JP2008238195A - 有機デバイス加工装置及び有機デバイス加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に第一電極膜層、有機膜層、第二電極膜層及び保護層のうち少なくとも有機膜層を含む2層以上を積層して成る有機デバイスに対してレーザを照射して配線パターン加工若しくは開口加工を行う有機デバイス加工装置において、前記有機デバイスに照射される加工用レーザを出力する加工用レーザ発振機構と、前記有機デバイスの被加工部位へ照射した測定用レーザの反射光を検出し、前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定する反射率測定機構と、前記有機デバイスの被加工部位の反射率に基づき、前記加工用レーザの出力を調整する出力調整機構とを備える。
【選択図】図6
Description
前記有機デバイスに照射される加工用レーザを出力する加工用レーザ発振機構と、
前記有機デバイスの被加工部位へ照射した測定用レーザの反射光を検出し、前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定する反射率測定機構と、
前記有機デバイスの被加工部位の反射率に基づき、前記加工用レーザの出力を調整する出力調整機構とを備えたことを特徴とする有機デバイス加工装置に係るものである。
前記有機デバイスに照射される加工用レーザを出力する加工用レーザ発振機構と、
前記加工用レーザの前記有機デバイスの被加工部位への照射出力を測定する照射出力測定機構と、
前記有機デバイスの被加工部位へ照射した測定用レーザの反射光を検出し、前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定する反射率測定機構と、
前記有機デバイスの被加工部位の反射率及び前記加工用レーザの照射出力値に基づき、前記加工用レーザの照射出力を適正出力とするための出力補正値を決定する出力補正値演算機構と、
この出力補正値演算機構により決定した前記出力補正値に基づき、前記加工用レーザの照射出力を調整する出力調整機構とを備えたことを特徴とする有機デバイス加工装置に係るものである。
予め求めた対象となる有機デバイスの各積層パターン毎の最表層での反射率のデータを出力補正値演算機構に記憶させる工程と、
レーザ加工の際に、反射率測定機構により測定した反射率と前記積層パターン毎の反射率のデータとを比較することで被加工部位の積層パターンを前記出力補正値演算機構において判定し、この積層パターンに応じたレーザ照射出力となる出力補正値を出力調整機構へフィードバックする工程と、
出力調整機構により前記出力補正値に応じて加工用レーザを最適な出力へ調整する工程と、
前記出力補正値演算機構において判定した被加工部位の積層パターンに基づき、加工用レーザの照射の中断を判定し、加工用レーザ発振機構においてレーザ発振を中断する工程と、
加工パターンにより加工を継続する場合に、所定の位置合わせを、基板が載置される基板ステージを基板表面に対して平行なX−Y方向へ移動させることで行う工程と、
を含み、被加工部位の積層パターンに合わせて最適なレーザ出力となるように略リアルタイムでレーザ出力を調整及び加工の中断を判断することを特徴とする有機デバイス加工方法に係るものである。
前記有機デバイスに照射される加工用レーザを出力する加工用レーザ発振機構と、
前記加工用レーザの前記有機デバイスの被加工部位への照射出力を測定する照射出力測定機構と、
前記有機デバイスの被加工部位へ照射した測定用レーザの反射光を検出し、前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定する反射率測定機構と、
前記有機デバイスの被加工部位の反射率及び前記加工用レーザの照射出力値に基づき、前記加工用レーザの照射出力を適正出力とするための出力補正値を決定する出力補正値演算機構と、
この出力補正値演算機構により決定した前記出力補正値に基づき、前記加工用レーザの照射出力を調整する出力調整機構とを備えたものである。
Claims (12)
- 基板上に第一電極膜層、有機膜層、第二電極膜層及び保護層のうち少なくとも有機膜層を含む2層以上を積層して成る有機デバイスに対してレーザを照射して配線パターン加工若しくは開口加工を行う有機デバイス加工装置において、
前記有機デバイスに照射される加工用レーザを出力する加工用レーザ発振機構と、
前記有機デバイスの被加工部位へ照射した測定用レーザの反射光を検出し、前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定する反射率測定機構と、
前記有機デバイスの被加工部位の反射率に基づき、前記加工用レーザの出力を調整する出力調整機構とを備えたことを特徴とする有機デバイス加工装置。 - 前記加工用レーザ若しくは前記加工用レーザを分岐した一部を、前記測定用レーザとして前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定するように前記反射率測定機構を構成したことを特徴とする請求項1記載の有機デバイス加工装置。
- 前記加工用レーザ発振機構とは異なるレーザ発振機構から発振されるレーザを、前記測定用レーザとして前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定するように前記反射率測定機構を構成したことを特徴とする請求項1記載の有機デバイス加工装置。
- 基板上に第一電極膜層、有機膜層、第二電極膜層及び保護層のうち少なくとも有機膜層を含む2層以上を積層して成る有機デバイスに対してレーザを照射して配線パターン加工若しくは開口加工を行う有機デバイス加工装置において、
前記有機デバイスに照射される加工用レーザを出力する加工用レーザ発振機構と、
前記加工用レーザの前記有機デバイスの被加工部位への照射出力を測定する照射出力測定機構と、
前記有機デバイスの被加工部位へ照射した測定用レーザの反射光を検出し、前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定する反射率測定機構と、
前記有機デバイスの被加工部位の反射率及び前記加工用レーザの照射出力値に基づき、前記加工用レーザの照射出力を適正出力とするための出力補正値を決定する出力補正値演算機構と、
この出力補正値演算機構により決定した前記出力補正値に基づき、前記加工用レーザの照射出力を調整する出力調整機構とを備えたことを特徴とする有機デバイス加工装置。 - 前記加工用レーザ若しくは前記加工用レーザを分岐した一部を、前記測定用レーザとして前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定するように前記反射率測定機構を構成したことを特徴とする請求項4記載の有機デバイス加工装置。
- 前記加工用レーザ発振機構とは異なるレーザ発振機構から発振されるレーザを、前記測定用レーザとして前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定するように前記反射率測定機構を構成したことを特徴とする請求項4記載の有機デバイス加工装置。
- 前記加工用レーザ発振機構の発振出力を制御することで前記加工用レーザの照射出力を調整するように前記出力調整機構を構成したことを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の有機デバイス加工装置。
- 前記加工用レーザ発振機構にλ/2板及び偏光子を設け、このλ/2板と偏光子とにより前記加工用レーザの透過量を制御することで前記加工用レーザの照射出力を調整するように前記出力調整機構を構成したことを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の有機デバイス加工装置。
- 前記基板が載置され、前記有機デバイスの被加工部の加工形状に従い基板表面に対して平行なX−Y方向のうち少なくとも一方向に移動可能な基板ステージと、前記加工用レーザを走査する加工用レーザ走査機構とを備えたことを特徴とする請求項4〜8のいずれか1項に記載の有機デバイス加工装置。
- 前記加工用レーザ走査機構は、ガルバノスキャナ若しくはポリゴンミラーであることを特徴とする請求項9記載の有機デバイス加工装置。
- 前記基板ステージ若しくは前記レーザ発振機構は基板表面に対して垂直なZ方向に移動可能に構成し、前記加工用レーザの焦点深度を補正する焦点補正機構を備えたことを特徴とする請求項9,10のいずれか1項に記載の有機デバイス加工装置。
- 請求項4〜11のいずれか1項に記載の有機デバイス加工装置を用いた有機デバイス加工方法において、
予め求めた対象となる有機デバイスの各積層パターン毎の最表層での反射率のデータを出力補正値演算機構に記憶させる工程と、
レーザ加工の際に、反射率測定機構により測定した反射率と前記積層パターン毎の反射率のデータとを比較することで被加工部位の積層パターンを前記出力補正値演算機構において判定し、この積層パターンに応じたレーザ照射出力となる出力補正値を出力調整機構へフィードバックする工程と、
出力調整機構により前記出力補正値に応じて加工用レーザを最適な出力へ調整する工程と、
前記出力補正値演算機構において判定した被加工部位の積層パターンに基づき、加工用レーザの照射の中断を判定し、加工用レーザ発振機構においてレーザ発振を中断する工程と、
加工パターンにより加工を継続する場合に、所定の位置合わせを、基板が載置される基板ステージを基板表面に対して平行なX−Y方向へ移動させることで行う工程と、
を含み、被加工部位の積層パターンに合わせて最適なレーザ出力となるように略リアルタイムでレーザ出力を調整及び加工の中断を判断することを特徴とする有機デバイス加工方法。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010287800A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Tokki Corp | 有機デバイスの製造装置並びに有機デバイスの製造方法 |
KR101084231B1 (ko) * | 2009-10-05 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 레이저 조사 시스템 및 레이저 조사 방법 |
JP2012525007A (ja) * | 2009-04-21 | 2012-10-18 | テトラサン インコーポレイテッド | 太陽電池内の構造部を形成するための方法 |
WO2016170856A1 (ja) * | 2015-04-22 | 2016-10-27 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法、表示装置、及び、電子機器 |
JP2017185514A (ja) * | 2016-04-04 | 2017-10-12 | ファナック株式会社 | 反射光強度を低減する機能を備えたレーザ加工装置 |
JP2017185536A (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | ファナック株式会社 | 反射光を抑制しながらレーザ加工を行うレーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
CN109693033A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-04-30 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种自动调焦的激光焊接系统及自动调焦的方法 |
JP2020006393A (ja) * | 2018-07-05 | 2020-01-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
WO2020255752A1 (ja) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | 住友化学株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06277863A (ja) * | 1993-03-29 | 1994-10-04 | Toshiba Corp | 積層基板の加工方法 |
JPH08250021A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Canon Inc | レーザー光を用いた表面伝導型電子放出素子の製造方法及び製造装置 |
JP2002001555A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-08 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | レーザ加工装置 |
JP2002321080A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-05 | Tokyo Instruments Inc | レーザ微細加工用オートフォーカス装置 |
JP2004199956A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機elパネル用電極の欠陥修正方法 |
JP2005118814A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
JP2005214752A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Orc Mfg Co Ltd | レーザ光線測定装置 |
JP2006305608A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Toshiba Corp | レーザ加工装置、及びレーザ加工方法 |
-
2007
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06277863A (ja) * | 1993-03-29 | 1994-10-04 | Toshiba Corp | 積層基板の加工方法 |
JPH08250021A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Canon Inc | レーザー光を用いた表面伝導型電子放出素子の製造方法及び製造装置 |
JP2002001555A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-08 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | レーザ加工装置 |
JP2002321080A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-05 | Tokyo Instruments Inc | レーザ微細加工用オートフォーカス装置 |
JP2004199956A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機elパネル用電極の欠陥修正方法 |
JP2005118814A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
JP2005214752A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Orc Mfg Co Ltd | レーザ光線測定装置 |
JP2006305608A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Toshiba Corp | レーザ加工装置、及びレーザ加工方法 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012525007A (ja) * | 2009-04-21 | 2012-10-18 | テトラサン インコーポレイテッド | 太陽電池内の構造部を形成するための方法 |
US8940572B2 (en) | 2009-04-21 | 2015-01-27 | Tetrasun, Inc. | Method for forming structures in a solar cell |
JP2015035623A (ja) * | 2009-04-21 | 2015-02-19 | テトラサン インコーポレイテッド | 太陽電池内の構造部を形成するための方法 |
US9478694B2 (en) | 2009-04-21 | 2016-10-25 | Tetrasun, Inc. | Method for forming structures in a solar cell |
JP2010287800A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Tokki Corp | 有機デバイスの製造装置並びに有機デバイスの製造方法 |
KR101084231B1 (ko) * | 2009-10-05 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 레이저 조사 시스템 및 레이저 조사 방법 |
US10312471B2 (en) | 2015-04-22 | 2019-06-04 | Sony Corporation | Method of manufacturing display device, display device, and electronic device |
WO2016170856A1 (ja) * | 2015-04-22 | 2016-10-27 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法、表示装置、及び、電子機器 |
JP2017185514A (ja) * | 2016-04-04 | 2017-10-12 | ファナック株式会社 | 反射光強度を低減する機能を備えたレーザ加工装置 |
US10730148B2 (en) | 2016-04-04 | 2020-08-04 | Fanuc Corporation | Laser processing device capable of reducing intensity of reflected laser beam |
JP2017185536A (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | ファナック株式会社 | 反射光を抑制しながらレーザ加工を行うレーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
US10363630B2 (en) | 2016-04-08 | 2019-07-30 | Fanuc Corporation | Laser processing apparatus and laser processing method for performing laser processing while controlling reflected light |
CN107283049A (zh) * | 2016-04-08 | 2017-10-24 | 发那科株式会社 | 激光加工装置和激光加工方法 |
JP2020006393A (ja) * | 2018-07-05 | 2020-01-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP7105639B2 (ja) | 2018-07-05 | 2022-07-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
US11872655B2 (en) | 2018-07-05 | 2024-01-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing device |
CN109693033A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-04-30 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种自动调焦的激光焊接系统及自动调焦的方法 |
WO2020255752A1 (ja) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | 住友化学株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
JP2021002454A (ja) * | 2019-06-20 | 2021-01-07 | 住友化学株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5276275B2 (ja) | 2013-08-28 |
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