JP2010512647A5 - - Google Patents

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  1. 太陽電池用吸収材層を形成するための多層構造であって、
    基材層を含むベース、
    前記ベースの上に形成された実質的に金属的な前駆体層であって、少なくともＩＢ族 材料およびIIIＡ族の材料を含む実質的に金属的な前駆体層；および
    前記実質的に金属的な前駆体層の上に形成され、ＩＡ族材料を含むドーパント構造
    を含む多層構造。
  2. 前記ドーパント構造は、ＩＡ族材料を含むドーパント提供フィルムであり、前記ドーパ ン提供フィルムは、２〜１００ｎｍの厚さを有する請求項１の多層構造。
  3. 前記多層構造は、ＩＡ族材料に加えてVIＡ材料を含むドーパントキャリア層であり、前 記ドーパントキャリア層は、２５０〜２６００ｎｍの厚さを有する請求項１の多層構造。
  4. 前記ドーパント構造は、前記実質的に金属的な前駆体層の上に形成されたバッファー層 と、前記バッファー層の上に形成されたドーパント提供フィルムとを含むドーパントスタ ックであり、前記バッファー層はVIＡ族材料を含み、前記ドーパント提供フィルムはＩＡ 族材料を含み、前記バッファー層は５０〜５００ｎｍの厚さを有し、前記ドーパント提供 フィルムは２〜１００ｎｍの厚さを有する請求項１の多層構造。
  5. 前記ドーパント構造は、前記実質的に金属的な前駆体層の上に形成されたドーパント提 供フィルムと、前記ドーパント提供フィルムの上に形成されたキャップ層とを含むドーパ ントスタックであり、前記ドーパント提供フィルムはＩＡ族材料を含み、前記キャップ層 はVIＡ材料を含み、前記ドーパント提供フィルムは２〜１００ｎｍの厚さを有し、前記キ ャップ層は２０００〜２０００ｎｍの厚さを有する請求項１の多層構造。
  6. 前記ドーパント構造は、実質的な金属的前駆体層の上のバッファー層、前記バッファー 層の上のドーパント提供フィルム、および前記ドーパント提供フィルム上のキャップ層を 含むドーパントスタックであり、前記バッファー層および前記キャップ層はVIＡ族材料を 含み、前記ドーパント提供フィルムはＩＡ族材料を含み、前記バッファー層は５０〜５０ ０ｎｍの厚さを有し、前記ドーパント提供フィルムは２〜１００ｎｍの厚さを有し、前記 キャップ層は２００〜２０００ｎｍの厚さを有する請求項１の多層構造。
  7. 前記ＩＡ族材料はＮａ，ＫおよびＬｉの少なくとも一種を含む請求項１の構造。
  8. 前記実質的に金属的な前駆体層は、少なくとも８０％の金属相を含み、前記少なくとも ＩＢ族材料およびIIIＡ族材料は、Ｃｕ，ＩｎおよびＧａ金属を含む請求項１の多層構造。
  9. ドープされたＩＢIIIＡVIＡ族吸収材層をベース上に形成するプロセスであって、
    少なくともＩＢ族材料およびIIIＡ族材料を含む実質的に金属的な前駆体層をベース上 に堆積する工程、
    前記前駆体層上にドーパント構造を形成する工程であって、前記ドーパント構造はＮａ ，ＫおよびＬｉの少なくとも一種を含むドーパント材料を工程、および
    前記前駆体層と前記ドーパント構造とを反応させる工程
    を具備するプロセス。
  10. 前記ドーパント構造を形成することは、前記ドーパント材料を堆積することにより前記 実質的に金属的な前駆体層の上にドーパント提供フィルムを形成することを含む請求項９のプロセス。
  11. 前記ドーパント構造を形成することは、前記ドーパント提供フィルムを形成する前に、 前記実質的に金属的な前駆体層の上にVIＡ族材料からなるバッファー層を堆積する工程を さらに含む請求項１０のプロセス。
  12. 前記ドーパント構造を形成することは、前記ドーパント提供フィルムの上にVIＡ材料か らなるキャップ層を堆積することをさらに含む請求項１１のプロセス。
  13. 前記バッファー層を堆積することは、前記VIＡ族材料を電気めっきすることを含む請求項１１のプロセス。
  14. 前記ドーパント構造を形成することは、前記ドーパント提供フィルムの上にVIＡ族材料 からなるキャップ層を堆積することをさらに含む請求項１０のプロセス。
  15. 前記ドーパント提供フィルムを堆積することは、前記ドーパント材料をディップコーテ ィングすることを含む請求項１０のプロセス。
  16. 前記ドーパント構造を形成することは、前記実質的に金属的な前駆体層の上に、VIＡ族 材料およびドーパント材料を共堆積することによりドーパントキャリア層を形成することを含む請求項９のプロセス。
  17. 前記反応は、４５０〜５００℃の温度範囲でアニールすることを含む請求項９のプロセ ス。
  18. 前記反応は、４５０〜５００℃の温度範囲でアニールすることを含む請求項９のプロセ ス。
  19. 前記少なくともＩＢ族材料およびIIIＡ族材料は、Ｃｕ，ＩｎおよびＧａ金属を含む請求項９のプロセス。
  20. 前記実質的に金属的な前駆体層を形成することは、前記基材上に、少なくともＩＢ族材 料およびIIIＡ族材料を電気めっきすることを含む請求項９のプロセス。
  21. 前記VIＡ族材料はＳｅを含む請求項３乃至６のいずれか１項の多層構造。
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Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070163640A1 (en) * 2004-02-19 2007-07-19 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of chalcogen-rich chalcogenides
US7892413B2 (en) * 2006-09-27 2011-02-22 Solopower, Inc. Electroplating methods and chemistries for deposition of copper-indium-gallium containing thin films
US8066865B2 (en) * 2008-05-19 2011-11-29 Solopower, Inc. Electroplating methods and chemistries for deposition of group IIIA-group via thin films
US8409418B2 (en) * 2009-02-06 2013-04-02 Solopower, Inc. Enhanced plating chemistries and methods for preparation of group IBIIIAVIA thin film solar cell absorbers
US20100140098A1 (en) * 2008-05-15 2010-06-10 Solopower, Inc. Selenium containing electrodeposition solution and methods
US8425753B2 (en) * 2008-05-19 2013-04-23 Solopower, Inc. Electroplating methods and chemistries for deposition of copper-indium-gallium containing thin films
US20090283411A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Serdar Aksu Selenium electroplating chemistries and methods
IT1391802B1 (it) * 2008-11-21 2012-01-27 Consiglio Nazionale Ricerche Metodo di realizzazione di celle solari multistrato a film sottile
EP2399295B1 (en) * 2009-02-20 2019-04-10 Beijing Apollo Ding rong Solar Technology Co., Ltd. Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells
US8709856B2 (en) * 2009-03-09 2014-04-29 Zetta Research and Development LLC—AQT Series Enhancement of semiconducting photovoltaic absorbers by the addition of alkali salts through solution coating techniques
DE102009013903A1 (de) * 2009-03-19 2010-09-23 Clariant International Limited Solarzellen mit einer Barriereschicht auf Basis von Polysilazan
US7897020B2 (en) * 2009-04-13 2011-03-01 Miasole Method for alkali doping of thin film photovoltaic materials
US8418418B2 (en) 2009-04-29 2013-04-16 3Form, Inc. Architectural panels with organic photovoltaic interlayers and methods of forming the same
US8277894B2 (en) * 2009-07-16 2012-10-02 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Selenium ink and methods of making and using same
KR101306913B1 (ko) * 2009-09-02 2013-09-10 한국전자통신연구원 태양 전지
US20110048493A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Electronics And Telecommunications Research Institute Solar cell
US20110067998A1 (en) * 2009-09-20 2011-03-24 Miasole Method of making an electrically conductive cadmium sulfide sputtering target for photovoltaic manufacturing
TW201124544A (en) * 2009-11-24 2011-07-16 Applied Quantum Technology Llc Chalcogenide absorber layers for photovoltaic applications and methods of manufacturing the same
WO2011081829A1 (en) * 2009-12-15 2011-07-07 First Solar, Inc. Photovoltaic window layer
CN102741459A (zh) * 2009-12-18 2012-10-17 索罗能源公司 用于沉积含铜-铟-镓的薄膜的电镀方法和化学物
TWI520367B (zh) * 2010-02-09 2016-02-01 陶氏全球科技公司 具透明導電阻擋層之光伏打裝置
TWI405347B (zh) * 2010-07-02 2013-08-11 Gcsol Tech Co Ltd Ｃｉｇｓ太陽能電池
US7935558B1 (en) 2010-10-19 2011-05-03 Miasole Sodium salt containing CIG targets, methods of making and methods of use thereof
US9169548B1 (en) 2010-10-19 2015-10-27 Apollo Precision Fujian Limited Photovoltaic cell with copper poor CIGS absorber layer and method of making thereof
US8048707B1 (en) 2010-10-19 2011-11-01 Miasole Sulfur salt containing CIG targets, methods of making and methods of use thereof
US20120132281A1 (en) * 2010-11-26 2012-05-31 Nexpower Technology Corporation Thin-film solar cell and manufacturing method thereof
US8404512B1 (en) * 2011-03-04 2013-03-26 Solopower, Inc. Crystallization methods for preparing group IBIIIAVIA thin film solar absorbers
TWI538235B (zh) 2011-04-19 2016-06-11 弗里松股份有限公司 薄膜光伏打裝置及製造方法
FR2977078B1 (fr) 2011-06-27 2013-06-28 Saint Gobain Substrat conducteur pour cellule photovoltaique
US8436445B2 (en) * 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices
KR101896951B1 (ko) * 2011-10-13 2018-09-12 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
TWI500170B (zh) * 2011-11-22 2015-09-11 Lu Chung Hsin 製造摻雜Ｂｉ之IB-IIIA-VIA化合物之光吸收層的方法與包含其之太陽能電池
US10043921B1 (en) 2011-12-21 2018-08-07 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Photovoltaic cell with high efficiency cigs absorber layer with low minority carrier lifetime and method of making thereof
CN103258899A (zh) * 2012-02-17 2013-08-21 任丘市永基光电太阳能有限公司 一种柔性不锈钢衬底上cigs吸收层制备方法
US20130213478A1 (en) * 2012-02-21 2013-08-22 Aqt Solar, Inc. Enhancing the Photovoltaic Response of CZTS Thin-Films
CN103296130A (zh) * 2012-03-05 2013-09-11 任丘市永基光电太阳能有限公司 一种柔性不锈钢衬底上CIGS吸收层的Na掺杂方法
KR20130105325A (ko) * 2012-03-12 2013-09-25 한국에너지기술연구원 Ｎａ 무함유 기판을 이용한 ＣＩＧＳ계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지
JP5878416B2 (ja) * 2012-03-30 2016-03-08 本田技研工業株式会社 カルコパイライト型太陽電池及びその製造方法
US20140090710A1 (en) * 2012-09-29 2014-04-03 Precursor Energetics, Inc. Ink deposition processes for thin film cigs absorbers
TWI463685B (zh) * 2012-12-17 2014-12-01 Ind Tech Res Inst 多層堆疊的光吸收薄膜與其製造方法及太陽能電池
TWI654771B (zh) 2012-12-21 2019-03-21 瑞士商弗里松股份有限公司 附加著鉀之薄膜光電裝置的製造
KR101450426B1 (ko) * 2013-01-09 2014-10-14 연세대학교 산학협력단 칼코겐화물 흡수층용 나트륨 도핑 용액 및 이를 이용한 박막태양전지 제조방법
KR101458427B1 (ko) * 2013-03-12 2014-11-10 한국에너지기술연구원 성능이 향상된 ci(g)s 박막 제조 방법과 이를 이용한 태양전지.
TWI559560B (zh) * 2013-08-13 2016-11-21 呂宗昕 光吸收層、包含光吸收層的太陽能電池、用以製備光吸收層的前驅物溶液及製造光吸收層的方法
CN103710674B (zh) * 2013-11-26 2017-10-20 山东希格斯新能源有限责任公司 一种制备cigs薄膜太阳能电池工艺方法
KR101485009B1 (ko) * 2013-12-20 2015-01-26 한국생산기술연구원 Cigs계 박막 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지
TWI677105B (zh) 2014-05-23 2019-11-11 瑞士商弗里松股份有限公司 製造薄膜光電子裝置之方法及可藉由該方法獲得的薄膜光電子裝置
TWI661991B (zh) 2014-09-18 2019-06-11 瑞士商弗里松股份有限公司 用於製造薄膜裝置之自組裝圖案化
US10516069B2 (en) * 2014-10-20 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Absorber surface modification
HUE053775T2 (hu) 2016-02-11 2021-07-28 Flisom Ag Önszervezõdõ mintázódás vékonyréteg eszközök gyártására
EP3414780B1 (en) 2016-02-11 2020-12-02 Flisom AG Fabricating thin-film optoelectronic devices with added rubidium and/or cesium
CN105742412A (zh) * 2016-04-28 2016-07-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种薄膜太阳能电池吸收层碱金属掺入方法
EP3627564A1 (de) * 2018-09-22 2020-03-25 (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Verfahren zur nachbehandlung einer absorberschicht
CN111326602A (zh) * 2018-12-17 2020-06-23 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种铜铟镓硒太阳能薄膜的退火工艺、装置及制备方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4581108A (en) * 1984-01-06 1986-04-08 Atlantic Richfield Company Process of forming a compound semiconductive material
US4547622A (en) * 1984-04-27 1985-10-15 Massachusetts Institute Of Technology Solar cells and photodetectors
US4798660A (en) * 1985-07-16 1989-01-17 Atlantic Richfield Company Method for forming Cu In Se2 films
US5730852A (en) * 1995-09-25 1998-03-24 Davis, Joseph & Negley Preparation of cuxinygazsen (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2, N=0-3) precursor films by electrodeposition for fabricating high efficiency solar cells
JP3249408B2 (ja) * 1996-10-25 2002-01-21 昭和シェル石油株式会社 薄膜太陽電池の薄膜光吸収層の製造方法及び製造装置
US6339013B1 (en) * 1997-05-13 2002-01-15 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Method of doping silicon, metal doped silicon, method of making solar cells, and solar cells
JP4208281B2 (ja) * 1998-02-26 2009-01-14 キヤノン株式会社 積層型光起電力素子
JP2001044464A (ja) * 1999-07-28 2001-02-16 Asahi Chem Ind Co Ltd Ｉｂ―ＩＩＩｂ―ＶＩｂ２族化合物半導体層の形成方法、薄膜太陽電池の製造方法
US6441301B1 (en) * 2000-03-23 2002-08-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solar cell and method of manufacturing the same
US7842882B2 (en) * 2004-03-01 2010-11-30 Basol Bulent M Low cost and high throughput deposition methods and apparatus for high density semiconductor film growth
AU2003207295A1 (en) * 2002-02-14 2003-09-04 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Light absorbing layer forming method
US20050056863A1 (en) * 2003-09-17 2005-03-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor film, method for manufacturing the semiconductor film, solar cell using the semiconductor film and method for manufacturing the solar cell
KR101115484B1 (ko) * 2004-03-15 2012-02-27 솔로파워, 인코포레이티드 태양 전지 제작용 반도체 박층의 증착을 위한 기술 및 장치
US7871502B2 (en) * 2004-05-11 2011-01-18 Honda Motor Co., Ltd. Method for manufacturing chalcopyrite thin-film solar cell
CN101233260A (zh) * 2004-11-10 2008-07-30 德斯塔尔科技公司 光伏衬底沉积中的压力控制系统
JP4471855B2 (ja) * 2005-01-25 2010-06-02 本田技研工業株式会社 カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法

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