JP2008232963A - プローブ、プローブ装置および検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】導体パターンについての検査を正確に行い得るプローブを提供する。
【解決手段】検査用信号Ｓｅが供給されているフレキシブル基板１００の導体パターン１０２に近接させられた状態において検査用信号Ｓｅの供給に伴って導体パターン１０２との間の静電容量Ｃ０を介して流れる電流信号Ｓｉを検出する検出用電極２１と、検出用電極２１の周囲に絶縁体２２を挟んで設けられたシールド電極２３とを備え、シールド電極２３は、検査時に導体パターン１０２に近接させられる検出用電極２１の先端部２１ａからシールド電極２３までの最短距離が検出用電極２１における先端部２１ａを除く部位からシールド電極２３までの最短距離よりも短くなるように構成されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、検査対象体の導体パターンに流れる電気信号を検出する検出用電極と検出用電極の周囲に絶縁体を挟んで設けられたシールド電極とを備えたプローブ、そのプローブを備えたプローブ装置、およびそのプローブ装置を備えた検査装置に関するものである。

この種の検査装置として、特許第２９９４２５９号公報に開示された基板検査装置が知られている。この基板検査装置は、被検査基板の導体パターンの良否を検査（テスト）する装置であって、導体パターンにおける広ピッチ側の電極に接触可能なコンタクトプローブと、導体パターンにおける狭ピッチ側の検査対象電極において発生する電磁界を検出して検出信号を出力する非接触センサと、検出信号を処理する波形処理回路等を備えて構成されている。この基板検査装置では、非接触センサによって検出された電磁界に対応する検出信号の電圧レベルと基準値とを比較することにより、導体パターンの不良の有無を判定することが可能となっている。この場合、非接触センサには、広ピッチ側の電極からの放射波（電磁界）が非接触センサに届くのを防止するシールドが設けられている。このため、この基板検査装置では、狭ピッチ側の検査対象電極以外からの放射波の影響を低減することが可能となっている。
特許第２９９４２５９号公報（第４−５頁、第１図）

ところが、上記の基板検査装置には、以下の問題点がある。すなわち、この基板検査装置では、非接触センサに設けたシールドによって検査対象電極以外からの放射波（外乱）の影響の低減を図っている。この場合、この種のシールドは、一般的に、導電性材料で形成されてグランド電位に接続されると共に、絶縁体を挟んで非接触センサの周囲に設けられている。つまり、非接触センサとシールドとが絶縁体を介して容量結合された状態となっている。このため、非接触センサから出力される検出信号の一部が、非接触センサとシールドとの間の静電容量によってシールド側に流れて、その分、非接触センサから波形処理回路に出力される検出信号のレベルが低下（検出信号が減衰）することがある。

この検出信号の減衰率は、非接触センサとシールドとの間の静電容量が大きいほど大きくなる。また、非接触センサとシールドとの間の静電容量は、両者の距離に反比例する。したがって、検出信号の減衰率を低く抑えるためには、両者の距離を長くするのが好ましい。しかしながら、非接触センサからシールドまでの距離が長くなるほどシールド効果が低下して、外乱の影響を受け易くなる。したがって、この種の非接触センサを用いる上記の基板検査装置には、検出信号の減衰率および外乱の影響の双方を低く抑えるのが困難な結果、検査結果が不正確となるおそれがあるという問題点が存在する。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、導体パターンについての検査を正確に行い得るプローブ、プローブ装置および検査装置を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載のプローブは、検査用信号が供給されている検査対象体の導体パターンに近接させられた状態において当該検査用信号の供給に伴って当該導体パターンとの間の静電容量を介して流れる電気信号を検出する検出用電極と、当該検出用電極の周囲に絶縁体を挟んで設けられたシールド電極とを備えたプローブであって、前記シールド電極は、検査時に前記導体パターンに近接させられる前記検出用電極の先端部から当該シールド電極までの最短距離が当該検出用電極における当該先端部を除く部位から当該シールド電極までの最短距離よりも短くなるように構成されている。

また、請求項２記載のプローブは、請求項１記載のプローブにおいて、前記検出用電極は、円柱状に形成され、前記シールド電極は、円錐台形の筒状に形成されると共に前記検出用電極を取り囲むようにして設けられている。

また、請求項３記載のプローブは、請求項１記載のプローブにおいて、前記検出用電極は、円柱状に形成され、前記シールド電極は、その先端部側が円錐台形の筒状でかつその基端部側が円筒状に形成されると共に前記検出用電極を取り囲むようにして設けられている。

さらに、請求項４記載のプローブは、請求項１記載のプローブにおいて、前記検出用電極は、円柱状に形成され、前記シールド電極は、円形の中心孔が形成された円板をその先端部に有する円筒状に形成されると共に前記検出用電極を取り囲むようにして設けられている。

また、請求項５記載のプローブは、請求項１から４のいずれかに記載のプローブにおいて、前記検出用電極は、前記導体パターンに近接させられた状態において当該導体パターンに対向する端面の最大幅が当該導体パターンの幅よりも短くなるように形成されている。

また、請求項６記載のプローブ装置は、請求項１から５のいずれかに記載のプローブと、当該プローブによって検出された前記電気信号に対して所定の処理を実行する処理回路とを備えている。

また、請求項７記載の検査装置は、請求項６記載のプローブ装置と、検査対象体の導体パターンに検査用信号を供給する検査用信号供給部と、前記プローブ装置から出力される電気信号に基づいて前記導体パターンの検査を実行する検査部とを備えている。

請求項１記載のプローブによれば、検出用電極の先端部からシールド電極までの最短距離が検出用電極における先端部を除く部位からシールド電極までの最短距離よりも短くなるようにシールド電極を構成したことにより、例えばシールド電極を円筒状に形成したプローブ、つまり検出用電極からシールド電極までの距離が一定の構成と比較して、検出用電極とシールド電極との間の全体としての静電容量を同程度に維持しつつ、検出用電極の先端部からシールド電極までの最短距離が短い分、シールド電極によるシールド効果を十分に高めることができる。したがって、このプローブによれば、ＳＮ比が十分に高い電気信号に基づいて導体パターンについての検査を正確に行うことができる。

また、請求項２記載のプローブによれば、シールド電極を円錐台形の筒状に形成したことにより、先端部に向かうに従って小径となるようにプローブを構成することができるため、例えば、検査対象の導体パターンの近傍に電子部品等が実装されている場合であっても、プローブとその電子部品等との干渉を避けることができる。

また、請求項３記載のプローブによれば、その先端部側が円錐台形の筒状でかつその基端部側が円筒状にシールド電極を形成したことにより、シールド電極を全体として円錐台形の筒状に形成した構成、つまり基端部から先端部までの長さおよび基端部の外径が互いに等しく、かつ基端部から先端部に向かうに従って外径が徐々に細くなるようにシールド電極を形成した構成と比較して、基端部側を円筒状に形成した分、検出用電極からシールド電極までの平均距離を長くすることができる。このため、このプローブによれば、その分、検出用電極とシールド電極との間の全体としての静電容量を小さくすることができる結果、検出用電極によって検出された電気信号の減衰率を一層低く抑えることができる。

さらに、請求項４記載のプローブによれば、円形の中心孔が形成された円板をその先端部に有する円筒状にシールド電極を形成したことにより、シールド電極を全体として円錐台形の筒状に形成した構成やシールド電極の先端部側を円錐台形の筒状に形成した構成、つまり基端部から先端部までの長さおよび基端部の外径が互いに等しく、かつ基端部または中間部分から先端部に向かうに従って外径が徐々に細くなるようにシールド電極を形成した構成と比較して、先端部を除く部分を円筒状に形成した分、検出用電極からシールド電極までの平均距離を一層長くすることができる。このため、このプローブによれば、その分、検出用電極とシールド電極との間の全体としての静電容量をさらに小さくすることができる結果、検出用電極によって検出された電気信号の減衰率をさらに低く抑えることができる。

また、請求項５記載のプローブによれば、導体パターンに対向する端面の最大幅が導体パターンの幅よりも短くなるように検出用電極を形成したことにより、例えば、検査対象の導体パターンに隣接する導体パターンに検査用信号が供給されていたとしても、その隣接する導体パターンとの間の静電容量を介して流れる電気信号が検出用電極によって誤検出される事態を確実に防止することができる。

また、請求項６記載のプローブ装置によれば、上記のプローブを備えたことにより、上記のプローブが有する効果と同様の効果を実現することができる。

また、請求項７記載の検査装置によれば、上記のプローブ装置を備えたことにより、上記のプローブが有する効果と同様の効果を実現することができる。

以下、本発明に係るプローブ、プローブ装置および検査装置の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、回路基板検査装置１の構成について、図面を参照して説明する。図１に示す回路基板検査装置１は、本発明に係る検査装置の一例であって、例えば、同図に示すフレキシブル基板１００に対する所定の電気的検査を実行可能に構成されている。ここで、フレキシブル基板１００は、本発明における検査対象体の一例であって、同図に示すように、基板本体１０１上に複数の導体パターン１０２が形成されて構成されている。この場合、各導体パターン１０２のピッチは一端部１０２ａ（同図における下端部）が広く、他端部１０２ｂ（同図における上端部）が狭く形成されている。

一方、回路基板検査装置１は、図１に示すように、プローブ装置２、移動機構３、検査用信号供給部４、アンプ５、Ａ／Ｄ変換部６、操作部７、表示部８、制御部９および記憶部１０を備えて構成されている。

プローブ装置２は、プローブ１１およびＩ／Ｖ変換回路１２を備えて構成されている。プローブ１１は、本発明に係るプローブの一例であって、図２，３に示すように、検出用電極２１、絶縁体２２、シールド電極２３および被覆体２４を備えて構成されている。検出用電極２１は、導電性を有する材料によって形成されると共に、基端部２１ｂ（両図における上端部）がＩ／Ｖ変換回路１２の信号入力端子（図示せず）に接続されている。また、検出用電極２１は、フレキシブル基板１００の導体パターン１０２における他端部１０２ｂの幅よりもその直径が短い円柱状に形成されている。つまり、検出用電極２１は、導体パターン１０２に近接させられた状態において導体パターン１０２に対向する端面（図２に示す円形の端面）の最大幅（この構成では円形の端面の直径）が導体パターン１０２における他端部１０２ｂの幅よりも短くなるように形成されている。この場合、検出用電極２１は、検査時において先端部２１ａ（両図における下端部）がフレキシブル基板１００の導体パターン１０２に近接されたとき、つまり導体パターン１０２と容量結合された状態において、後述する検査用信号Ｓｅの供給に伴って導体パターン１０２と検出用電極２１との間の静電容量Ｃ０を介して流れる電流信号Ｓｉ（本発明における電気信号）を非接触で検出する。

絶縁体２２は、例えば発泡性ポリエチレンで形成されている。また、絶縁体２２は、図２，３に示すように、先端部２２ａ（両図における下端部）が小径で基端部２２ｂ（両図における上端部）が大径の円錐台形の筒状に形成されると共に、検出用電極２１を取り囲むようにして設けられている。

シールド電極２３は、外乱の影響を防止（シールド）するための電極であって、導電性を有する材料によって形成されると共に、Ｉ／Ｖ変換回路１２を介してグランド電位に接続されている。また、シールド電極２３は、図２，３に示すように、先端部２３ａ（両図における下端部）が小径で基端部２３ｂ（両図における上端部）が大径の円錐台形の筒状に形成されると共に、絶縁体２２を挟んで検出用電極２１を取り囲むようにして設けられれている。つまり、シールド電極２３は、両図に示すように、検出用電極２１からシールド電極２３までの最短距離Ｌが、先端部２３ａ（検出用電極２１の先端部２１ａ側）において最も短く、かつ基端部２３ｂ（検出用電極２１の基端部２１ｂ側）に向かうに従って徐々に長くなるように形成されている。言い換えると、シールド電極２３は、検出用電極２１の先端部２１ａからシールド電極２３までの最短距離Ｌが、検出用電極２１における先端部２１ａを除く部位からシールド電極２３までの最短距離Ｌよりも短くなるように形成されている。被覆体２４は、絶縁材料（例えば熱可塑性エラストマー）によって円錐台形の筒状に形成されると共に、シールド電極２３を取り囲む（被覆する）ようにして設けられている。

ここで、この種のプローブ１１では、検出用電極に流れる電流信号Ｓｉの一部が検出用電極２１とシールド電極２３との間の静電容量を介してシールド電極２３に流れて電流信号Ｓｉが減衰する。この場合、電流信号Ｓｉの減衰率は、検出用電極２１とシールド電極２３との間の静電容量が大きいほど大きくなる。また、検出用電極２１とシールド電極２３との間における検出用電極２１の単位面積当たりの静電容量の大きさは、検出用電極２１からシールド電極２３までの距離に反比例する。したがって、検出用電極２１とシールド電極２３との間における検出用電極２１の単位面積当たりの静電容量を小さくして電流信号Ｓｉの減衰率を低く抑えるためには、その距離を長くするのが好ましい。

一方、検出用電極２１からシールド電極２３までの距離が長くなるほどシールド電極２３によるシールドの効果が低下して、外乱の影響を受け易くなる。また、この影響は、検査対象の導体パターン１０２に近接させられる先端部２１ａほど大きい。この場合、このプローブ１１では、シールド電極２３を先端部２３ａが最も小径となる円錐台形の筒状に形成することで、上記した電流信号Ｓｉの減衰率を低く抑えつつ、円筒状のシールド電極４２３を備えたプローブ４１１（図４参照）と比較して外乱の影響を低く抑えることが可能となっている。

具体的に説明すると、プローブ１１における検出用電極２１からシールド電極２３までの平均距離と、図４に示すプローブ４１１における検出用電極４２１からシールド電極４２３までの距離とがほぼ均しいとき、つまりシールド電極２３およびシールド電極４２３の体積が互いにほぼ均しいときには、検出用電極２１とシールド電極２３との間の全体としての静電容量と、検出用電極４２１とシールド電極４２３との間の全体としての静電容量とがほぼ均しくなる。一方、先端部２１ａにおける検出用電極２１からシールド電極２３までの最短距離Ｌは、プローブ４１１の先端部４２１ａにおける検出用電極４２１からシールド電極４２３までの最短距離Ｌよりも短くなっている。このため、プローブ１１におけるシールド電極２３によるシールド効果は、プローブ４１１におけるシールド効果よりも十分に大きくなっている。したがって、プローブ１１では、シールド電極２３を円錐台形の筒状に形成したことで、シールド電極４２３を円筒状に形成したプローブ４１１と比較して、全体としての静電容量が同じであったとしても、シールド効果が十分に高められている。

Ｉ／Ｖ変換回路１２は、本発明における処理回路に相当し、プローブ１１によって検出された電流信号Ｓｉを電圧信号Ｓｖに変換（本発明における所定の処理）して出力する。この場合、電流信号Ｓｉの減衰を少なく抑えるために、プローブ１１は、Ｉ／Ｖ変換回路１２に直接接続されている。

移動機構３は、制御部９の制御に従ってプローブ装置２を移動させる。検査用信号供給部４は、図１に示すように、電源部３１、切替回路３２、および複数の信号供給プローブ３３を備えて構成されている。電源部３１は、検査用信号Ｓｅ（例えば交流信号）を出力する。切替回路３２は、同図に示すように、プローブ１１と同数のスイッチ３２ａを備えて構成され、制御部の制御に従ってオン状態またはオフ状態に移行することにより、各信号供給プローブ３３に対する検査用信号Ｓｅの出力および出力停止を行う。信号供給プローブ３３は、フレキシブル基板１００における導体パターン１０２の一端部１０２ａに接続されて電源部３１からの検査用信号Ｓｅを導体パターン１０２に供給する。この場合、この検査用信号供給部４には、フレキシブル基板１００における導体パターン１０２の数と同数の信号供給プローブ３３が備えられている。

アンプ５は、プローブ装置２のＩ／Ｖ変換回路１２から出力された電圧信号Ｓｖを所定の増幅率で増幅する。Ａ／Ｄ変換部６は、アンプ５によって増幅された電圧信号Ｓｖをアナログ／デジタル変換して電圧データＤｖを出力する。操作部７は、電源スイッチや、検査開始スイッチ等の各種スイッチを備えて構成され、これらのスイッチが操作されたときに操作信号Ｓｏを出力する。表示部８は、制御部９の制御に従って各種の表示を行う。

制御部９は、本発明における検査部に相当し、操作部７からの操作信号Ｓｏに従って各種の処理を実行する。具体的には、制御部９は、検査用信号供給部４の電源部３１による検査用信号Ｓｅの出力を制御すると共に、検査用信号供給部４の切替回路３２におけるスイッチ３２ａのオンオフを制御する。また、制御部９は、Ａ／Ｄ変換部６から出力された電圧データＤｖに基づいて電圧値Ｖｄを算出すると共に、電圧値Ｖｄと記憶部１０に記憶されている基準値Ｖｓとを比較することにより、導体パターン１０２の良否を判定（検査）する。つまり、制御部９は、プローブ１１によって検出された電流信号Ｓｉに基づいて導体パターン１０２の良否を判定する。さらに、制御部９は、導体パターン１０２についての良否判定の結果を表示部８に表示させる。記憶部１０は、基準値Ｖｓを記憶すると共に、制御部９によって算出された電圧値Ｖｄを一時的に記憶する。

次に、回路基板検査装置１を用いてフレキシブル基板１００の導体パターン１０２の良否を検査する方法、およびその際の回路基板検査装置１の動作について説明する。

まず、図外の載置台にフレキシブル基板１００を載置して固定する。次いで、図１に示すように、各導体パターン１０２の一端部１０２ａに回路基板検査装置１の検査用信号供給部４における信号供給プローブ３３をそれぞれ接触させる。続いて、操作部７を操作して、回路基板検査装置１を作動させる。この際に、制御部９が、検査用信号供給部４の電源部３１を制御して、検査用信号Ｓｅの出力を開始させる。

また、制御部９は、検査用信号供給部４の切替回路３２を制御して、各スイッチ３２ａのうちの１つのスイッチ３２ａ（例えば、同図における左端のスイッチ３２ａ）をオン状態に移行させると共に、そのスイッチ３２ａを除く他のスイッチ３２ａをオフ状態に移行させる。これにより、各導体パターン１０２のうちの１つの導体パターン１０２における一端部１０２ａに、電源部３１からの検査用信号Ｓｅが信号供給プローブ３３を介して供給される。

次いで、制御部９は、移動機構３を制御して、検査用信号Ｓｅが供給されている導体パターン１０２（この例では、図１における左端の導体パターン１０２）の他端部１０２ｂにプローブ１１の先端部が近接するようにプローブ装置２を移動させる。この場合、図３に示すように、導体パターン１０２の他端部１０２ｂに近接させられたプローブ１１は、導体パターン１０２に対して容量結合された状態となっている。このため、導体パターン１０２に対する交流の検査用信号Ｓｅの供給に伴い、プローブ１１の検出用電極２１には、導体パターン１０２との間の静電容量（同図に示す静電容量Ｃ０）を介して電流信号Ｓｉが流れる（つまり検出用電極２１によって電流信号Ｓｉが検出される）。この場合、導体パターン１０２に対向する端面の最大幅が導体パターン１０２の他端部１０２ｂの幅よりも短くなるように検出用電極２１が形成されているため、例えば、検査対象の導体パターン１０２に隣接する導体パターン１０２に検査用信号Ｓｅが供給されていたとしても、その隣接する導体パターン１０２との間の静電容量を介して流れる電流信号Ｓｉが検出用電極２１によって検出（誤検出）される事態が確実に防止される。

次いで、プローブ装置２のＩ／Ｖ変換回路１２がプローブ１１によって検出された電流信号Ｓｉを電圧値Ｖｄに変換する。続いて、アンプ５が、電圧値Ｖｄを所定の増幅率で増幅し、Ａ／Ｄ変換部６が、増幅された電圧値Ｖｄをアナログ／デジタル変換して電圧データＤｖを出力する。次いで、制御部９は、電圧データＤｖに基づいて電圧値Ｖｄを算出して記憶部１０に記憶させる。続いて、制御部９は、検査用信号供給部４の切替回路３２を制御してオン状態およびオフ状態に移行させるスイッチ３２ａを順次切り替えると共に、移動機構３を制御してプローブ１１を移動させつつ、フレキシブル基板１００における全ての導体パターン１０２についての上記の電圧値Ｖｄの算出および記憶を行う。

次いで、制御部９は導体パターン１０２の良否判定処理を実行する。この良否判定処理では、制御部９は、記憶部１０に記憶されている全ての導体パターン１０２についての電圧値Ｖｄと、記憶部１０に記憶されている基準値Ｖｓとを比較する。この場合、電圧値Ｖｄが基準値Ｖｓ以上のときには、制御部９は、その導体パターン１０２は断線していない良好な状態であると判定する。一方、電圧値Ｖｄが基準値Ｖｓよりも小さいときには、導体パターン１０２に断線が発生している可能性があるため、制御部９は、その導体パターン１０２が不良状態であると判定する。次いで、制御部９は、各導体パターン１０２についての良否の判定結果を記憶部１０に記憶する。これにより、良否判定処理が完了する。

次いで、制御部９は、良否の判定処理の結果を記憶部１０から読み出して、表示部８に表示させる。これにより、フレキシブル基板１００の導体パターン１０２の検査が完了する。この場合、上記したように、この回路基板検査装置１では、プローブ１１のシールド電極２３を円錐台形の筒状に形成したことで、シールド電極２３によるシールド効果が十分に高められている。したがって、ＳＮ比が十分に高い電流信号Ｓｉに基づいて導体パターン１０２についての検査を正確に行うことが可能となっている。

このように、このプローブ１１、プローブ装置２および回路基板検査装置１によれば、検出用電極２１の先端部２１ａからシールド電極２３までの最短距離Ｌが検出用電極２１における先端部２１ａを除く部位からシールド電極２３までの最短距離Ｌよりも短くなるようにシールド電極２３を構成したことにより、例えばシールド電極４２３を円筒状に形成した構成、つまり検出用電極４２１からシールド電極４２３までの距離が一定の構成と比較して、検出用電極２１とシールド電極２３との間の全体としての静電容量を同程度に維持しつつ、検出用電極２１の先端部２１ａからシールド電極２３までの最短距離Ｌが短い分、シールド電極２３によるシールド効果を十分に高めることができる。したがって、このプローブ１１、プローブ装置２および回路基板検査装置１によれば、ＳＮ比が十分に高い電流信号Ｓｉに基づいて導体パターン１０２についての検査を正確に行うことができる。

また、このプローブ１１、プローブ装置２および回路基板検査装置１によれば、シールド電極２３を円錐台形の筒状に形成したことにより、先端部に向かうに従って小径となるようにプローブ１１を構成することができるため、例えば、検査対象の導体パターン１０２の近傍に電子部品等が実装されている場合であっても、プローブ１１とその電子部品等との干渉を避けることができる。

また、このプローブ１１、プローブ装置２および回路基板検査装置１によれば、導体パターン１０２に対向する端面の最大幅が導体パターン１０２の他端部１０２ｂの幅よりも短くなるように検出用電極２１を形成したことにより、例えば、検査対象の導体パターン１０２に隣接する導体パターン１０２に検査用信号Ｓｅが供給されていたとしても、その隣接する導体パターン１０２との間の静電容量を介して流れる電流信号Ｓｉが検出用電極２１によって検出（誤検出）される事態を確実に防止することができる。

なお、本発明は、上記の構成に限定されない。例えば、シールド電極２３を円錐台形の筒状に形成した構成例について上記したが、図５に示すように、シールド電極２２３の先端部２２３ａ側を円錐台形の筒状に形成すると共に、基端部２２３ｂ側を円筒状に形成したプローブ２１１を採用することもできる。このプローブ２１１においても、例えば上記したプローブ４１１と比較して、検出用電極２２１とシールド電極２２３との間の全体としての静電容量を同程度に維持しつつ、検出用電極２２１の先端部２２１ａからシールド電極２２３までの最短距離Ｌが短い分、シールド電極２２３によるシールド効果を十分に高めることができるため、ＳＮ比が十分に高い電流信号Ｓｉに基づいて導体パターン１０２についての検査を正確に行うことができる。

また、このプローブ２１１によれば、シールド電極を全体として円錐台形の筒状に形成した構成、つまり基端部から先端部までの長さおよび基端部の外径が互いに等しく、かつ基端部から先端部に向かうに従って外径が徐々に細くなるようにシールド電極を形成した構成と比較して、基端部２２３ｂ側を円筒状に形成した分、検出用電極２２１からシールド電極２２３までの平均距離を長くすることができる。このため、その分、検出用電極２２１とシールド電極２２３との間の全体としての静電容量を小さくすることができる結果、検出用電極２２１によって検出された電流信号Ｓｉの減衰率を一層低く抑えることができる。

また、図６，７に示すプローブ３１１を採用することもできる。この場合、プローブ３１１のシールド電極３２３は、円筒状に形成した本体部３３１と、円形の中心孔３３２ａが形成されて本体部３３１の先端部３３１ａ（検出用電極３２１の先端部３２１ａ側）に形成された円板３３２とを備えて構成されている。このプローブ３１１は、両図に示すように、円板３３２を本体部３３１の先端部に形成することにより、検出用電極３２１の先端部３２１ａからシールド電極３２３までの最短距離Ｌを、検出用電極３２１における先端部３２１ａを除く部分からシールド電極３２３までの最短距離Ｌよりも短くなるように構成されている。したがって、このプローブ３１１においても、上記したプローブ４１１と比較して、検出用電極３２１とシールド電極３２３との間の全体としての静電容量を同程度に維持しつつ、検出用電極３２１の先端部３２１ａからシールド電極３２３までの最短距離Ｌが短い分、シールド電極３２３によるシールド効果を十分に高めることができるため、ＳＮ比が十分に高い電流信号Ｓｉに基づいて導体パターン１０２についての検査を正確に行うことができる。

また、このプローブ３１１によれば、シールド電極を全体として円錐台形の筒状に形成した構成やシールド電極の先端部側を円錐台形の筒状に形成した構成、つまり基端部から先端部までの長さおよび基端部の外径が互いに等しく、かつ基端部または中間部分から先端部に向かうに従って外径が徐々に細くなるようにシールド電極を形成した構成と比較して、先端部３３１ａを除く部分を円筒状に形成した分、検出用電極３２１からシールド電極３２３までの平均距離を一層長くすることができる。このため、その分、検出用電極３２１とシールド電極３２３との間の全体としての静電容量をさらに小さくすることができる結果、検出用電極３２１によって検出された電流信号Ｓｉの減衰率をさらに低く抑えることができる。

また、絶縁体２２を発泡性ポリエチレンで形成した例について上記したが、発泡性ポリエチレンに代えて他の絶縁材料を用いることもできる。さらに、検査対象体としてのフレキシブル基板１００を検査する例について上記したが、検査対象としては、これに限定されず、ベアボード、ハード基板、有機ＥＬ用のガラス基板およびフラットパネルディスプレイ用（液晶用）のガラス基板等の任意の基板に対する検査に回路基板検査装置１を用いることができるのは勿論である。

回路基板検査装置１の構成を示す構成図である。 プローブ１１の構成を示す斜視図である。 回路基板検査装置１を用いた検査方法を説明するための説明図である。 プローブ４１１の特性を説明するための説明図である。 プローブ２１１の構成を示す斜視図である。 プローブ３１１の構成を示す斜視図である。 プローブ３１１の構成を示す断面図である。

符号の説明

１ 回路基板検査装置
２ プローブ装置
４ 検査用信号供給部
９ 制御部
１１，２１１，３１１ プローブ
１２ Ｉ／Ｖ変換回路
２１，２２１，３２１ 検出用電極
２１ａ，２２１ａ，３２１ａ，３３１ａ 先端部
２２ 絶縁体
２３，２２３，３２３ シールド電極
１００ フレキシブル基板
１０２ 導体パターン
３３１ 本体部
３３２ 円板
３３２ａ 中心孔
Ｓｅ 検査用信号
Ｓｉ 電流信号

Claims (7)

1. 検査用信号が供給されている検査対象体の導体パターンに近接させられた状態において当該検査用信号の供給に伴って当該導体パターンとの間の静電容量を介して流れる電気信号を検出する検出用電極と、当該検出用電極の周囲に絶縁体を挟んで設けられたシールド電極とを備えたプローブであって、
   前記シールド電極は、検査時に前記導体パターンに近接させられる前記検出用電極の先端部から当該シールド電極までの最短距離が当該検出用電極における当該先端部を除く部位から当該シールド電極までの最短距離よりも短くなるように構成されているプローブ。
2. 前記検出用電極は、円柱状に形成され、
   前記シールド電極は、円錐台形の筒状に形成されると共に前記検出用電極を取り囲むようにして設けられている請求項１記載のプローブ。
3. 前記検出用電極は、円柱状に形成され、
   前記シールド電極は、その先端部側が円錐台形の筒状でかつその基端部側が円筒状に形成されると共に前記検出用電極を取り囲むようにして設けられている請求項１記載のプローブ。
4. 前記検出用電極は、円柱状に形成され、
   前記シールド電極は、円形の中心孔が形成された円板をその先端部に有する円筒状に形成されると共に前記検出用電極を取り囲むようにして設けられている請求項１記載のプローブ。
5. 前記検出用電極は、前記導体パターンに近接させられた状態において当該導体パターンに対向する端面の最大幅が当該導体パターンの幅よりも短くなるように形成されている請求項１から４のいずれかに記載のプローブ。
6. 請求項１から５のいずれかに記載のプローブと、当該プローブによって検出された前記電気信号に対して所定の処理を実行する処理回路とを備えているプローブ装置。
7. 請求項６記載のプローブ装置と、検査対象体の導体パターンに検査用信号を供給する検査用信号供給部と、前記プローブ装置から出力される電気信号に基づいて前記導体パターンの検査を実行する検査部とを備えている検査装置。

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