JP3278167B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、単結晶基板上に交差指状電極を有する弾性
表面波装置に関する。

背景の技術 近年、携帯電話機を始めとした移動体通信端末機が急
速に普及してきている。この端末機は、持ち運びの利便
さから、特に小型軽量であることが望まれている。端末
機の小型軽量化を達成するには、そこに使われる電子部
品も小型軽量であることが必須であり、このため、端末
機の高周波部や中間周波部には、小型軽量化に有利な弾
性表面波装置、すなわち弾性表面波フィルタが多用され
ている。弾性表面波装置は、圧電基板表面に、弾性表面
波を励振、受信、反射、伝搬するための交差指状電極を
形成したものである。

弾性表面波装置に使われる圧電基板に重要な特性とし
て、弾性表面波の表面波速度（SAW速度）、フィルタを
構成した場合の中心周波数または共振子を構成した場合
の共振周波数の温度係数（周波数温度係数:TCF）、電気
機械結合係数（k²）があげられる。これまでに知られて
いる各種弾性表面波装置用圧電基板の特性を表１に示
す。以後、これらの圧電基板を、表１中の記号で区別す
ることとする。なお、表１中のTCV（SAW速度温度係数）
は弾性表面波の速度（SAW速度）の温度依存性を表わす
量なので、中心周波数や共振周波数の温度依存性を表わ
す上記TCFと同等の値となる。この値が大きいというこ
とは、弾性表面波フィルマの中心周波数が温度により大
きく変化することを意味する。

この表からわかるように、64LN、36LTは4000m/s以上
のSAW速度を有しており、端末機の高周波部のフィルタ
を構成するのに適している。この理由を説明すると、以
下の通りである。携帯電話に代表される移動体通信は、
世界各国で各種のシステムが実用化されているが、いず
れのシステムでも1GHz前後の周波数が使用されている。
したがって、端末機高周波部で使用されるフィルタは、
中心周波数が1GHz前後となる。弾性表面波フィルタの場
合、その中心周波数は、使用する圧電基板のSAW速度に
ほぼ比例し、基板上に形成する電極指の幅にほぼ反比例
する。そこで、高周波化のためには、SAW速度の大きな
基板、例えば64LN、36LTが好ましい。また、この高周波
部のフィルタには、通過帯域幅が20MHz以上である広帯
域のものが要求されるが、広帯域化を実現するためには
圧電基板の電気機械結合係数k²が大きいことが必須であ
り、このためにも、64LN、36LTが多用されている。

一方、移動体端末機の中間周波数としては、70〜30MH
zの周波数帯が使用されている。この周波数帯を中心周
波数とするフィルタを弾性表面波装置を用いて構成する
場合、圧電基板として前記64LN、36LTを使用すると、基
板上に形成する電極指の幅を、前記高周波部に使用され
るフィルタに比べて非常に大きくする必要がある。

具体的な数値を概算して上記のことを説明する。弾性
表面波フィルタを構成する弾性表面波変換器の電極指幅
ｄと、弾性表面波フィルタの中心周波数f₀と、使用する
圧電基板のSAW速度Ｖとの間には、おおむね f₀＝V/（4d） …（１） が成立する。SAW速度を4000m/sとして、中心周波数1GHz
の弾性表面波フィルタを構成する場合、その電極指幅は
上記（１）式より ｄ＝4000（m/s）／（４×1000（MHz））＝１μｍ となる。一方、このSAW速度4000m/sの圧電基板を用い
て、中心周波数100MHzの中間周波フィルタを構成する場
合、これに必要な電極指幅は、 ｄ＝4000（m/s）／（４×100（MHz））＝10μｍ となり、高周波部のフィルタに比べて、必要な電極指幅
が10倍も大きくなってしまう。電極指幅が大きくなると
いうことは、弾性表面波装置そのものも大きくなってし
まうことを意味する。そこで、弾性表面波中間周波フィ
ルタを小型なものとするには、上記（１）式から明らか
なようにSAW速度Ｖの小さな圧電基板を使う必要があ
る。

SAW速度が非常に小さい圧電基板として、上記表１に
示したBGOが知られている。BGO圧電基板のSAW速度は168
1m/sである。しかしながら、BGO圧電基板のSAW速度温度
係数TCVは−122ppm/℃と非常に大きく、一つのチャンネ
ルの信号だけを取り出す中間周波フィルタを構成するに
は適していない。なぜなら、上記したようにTCVとはSAW
速度の温度依存性を表わす量であり、この値が大きいと
いうことは、上記（１）式から明らかなように、弾性表
面波フィルタの中心周波数が温度により大きく変化する
ことを意味するからである。したがって、TCVが大きい
と、希望するチャンネルに隣接する他のチャンネルの信
号を取り出してしまうことがあるので、中間周波フィル
タとして不適当となる。

また、SAW速度が比較的小さい圧電基板として、上記
表１に示すST水晶が知られている。ST水晶は、SAW速度
温度係数TCVがほぼゼロ（一次温度係数ａがゼロ）であ
るため、中間周波フィルタを構成するうえで好適であ
る。このため、従来、移動体通信用端末機の中間周波用
弾性表面波フィルタは、殆どST水晶圧電基板により構成
されていた。

しかし、ST水晶基板のSAW速度は3158m/sであり、十分
に小さいとはいえないため、小型化には限界がある。

また、ST水晶基板の電気機械結合係数k²は0.14％であ
り、比較的小さい。k²が小さいということは、通過帯域
の狭いフィルタしか構成できないということを意味す
る。これまでの移動体通信、すなわち携帯電話のシステ
ムとしては、アナログ方式が主として採用されており、
そのチャンネル幅は国内のNTT仕様では12.5kHz、米国の
AMPS仕様では30kHz、欧州のTACS仕様では25kHzと非常に
狭帯域であったので、前記ST水晶基板の電気機械結合係
数k²が小さいということは問題とならなかった。しかし
ながら、近年、周波数資源の有効利用、デジタルデータ
通信との適合性等の点から、デジタル移動体通信システ
ムが開発、実用化され急速に普及してきている。このデ
ジタルシステムのチャンネル幅は、例えば欧州の携帯電
話GSM方式では200kHz、コードレス電話DECT方式では1.7
MHzと、非常に広帯域となっている。このような広帯域
の中間周波フィルタを弾性表面波フィルタで構成する場
合、ST水晶基板では、その実現が困難となっている。

発明の開示 以上説明したように、従来、弾性表面波装置におい
て、電気機械結合係数が大きい上記64LN、36LT等の圧電
基板を用いた場合、通過帯域を広くできるが、基板のSA
W速度が大きいために素子寸法が大きくなるという問題
があり、一方、素子の小型化をはかるためにSAW速度の
小さな上記BGO基板を用いた場合は、SAW速度温度係数TC
Vが大きすぎるために良好な選択度が得られないという
問題があり、いずれにしても中間周波用の弾性表面波フ
ィルタとして十分な特性が得られなかった。

また、SAW速度温度係数TCVが小さいST水晶基板は、SA
W速度が十分に小さくはないので、小型化には限界があ
り、また、電気機械結合係数が比較的小さいので広帯域
化が困難である。

本発明の目的は、小型で、選択度が良好で、通過帯域
の広い弾性表面波装置を提供することである。

上記目的は、下記（１）〜（４）のいずれかの構成に
より達成される。

（１） 基板表面に交差指状電極を有し、前記基板が点
群32に属するランガサイト単結晶であり、前記基板のラ
ンガサイト単結晶からの切り出し角および前記基板の弾
性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，ψ）と
表わしたとき、φ、θおよびψが下記領域φ10−２に存
在する弾性表面波装置。

領域φ10−２ φ＝５〜15゜（15゜を含まず）、 θ＝０〜25゜、 ψ＝70〜90゜ （２） 基板表面に交差指状電極を有し、前記基板が点
群32に属するランガサイト単結晶であり、前記基板のラ
ンガサイト単結晶からの切り出し角および前記基板の弾
性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，ψ）と
表わしたとき、φ、θおよびψが下記領域φ20−１に存
在する弾性表面波装置。

領域φ20−１ φ＝15〜25゜（25゜を含まず）、 θ＝135〜180゜、 ψ＝35〜65゜ （３） 基板表面に交差指状電極を有し、前記基板が点
群32に属するランガサイト単結晶であり、前記基板のラ
ンガサイト単結晶からの切り出し角および前記基板の弾
性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，ψ）と
表わしたとき、φ、θおよびψが下記領域φ20−２に存
在する弾性表面波装置。

領域φ20−２ φ＝15〜25゜（25゜を含まず）、 θ＝０〜25゜、 ψ＝60〜80゜ （４） 基板表面に交差指状電極を有し、前記基板が点
群32に属するランガサイト単結晶であり、前記基板のラ
ンガサイト単結晶からの切り出し角および前記基板の弾
性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，ψ）と
表わしたとき、φ、θおよびψが下記領域φ30に存在す
る弾性表面波装置。

領域φ30 φ＝25〜35゜（35゜を含まず）、 θ＝150〜180゜、 ψ＝55〜70゜ なお、例えば、1995 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM Vo
l.1,389の「NUMERICAL AND EXPERIMENTAL INVESTIGATIO
N SAW IN LANGASITE」（参考文献１）では、ランガサイ
ト単結晶基板の切り出し角および弾性表面波の伝搬方向
をオイラー角表示で（φ，θ，ψ）と表わしたとき、 （０゜,30゜,90゜）、 （０゜,53゜,90゜）、 （０゜,61゜,0゜）、 （０゜,147゜,22゜）、 （０゜,147゜,18゜）、 （０゜,32゜,40゜）、 （０゜,156゜,0゜）、 （０゜，θ,90゜）、 （０゜,25゜，ψ） である基板について、数値計算によりSAW速度、k²/2、T
CD（SWA遅延時間温度係数）等を求めたことが報告され
ている。この報告のFig.2cには、（０゜，θ，ψ）基板
のTCD分布がθψ平面に表示されている。このTCD分布か
らTCV分布が求められる。

また、1995 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM Vol.1,409
の「Effets of Electric Field and of Mechanical Pre
ssure on Surface Acoustic Waves Propagation in La₃
Ga₅SiO₁₄ Piezoelectric Single Crystals」（参考文献
２）では、オイラー角表示（φ，θ，ψ）で （90゜,90゜，ψ）、 （０゜,90゜，ψ）、 （０゜,0゜，ψ）、 （０゜，θ,0゜）、 （90゜，θ,0゜）、 （φ,90゜,0゜） である基板について、数値計算によりk²等を求めたこと
が報告されている。

上記参考文献１および参考文献２は1996年に発行され
ているが、発行日は不明である。

また、「第17回超音波エレクトロニクスの基礎と応用
に関するシンポジウム講演予稿集」の「ランガサイト結
晶基板上のSAW伝搬特性の検討」（A study on SAW prop
agation characteristics on a langasite crystal pla
te）（参考文献３）では、オイラー角表示（φ，θ，
ψ）で （90゜,90゜，ψ） である基板について、数値計算によりk²、TCD等を求め
ており、 （０゜,0゜,90゜）、 （90゜,90゜,175゜）、 （90゜,90゜,25゜） については、実測によりTCDを求めたことが報告されて
いる。この参考文献３は、本出願の基礎出願である特願
平８−181500号の出願後の1996年10月に発行されたもの
である。

また、日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第5
1回研究会試料の第21ページ「ライガサイト結晶基板上
のレイリー波の伝搬方位依存性」（Propagation direct
ion dependence of Rayleigh waves on a langasite cr
ystal plate）（参考文献４）では、オイラー角表示
（φ，θ，ψ）で （０゜,0゜，ψ）、 （90゜,90゜，ψ） である基板について、数値計算によりk²等を求めてお
り、 （０゜,0゜,90゜）、 （90゜,90゜,175゜）、 （90゜,90゜,15゜）、 （90゜,90゜,21゜）、 （90゜,90゜,25゜） については、実測した直列共振周波数からTCDを求めた
ことが報告されている。この参考文献４は、本出願の基
礎出願である特願平８−181500号の出願後の1997年１月
27日に発行されたものである。

また、「第17回超音波エレクトロニクスの基礎と応用
に関するシンポジウム講演予稿集」（参考文献５）の
「La₃Ga₅SiO₁₄基板弾性表面波の伝搬特性」（Propagati
on characteristics of surface acoustic waves on La
₃Ga₅SiO₁₄）では、オイラー角表示（φ，θ，ψ）で （90゜,90゜，ψ）、 （０゜,90゜，ψ）、 （０゜,0゜，ψ）、 （０゜，θ,0゜） である基板について、数値計算によりk²等を求めたこと
が報告されている。この参考文献５は、本出願の基礎出
願である特願平８−181500号の出願後の1996年10月に発
行されたものである。

図面の簡単な説明 第１図は、本発明の弾性表面波装置の構成例を示す斜
視図である。

具体的構成 本発明の弾性表面波装置の構成例を第１図に示す。こ
の弾性表面波装置は、基板２表面に一組の交差指状電極
３、３を有する。基板２には、ランガサイト単結晶を用
いる。ランガサイト単結晶は、点群32に属する結晶型で
ある。

図中のｘ軸、ｙ軸およびｚ軸は互いに直交している。
ｘ軸およびｙ軸は基板２の面内方向にあり、ｘ軸は弾性
表面波の伝搬方向を規定する。また、基板面に垂直なｚ
軸は、単結晶基板の切り出し角（カット面）を規定す
る。これらｘ軸、ｙ軸およびｚ軸とランガサイト単結晶
のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸との関係は、オイラー角表示
（φ，θ，ψ）で表わすことができる。

本発明の弾性表面波装置における切り出し角および伝
搬方向をオイラー角表示（φ，θ，ψ）で表わしたと
き、φ、θおよびψは下記各領域に存在する。

領域φ10−１ φ＝５〜15゜（15゜を含まず）、 θ＝135〜180゜、 ψ＝30〜50゜ で表され、領域φ10−１内における好ましい領域は、 φ＝５〜15゜（15゜を含まず）、 θ＝135〜160゜、 ψ＝30〜50゜ で表される。

領域φ10−１には、基板のSAW速度温度係数TCVが±30
ppm/℃以内と小さく、基板の結合係数k²が0.2％以上と
十分に大きくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在し、領
域φ10−１内の上記好ましい領域には、TCVが±1ppm/℃
以内と非常に小さく、k²が0.3％以上と十分に大きくな
るφ、θ、ψの組み合わせが存在する。

領域10−２ φ＝５〜15゜（15゜を含まず）、 θ＝０〜25゜、 ψ＝70〜90゜ で表される。

領域φ10−２には、TCVが±1ppm/℃以内と非常に小さ
く、k²が0.2％以上と大きくなるφ、θ、ψの組み合わ
せが存在する。

領域φ20−１ φ＝５〜25゜（25゜を含まず）、 θ＝135〜180゜、 ψ＝35〜65゜ で表され、領域φ20−１内における好ましい領域は、 φ＝15〜25゜（25゜を含まず）、 θ＝155〜180゜、 ψ＝50〜60゜ で表され、より好ましい領域は、 φ＝15〜25゜（25゜を含まず）、 θ＝155〜160゜、 ψ＝50〜55゜ で表される。

領域φ20−１には、基板のSAW速度温度係数TCVが±80
ppm/℃以内となり、基板の結合係数k²が0.1％以上とな
るφ、θ、ψの組み合わせが存在し、領域φ20−１内の
上記好ましい領域には、TCVが±30ppm/℃以内と小さ
く、k²が0.2％以上と大きくなるφ、θ、ψの組み合わ
せが存在し、領域φ20−１内の上記より好ましい領域に
は、TCVが±1ppm/℃以内と非常に小さく、k²が0.3％以
上と十分に大きくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在す
る。

領域φ20−２ φ＝15〜15゜（25゜を含まず）、 θ＝０〜25゜、 ψ＝60〜80゜ で表される。

領域φ20−２には、TCVが±1ppm/℃以内と小さく、k²
が0.2％以上と大きくなるφ、θ、ψの組み合わせが存
在する。

領域φ30 φ＝25〜35゜（35゜を含まず）、 θ＝150〜180゜、 ψ＝55〜70゜ 領域φ30内における好ましい領域は、 φ＝25〜35゜（35゜を含まず）、 θ＝150〜160゜、 ψ＝65〜70゜ で表される。

領域φ30には、基板のSAW速度温度係数TCVが±30ppm/
℃以内と小さく、基板の結合係数k²が0.2％以上と十分
に大きくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在し、領域φ
30内の上記好ましい領域には、TCVが±1ppm/℃以内と非
常に小さくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在する。

基板の音速は上記すべての領域で2900m/s以下となる
が、2500m/s以下となる点も存在する。

なお、本明細書では、SAW速度温度係数TCVとして一次
温度係数を用いる。また、温度−音速グラフが二次曲線
になる場合（一次温度係数がゼロである場合）でも、最
小二乗法により一次の直線に近似させてTCVを算出す
る。具体的には、単位温度あたりの音速変化量Δｖを０
℃における音速v₀で除して求める。

なお、ランガサイト単結晶は三方晶であるため、結晶
の対称性から、互いに等価なオイラー角の組み合わせが
存在する。三方晶基板では、φ＝120〜240゜およびφ＝
240〜360゜（−120〜０゜）はφ＝０〜120゜と等価であ
り、また、θ＝360〜180゜（０〜−180゜）はθ＝０〜1
80゜と等価であり、また、ψ＝90〜270゜はψ＝−90〜9
0゜と等価である。例えば、φ＝130゜およびφ＝250゜
はφ＝10゜と等価であり、θ＝330゜はθ＝30゜と等価
であり、ψ＝240゜はψ＝60゜と等価である。

また、三方晶基板では、 φ＝０〜30゜ の範囲の特性を調べることにより、すべてのカット角お
よび伝搬方向についての特性を知ることができる。

したがって、ランガサイト単結晶基板におけるすべて
のカット角および伝搬方向についての特性を知るために
は、 φ_０＝０〜30゜、 θ_０＝０〜180゜、 ψ_０＝−90〜90゜ の範囲についてだけ調べればよい。この（φ₀,θ₀,
ψ_０）の組み合わせから、φ＝30〜120゜において同特
性を示す等価な（φ，θ，ψ）の組み合わせがわかる。
具体的には、 30゜≦φ≦60゜の範囲では φ＝60゜−φ_０、 θ＝180゜−θ_０、 ψ＝ψ_０ によって、また、 60゜≦φ≦90゜の範囲では φ＝60゜＋φ_０、 θ＝180゜−θ_０、 ψ＝−ψ_０ によって、また、 90゜≦φ≦120゜の範囲では φ＝120゜−φ_０、 θ＝θ_０、 ψ＝−ψ_０ によって、（φ₀,θ₀,ψ_０）と等価な（φ，θ，ψ）を
求めることができる。そして、上記した対称性に基づい
て、すべての（φ，θ，ψ）における特性を知ることが
できる。

等価な組み合わせの具体例としては、例えば、以下の
ものが挙げられる。

（10゜,160゜,40゜） と等価なものは、 （50゜,20゜,40゜）、 （70゜,20゜，−40゜）、 （110゜,160゜，−40゜） である。

（０゜,140゜,25゜） と等価なものは、 （60゜,40゜,25゜）、 （60゜,40゜，−25゜）、 （120゜,140゜，−25゜）、 （120゜,140゜,25゜） であり、φ＝120゜とφ＝０゜とは等価であるから、 （０゜,140゜，−25゜） も等価である。

本発明において限定する上記各領域は、このようにし
て求められる等価な（φ，θ，ψ）の組み合わせを包含
するものとする。

本発明で用いるランガサイト単結晶は、一般に化学式
La₃Ga₅SiO₁₄で表されるものであり、例えば、Proc.IEEE
International Frequency Control Sympo.vol.1994 pp
48−57（1994）などにより知られているが、本発明では
ランガサイト単結晶を弾性表面波装置の基板に適用する
に際し、結晶のカット方向と弾性表面波の伝搬方向とを
選択することにより、上記した高特性の弾性表面波装置
を実現する。ランガサイト単結晶は、Ｘ線回折でランガ
サイト相だけが観察されるものであればよい。すなわ
ち、上記化学式で表わされるものに限らず、例えば、L
a、Ga、Siの各サイトの少なくとも一部を他の元素で置
換してもよく、酸素数が上記化学量論組成から外れてい
てもよい。また、不可避的不純物、例えばAl、Zr、Fe、
Ce、Nd、Pt、Ca等が含まれていてもよい。ランガサイト
単結晶の製造方法は特に限定されず、通常の単結晶育成
法、例えばCZ法などにより製造すればよい。

基板の寸法は特に限定されないが、一般に、表面波伝
搬方向は４〜10mm程度、これと直交する方向は２〜4mm
程度、厚さは0.2〜0.4mm程度である。

なお、基板のカット方向は、Ｘ線回折により確認する
ことができる。

基板２上に形成される交差指状電極３は、弾性表面波
を励振、受信、反射、伝搬するための薄膜電極であり、
周期的なストライプ状に形成される。交差指状電極は、
弾性表面波伝搬方向が上記した所定の方向となるように
パターニングがなされる。交差指状電極は、AuやAlなど
を用いて蒸着やスパッタなどにより形成すればよい。交
差指状電極の電極指幅は、弾性表面波装置が適用される
周波数に応じて適宜決定すればよく、本発明が適用され
る好ましい周波数帯域では、一般に２〜15μｍ程度であ
る。

本発明の弾性表面波装置は、一般に周波数10〜500MH
z、特に周波数10〜300MHzの帯域におけるフィルタに好
適である。また、本発明の弾性表面波装置はSAW速度が
遅いことから、弾性表面波遅延素子の小型化にも有用で
ある。

実施例 以下、実施例を挙げて本発明を説明する。

CZ法により結晶育成して、ランガサイト単結晶Ａを作
製し、これを切り出して基板を得た。この基板の表面に
一組の交差指状電極からなる弾性表面波変換器を形成
し、弾性表面波装置とした。交差指状電極は、入力側、
出力側共にAlの蒸着により形成し、厚さは0.3μｍ、電
極指幅ｄは12μｍ、電極ピッチ（4d）は48μｍ、電極指
対数は20とした。基板の切り出し角および弾性表面波の
伝搬方向を変えて、複数の装置を作製した。また、同じ
くCZ法により結晶育成してランガサイト単結晶Ｂを作製
し、これを切り出して得た基板を用いたほかは単結晶Ａ
を用いた場合と同様にして、複数の装置を作製した。

これらの装置における基板の切り出し角および弾性表
面波を伝搬方向をオイラー角表示で（φ、θ、ψ）と表
わしたときのφ、θ、ψを、表２に示す。

これらの装置におけるSAW速度および電気機械結合係
数k²を測定した。SAW速度はフィルタの中心周波数から
求め、電気機械結合係数k²については、弾性表面波変換
器の２端子アドミッタンスを測定し、これから、よく知
られたスミスの等価回路モデルによって求めた。また、
SAW速度温度係数TCVを、−40〜80℃の範囲で求めた。こ
れらの結果を表２に示す。

表２から明らかなように、結晶からの切り出し角およ
び弾性表面波伝搬方向が本発明範囲内にあれば、前述し
た絶対値の小さなTCV、十分に大きいk²、低いSAW速度が
得られることがわかる。

産業上の利用可能性 本発明では、ランガサイト単結晶基板において切り出
し角および弾性表面波の伝搬方向を最適なものとするこ
とにより、SAW速度温度係数TCVの絶対値が小さく、電気
機械結合係数k²が大きく、SAW速度が低い基板を有する
弾性表面波装置を実現した。このため、温度安定性の向
上、フィルタとしての通過帯域幅の広帯域化、装置の小
型化が可能となり、特に、移動体通信端末機の中間周波
の弾性表面波フィルタとして良好な特性が得られる。

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03H 9/145 H03H 9/25 H03H 9/64

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板表面に交差指状電極を有し、前記基板
   が点群32に属するランガサイト単結晶であり、前記基板
   のランガサイト単結晶からの切り出し角および前記基板
   の弾性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，
   ψ）と表わしたとき、φ、θおよびψが下記領域φ10−
   ２に存在する弾性表面波装置。 領域φ10−２ φ＝５〜15゜（15゜を含まず）、 θ＝０〜25゜、 ψ＝70〜90゜
2. 【請求項２】基板表面に交差指状電極を有し、前記基板
   が点群32に属するランガサイト単結晶であり、前記基板
   のランガサイト単結晶からの切り出し角および前記基板
   の弾性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，
   ψ）と表わしたとき、φ、θおよびψが下記領域φ20−
   １に存在する弾性表面波装置。 領域φ20−１ φ＝15〜25゜（25゜を含まず）、 θ＝135〜180゜、 ψ＝35〜65゜
3. 【請求項３】基板表面に交差指状電極を有し、前記基板
   が点群32に属するランガサイト単結晶であり、前記基板
   のランガサイト単結晶からの切り出し角および前記基板
   の弾性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，
   ψ）と表わしたとき、φ、θおよびψが下記領域φ20−
   ２に存在する弾性表面波装置。 領域φ20−２ φ＝15〜25゜（25゜を含まず）、 θ＝０〜25゜、 ψ＝60〜80゜
4. 【請求項４】基板表面に交差指状電極を有し、前記基板
   が点群32に属するランガサイト単結晶であり、前記基板
   のランガサイト単結晶からの切り出し角および前記基板
   の弾性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，
   ψ）と表わしたとき、φ、θおよびψが下記領域φ30に
   存在する弾性表面波装置。 領域φ30 φ＝25〜35゜（35゜を含まず）、 θ＝150〜180゜、 ψ＝55〜70゜