JP5276275B2 - 有機デバイス加工方法 - Google Patents
有機デバイス加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5276275B2 JP5276275B2 JP2007080019A JP2007080019A JP5276275B2 JP 5276275 B2 JP5276275 B2 JP 5276275B2 JP 2007080019 A JP2007080019 A JP 2007080019A JP 2007080019 A JP2007080019 A JP 2007080019A JP 5276275 B2 JP5276275 B2 JP 5276275B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- laser
- output
- organic device
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
前記有機デバイスに照射される加工用レーザを出力する加工用レーザ発振機構と、
前記加工用レーザの前記有機デバイスの被加工部位への照射出力を測定する照射出力測定機構と、
前記有機デバイスの被加工部位へ照射した測定用レーザの反射光を検出し、前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定する反射率測定機構と、
前記有機デバイスの被加工部位の反射率及び前記加工用レーザの照射出力値に基づき、前記加工用レーザの照射出力を適正出力とするための出力補正値を決定する出力補正値演算機構と、
この出力補正値演算機構により決定した前記出力補正値に基づき、前記加工用レーザの照射出力を調整する出力調整機構とを備え、
前記加工用レーザ若しくは前記加工用レーザを分岐した一部を、前記測定用レーザとして前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定するように前記反射率測定機構を構成し、
前記加工用レーザ発振機構にλ/2板及び偏光子を設け、このλ/2板と偏光子とにより前記加工用レーザの透過量を制御することで前記加工用レーザの照射出力を調整するように前記出力調整機構を構成した有機デバイス加工装置を用いた有機デバイス加工方法において、
予め求めた対象となる有機デバイスの各積層パターン毎の最表層での反射率のデータを出力補正値演算機構に記憶させる工程と、
レーザ加工の際に、反射率測定機構により測定した反射率と前記積層パターン毎の反射率のデータとを比較することで被加工部位の積層パターンを前記出力補正値演算機構において判定し、この積層パターンに応じたレーザ照射出力となる出力補正値を出力調整機構へフィードバックする工程と、
出力調整機構により前記出力補正値に応じて加工用レーザを最適な出力へ調整する工程と、
前記出力補正値演算機構において判定した前記被加工部位の積層パターンに基づき、加工用レーザの照射の中断を判定し、加工用レーザ発振機構においてレーザ発振を中断する工程と、
前記中断後加工を再開する場合の所定の位置合わせを、基板が載置される基板ステージを基板表面に対して平行なX−Y方向へ移動させることで行う工程と、
を含み、
被加工部位の積層パターンに合わせて最適なレーザ出力となるようにリアルタイムでレーザ出力を調整及び加工の中断を判断し所定の位置合わせを行った後加工を再開することを特徴とする有機デバイス加工方法に係るものである。
前記有機デバイスに照射される加工用レーザを出力する加工用レーザ発振機構と、
前記加工用レーザの前記有機デバイスの被加工部位への照射出力を測定する照射出力測定機構と、
前記有機デバイスの被加工部位へ照射した測定用レーザの反射光を検出し、前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定する反射率測定機構と、
前記有機デバイスの被加工部位の反射率及び前記加工用レーザの照射出力値に基づき、前記加工用レーザの照射出力を適正出力とするための出力補正値を決定する出力補正値演算機構と、
この出力補正値演算機構により決定した前記出力補正値に基づき、前記加工用レーザの照射出力を調整する出力調整機構とを備えたものである。
Claims (4)
- 基板上に第一電極膜層、有機膜層、第二電極膜層及び保護層のうち少なくとも有機膜層を含む2層以上を積層して成る有機デバイスに対してレーザを照射して配線パターン加工若しくは開口加工を行う有機デバイス加工装置であって、
前記有機デバイスに照射される加工用レーザを出力する加工用レーザ発振機構と、
前記加工用レーザの前記有機デバイスの被加工部位への照射出力を測定する照射出力測定機構と、
前記有機デバイスの被加工部位へ照射した測定用レーザの反射光を検出し、前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定する反射率測定機構と、
前記有機デバイスの被加工部位の反射率及び前記加工用レーザの照射出力値に基づき、前記加工用レーザの照射出力を適正出力とするための出力補正値を決定する出力補正値演算機構と、
この出力補正値演算機構により決定した前記出力補正値に基づき、前記加工用レーザの照射出力を調整する出力調整機構とを備え、
前記加工用レーザ若しくは前記加工用レーザを分岐した一部を、前記測定用レーザとして前記有機デバイスの被加工部位の反射率を測定するように前記反射率測定機構を構成し、
前記加工用レーザ発振機構にλ/2板及び偏光子を設け、このλ/2板と偏光子とにより前記加工用レーザの透過量を制御することで前記加工用レーザの照射出力を調整するように前記出力調整機構を構成した有機デバイス加工装置を用いた有機デバイス加工方法において、
予め求めた対象となる有機デバイスの各積層パターン毎の最表層での反射率のデータを出力補正値演算機構に記憶させる工程と、
レーザ加工の際に、反射率測定機構により測定した反射率と前記積層パターン毎の反射率のデータとを比較することで被加工部位の積層パターンを前記出力補正値演算機構において判定し、この積層パターンに応じたレーザ照射出力となる出力補正値を出力調整機構へフィードバックする工程と、
出力調整機構により前記出力補正値に応じて加工用レーザを最適な出力へ調整する工程と、
前記出力補正値演算機構において判定した前記被加工部位の積層パターンに基づき、加工用レーザの照射の中断を判定し、加工用レーザ発振機構においてレーザ発振を中断する工程と、
前記中断後加工を再開する場合の所定の位置合わせを、基板が載置される基板ステージを基板表面に対して平行なX−Y方向へ移動させることで行う工程と、
を含み、
被加工部位の積層パターンに合わせて最適なレーザ出力となるようにリアルタイムでレーザ出力を調整及び加工の中断を判断し所定の位置合わせを行った後加工を再開することを特徴とする有機デバイス加工方法。 - 前記基板が載置され、前記有機デバイスの被加工部の加工形状に従い基板表面に対して平行なX−Y方向のうち少なくとも一方向に移動可能な基板ステージと、前記加工用レーザを走査する加工用レーザ走査機構とを備えた前記有機デバイス加工装置を用いることを特徴とする請求項1記載の有機デバイス加工方法。
- 前記加工用レーザ走査機構は、ガルバノスキャナ若しくはポリゴンミラーであることを特徴とする請求項2記載の有機デバイス加工方法。
- 前記基板ステージ若しくは前記レーザ発振機構は基板表面に対して垂直なZ方向に移動可能に構成し、前記加工用レーザの焦点深度を補正する焦点補正機構を備えた前記有機デバイス加工装置を用いることを特徴とする請求項2,3のいずれか1項に記載の有機デバイス加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007080019A JP5276275B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | 有機デバイス加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007080019A JP5276275B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | 有機デバイス加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008238195A JP2008238195A (ja) | 2008-10-09 |
JP5276275B2 true JP5276275B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=39910158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007080019A Expired - Fee Related JP5276275B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | 有機デバイス加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5276275B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2422374A4 (en) * | 2009-04-21 | 2016-09-14 | Tetrasun Inc | METHOD FOR PRODUCING STRUCTURES FOR A SOLAR CELL |
JP2010287800A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Tokki Corp | 有機デバイスの製造装置並びに有機デバイスの製造方法 |
KR101084231B1 (ko) * | 2009-10-05 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 레이저 조사 시스템 및 레이저 조사 방법 |
JP2016207452A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法、表示装置、及び、電子機器 |
JP6290960B2 (ja) | 2016-04-04 | 2018-03-07 | ファナック株式会社 | 反射光強度を低減する機能を備えたレーザ加工装置 |
JP6367858B2 (ja) * | 2016-04-08 | 2018-08-01 | ファナック株式会社 | 反射光を抑制しながらレーザ加工を行うレーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP7105639B2 (ja) | 2018-07-05 | 2022-07-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
CN109693033A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-04-30 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种自动调焦的激光焊接系统及自动调焦的方法 |
JP2021002454A (ja) * | 2019-06-20 | 2021-01-07 | 住友化学株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06277863A (ja) * | 1993-03-29 | 1994-10-04 | Toshiba Corp | 積層基板の加工方法 |
JP3174473B2 (ja) * | 1995-03-13 | 2001-06-11 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子の製造方法および加工装置 |
JP4479065B2 (ja) * | 2000-06-22 | 2010-06-09 | 株式会社Ihi | レーザ加工装置 |
JP2002321080A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-05 | Tokyo Instruments Inc | レーザ微細加工用オートフォーカス装置 |
JP2004199956A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機elパネル用電極の欠陥修正方法 |
JP2005118814A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
JP2005214752A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Orc Mfg Co Ltd | レーザ光線測定装置 |
JP2006305608A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Toshiba Corp | レーザ加工装置、及びレーザ加工方法 |
-
2007
- 2007-03-26 JP JP2007080019A patent/JP5276275B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008238195A (ja) | 2008-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5276275B2 (ja) | 有機デバイス加工方法 | |
US10276388B2 (en) | Laser machining device and laser machining method | |
US7459655B2 (en) | Laser beam processing machine | |
US8383982B2 (en) | Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots | |
JP5451238B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
US7482553B2 (en) | Laser beam processing machine | |
KR20130138686A (ko) | 극단의 체류시간을 갖는 레이저 어닐링 시스템 및 방법 | |
JP2004528991A5 (ja) | ||
TW201321108A (zh) | 雷射加工方法及雷射加工裝置 | |
JP2013126682A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP6715632B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
US11571767B2 (en) | Laser processing device and laser processing method | |
KR101902991B1 (ko) | 레이저 스크라이빙 장치 | |
JP2019055427A (ja) | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 | |
TW201334902A (zh) | 雷射加工方法 | |
KR100921662B1 (ko) | Uv 레이저를 이용한 기판의 절단 장치 및 방법 | |
JP5967913B2 (ja) | レーザ加工装置、レーザ加工方法及びインクジェットヘッド基板 | |
KR100824962B1 (ko) | 극초단파 레이저를 이용한 기판의 절단 장치 및 방법 | |
JP2008283023A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
TWI672528B (zh) | 激光切割方法 | |
JP2007251015A (ja) | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 | |
JP2006179790A (ja) | レーザ割断方法および該方法により割断可能な被割断部材 | |
JP5099599B2 (ja) | 透過型光学素子、レーザー発振器及びレーザー加工機 | |
JP3011183B2 (ja) | レーザ加工方法および加工装置 | |
JP2017028017A (ja) | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100325 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110517 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110517 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120903 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130418 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130517 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |