JP2014183152A - ビアホール形成方法及びデスミア装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ビアホールの底面の導電膜に与える損傷を抑制し、かつ効率的にスミアを除去することができるビアホール形成方法を提供する。
【解決手段】 導電膜上に樹脂層が形成された加工対象物に第１のレーザビームを入射させることにより、樹脂層に、導電膜まで達するビアホールを形成する。ビアホールの少なくとも一部分に、第１のレーザビームとは異なる第２のレーザビームを入射させることにより、ビアホール内の導電膜上に残っているスミアを除去する。スミアを除去する工程において、第２のレーザビームのビームプロファイルが、ビアホール内に残っているスミアの面内方向に関する分布に基づいて設定されている。
【選択図】 図２

Description

本発明は、導電膜上に形成された樹脂層にビアホールを形成する方法、及びビアホール形成後にビアホールの底面に残った残渣（スミア）を除去するデスミア装置に関する。

多層プリント基板の配線層間を接続するためのビアホールの形成に、機械式ドリルに代えて、レーザ穴開け加工機（レーザドリル）の採用が進んでいる。例えば、炭酸ガスレーザを用いて樹脂層に穴開け加工が施される。形成されたビアホールの底面に内層の導電膜（例えば銅箔）が露出する。

ビアホールの形成にレーザドリルを用いると、形成されたビアホールの底面に、樹脂に由来する成分の残渣（スミア）が残存する。基板を、過マンガン酸液等の薬液に浸漬させることにより、スミアを除去することができる。ところが、穴の直径が小さくなると、薬液が穴の底面まで到達し難くなるため、薬液処理によるスミアの除去が困難である。

特許文献１に、スミアをパルスレーザビーム照射によって除去する技術が開示されている。スミア除去用のレーザには、たとえばＮｄ：ＹＬＦレーザ等の固体レーザの第２高調波が用いられる。レーザを用いることにより、穴の直径が小さくなっても、底面のスミアを除去することが可能である。

特開２００４−１４８３４４号公報

スミアは、ビアホールの底面の縁に残る場合が多い。スミア除去用のレーザビームとして、ガウシアンビームを用いると、スミアがほとんど残っていないビアホールの中心近傍において、光強度が高くなる。ビアホールの底面に露出した導電膜に、高強度のレーザビームが照射されると、導電膜が損傷を受ける場合がある。ビームサイズを大きくして不要な部分を遮光することにより、ビアホールの中心近傍における光強度と、ビアホールの縁の近傍における光強度との差を小さくすることができる。ところが、レーザビームの不要な部分を遮光するため、エネルギの利用効率が低下してしまう。言い換えると、スミアを除去するためのレーザの出力を大きくしなければならない。

本発明の目的は、ビアホールの底面の導電膜に与える損傷を抑制し、かつ効率的にスミアを除去することができるビアホール形成方法、及びデスミア装置を提供することである。

本発明の一観点によると、
導電膜上に樹脂層が形成された加工対象物に第１のレーザビームを入射させることにより、前記樹脂層に、前記導電膜まで達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールの少なくとも一部分に、前記第１のレーザビームとは異なる第２のレーザビームを入射させることにより、前記ビアホール内の前記導電膜上に残っているスミアを除去する工程と
を有し、
前記スミアを除去する工程において、前記第２のレーザビームのビームプロファイルが、前記ビアホール内に残っている前記スミアの面内方向に関する分布に基づいて設定されているビアホール形成方法が提供される。

本発明の他の観点によると、
レーザドリルによって形成されたビアホールの底面に残っているスミアを除去する特性を持つレーザビームを出射するレーザ光源と、
スミアを除去すべき加工対象物を保持するステージと、
前記レーザ光源から出射したレーザビームの経路に配置され、経路上の第１の面を、前記ステージに保持された加工対象物の表面に結像させる転写光学系と、
前記第１の面における前記レーザビームのビームプロファイルを変化させるビームプロファイル調整光学系と、
ビアホール内の除去すべきスミアの分布を規定する情報を入力する入力装置と、
前記入力装置を通して入力されたスミアの分布を規定する情報に基づいて、前記ビームプロファイル調整光学系を制御して、前記加工対象物の表面におけるビームプロファイルを変化させる制御装置と
を有するデスミア装置が提供される。

スミアの面内方向に関する分布に基づいて、レーザビームのビームプロファイルを設定することにより、スミアを効率的に除去すると共に、スミアの残っていない領域の導電膜の損傷を軽減することができる。

図１は、実施例１によるデスミア装置の概略図である。 図２Ａ〜図２Ｃは、実施例１によるビアホール形成方法を説明するための加工対象物の断面図である。 図３Ａ〜図３Ｂは、実施例１によるビアホール形成方法を説明するための加工対象物の断面図である。 図４Ａは、実施例１によるデスミア装置の入力装置に表示される画像を示す図であり、図４Ｂは、オペレータがスミアの分布する領域を指定した後の画像を示す図である。 図５Ａは、実施例１によるデスミア装置の入力装置に表示される画像を示す図であり、図５Ｂは、制御装置に設定されているスミア分布定義テーブルの例を示す図である。 図６は、実施例２によるデスミア装置の概略図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、実施例２によるデスミア装置のマスクとレーザビームの経路との位置関係を示す図である。 図８Ａは、ビアホール、スミア、及びビームスポットの位置関係を示す平面図であり、図８Ｂは、図８Ａの一点鎖線８Ｂ−８Ｂにおける断面図である。 図９Ａは、ビアホール、スミア、及びビームスポットの位置関係を示す平面図であり、図９Ｂは、図９Ａの一点鎖線９Ｂ−９Ｂにおける断面図である。 図１０Ａ〜図１０Ｃは、ビアホール、スミア、及びビームスポットの位置関係を時系列で示す平面図である。

［実施例１］
図１に、実施例１によるデスミア装置の概略図を示す。レーザ光源１０が、スミア除去用のパルスレーザビームを出射する。レーザ光源１０には、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザ等の固体レーザが用いられ、レーザ光源１０から出射するレーザビームは、紫外域の波長を
持つ３倍高調波である。

レーザ光源１０から出射したレーザビームがビームエキスパンダ１１でビーム径を拡大された後、ビームプロファイル調整光学系１４に入射する。ビームプロファイル調整光学系１４は、非球面レンズ１５及び移動機構１６を含む。移動機構１６は、非球面レンズ１５を、レーザビームの光軸に平行な方向、及び光軸に対して交差する方向（例えば直交する方向）に変位させる。

非球面レンズ１５の光軸と、レーザビームの光軸とが一致しているとき、非球面レンズ１５は、像面１７の位置におけるビームプロファイルを均一化する。すなわち、像面１７の位置において、ビームプロファイルがトップフラット形状になる。非球面レンズ１５を光軸に平行な方向に変位させると、像面１７も光軸に平行な方向に変位する。非球面レンズ１５を光軸に垂直な方向に変位させると、像面１７の位置におけるビームプロファイルが、トップフラット形状から崩れる。

非球面レンズ１５の下流側にマスク１８が配置されている。マスク１８は、遮光部、及び遮光部内に設けられた透過窓（例えば開口）を含む。マスク１８は、レーザビームのビーム断面を整形する。マスク１８は、非球面レンズ１５を光軸方向に移動させたときに像面１７が移動する範囲内に配置される。マスク１８の透過窓を透過したレーザビームが半波長板１９に入射する。半波長板１９は、遅相軸の向きを変化させることにより、下流側に配置されたビームスプリッタ２２に対するＰ偏光成分とＳ偏光成分との比率を調整する。

半波長板１９を透過したレーザビームが転写レンズ２０、可変減衰器２１を経由してビームスプリッタ２２に入射する。ビームスプリッタ２２は、レーザビームを２本の経路に分岐させる。一方の経路を伝搬するレーザビームは、１／４波長板３０Ａ、ビーム走査器３１Ａ、及びｆθレンズ３２Ａを経由して、加工対象物４０に入射する。他方の経路を伝搬するレーザビームは、折り返しミラー２３で反射した後、１／４波長板３０Ｂ、ビーム走査器３１Ｂ、及びｆθレンズ３２Ｂを経由して、加工対象物４０に入射する。加工対象物４０はステージ３５に保持されている。図１では、一方の経路を伝搬するレーザビームと、他方の経路を伝搬するレーザビームとが同一の加工対象物４０に入射する構成例を示している。２本のレーザビームが、異なる加工対象物４０に入射する構成としてもよい。

加工対象物４０で反射したレーザビームは、入射時の経路を逆に辿ってビームスプリッタ２２に再入射する。往路と復路とで１／４波長板３０Ａまたは１／４波長板３０Ｂを２回通過するため、偏光方向が９０°旋回する。このため、ビームスプリッタ２２で反射したレーザビームは、加工対象物４０で反射した後、ビームスプリッタ２２を直進してビームダンパ２４に入射する。ビームスプリッタ２２を直進したレーザビームは、加工対象物４０で反射した後、ビームスプリッタ２２で反射してビームダンパ２４に入射する。

ビーム走査器３１Ａ、３１Ｂは、入射するレーザビームを二次元方向に走査する。ビーム走査器３１Ａ、３１Ｂには、例えばガルバノスキャナが用いられる。転写レンズ２０とｆθレンズ３２Ａとが、マスク１８が配置された位置の第１の面上の物点を加工対象物４０の表面に結像させる。同様に、転写レンズ２０とｆθレンズ３２Ｂとが、マスク１８が配置された位置の第１の面上の物点を加工対象物４０の表面に結像させる。

ステージ３５は、加工対象物４０を、その上面に平行な二次元方向に移動させる。加工対象物４０は、例えばレーザドリルで穴開け加工が施されたプリント基板である。

制御装置３６が、レーザ光源１０、移動機構１６、可変減衰器２１、ビーム走査器３１
Ａ、３１Ｂ、及びステージ３５を制御する。オペレータが、入力装置３７を介して制御装置３６に各種指令（コマンド）を入力する。入力装置３７には、例えばディスプレイ装置とポインティングデバイスとの組み合わせ、タッチパネル等が用いられる。

図２Ａ〜図２Ｃを参照して、実施例１によるビアホール形成方法について説明する。図２Ａに、加工対象物４０であるプリント基板の一部分の断面図を示す。コア基板４１の表面の一部の領域に、導電膜４２が形成されている。導電膜４２には、例えば銅箔が用いられる。コア基板４１及び導電膜４２の上に、樹脂層４３が形成されている。

図２Ｂに示すように、加工対象物４０にパルスレーザビーム５０を入射させることにより、樹脂層４３にビアホール４５を形成する。ビアホール４５の形成には、例えば炭酸ガスレーザを利用したレーザドリルを用いることができる。ビアホール４５を形成するためのパルスレーザビーム５０のビームプロファイルは、例えばガウシアン形状である。平面視において、ビアホール４５は内層の導電膜４２に内包される。このため、ビアホール４５の底面に導電膜４２の一部が露出する。図２Ｂでは、１個のビアホール４５を示しているが、１枚の加工対象物４０に複数のビアホール４５が形成される。

ビアホール４５の底面に、樹脂層４３を構成する樹脂に由来するスミア４６が残る。例えば、スミア４６は、ビアホール４５の縁の近傍に厚く残り、中央近傍にはほとんど残らない。ビアホール４５が形成された加工対象物４０を、デスミア装置のステージ３５（図１）に保持する。

図２Ｃに示すように、ビアホール４５が形成されている位置に、デスミア用のパルスレーザビーム５１を入射させる。デスミア用のパルスレーザビーム５１は、ビーム断面の中心近傍に窪みを有するビームプロファイルを持つ。ビアホール４５の縁に沿う円環状の領域において、中心部よりも光強度が高くなっている。デスミア用のパルスレーザビーム５１のショット数は、１つのビアホール４５に対して３〜１０ショットである。

ビアホール４５の縁において光強度が相対的に高くなっているため、ビアホール４５の縁の近傍に残っているスミア４６を効率的に除去することができる。また、スミア４６がほとんど残っていない中心近傍において、光強度が相対的に低くなっているため、ビアホール４５の中心近傍の導電膜４２が損傷を受けにくい。

以下、ビアホール４５の縁に沿う円環状の領域の光強度が、中心部の光強度よりも高いビームプロファイルを実現する方法について説明する。図１に示した像面１７の位置とマスク１８の位置とが一致すると、マスク１８の透過窓の位置におけるビームプロファイルがトップフラット形状になる。転写レンズ２０とｆθレンズ３２Ａ、３２Ｂとが、マスク１８の透過窓を加工対象物４０の表面に結像させるため、加工対象物４０の表面におけるビームプロファイルもトップフラット形状になる。

像面１７の位置を、マスク１８の位置からずらすと、非球面レンズ１５の特性に応じて、マスク１８の位置におけるビームプロファイルが変化する。像面１７をマスク１８の位置よりも上流側に配置すると、マスク１８の位置におけるビームプロファイルが、中央部に窪みを有する形状になる。マスク１８が配置された第１の面上の物点が加工対象物４０の表面に結像されるため、加工対象物４０の表面におけるビームプロファイルも、中央部に窪みを有する形状になる。

ビアホール４５（図２Ｂ）を形成するレーザドリルの個体差によって、ビアホール４５の底面におけるスミア４６（図２Ｂ）の分布が異なる。図２Ｂでは、ビアホール４５の縁に沿う周方向に関して、ほぼ一様にスミア４６が残っている例を示した。レーザドリルに
よっては、スミア４６が周方向の一部分に偏る場合がある。

図３Ａ及び図３Ｂを参照して、スミア４６が偏って残る場合のビアホール形成方法について説明する。以下、図２Ａ〜図２Ｃに示したビアホール形成方法との相違点について説明する。

図３Ａに、レーザドリルでビアホール４５を形成した加工対象物４０の断面図を示す。スミア４６が、図３Ａにおいて左側に偏って残っている。

図３Ｂに示すように、ビアホール４５が形成された位置に、デスミア用のパルスレーザビーム５１を入射させる。デスミア用のパルスレーザビーム５１のビームプロファイルは、スミア４６の面内方向に関する分布に基づいて設定される。より具体的には、ビアホール４５の底面のうち、スミア４６が残っている領域における光強度が、スミア４６が残っていない領域における光強度より高くなるようにビームプロファイルが設定される。図３Ｂに示した例では、ビーム断面内の左側の光強度が右側の光強度より強い。スミア４６に高強度のレーザビームが照射されるため、スミア４６を効率的に除去することができる。また、スミア４６が残っていない領域の光強度が相対的に弱いため、導電膜４２の損傷を抑制することができる。

次に、図４Ａ及び図４Ｂを参照して、スミア除去用のパルスレーザビーム５１（図２Ｃ、図３Ｂ）のビームプロファイルを調整するための制御装置３６（図１）による制御方法について説明する。制御装置３６は、入力装置３７（図１）に、スミアの残っている領域を指定するための画像を表示する。

図４Ａに、入力装置３７に表示された画像の一例を示す。入力装置３７のタッチパネル内に、ビアホールを示す円形パターン３８、及び方位を特定するための座標軸３９が表示される。

図４Ｂに示すように、オペレータは、デスミア処理を行うべき加工対象物のビアホール４５（図２Ｂ、図３Ａ）内のスミア４６の分布を規定する情報を入力する。例えば、スミア４６が残っている領域に対応する領域を指でなぞることにより、スミア４６が残っている領域の指定が行われる。オペレータによって指定された領域４７が、他の領域と区別可能なように強調表示される。加工対象物４０には、複数のビアホール４５（図２Ｂ、図３Ａ）が形成されているが、複数のビアホール４５は同一のレーザドリルで形成されるため、スミア４６の面内方向の分布は、全てのビアホール４５において同様の傾向を示す。

制御装置３６（図１）は、指定された領域４７（図４Ｂ）の光強度が、他の領域より相対的に強くなるビームプロファイルが得られるように、移動機構１６（図１）を制御する。移動機構１６は、制御装置３６からの制御に基づいて、非球面レンズ１５（図１）を、光軸に垂直な方向に変位させる。非球面レンズ１５を変位させた後、レーザ光源１０（図１）を制御して、スミア除去用のパルスレーザビーム５１（図２Ｃ、図３Ｂ）を出射する。出射すべきパルスレーザビーム５１のショット数は、予め制御装置３６に設定されている。

次に、図５Ａ及び図５Ｂを参照して、スミア４６の分布を指定する他の方法について説明する。この方法では、ビアホール内の除去すべきスミアの分布を規定する情報として、レーザドリルの装置番号及び基板種別が採用される。

図５Ａに、入力装置３７（図１）に表示された画像を示す。レーザドリルの装置番号及び
基板種別ごとに、ボタン６０が表示されている。オペレータは、加工対象物４０にビアホール４５（図２Ｂ、図３Ａ）を形成したレーザドリルの装置番号、及び加工対象物４０の基板種別に対応するボタン６０Ａをタップする。タップされたボタン６０Ａが強調表示される。図５Ａでは、装置番号２のレーザドリル、及び基板種別Ｂが指定された場合を示している。

図５Ｂに示すように、制御装置３６にスミア分布定義テーブル６１が準備されている。スミアは、レーザドリルの装置番号に固有の特徴的な分布を示す。また、加工対象物の基板種別によっても、基板種別に固有の特徴的な分布を示す。スミア分布定義テーブル６１において、レーザドリルの装置番号及び基板種別ごとに、スミアの特徴的な分布が定義されている。一例として、面内方向の基準方位を０°とし、反時計回りを正とした方位角の範囲でスミアの分布が定義される。図５Ｂでは、基準方位を右向きと定義したとき、例えば装置番号２のレーザドリルで基板種別Ｂの基板にビアホールを形成した場合、方位角３０°〜２１０°の範囲にスミアが残ることが示されている。

制御装置３６（図１）は、オペレータによって指定されたレーザドリルの装置番号と基板種別とに基づいて、スミア分布定義テーブル６１を参照して、加工対象物４０のビアホール４５（図２Ｂ、図３Ａ）内に残っているスミア４６の分布を決定する。スミア４６の分布が決定された後の処理は、図４Ａ及び図４Ｂに示した方法の処理と同一である。

図４Ａ〜図４Ｂ、及び図５Ａ〜図５Ｂに示した例では、オペレータは、非球面レンズ１５（図１）の変位方向及び変位量を意識することなく、スミア４６（図２Ｂ、図３Ａ）の分布に応じて適切なデスミア処理を行うことができる。

［実施例２］
図６に、実施例２によるデスミア装置の概略図を示す。以下、実施例１によるデスミア装置との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。

実施例２においては、マスク１８及び移動機構２６が、ビームプロファイル調整光学系２５としての機能を有する。移動機構２６は、制御装置３６から制御されることにより、レーザビームの光軸と交差する方向、例えば光軸に対して垂直な方向にマスク１８を変位させる。非球面レンズ１５は固定されている。非球面レンズ１５の像面１７の位置と、マスク１８が配置された位置とが一致する。このため、マスク１８が配置された位置において、ビームプロファイルがトップフラットの形状を有する。

図７Ａ及び図７Ｂに、マスク１８とレーザビームの経路との位置関係を示す。図７Ａに示した状態では、マスク１８の透過窓の中心が、レーザビームのビーム断面の中心と一致している。図７Ｂに示した状態では、透過窓の中心がレーザビームのビーム断面の中心からずれている。図７Ｂに示した状態では、透過窓の一部の領域のみをレーザビームが通過する。透過窓が、加工対象物４０（図６）の表面に結像されるため、マスク１８を変位させると、加工対象物４０の表面におけるビームスポットの一部が遮光され、ビームプロファイルが変化する。

図８Ａに、ビアホール４５及びスミア４６の一例の平面図を示す。ビアホール４５の縁に沿ってスミア４６が残っている。スミア４６は、周方向にほぼ一様に分布する。スミア除去用のパルスレーザビーム５１のビームスポットは、ビアホール４５を内包する。

図８Ｂに、図８Ａの一点鎖線８Ｂ−８Ｂにおける断面図を示す。ビアホール４５の底面に、トップフラット形状のビームプロファイルを有するパルスレーザビーム５１が入射する。これにより、スミア４６を効率的に除去することができる。ガウシアン形状のパルス
レーザビームを用いる場合に比べて、ビアホール４５の中心近傍の導電膜４２が受ける損傷を軽減することができる。

図９Ａに、ビアホール４５及びスミア４６の他の例の平面図を示す。ビアホール４５の縁のうち、周方向に関して一部の領域（図９Ａにおいて左上の領域）にのみスミア４６が残っている。この場合、図７Ｂに示したように、マスク１８を変位させて、スミア４６が残っていない領域に入射するレーザビームを遮光する。スミア除去用のパルスレーザビーム５１のビームスポットは、スミア４６が残っている領域を内包する。ビームスポットの一部が遮光されているため、ビアホール４５内のうち、スミア４６が残っていない一部の領域はビームスポットから外れている。

図９Ｂに、図９Ａの一点鎖線９Ｂ−９Ｂにおける断面図を示す。ビアホール４５の底面のうち、スミア４６が残っている領域に、トップフラット形状のビームプロファイルを有するパルスレーザビーム５１が入射する。ビアホール４５の底面のうち、マスク１８によって遮光された領域（図７Ｂ）には、レーザビームが照射されない。このため、スミア４６を効率的に除去すると共に、遮光された領域の導電膜４２の損傷を軽減することができる。

図１０Ａ〜図１０Ｃに、ビアホール４５及びスミア４６のさらに他の例の平面図を示す。図１０Ａ〜図１０Ｃに示した例では、図９Ａに示した例に比べて、周方向に関して広い領域にスミア４６が残っている。このため、図９Ａに示した形状のビームスポットで、スミア４６が残っている領域の全域を内包することが困難である。

このような場合には、図１０Ａに示したビームスポット５１Ａ、図１０Ｂに示したビームスポット５１Ｂ、及び図１０Ｃに示したビームスポット５１Ｃのように、ビームスポットをビアホール４５の外周に沿って移動させることにより、スミア４６を除去することができる。この場合にも、スミア４６が残っていない領域にはパルスレーザビーム５１が入射しないため、導電膜４２（図９Ｂ）の損傷を軽減することができる。

上記実施例１及び実施例２では、ビームプロファイルをトップフラット形状にするために非球面レンズ１５（図１、図６）を用いたが、他の均一化光学系を用いてもよい。使用可能な均一化光学系の例として、回折光学素子が挙げられる。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

１０ レーザ光源
１１ ビームエキスパンダ
１４ ビームプロファイル調整光学系
１５ 非球面レンズ
１６ 移動機構
１７ 像面
１８ マスク
１９ 半波長板
２０ 転写レンズ
２１ 可変減衰器
２２ ビームスプリッタ
２３ 折り返しミラー
２４ ビームダンパ
２５ ビームプロファイル調整光学系
２６ 移動機構
３０Ａ、３０Ｂ １／４波長板
３１Ａ、３１Ｂ ビーム走査器
３２Ａ、３２Ｂ ｆθレンズ
３５ ステージ
３６ 制御装置
３７ 入力装置
３８ 円形パターン
３９ 座標軸
４０ 加工対象物
４１ コア基板
４２ 導電膜
４３ 樹脂層
４５ ビアホール
４６ スミア
４７ 指定された領域
５０ ビアホール形成用のパルスレーザビーム
５１ スミア除去用のパルスレーザビーム
５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ ビームスポット
６０ ボタン
６１ スミア分布定義テーブル

Claims (7)

1. 導電膜上に樹脂層が形成された加工対象物に第１のレーザビームを入射させることにより、前記樹脂層に、前記導電膜まで達するビアホールを形成する工程と、
   前記ビアホールの少なくとも一部分に、前記第１のレーザビームとは異なる第２のレーザビームを入射させることにより、前記ビアホール内の前記導電膜上に残っているスミアを除去する工程と
   を有し、
   前記スミアを除去する工程において、前記第２のレーザビームのビームプロファイルが、前記ビアホール内に残っている前記スミアの面内方向に関する分布に基づいて設定されているビアホール形成方法。
2. 前記スミアを除去する工程において、前記ビアホール内に前記スミアが残っている領域における前記第２のレーザビームの光強度が、前記スミアが残っていない領域における前記第２のレーザビームの光強度より高いビームプロファイルで前記スミアの除去を行う請求項１に記載のビアホール形成方法。
3. 前記スミアを除去する工程は、
   前記第２のレーザビームを出射するデスミア用レーザ光源と、
   前記第２のレーザビームの経路に配置され、像面の位置におけるビームプロファイルを均一化する非球面レンズと、
   前記非球面レンズを透過した前記第２のレーザビームの経路に配置され、第１の面上の物点を前記加工対象物の表面に結像させる転写光学系と
   を有するレーザ加工装置によって実行され、
   前記非球面レンズの前記像面を前記第１の面からずらすか、または前記非球面レンズの光軸を、前記転写光学系の光軸からずらすことによって、前記ビームプロファイルを調整する請求項１または２に記載のビアホール形成方法。
4. 前記スミアを除去する工程は、
   前記第２のレーザビームを出射するデスミア用レーザ光源と、
   前記第２のレーザビームの経路に配置され、遮光領域内に透過窓が形成されたマスクと、
   前記透過窓を前記加工対象物の表面に結像させる転写光学系と
   を有するレーザ加工装置によって実行され、
   前記透過窓の位置を、前記第２のレーザビームの光軸と交差する方向にずらすことによって、前記ビームプロファイルを調整する請求項１または２に記載のビアホール形成方法。
5. レーザドリルによって形成されたビアホールの底面に残っているスミアを除去する特性を持つレーザビームを出射するレーザ光源と、
   スミアを除去すべき加工対象物を保持するステージと、
   前記レーザ光源から出射したレーザビームの経路に配置され、経路上の第１の面を、前記ステージに保持された加工対象物の表面に結像させる転写光学系と、
   前記第１の面における前記レーザビームのビームプロファイルを変化させるビームプロファイル調整光学系と、
   ビアホール内の除去すべきスミアの分布を規定する情報を入力する入力装置と、
   前記入力装置を通して入力されたスミアの分布を規定する情報に基づいて、前記ビームプロファイル調整光学系を制御して、前記加工対象物の表面におけるビームプロファイルを変化させる制御装置と
   を有するデスミア装置。
6. 前記ビームプロファイル調整光学系は、
   前記レーザビームの経路の、前記転写光学系よりも上流側に配置され、像面の位置におけるビームプロファイルを均一化する非球面レンズと、
   前記非球面レンズを、前記レーザビームの経路に対して移動させる移動機構と
   を有し、
   前記制御装置は、前記移動機構を制御して、前記第１の面から前記像面をずらすか、または前記転写光学系の光軸に対して前記非球面レンズの光軸をずらすことにより、前記加工対象物の表面におけるビームプロファイルを変化させる請求項５に記載のデスミア装置。
7. 前記ビームプロファイル調整光学系は、
   前記レーザビームの経路の、前記第１の面の位置に配置され、遮光領域内に透過窓が形成されたマスクと、
   前記マスクを、前記レーザビームの光軸と交差する方向にずらす移動機構と
   を含み、
   前記制御装置は、前記移動機構を制御して前記透過窓の位置を、前記第レーザビームの光軸と交差する方向にずらすことにより、前記加工対象物の表面におけるビームプロファイルを調整する請求項５に記載のデスミア装置。

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