JP2008214461A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 硫化亜鉛化合物中に、Ａｇ、Ｃｕ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つの添加元素を含んでなる蛍光体膜であって、
   該添加元素の濃度は、Ｚｎに対して、０．２モル％以上５モル％以下であり、
   当該蛍光体膜の膜厚は、１０ｎｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする蛍光体膜。
2. 前記Ａｇの濃度は、Ｚｎに対して、０．３モル％以上３モル％以下であることを特徴とする請求項１に記載の蛍光体膜。
3. 前記Ｃｕの濃度は、Ｚｎに対して、１モル％以上５モル％以下であることを特徴とする請求項１に記載の蛍光体膜。
4. 前記硫化亜鉛化合物中のＦ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩの含有量は、Ｚｎに対して各々０．１モル％未満であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の蛍光体膜。
5. 前記硫化亜鉛化合物中のＢ、Ａｌ、Ｇａ又はＩｎの含有量は、Ｚｎに対して各々０．１モル％未満であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の蛍光体膜。
6. 当該蛍光体膜は、閃亜鉛鉱構造を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の蛍光体膜。
7. 硫化亜鉛化合物と、添加元素としてＡｇ、Ｃｕ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つの元素と、を材料供給源として、基板に硫化物膜を成膜する工程と、真空中又は不活性ガス中において６００℃以上で該硫化物膜を熱処理する工程と、
   を有することを特徴とする蛍光体膜の製造方法。
8. 前記材料供給源は、硫化亜鉛化合物、添加元素を含む硫化亜鉛化合物、及び金属元素からなる群から選択されることを特徴とする請求項７に記載の蛍光体膜の製造方法。
9. 前記の硫化物膜を成膜する工程において、
   前記基板の温度は、１００℃以上３００℃以下であり、
   前記材料供給源の少なくとも１つの材料供給源の供給速度は、１００ｎｍ／分以上１５００ｎｍ／分以下であることを特徴とする請求項７又は８に記載の蛍光体膜の製造方法。
10. 前記の硫化物膜を成膜する工程は、真空蒸着法、溶液成長法、有機金属化学気相輸送法、気相成長法、スパッタ法及びレーザーアブレーション法からなる群から選択される方法で行われることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の蛍光体膜の製造方法。