上を組み合わせたものを主材料とするものが好ましい。このような材料で圧電体層4を構成することにより、高周波であり、なおかつ温度特性に優れた弾性表面波素子を作成できるという効果が得られる。
特に、本実施形態のように硬質層3を備える弾性表面波素子1においては、圧電体層4の構成材料としては、酸化亜鉛(ZnO)を用いるのが好ましい。これにより、弾性表面波を効率的に発生させることができる。
また、このような圧電体層4の形成には、例えば、プラズマCVD、熱CVD、レーザーCVDのような化学蒸着法(CVD)、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射、シート状部材の接合等を用いることができる。
このような圧電体層4の硬質層3と反対側の面には、1対のIDT(櫛歯状電極)5、6および1対の反射器7、8が接合されている。
したがって、IDT5に駆動電圧(電気信号)が入力されると、圧電体層4において弾性表面波が励振され、フィルタリング機能による特定の周波数帯域の電気信号が、IDT6から出力される。
IDT5、6は、Alを主材料とした合金、すなわちAl系合金で構成されている。Alは、電気抵抗が小さいため、IDT5、6をAlを主材料として構成することにより、エネルギー損失が小さくなる。このため、弾性表面波素子1では、弾性表面波の共振がより鋭くなる。
また、IDT5、6の膜厚の制御が容易となるので、精度の高い弾性表面波素子1を得ることができる。
さらに、Alに、Cu、Si、Ti、Mo、Sc等の金属を添加することにより、IDT5、6のマイグレーション耐性を改善することもできる。
このようにAlまたはAl系合金に添加する金属としては、圧電体層4を構成する金属酸化物中の金属よりもイオン化傾向が大きい(標準電極電位が小さい)ものであれば、特に限定されず、各種金属を用いることができる。
このようなIDT5、6の形成方法は、特に限定されないが、真空蒸着法、スパッタリング法(低温スパッタリング)、イオンプレーティング等のような物理的気相堆積法(PVD法)、プラズマCVD法、熱CVD法、レーザーCVD法のような化学気相堆積法(CVD法)などの気相成膜法を用いることができる。その際、ターゲットとして前述したような金属の添加済みのAl系合金を用いてもよいが、Al系合金の各成分のターゲットを複数用意すると、成膜が簡単となり材料の選択の幅が広くなる。
このようなIDT5、6は、例えば、圧電体層4上に、導電性材料層を形成した後、この導電性材料層に、IDT5、6に対応する形状のマスクを用いて、エッチングを施すことにより形成することができる。
また、エッチングには、例えば、リアクティブイオンエッチング(RIE)、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングのようなドライエッチング、ウェットエッチング等を用いることができる。
このような1対のIDT5、6を介して対向するように、1対の反射器7、8が配置されている。
各反射器7、8は、圧電体層4に伝搬する弾性表面波を反射して、反射器7と反射器8との間に封じ込める機能を有する。
このような反射体71、81の幅、間隔、ピッチ、厚さ等を調整することにより、弾性表面波素子1において励振される弾性表面波の発振周波数等の特性を所望のものに設定することができる。
このような反射器7、8は、前述したIDT5、6と同様、圧電体層4の圧電材料(金属酸化物)中の金属よりもイオン化傾向の大きい少なくとも1種の金属を含むAl系合金で構成されているのが好ましい。これにより、反射器7、8と圧電体層4との界面付近が水分にさらされても圧電体層4中の金属がイオンとなって溶け出すのを防止することができる。
このようなIDT5、6を覆うように、保護層9が設けられている。ここで、保護層9には、開口部11〜14が形成されていて、外部からIDT5、6への電気的導通が確保されている。この開口部11〜14は、平面視にてIDT5、6の電極指51、61以外の部分上に設けられている。
また、保護層9は、弾性表面波素子1の温度特性を低減(改善)させる機能をも有するものである。ここで、温度特性(周波数温度特性)とは、温度変化に伴って、発振周波数が変動する特性(現象)のことを言う。
この保護層9の構成材料としては、特に限定されないが、圧電体層4を前述したような材料で構成する場合には、例えば、SiO2(酸化ケイ素)あるいはSiOx、Al2O3、Cu2O、Ta2O5、TiO2のような酸化物、SixNy、AlNのような窒化物、TiC、SiCのような炭化物等が挙げられ、これらのうちの1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。
また、このような保護層9の形成には、例えば、プラズマCVD、熱CVD、レーザーCVDのような化学蒸着法(CVD)、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射、シート状部材の接合等を用いることができる。
上述したような弾性表面波素子1は、各種の電子機器に適用することができ、得られる電子機器は、信頼性の高いものとなる。
図3は、本発明の弾性表面波素子を備える電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピュータ1100には、フィルタ、共振器、基準クロック等として機能する弾性表面波素子1やアンテナ1101が内蔵されている。
この図において、携帯電話機1200は、アンテナ1201、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部が配置されている。
このような携帯電話機1200には、フィルタ、共振器等として機能する弾性表面波素子1が内蔵されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリ1308に転送・格納される。
このようなディジタルスチルカメラ1300には、フィルタ、共振器等として機能する弾性表面波素子1が内蔵されている。
例えば、本発明の弾性表面波素子は、用途に応じて反射器、櫛歯電極の数を変更してもよく、また反射器を省略することもできる。
また、例えば、櫛歯電極および反射器は、それぞれ、電極指および反射体以外の部分が絶縁膜から露出するような構成であってもよい。
また、本発明の弾性表面波素子には、各種機能を有する半導体素子が複合化されていてもよい。
1.弾性表面波素子の作製
(実施例)
まず、単結晶シリコンの基板の一方の面上に、メタンガスを材料とした熱フィラメントCVD法を用いてダイヤモンドの硬質層を形成した。ここで、基板としては、厚さ800μmのものを用い、硬質層の厚さは、20μmであった。
次に、基板を150℃に加熱しながら、形成された圧電体層の硬質層とは反対側の面上に、Al−Ti(1質量%)のAl合金を真空蒸着法により厚さ0.07μmまで成膜した。
その後、O2プラズマによるアッシング処理により、フォトレジストを剥離した。
次に、室温にて、1対のIDTおよび1対の反射器を覆うように、RFスパッタリング法を用いてSiO2の保護層を形成した。ここで、保護層の厚さは、1.62μmであった。
以上のようにして、図1および図2に示すような弾性表面波素子を作製した。
(比較例)
Al合金としてAl−Cu(1質量%)を用い、Al合金の膜のエッチング工程の処理時間を7分間程度とした以外は、前述した実施例と同様にして弾性表面波素子を作製した。
前述したようにして得られた実施例および比較例のそれぞれの弾性表面波素子について、フィルタ特性および耐電力の評価を行った。
<フィルタ特性>
実施例および比較例のそれぞれの弾性表面波素子について、ネットワークアナライザーを用いた伝送特性(S21)の通過帯域における挿入損失の最小値を測定した。その結果を図6に示す。
図6に示すように、挿入損失の最小値は、比較例の弾性表面波素子では6.6dBであるのに対し、実施例の弾性表面波素子では5.2dBであり、実施例が比較例よりものフィルタ特性が優れていることがわかった。
実施例および比較例のそれぞれの弾性表面波素子について、素子を85℃に昇温した状態で素子に20dBmの信号を印加し、S21の挿入損失が0.5dBまで低下した時点を故障時間とし、これを測定した。その結果を図6に示す。
図6に示すように、上記のような加速試験における故障時間は、比較例の弾性表面波素子では130時間であるのに対し、実施例の弾性表面波素子では340時間であり、耐電力性についても実施例のほうが比較例よりも大幅に良い性能であることが確認された。
また、実施例および比較例のそれぞれの弾性表面波素子のIDT形成後の圧電体層表面を走査電子顕微鏡(SEM)で観察したところ、図7(a)に示すように、比較例ではエッチング液によるダメージを受けてZnO表面が荒れている状態であるのに対し、図7(b)に示すように、実施例ではダメージは見られなかった。
Claims (10)
- 金属酸化物を主として構成された圧電体層と、
前記圧電体層の一方の面上に設けられた少なくとも1つの櫛歯状電極とを有し、
前記櫛歯状電極に電圧を印加することにより、前記圧電体層に弾性表面波を励振させるものであり、
前記櫛歯状電極は、前記金属酸化物中の金属よりもイオン化傾向の大きい少なくとも1種の金属を含むAl系合金で構成されていることを特徴とする弾性表面波素子。 - 前記圧電体層の前記櫛歯状電極と反対側には、前記圧電体層よりも硬質な硬質層が設けられている請求項1に記載の弾性表面波素子。
- 前記圧電体層は、ZnOを主材料として構成されている請求項2に記載の弾性表面波素子。
- 前記少なくとも1種の金属は、Li、Sc、Rb、K、Ba、Sr、Ca、Na、Mg、Ti、Cs、Mn、Nd、Beのうちの1種または2種以上である請求項3に記載の弾性表面波素子。
- 前記硬質層は、ダイヤモンドで構成されている請求項2ないし4のいずれかに記載の弾性表面波素子。
- 前記硬質層は、水晶で構成されている請求項2ないし4のいずれかに記載の弾性表面波素子。
- 前記櫛歯状電極の前記圧電体と反対の面側を覆うように設けられた保護層を有する請求項1ないし6のいずれかに記載の弾性表面波素子。
- 前記保護層は、SiO2を主として構成されている請求項7に記載の弾性表面波素子。
- 前記圧電体層は、多結晶状態である請求項1ないし8のいずれかに記載の弾性表面波素子。
- 金属酸化物を主として構成された圧電体層と、
前記圧電体層の一方の面上に設けられた少なくとも1つの櫛歯状電極とを有し、
前記櫛歯状電極に電圧を印加することにより、前記圧電体層に弾性表面波を励振させる弾性表面波素子を備え、
前記弾性表面波素子の前記櫛歯状電極が、前記金属酸化物中の金属よりもイオン化傾向の大きい少なくとも1種の金属を含むAl系合金で構成されていることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007077867A JP2008244523A (ja) | 2007-03-23 | 2007-03-23 | 弾性表面波素子および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007077867A JP2008244523A (ja) | 2007-03-23 | 2007-03-23 | 弾性表面波素子および電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008244523A true JP2008244523A (ja) | 2008-10-09 |
Family
ID=39915377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007077867A Withdrawn JP2008244523A (ja) | 2007-03-23 | 2007-03-23 | 弾性表面波素子および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008244523A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011139215A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
JP2011166567A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
JP2011176546A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
US8624690B2 (en) | 2009-12-28 | 2014-01-07 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, oscillator, module apparatus |
US8674790B2 (en) | 2009-12-28 | 2014-03-18 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, oscillator, module apparatus |
JP2016058960A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社デンソー | 弾性表面波素子 |
US10840875B2 (en) * | 2017-10-24 | 2020-11-17 | Resonant Inc. | Surface acoustic wave devices using beryllium conductors |
US11588462B2 (en) | 2019-03-06 | 2023-02-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic wave device |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0314308A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-23 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
JPH07278852A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-24 | Murata Mfg Co Ltd | 高耐電力Al合金電極を有する電子部品の製造方法 |
JPH07326943A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-12 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
JPH1022766A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-23 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
JPH10135767A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP2001339269A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
JP2002152000A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子 |
-
2007
- 2007-03-23 JP JP2007077867A patent/JP2008244523A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0314308A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-23 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
JPH07278852A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-24 | Murata Mfg Co Ltd | 高耐電力Al合金電極を有する電子部品の製造方法 |
JPH07326943A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-12 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
JPH1022766A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-23 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
JPH10135767A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP2001339269A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
JP2002152000A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011139215A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
US8624690B2 (en) | 2009-12-28 | 2014-01-07 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, oscillator, module apparatus |
US8674790B2 (en) | 2009-12-28 | 2014-03-18 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, oscillator, module apparatus |
JP2011166567A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
JP2011176546A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
JP2016058960A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社デンソー | 弾性表面波素子 |
US10840875B2 (en) * | 2017-10-24 | 2020-11-17 | Resonant Inc. | Surface acoustic wave devices using beryllium conductors |
US11588462B2 (en) | 2019-03-06 | 2023-02-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic wave device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100678797B1 (ko) | 표면 탄성파 소자 및 이를 포함한 전자 기기 | |
JP2008244523A (ja) | 弾性表面波素子および電子機器 | |
JP5663744B2 (ja) | 弾性波素子と、これを用いた電子機器 | |
JP5581931B2 (ja) | 振動片、振動片の製造方法、振動子、振動デバイスおよび電子機器 | |
JP2007300287A (ja) | 弾性表面波素子および弾性表面波デバイス並びに電子機器 | |
US9166554B2 (en) | Flexural resonator element, resonator, oscillator, and electronic device | |
JP4569447B2 (ja) | 弾性表面波素子片および弾性表面波デバイス | |
CN107204750B (zh) | 声波器件 | |
KR20010093798A (ko) | 표면 음향파 장치의 고전력 핸들링을 위한 금속화 및 이를제공하는 방법 | |
JPWO2020095586A1 (ja) | 弾性波装置、分波器および通信装置 | |
JP2017079388A (ja) | 圧電振動子、電子機器及び移動体 | |
JP2005065050A (ja) | 弾性表面波素子、弾性表面波素子の製造方法および電子機器 | |
JP5938931B2 (ja) | 振動片、振動子、発振器および電子機器 | |
JP2006245990A (ja) | 弾性表面波素子及びその製造方法 | |
JPWO2014192614A1 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP2006237750A (ja) | 弾性表面波素子および電子機器 | |
JP2010177819A (ja) | 弾性表面波素子 | |
JP2005102182A (ja) | 弾性表面波素子および電子機器 | |
JP2008311853A (ja) | 弾性表面波素子および電子機器 | |
JP2004312309A (ja) | 半導体振動子複合装置、電子デバイスおよび電子機器 | |
JP2006121356A (ja) | 弾性表面波素子、電子デバイスおよび電子機器 | |
EP1528672A2 (en) | Surface acoustic wave element and electronic equipment | |
JP2004312198A (ja) | 弾性表面波素子およびその製造方法 | |
JP2006121228A (ja) | 弾性表面波素子、弾性表面波素子の製造方法、電子デバイスおよび電子機器 | |
JP7061005B2 (ja) | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20081212 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20110728 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20110809 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20111006 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20111101 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20111219 |