JP2008235427A - 可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法 - Google Patents
可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008235427A JP2008235427A JP2007070322A JP2007070322A JP2008235427A JP 2008235427 A JP2008235427 A JP 2008235427A JP 2007070322 A JP2007070322 A JP 2007070322A JP 2007070322 A JP2007070322 A JP 2007070322A JP 2008235427 A JP2008235427 A JP 2008235427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- resistance element
- conductive film
- variable resistance
- variable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 73
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 145
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 145
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 128
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 79
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 79
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- -1 transition metal nitride Chemical class 0.000 abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 240
- 230000008569 process Effects 0.000 description 43
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 28
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 27
- 230000008859 change Effects 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 229910010282 TiON Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N CuO Inorganic materials [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】 第1電極2と第2電極3の間に可変抵抗体4が狭持され、第1電極2と第2電極3の間に電圧パルスが印加されることで両電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子であって、可変抵抗体4が、遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物で構成されており、第1電極2と接触する第1接触面から、第2電極3と接触する第2接触面に向けて、含有されている酸素濃度が低下する遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物で構成されている。
【選択図】 図1
Description
第1層間絶縁膜を全面に堆積後、所定領域を開口して前記第2電極の一部上面を露出させる開口部を形成する工程であり、前記第3工程が、遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物で構成される可変抵抗体膜を、前記開口部の底面に位置する前記第2電極の露出面近傍から上方へ向かって含有される酸素濃度が上昇するような条件下で、前記開口部を充填するように全面に堆積する工程であることを第8の特徴とする。
本発明素子及びその製造方法、並びに駆動方法の第1実施形態(以下、適宜「本実施形態」と称する)につき、以下の図1〜図11の各図を参照して説明する。
本発明素子及びその製造方法、並びに駆動方法の第2実施形態(以下、適宜「本実施形態」と称する)につき、以下の図12〜図15の各図を参照して説明する。
本発明素子及びその製造方法、並びに駆動方法の第2実施形態(以下、適宜「本実施形態」と称する)につき、以下の図17〜図19の各図を参照して説明する。
1a: 本発明に係る第2実施形態の可変抵抗素子
1b: 本発明に係る第3実施形態の可変抵抗素子
2: 第1電極
3: 第2電極
4: 可変抵抗体
11: 半導体基板
12: 下地絶縁膜
13: 第1導電膜
14: (第1)層間絶縁膜
16: 第2導電膜
17: 第2層間絶縁膜
20: 可変抵抗体
21: 第3導電膜
22: 第3層間絶縁膜
23: 導電膜(メタル配線)
24: 導電膜(メタル配線)
25: コンタクトホール
26: コンタクトホール
30: 抵抗特性測定装置
31: パルスジェネレータ
31a: パルスジェネレータの出力端子
32: デジタルオシロスコープ
32a、32b: デジタルオシロスコープの入力端子
32g: デジタルオシロスコープのグランド端子
33: パラメータアナライザ
34: 切替スイッチ
34a: 切替スイッチの固定端
34b、34c: 切替スイッチの可動端
90: 従来の可変抵抗素子
91: PCMO膜
Claims (15)
- 第1電極と第2電極の間に可変抵抗体が狭持され、前記第1電極と前記第2電極の間に電圧パルスが印加されることで両電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子であって、
前記可変抵抗体が、
遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物で構成されており、前記第1電極と接触する第1接触面から、前記第2電極と接触する第2接触面に向けて、含有されている酸素濃度が低下する遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物で構成されていることを特徴とする可変抵抗素子。 - 前記可変抵抗体を構成する前記遷移金属酸化物又は前記遷移金属酸窒化物が、前記第1接触面から前記第2接触面の方向に10nm進んだ位置において、含有されている酸素濃度を前記第1接触面と比較して15%以上低下させることを特徴とする請求項1に記載の可変抵抗素子。
- 前記可変抵抗体を構成する前記遷移金属酸化物又は前記遷移金属酸窒化物が、前記第1接触面から前記第2接触面に向けて微結晶の体積密度を低下させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の可変抵抗素子。
- 前記第2電極が前記第1電極の形成面に向かって突出する突出部を有し、
前記可変抵抗体が、前記第1電極と連結するように前記第2電極の突出部の先端に形成される層状の遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物の多結晶体であって、当該多結晶体の界面と前記第1接触面の界面とによって形成される角度が0°以上22°以下であることを特徴とする請求項1〜請求項3の何れか1項に記載の可変抵抗素子。 - 前記可変抵抗体が、Ti又はNiの酸化物又は酸窒化物で構成されることを特徴とする請求項1〜請求項4の何れか1項に記載の可変抵抗素子。
- 請求項1に記載の可変抵抗素子の製造方法であって、
基板上に前記第2電極を形成する第1工程と、
前記第1工程終了後、前記第2電極の一部を露出させる第2工程と、
前記第2工程終了後、前記第2電極の露出面に接触するように前記可変抵抗体を形成する第3工程と、
前記第3工程終了後、前記可変抵抗体と接触するように前記第1電極を形成する第4工程と、を有し、
前記第3工程が、前記第2電極の露出面近傍から、所定の方向に向かって含有される酸素濃度が上昇又は低下するような条件下で前記可変抵抗体を形成する工程であることを特徴とする可変抵抗素子の製造方法。 - 前記第3工程が、前記第2電極の露出面から前記第2電極の内部方向に向かって前記可変抵抗体内部の酸素濃度が低下するような条件下での酸化処理であることを特徴とする請求項6に記載の可変抵抗素子の製造方法。
- 前記第3工程が、
反応温度を2段階以上変化させながら酸化処理を施す工程であることを特徴とする請求項7に記載の可変抵抗素子の製造方法。 - 前記第1工程が、
前記基板上に第1導電膜を堆積後、所定形状にパターニングする工程と、
その後に、第1層間絶縁膜を堆積後、所定領域を開口して前記第1導電膜の一部上面を露出させる開口部を形成する工程と、
その後に、前記開口部を完全には充填しない範囲の膜厚で、前記第1導電膜と接触するように前記開口部の底面及び内側側面を含む全面に第2導電膜を堆積する工程と、
その後に、第2層間絶縁膜を堆積する工程と、を有し、
前記第1導電膜と前記第2導電膜とが結合されることで前記第2電極を形成する工程であり、
前記第2工程が、
前記第1層間絶縁膜の上面が露出するまで前記第2層間絶縁膜及び前記第2導電膜を除去する工程であることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の可変抵抗素子の製造方法。 - 前記第3工程が、
前記第2導電膜の結晶成長方向に対して68°以上90°以下の方向で前記第2導電膜に対して酸化処理を施す工程であることを特徴とする請求項9に記載の可変抵抗素子の製造方法。 - 前記第1工程が、
前記基板上に第1導電膜と第1層間絶縁膜を堆積後、両者を所定形状にパターニングすることで、パターニングされた前記第1導電膜によって前記第2電極を形成する工程であり、
前記第2工程が、前記第1工程においてパターニングされた前記第1導電膜の側壁部分を露出する工程であることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の可変抵抗素子の製造方法。 - 前記第3工程が、前記第2工程において露出された前記第1導電膜の側壁部分に対し、当該第1導電膜の結晶成長方向に対して直交する方向で酸化処理を施す工程であることを特徴とする請求項11に記載の可変抵抗素子の製造方法。
- 前記第1工程が、
前記基板上に第1導電膜を堆積後、所定形状にパターニングすることで、パターニングされた前記第1導電膜によって前記第2電極を形成する工程であり、
前記第2工程が、
第1層間絶縁膜を全面に堆積後、所定領域を開口して前記第2電極の一部上面を露出させる開口部を形成する工程であり、
前記第3工程が、
遷移金属酸化物又は遷移金属酸窒化物で構成される可変抵抗体膜を、前記開口部の底面に位置する前記第2電極の露出面近傍から上方へ向かって含有される酸素濃度が上昇するような条件下で、前記開口部を充填するように全面に堆積する工程であることを特徴とする請求項6に記載の可変抵抗素子の製造方法。 - 前記第3工程が、
酸素流量又は酸素分圧を2段階以上変化させながら前記可変抵抗体膜をALD法、CVD法、又は反応性スパッタリング法によって堆積する工程であることを特徴とする請求項13に記載の可変抵抗素子の製造方法。 - 請求項1に記載の可変抵抗素子の駆動方法であって、
前記可変抵抗素子の抵抗特性を低抵抗状態から高抵抗状態に遷移させる場合には、前記第1電極が前記第2電極に対して正極性となるようなパルス電圧を両電極間に印加し、
前記可変抵抗素子の抵抗特性を高抵抗状態から低抵抗状態に遷移させる場合には、前記第1電極が前記第2電極に対して負極性となるようなパルス電圧を両電極間に印加することを特徴とする可変抵抗素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007070322A JP4805865B2 (ja) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | 可変抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007070322A JP4805865B2 (ja) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | 可変抵抗素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008235427A true JP2008235427A (ja) | 2008-10-02 |
JP4805865B2 JP4805865B2 (ja) | 2011-11-02 |
Family
ID=39907910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007070322A Expired - Fee Related JP4805865B2 (ja) | 2007-03-19 | 2007-03-19 | 可変抵抗素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4805865B2 (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009105383A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-05-14 | Sharp Corp | 可変抵抗素子及びその製造方法 |
JP2009130344A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Sony Corp | 記憶素子および記憶装置 |
JP2009141275A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Fujitsu Ltd | 抵抗変化素子、これを用いた記憶装置、及びそれらの作製方法 |
JP2009164580A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-07-23 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 抵抗スイッチングNiO層を含むメモリ素子の製造方法、およびそのデバイス |
WO2009150814A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | パナソニック株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体チップおよびシステム |
JP2010135541A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Sharp Corp | 可変抵抗素子並びにその製造方法 |
CN101834274A (zh) * | 2010-04-15 | 2010-09-15 | 复旦大学 | 一种阻变金属氮化物材料的制备方法 |
JP2010251352A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-11-04 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶素子及びその製造方法 |
US8395925B2 (en) | 2009-06-08 | 2013-03-12 | Panasonic Corporation | Forming method for variable resistance nonvolatile memory element, and variable resistance nonvolatile memory device |
US8445883B2 (en) | 2008-10-30 | 2013-05-21 | Panasonic Corporation | Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
US8553444B2 (en) | 2008-08-20 | 2013-10-08 | Panasonic Corporation | Variable resistance nonvolatile storage device and method of forming memory cell |
US8581224B2 (en) | 2012-01-20 | 2013-11-12 | Micron Technology, Inc. | Memory cells |
US8871561B2 (en) | 2011-02-01 | 2014-10-28 | Panasonic Corporation | Variable resistance nonvolatile storage device and method for manufacturing the same |
US9006697B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistance change element and nonvolatile memory device |
JP2017117823A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | Dramキャパシタの下部電極およびその製造方法 |
CN111383961A (zh) * | 2018-12-25 | 2020-07-07 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
JPWO2021085475A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004349690A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Sharp Corp | メモリ抵抗特性を制御する酸素含有量システムおよび方法 |
JP2005317976A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 段階的な抵抗値を有する多層構造を利用したメモリ素子 |
WO2006075574A1 (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 抵抗変化素子とその製造方法 |
JP2007048779A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-22 | Sharp Corp | 可変抵抗素子とその製造方法並びにそれを備えた記憶装置 |
JP2007287761A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリならびにその製造方法 |
JP2008205007A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | 抵抗変化型素子および抵抗変化型素子抵抗スイッチング方法 |
-
2007
- 2007-03-19 JP JP2007070322A patent/JP4805865B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004349690A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Sharp Corp | メモリ抵抗特性を制御する酸素含有量システムおよび方法 |
JP2005317976A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 段階的な抵抗値を有する多層構造を利用したメモリ素子 |
WO2006075574A1 (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 抵抗変化素子とその製造方法 |
JP2007048779A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-22 | Sharp Corp | 可変抵抗素子とその製造方法並びにそれを備えた記憶装置 |
JP2007287761A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリならびにその製造方法 |
JP2008205007A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | 抵抗変化型素子および抵抗変化型素子抵抗スイッチング方法 |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009105383A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-05-14 | Sharp Corp | 可変抵抗素子及びその製造方法 |
JP2009164580A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-07-23 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 抵抗スイッチングNiO層を含むメモリ素子の製造方法、およびそのデバイス |
JP2009130344A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Sony Corp | 記憶素子および記憶装置 |
JP2009141275A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Fujitsu Ltd | 抵抗変化素子、これを用いた記憶装置、及びそれらの作製方法 |
US8624214B2 (en) | 2008-06-10 | 2014-01-07 | Panasonic Corporation | Semiconductor device having a resistance variable element and a manufacturing method thereof |
WO2009150814A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | パナソニック株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体チップおよびシステム |
US8553444B2 (en) | 2008-08-20 | 2013-10-08 | Panasonic Corporation | Variable resistance nonvolatile storage device and method of forming memory cell |
US8830730B2 (en) | 2008-08-20 | 2014-09-09 | Panasonic Corporation | Variable resistance nonvolatile storage device and method of forming memory cell |
US8445883B2 (en) | 2008-10-30 | 2013-05-21 | Panasonic Corporation | Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
JP2010135541A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Sharp Corp | 可変抵抗素子並びにその製造方法 |
JP2010251352A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-11-04 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶素子及びその製造方法 |
US8395925B2 (en) | 2009-06-08 | 2013-03-12 | Panasonic Corporation | Forming method for variable resistance nonvolatile memory element, and variable resistance nonvolatile memory device |
CN101834274A (zh) * | 2010-04-15 | 2010-09-15 | 复旦大学 | 一种阻变金属氮化物材料的制备方法 |
US8871561B2 (en) | 2011-02-01 | 2014-10-28 | Panasonic Corporation | Variable resistance nonvolatile storage device and method for manufacturing the same |
US9142766B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-09-22 | Micron Technology, Inc. | Memory cells containing metal oxides |
CN104067391A (zh) * | 2012-01-20 | 2014-09-24 | 美光科技公司 | 存储器单元及形成存储器单元的方法 |
US8962387B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-02-24 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming memory cells |
KR101533942B1 (ko) * | 2012-01-20 | 2015-07-03 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 메모리 셀 및 메모리 셀 형성 방법 |
US8581224B2 (en) | 2012-01-20 | 2013-11-12 | Micron Technology, Inc. | Memory cells |
US9006697B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistance change element and nonvolatile memory device |
JP2017117823A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | Dramキャパシタの下部電極およびその製造方法 |
CN111383961A (zh) * | 2018-12-25 | 2020-07-07 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
CN111383961B (zh) * | 2018-12-25 | 2023-12-08 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
JPWO2021085475A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | ||
WO2021085475A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 電流センサおよび電力変換回路 |
JP7257712B2 (ja) | 2019-11-01 | 2023-04-14 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 電流センサおよび電力変換回路 |
US12095348B2 (en) | 2019-11-01 | 2024-09-17 | Japan Science And Technology Agency | Current sensor and power conversion circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4805865B2 (ja) | 2011-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4805865B2 (ja) | 可変抵抗素子 | |
JP3989506B2 (ja) | 可変抵抗素子とその製造方法ならびにそれを備えた半導体記憶装置 | |
KR100682926B1 (ko) | 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 | |
JP3889023B2 (ja) | 可変抵抗素子とその製造方法並びにそれを備えた記憶装置 | |
US7615769B2 (en) | Nonvolatile memory device and fabrication method thereof | |
TWI540775B (zh) | 電阻變化型非揮發性記憶裝置、半導體裝置及電阻變化型非揮發性記憶裝置之動作方法 | |
KR101171065B1 (ko) | 기억소자 및 기억장치 | |
US7259387B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device | |
US8084760B2 (en) | Ring-shaped electrode and manufacturing method for same | |
TWI472018B (zh) | Memory elements and memory devices | |
JP5156060B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP4529654B2 (ja) | 記憶素子及び記憶装置 | |
JP5308105B2 (ja) | 可変抵抗素子及びその製造方法 | |
JP4613478B2 (ja) | 半導体記憶素子及びこれを用いた半導体記憶装置 | |
JP2007067415A (ja) | 不揮発性メモリ素子及びその製造方法 | |
KR20150093149A (ko) | 기억 소자 및 기억 장치 | |
JP4648940B2 (ja) | 可変抵抗素子の製造方法 | |
JP2007049156A (ja) | リセット電流の安定化のためのメモリ素子の製造方法 | |
JP2007157941A (ja) | 記憶素子及び記憶装置 | |
JP6162931B2 (ja) | 記憶素子および記憶装置 | |
JP5215741B2 (ja) | 可変抵抗素子 | |
US11925129B2 (en) | Multi-layer selector device and method of fabricating the same | |
JP5360145B2 (ja) | 記憶素子及び記憶装置 | |
JP2009043850A (ja) | 可変抵抗素子及びその製造方法 | |
JP2007273517A (ja) | 電気素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110719 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110811 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4805865 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |