JP2008221624A - 積層板、積層板の製造方法、および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 着色剤を含む樹脂層と基材層とを有する積層板であって、前記着色剤は、ソルベントカラー、カーボンブラック、フタロシアニン、アジン化合物、アントラキノン、アゾ化合物及び複合金属酸化物からなる群より選ばれる1種以上を含む積層版。
【選択図】図1
Description
[1]着色剤を含む樹脂層と基材層を有することを特徴とする積層板。
[2]前記着色剤を含む樹脂層の着色剤は、ソルベントカラー、カーボンブラック、 フタロシアニン、アジン化合物、アントラキノン、アゾ化合物及び、複合金属 酸化物からなる群より選ばれる1種以上を含むものである[1]項記載の積層 板。
[3] 前記複合金属酸化物は、銅、クロム、マンガン、コバルト及び、鉄からなる 群より選ばれる1種以上の金属を含むものである[2]項に記載の積層板。
[4] 前記着色剤を含む樹脂層、基材層の少なくとも1層は無機充填材を含むもの である[1]〜[3]項のいずれかに記載の積層板。
[5] 前記無機充填材は、シリカ、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム及び 、タルクからなる群より選ばれる1種類以上のものである無機充填材を含む[ 4]項記載の積層板。
[6] 前記着色剤を含む樹脂層、基材層のうち少なくとも1層は、熱硬化性樹脂を 成分として含むものである[1]〜[5]項のいずれかに記載の積層板。
[7] 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂を成分として含むものである[6]項記 載の積層板。
[8] 前記エポキシ樹脂は、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂を含む[7]項 記載の積層板。
[9] 前記熱硬化性樹脂は、シアネート樹脂を成分として含むものである請求項[ 6]〜[8]項のいずれかに記載の積層板。
[10] 前記シアネート樹脂は、ノボラック型シアネート樹脂を含む[9]項記載 の積層板。
[11] 前記基材層は、熱硬化性樹脂組成物とシート状繊維基材とから構成される プリプレグAを硬化してなるものである[1]〜[10]項のいずれかに記載 の積層板。
[12] 前記プリプレグAを、金属箔またはキャリアフィルムに樹脂組成物を塗布 して作製された支持層付き樹脂層B、支持層付き樹脂層Cとで挟み込んだ状態 で連続的に加熱加圧して[11]項の積層板を作製することを特徴とする積層 板の製造方法。
[13] 減圧下にて、前記プリプレグAと前記支持層付き樹脂層Bと前記支持層付 き樹脂層Cとを表面が弾性材料で構成されたラミネートロールで連続的に加熱 加圧してなる[12]項記載の積層板の製造方法。
[14] [1]〜[13]項のいずれかに記載の積層板を使用して作製される半導 体パッケージ用基板。
[15] [14]項に記載の半導体パッケージ用基板を使用して作製される半導体 装置。
この平均粒子径は、例えば粒度分布計(HORIBA製、LA−500)により測定することができる。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネート樹脂等が挙げられる。
これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
これらエポキシ樹脂の中でも特にアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。
前記シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算)で測定することができる。
上記支持層の厚みとしては特に限定されないが、10〜100μmのものを用いると、支持層付き樹脂層を製造する際の取り扱い性が良好であり好ましい。
なお、前記多層プリント配線板を得る際に用いられる内層回路板は、例えば、内層回路部分を黒化処理等の粗化処理したものを好適に用いることができる。また開口部は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。
内層回路の材質は、この製造方法に適するものであれば、どのようなものでも良いが、内層回路の形成においてエッチングや剥離などの方法により除去可能であることが好ましく、前記エッチングにおいては、これに使用される薬液などに対し、耐薬品性を有するものが好ましい。そのような内層回路の材質は、例えば、銅箔、銅板、銅合金板、42合金およびニッケル等が挙げられる。特に、銅箔、銅板および銅合金板は、電解めっき品や圧延品を選択できるだけでなく、様々な厚みのものを容易に入手できるため、内層回路として使用するのに最も好ましい。
なお、レーザー照射後の樹脂残渣等は過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより除去することが好ましい。また、平滑な絶縁層の表面を同時に粗化することができ、続く金属メッキにより形成する導電配線回路の密着性を上げることができる。
以下の工程で実施例1の両面銅張積層板を作製した。
ノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン株式会社製、プリマセットPT−30、重量平均分子量約700)19.7重量部、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、NC−3000H、エポキシ当量275)11.0重量部、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂(明和化成株式会社製、MEH−7851−3H、水酸基当量230)9.0重量部、およびエポキシシラン型カップリング剤(GE東芝シリコーン株式会社製、A−187)0.3重量部をメチルエチルケトンに常温で溶解し、球状溶融シリカ(株式会社アドマテックス社製、球状溶融シリカ、SO−25R、平均粒径0.5μm)60.0重量部を添加し、高速攪拌機を用いて10分攪拌して、樹脂ワニスを調製した。
前記樹脂ワニスをガラス織布(厚さ94μm、日東紡績製、WEA−2116)に含浸し、150℃の加熱炉で2分間乾燥して、プリプレグ中のワニス固形分が約50重量%のプリプレグを作製した。
前記樹脂ワニス100.0重量部に対して、着色剤としてシーアイソルベントブラック7(中央合成化学株式会社製、OIL BLACK 7)を1.0重量部添加し、高速攪拌機を用いて10分間攪拌して、銅箔付き樹脂フィルム作製用ワニスを調製した。
前記で得られた銅箔付き樹脂フィルム作製用ワニスを、厚さ18μmの銅箔(日本電解株式会社製、YGP−18)の粗化面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の絶縁フィルムの厚さが25μmとなるように塗工し、これを150℃の乾燥装置で5分間乾燥して、銅箔付き樹脂フィルムを作製した。
図7に示すように真空ラミネーターを用いて、樹脂塗工面を内側にした2組の銅箔付き樹脂フィルムでプリプレグを挟み込む形で、120℃に加熱された一対のラミネートロール間(ロール面圧:15kg/cm2)を通過させ、プリプレグと銅箔付き樹脂フィルム2組を加熱加圧し積層板を成形し、巻き取りロールにて巻き取った。真空ボックス内の真空度は20Torrに設定した。ラミネートロールは、ゴムショア硬度80度のシリコーンゴム(明和ゴム工業(株)製: シリクッスーパーH80)で厚さ2mmの表面層を構成したものを用いた。巻き取られた積層板を巻き出しながら、180℃の温度で30分間後加熱し、絶縁層厚さ0.15mmの両面銅張積層板を作製した。
以下の工程で実施例2の両面銅張積層板を作製した。
エポキシ当量約450のビスフェノールA型エポキシ樹脂70.0重量部とエポキ シ当量約190のフェノールノボラック型エポキシ樹脂30.0重量をメチルエチル ケトン100.0重量部に溶解した。この溶液に、ジシアンジアミド3.0重量部と 2−フェニル−4−メチルイミダゾール0.2重量部をジメチルホルムアミド20重 量部に溶解した溶液を加え、攪拌混合した以外は実施例1同様にして、樹脂ワニスを 調製した。
前記樹脂ワニスをガラス織布(厚さ94μm、日東紡績製、WEA−2116)に含 浸し、170℃の加熱炉で1.5分間乾燥して、プリプレグ中のワニス固形分が約5 0重量%のプリプレグを作製した。
前記樹脂ワニス100重量部に対して、着色剤としてシーアイソルベントブラック7(中央合成化学株式会社製、OIL BLACK 7)を1重量部添加し、高速攪拌機を用いて10分間攪拌して、銅箔付き樹脂フィルム作製用ワニスを調製した。
前記で得た銅箔付き樹脂フィルム作製用ワニスを用いた以外は、実施例1と同様にして銅箔付き樹脂フィルムを得た。
(5)積層板の連続成形による両面銅張積層板の作製
前記で得た樹脂ワニスを用いた以外は、実施例1と同様にして両面銅張積層板を得た。
以下の工程で実施例3の両面銅張積層板を作製した。
以下の工程で実施例4の両面銅張積層板を作製した。
以下の工程で実施例5の両面銅張積層板を作製した。
以下の工程で実施例6の両面銅張積層板を作製した。
以下の工程で実施例7の両面銅張積層板を作製した。
以下の工程で比較例1の両面銅張積層板を作製した。
以下の工程で比較例2の両面銅張積層板を作製した。
その後、銅箔付き樹脂フィルムの代わりに厚さ18μmの銅箔(日本電解株式会社製、YGP−18)を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で、両面銅張積層板を得た。
作製した両面銅張積層板を用いて以下方法での評価を実施した。結果を表1に示す。
(表面平滑性)
非接触型3次元光干渉式表面粗さ計(WYKO NT−1100 ビーコインスツルメンツ社製)により、作製した両面銅張積層板の任意の部分の視野1.5mm角で観察を行い、隣り合った繊維布目の最高点と最低点との高さを測定した。
作製した両面銅張積層板の表裏に回路を形成し、銅箔が除去された樹脂表面の色の濃淡ムラを実体顕微鏡により倍率10倍で確認した。
○:均一である △:繊維目による濃淡ムラあり −:着色剤添加なし
作製した両面銅張積層板を用い半導体用パッケージ基板を作製し、前記半導体用パッケージ基板と半導体素子とを、ワイヤボンディングの手法により接続し、実体顕微鏡により接続部を倍率10倍で観察し、接続部の合否判定のしやすさを評価した。
◎:非常に見易い ○:判別可能 ×:判別しにくい
作製した両面銅張積層板の銅箔を全面エッチングし、得られた積層板から2mm×2mmのテストピースを切り出し、TAインスツルメント製DMA2980を用いて動的粘弾性測定を行った。尚、ガラス転移温度は、1Hzにおいてtanδが最大値を示す温度とした。
作製した両面銅張積層板の銅箔を全面エッチングし、得られた積層板から2mm×2mmのテストピースを切り出して、TAインスツルメント製TMAを用いて、熱機械分析を行い、30℃〜150℃における平均膨張率を測定した。
2 着色剤を含む樹脂層
3 銅箔
4 着色剤を含まない樹脂層
5 透明樹脂層
6 プリプレグ
7 支持層付き樹脂層
8 支持層
9 真空ボックス
10 銅箔付き樹脂フィルム巻き出し部
11 プリプレグ巻き出し部
12 ラミネートロール
13 積層板巻き取り部
Claims (15)
- 着色剤を含む樹脂層と基材層を有することを特徴とする積層板。
- 前記着色剤を含む樹脂層の着色剤は、ソルベントカラー、カーボンブラック、フタロシアニン、アジン化合物、アントラキノン、アゾ化合物及び、複合金属酸化物からなる群より選ばれる1種以上を含むものである請求項1記載の積層板。
- 前記複合金属酸化物は、銅、クロム、マンガン、コバルト及び、鉄からなる群より選ばれる1種以上の金属を含むものである請求項2に記載の積層板。
- 前記着色剤を含む樹脂層、基材層の少なくとも1層は無機充填材を含むものである請求項1〜3のいずれかに記載の積層板。
- 前記無機充填材は、シリカ、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム及び、タルクからなる群より選ばれる1種類以上のものである無機充填材を含む請求項4記載の積層板。
- 前記着色剤を含む樹脂層、基材層のうち少なくとも1層は、熱硬化性樹脂を成分として含むものである請求項1〜5のいずれかに記載の積層板。
- 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂を成分として含むものである請求項6記載の積層板。
- 前記エポキシ樹脂は、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂を含む請求項7記載の積層板。
- 前記熱硬化性樹脂は、シアネート樹脂を成分として含むものである請求項6〜8のいずれかに記載の積層板。
- 前記シアネート樹脂は、ノボラック型シアネート樹脂を含む請求項9記載の積層板。
- 前記基材層は、熱硬化性樹脂組成物とシート状繊維基材とから構成されるプリプレグAを硬化してなるものである請求項1〜10のいずれかに記載の積層板。
- 前記プリプレグAを、金属箔またはキャリアフィルムに樹脂組成物を塗布して作製された支持層付き樹脂層B、支持層付き樹脂層Cとで挟み込んだ状態で連続的に加熱加圧して請求項11の積層板を作製することを特徴とする積層板の製造方法。
- 減圧下にて、前記プリプレグAと前記支持層付き樹脂層Bと前記支持層付き樹脂層Cとを表面が弾性材料で構成されたラミネートロールで連続的に加熱加圧してなる請求項12記載の積層板の製造方法。
- 請求項1〜13のいずれかに記載の積層板を使用して作製される半導体パッケージ用基板。
- 請求項14に記載の半導体パッケージ用基板を使用して作製される半導体装置。
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