JP2010056423A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、かつ０≦ｘ＋ｙ≦１）の一般式で表される半導体層と接触し、Ａｇを主成分としＰｄ、Ｃｕ及びＧｅが添加されているＡｇ合金層を含む半導体発光素子用電極。
2. 前記Ａｇ合金層のＰｄ及びＣｕの濃度が３質量％以下である請求項１に記載の半導体発光素子用電極。
3. 前記Ａｇ合金層のＧｅの濃度が１質量％以下である請求項２に記載の半導体発光素子用電極。
4. 前記Ａｇ合金層は、５２５℃以下で熱処理が施されている請求項３に記載の半導体発光素子用電極。
5. Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、かつ０≦ｘ＋ｙ≦１）の一般式で表される半導体層と、
   請求項４に記載の半導体発光素子用電極と、を備えた半導体発光素子。
6. 前記半導体層は、サファイア基板上に形成され、
   前記半導体発光素子用電極は、前記半導体層における前記サファイア基板と反対側に形成される請求項５に記載の半導体発光素子。