JP2011139215A - 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】弾性表面波デバイス1は、C面を主面11とするサファイア基板10と、サファイア基板10の主面11に形成される窒化アルミニウム膜30と、窒化アルミニウム膜30の表面に形成される櫛歯電極21,22と、櫛歯電極21,22及び窒化アルミニウム膜30の表面を覆う二酸化シリコン膜40と、を有する。窒化アルミニウム膜30の規格化膜厚KH−AlNと、二酸化シリコン膜40の規格化膜厚KH−SiO2と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数、高い音速を有する弾性表面波デバイス1を実現する。
【選択図】図2
Description
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、0.88)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.50、1.13)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.76、1.42)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.77、1.75)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.60、3.00)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.57、4.00)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.60、5.00)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.74、5.96)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.80、6.83)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.80、7.83)
座標11(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.82、8.67)
座標12(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.82、10.00)
座標13(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、10.00)
これらの座標を、座標1〜座標13の順に結ぶと共に座標13と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることが望ましい。
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、2.25)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.10、1.75)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.17、0.96)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.50、1.13)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.76、1.42)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.77、1.75)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.60、3.00)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.57、4.00)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.60、4.67)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.51、5.00)
座標11(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.51、5.33)
座標12(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.61、5.92)
座標13(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.61、7.00)
座標14(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.46、7.83)
座標15(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.45、10.00)
座標16(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、10.00)
これらの座標を、座標1〜座標16の順に結ぶと共に座標16と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることが望ましい。
また、5650m/s以上の高い音速が実現でき、高周波帯域発振器に好適である。
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、3.46)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.27、2.00)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.50、1.13)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.76、1.42)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.77、1.75)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.62、2.83)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.41、3.50)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、5.92)
これらの座標を、座標1〜座標8の順に結ぶと共に座標8と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることが望ましい。
また、5650m/s以上の高い音速が実現でき、高周波帯域発振器に好適である。
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、3.96)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.39、2.00)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.64、1.33)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.76、1.42)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.77、1.75)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.72、2.13)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.50、2.58)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.28、3.58)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、5.13)
これらの座標を、座標1〜座標9の順に結ぶと共に座標9と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることが望ましい。
また、5650m/s以上の高い音速が実現でき、高周波帯域発振器用の発振器に好適である。
(実施形態1)
なお、櫛歯電極21,22の材質は、導電性を有していれば特に限定されない。
(実施例1)
図5は、実施例1に係るKH‐AlNとKH‐SiO2と、電気機械結合係数K2との関係を示すグラフである。ここで、窒化アルミニウム膜30の厚さta、二酸化シリコン膜40の厚さts、弾性表面波の波長λ、としたとき、窒化アルミニウム膜30の規格化膜厚は、KH‐AlN=(2π/λ)・ta、二酸化シリコン膜40の規格化膜厚は、KH‐SiO2=(2π/λ)・ts、で与えられる。これら各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、適切な領域を以下の座標で表すことができる。なお、図5では、座標1、座標2、座標3・・・をZ1、Z2、Z3・・・と表している。
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.50、1.13)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.76、1.42)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.77、1.75)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.60、3.00)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.57、4.00)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.60、5.00)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.74、5.96)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.80、6.83)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.80、7.83)
座標11(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.82、8.67)
座標12(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.82、10.00)
座標13(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、10.00)
これらの座標を、座標1〜座標13〜座標1の順に結線した領域内で発生するセザワ波の1次モードを用いる。なお、以降、温度特性として遅延時間温度係数(TCD)を測定結果として表している。
また、図3と図4の各座標系で結ばれる領域とを合成して判断すると、この領域内では、音速5600m/s以上が得られる。
(実施例2)
図6は、実施例2に係るKH‐AlNとKH‐SiO2と、遅延時間温度係数(TCD)との関係を示すグラフ、図7は電気機械結合係数K2との関係を示すグラフである。ここで、窒化アルミニウム膜30の厚さta、二酸化シリコン膜40の厚さts、弾性表面波の波長λ、としたとき、窒化アルミニウム膜30の規格化膜厚は、KH‐AlN=(2π/λ)・ta、二酸化シリコン膜40規格化膜厚は、KH‐SiO2=(2π/λ)・ts、で与えられる。これら各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、適切な領域を以下の座標で表すことができる。なお、図6、図7では、座標1、座標2、座標3・・・をZ1、Z2、Z3・・・と表している。
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.10、1.75)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.17、0.96)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.50、1.13)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.76、1.42)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.77、1.75)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.60、3.00)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.57、4.00)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.60、4.67)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.51、5.00)
座標11(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.51、5.33)
座標12(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.61、5.92)
座標13(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.61、7.00)
座標14(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.46、7.83)
座標15(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.45、10.00)
座標16(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、10.00)
これらの座標を、座標1〜座標16〜座標1の順に結線した領域内で発生するセザワ波の1次モードを用いる。
また、図3と図6の各座標系で結ばれる領域とを合成して判断すると、この領域内では、5650m/s以上の高い音速が実現でき、高周波帯域発振器に好適である。
(実施例3)
図8は、実施例3に係るKH‐AlNとKH‐SiO2と、遅延時間温度係数(TCD)との関係を示すグラフ、図9は電気機械結合係数K2との関係を示すグラフである。ここで、窒化アルミニウム膜30の厚さta、二酸化シリコン膜40の厚さts、弾性表面波の波長λ、としたとき、窒化アルミニウム膜30の規格化膜厚は、KH‐AlN=(2π/λ)・ta、二酸化シリコン膜40の規格化膜厚は、KH‐SiO2=(2π/λ)・ts、で与えられる。これら各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、適切な領域を以下の座標で表すことができる。なお、図8、図9では、座標1、座標2、座標3・・・をZ1、Z2、Z3・・・と表している。
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.27、2.00)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.50、1.13)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.76、1.42)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.77、1.75)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.62、2.83)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.41、3.50)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、5.92)
これらの座標を、座標1〜座標8〜座標1の順に結線した領域内で発生するセザワ波の1次モードを用いる。
また、図3と図8の各座標系で結ばれる領域とを合成して判断すると、この領域内では、5650m/s以上の高い音速が実現でき、高周波帯域発振器に好適である。
(実施例4)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.39、2.00)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.64、1.33)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.76、1.42)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.77、1.75)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.72、2.13)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.50、2.58)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.28、3.58)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、5.13)
これらの座標を、座標1〜座標9〜座標1の順に結線した領域内で発生するセザワ波の1次モードを用いる。
また、図3と図10の各座標系で結ばれる領域とを合成して判断すると、この領域内では、5650m/s以上の高い音速が実現でき、高周波帯域発振器用の発振器に好適である。
Claims (8)
- C面を主面とするサファイア基板と、
前記サファイア基板の主面に形成される窒化アルミニウム膜と、
前記窒化アルミニウム膜の表面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極と、
前記櫛歯電極及び前記窒化アルミニウム膜の表面を覆う二酸化シリコン膜と、
を有することを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 前記櫛歯電極にて励振される前記弾性表面波が1次のセザワ波であることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記窒化アルミニウム膜の厚さta、前記二酸化シリコン膜の厚さts、前記弾性表面波の波長λとし、
前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をKH‐AlN=(2π/λ)・ta、
前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をKH‐SiO2=(2π/λ)・ts、
で与えられる各々の前記規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、0.88)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.50、1.13)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.76、1.42)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.77、1.75)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.60、3.00)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.57、4.00)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.60、5.00)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.74、5.96)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.80、6.83)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.80、7.83)
座標11(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.82、8.67)
座標12(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.82、10.00)
座標13(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、10.00)
これらの座標を、座標1〜座標13の順に結ぶと共に座標13と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の弾性表面波デバイス。 - 前記窒化アルミニウム膜の厚さta、前記二酸化シリコン膜の厚さts、前記弾性表面波の波長λとし、
前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をKH‐AlN=(2π/λ)・ta、
前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をKH‐SiO2=(2π/λ)・ts、
で与えられる各々の前記規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、2.25)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.10、1.75)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.17、0.96)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.50、1.13)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.76、1.42)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.77、1.75)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.60、3.00)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.57、4.00)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.60、4.67)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.51、5.00)
座標11(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.51、5.33)
座標12(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.61、5.92)
座標13(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.61、7.00)
座標14(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.46、7.83)
座標15(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.45、10.00)
座標16(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、10.00)
これらの座標を、座標1〜座標16の順に結ぶと共に座標16と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の弾性表面波デバイス。 - 前記窒化アルミニウム膜の厚さta、前記二酸化シリコン膜の厚さts、前記弾性表面波の波長λとし、
前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をKH‐AlN=(2π/λ)・ta、
前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をKH‐SiO2=(2π/λ)・ts、
で与えられる各々の前記規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、3.46)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.27、2.00)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.50、1.13)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.76、1.42)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.77、1.75)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.62、2.83)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.41、3.50)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、5.92)
これらの座標を、座標1〜座標8の順に結ぶと共に座標8と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の弾性表面波デバイス。 - 前記窒化アルミニウム膜の厚さta、前記二酸化シリコン膜の厚さts、前記弾性表面波の波長λとし、
前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をKH‐AlN=(2π/λ)・ta、
前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をKH‐SiO2=(2π/λ)・ts、
で与えられる各々の前記規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、3.96)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.39、2.00)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.64、1.33)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.76、1.42)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.77、1.75)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.72、2.13)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.50、2.58)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.28、3.58)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(2.00、5.13)
これらの座標を、座標1〜座標9の順に結ぶと共に座標9と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2でを用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の弾性表面波デバイス。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスを用いたことを特徴とする発振器。
- 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスを用いたことを特徴とするモジュール装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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US12/977,525 US8624690B2 (en) | 2009-12-28 | 2010-12-23 | Surface acoustic wave device, oscillator, module apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009297056A JP2011139215A (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2011139215A true JP2011139215A (ja) | 2011-07-14 |
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Family
ID=44350211
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2011139215A (ja) |
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