JP2008211193A - 電子デバイス、電子機器、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 回路基板に実装部品を実装後においても回路基板の反りを低減した電子デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１電極を有する回路基板に第２電極を有する実装部品が実装された電子デバイスにおいて、回路基板１と実装部品３とは可撓性絶縁部材６を介在して積層接着されており、第１電極と第２電極とは可撓性絶縁部材６の表面に形成した配線電極又は可撓性絶縁部材６を貫通する貫通電極９を介して電気的に接続した。
【選択図】 図１

Description

本発明は、回路基板と実装部品とを加熱圧着して電子デバイスを製造する製造方法及びその製造装置に関する。

電極を多数有する回路基板とＩＣチップとを接続する方法として、異方性導電フィルム（以下ＡＣＦという）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ）、非導電性フィルム（ＮＣＦ）等の熱硬化型接着材を、回路基板とＩＣチップとの間に介して熱圧着する方法が知られている（例えば特許文献１を参照）。

図２４は、従来から公知のＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）実装方法を示す断面図である。図２４の断面図は、ガラス基板１０２の上にＩＣチップを加熱圧着して実装する方法を示している。図２４（ａ）は、回路基板であるガラス基板１０２の上に第１電極１０１を形成した状態を示す。第１電極１０１は図示しない液晶表示装置を駆動させるための電極であり、液晶表示パネル部は省略している。図２４（ｂ）は、ガラス基板１０２の第１電極１０１の上に接着材１０３を載置した状態を示す。接着材１０３の内部には導電性粒子が分散している。導電性粒子は絶縁体である接着材１０３の中に分散しているので隣り合う電極同士は互いに絶縁されている。図２４（ｃ）は、ＩＣチップ１０５を接着材１０３の上に装着した状態を示す。この場合に、圧着ステージ１０６は室温又は所定の温度に加熱する。この加熱は、接着材１０３の表面の粘着性を向上させて、ガラス基板１０２と接着材１０３及び接着材１０３とＩＣチップ１０５が相互に移動して位置ずれを発生しないように固定するためである。

ＩＣチップ１０５の表面には多数の第２電極１０４が形成されている。ＩＣチップ１０５を装着する際にはＩＣチップ１０５の第２電極１０４とガラス基板１０２上の第１電極１０１とを対向するように位置合わせ行う。図２４（ｄ）は、ガラス基板１０２の上に装着したＩＣチップを、圧着ステージ１０６の上に載置して圧着ヘッド１０７を降下させ、圧着している状態を示している。圧着ヘッド１０７を下方に加圧することにより、接着材１０３中に分散した導電粒子が第１電極１０１と第２電極１０４との間に介在して、第１電極１０１と第２電極１０４との間の電気的導通をとる。圧着ヘッド１０７により加圧した後に、圧着ヘッド１０７を加熱する。圧着ヘッド１０７を加熱することにより接着材１０３は流動する。そして接着材が硬化し、その後冷却する。冷却は加圧状態のままに冷却する。そして圧着ヘッド１０７の圧力を解除してガラス基板１０２を圧着ステージ１０６から取り除く。

特許文献１においては、特に、冷却後に接着材１０３に残留応力が発生し、ガラス基板等が反ることを防止するために、圧着ステージ１０６と圧着ヘッド１０７との間の加圧状態を維持しながら加熱を開始する。その結果、接着材１０３が急激に加熱・昇温されることがなく、硬化した接着材の残留応力を低減させることができる、というものである。

図２５は、ガラス基板１０２とＩＣチップ１０５とを接着材１０３を介して熱圧着する場合に、熱圧着後にガラス基板が反る原因を説明するための説明図である。図２５（ａ）は、圧着ステージ１０６の上にガラス基板１０２とＩＣチップ１０５とを接着材１０３を介して熱圧着している状態を示す模式的断面図であり、図２５（ｂ）は、その断面における温度分布を表すグラフである。横軸が温度で縦軸が圧着ステージ１０６と圧着ヘッド１０７の断面位置を表している。グラフ１１２が低温で熱圧着する場合、グラフ１１３が高温で熱圧着する場合の温度分布を示している。

圧着ステージ１０６は室温又は所定の低温に維持し、圧着ヘッド１０７は接着材１０３の硬化温度に維持している。グラフ１１２及びグラフ１１３から、ＩＣチップ１０５からガラス基板１０２にかけて温度勾配が生じている。即ち、高温の圧着ヘッド１０７をＩＣチップ１０５に当接して加圧する場合に、ＩＣチップ１０５は圧着ヘッド１０７の温度と同程度の温度まで上昇するが、ガラス基板１０２は圧着ヘッド１０７と圧着ステージ１０６との間の温度に加熱される。

図２５（ｃ）は、熱圧着時のガラス基板１０２とＩＣチップ１０５の断面図であり、図２５（ｄ）は、室温に冷却したときのガラス基板１０２とＩＣチップ１０５の断面図である。圧着時においては、ＩＣチップ１０５の温度がガラス基板１０２の温度よりも高いので、熱膨張はガラス基板１０２よりもＩＣチップ１０５の伸びが大きい。しかしこれを冷却すると、ＩＣチップ１０５の縮みがガラス基板１０２の縮みよりも大きいので、ガラス基板１０２はＩＣチップ１０５に対して凹状の反りが発生する。なお、シリコン基板の線熱膨張係数は約３ｐｐｍ／Ｋであり、ガラスは約４．８ｐｐｍ／Ｋである。

このような反りは、ガラス基板１０２が液晶表示パネルの場合には特に問題となる。ガラス基板１０２が反ることにより、液晶層のギャップが変化し、その変化した部分の表示の色が変化する、あるいは液晶表示パネルに色むらが生ずる等の不具合が発生する原因となる。
特開２００２−１２０８１５号公報

従来例においては、実装時に回路基板と実装部品との間に温度勾配が生じて、冷却後に回路基板に反りが発生した。そこで、本発明は上記点に鑑みてなされたものであり、回路基板に実装部品を実装後においても回路基板の反りを低減した電子デバイス及びその製造方法を提供するものである。

本発明においては、上記課題を解決するために、以下の構成とした。

第１電極を有する回路基板に第２電極を有する実装部品が実装された電子デバイスにおいて、前記回路基板と前記実装部品とは可撓性絶縁部材を介在して積層して接着されており、前記第１電極と前記第２電極とは前記可撓性絶縁部材の表面に形成した配線電極又は前記可撓性絶縁部材を貫通する貫通電極を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子デバイスとした。

また、前記可撓性絶縁部材は、ヤング率が０．１ＧＰａ〜１０ＧＰａである電子デバイスとした。

また、前記可撓性絶縁部材は、厚が１μｍ〜１００μｍである電子デバイスとした。

また、前記可撓性絶縁部材は、ポリカーボネイト、ポリエーテルサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、アラミド、液晶ポリマーのいずれか１又は複合材料からなる電子デバイスとした。

また、前記回路基板は液晶パネルを構成するガラス基板であり、前記実装部品は半導体集積回路チップである電子デバイスとした。

また、前記実装部品を構成するパッケージはガラスであり、前記回路基板は金属材料、無機材料又は有機材料である電子デバイスとした。

また、上記電子デバイスを使用した電子機器とした。

第１電極を有する回路基板と第２電極を有する実装部品とを接着部材を介在して対向させ、圧着ステージ及び圧着ヘッドにより加熱圧着して前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する電子デバイスの製造方法において、前記接着部材は第３電極が形成された可撓性絶縁部材と異方性導電部材とを有し、前記回路基板と前記実装部品とを対向して位置決めし、前記接着部材を介在して前記実装部品を前記回路基板の上に装着する装着工程と、前記圧着ヘッドを所定の温度まで加熱すると共に、前記実装部品が装着された回路基板を前記圧着ステージに設置する設置工程と、前記圧着ヘッドを前記圧着ステージに対して相対的に移動し、前記実装部品を前記回路基板に圧着して、前記第１電極と前記第２電極とを前記可撓性絶縁部材に形成された第３電極を介して電気的に接続する圧着工程と、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法とした。

また、前記装着工程の前に、前記可撓性絶縁部材に貫通孔を形成する工程と、前記可撓性絶縁部材にマスクパターンを形成する工程と、前記可撓性絶縁部材の貫通孔に金属メッキ法又は印刷法により貫通電極からなる第３電極を形成する工程と、を備える電子デバイスの製造方法とした。

また、前記第３電極を形成する工程の前に、前記可撓性絶縁部材を前記第２電極が形成された表面側の前記実装部品に接着する工程を有し、前記実装部品に接着された可撓性絶縁部材に貫通孔を形成する電子デバイスの製造方法とした。

また、前記装着工程の前に、前記可撓性絶縁部材を前記第２電極が形成された表面側に前記第２電極の一部が露出する貫通孔を形成しながら塗布する工程と、前記貫通孔に貫通電極からなる第３電極を形成する工程と、を備える電子デバイスの製造方法とした。

また、前記実装部品は前記回路基板よりも線熱膨張係数が小さく、前記設置工程は、 前記圧着ステージ及び前記圧着ヘッドを仮圧着温度に達するまで加熱すると共に、前記回路基板を前記圧着ステージ側に配置して前記実装部品が装着された回路基板を前記圧着ステージに設置する仮圧着前工程と、前記圧着ヘッドを前記圧着ステージに対して相対的に移動して、前記実装部品を前記回路基板に仮圧着する仮圧着工程と、を含み、前記圧着工程は、前記圧着ヘッドを前記圧着ステージの温度よりも高い本圧着温度に達するまで加熱する本圧着前工程と、前記圧着ヘッドを前記圧着ステージに対して相対的に移動して、前記仮圧着された前記実装部品を前記回路基板に本圧着する本圧着工程と、を含む電子デバイスの製造方法とした。

また、前記圧着ステージ及び圧着ヘッドは、第１圧着ステージ及び第１圧着ヘッドと第２圧着ステージ及び第２圧着ヘッドから成り、前記仮圧着前工程は、前記第１圧着ステージ及び前記第１圧着ヘッドを仮圧着温度に達するまで加熱すると共に、前記回路基板を前記第１圧着ステージ側に配置して前記実装部品が装着された回路基板を前記第１圧着ステージに設置する工程であり、前記仮圧着工程は、前記第１圧着ヘッドを前記第１圧着ステージに対して相対的に移動して、前記実装部品を前記回路基板に仮圧着する工程であり、前記本圧着前工程は、前記第２圧着ヘッドを前記第２圧着ステージの温度よりも高い本圧着温度に達するまで加熱すると共に、前記回路基板を前記第２圧着ステージ側に配置して前記実装部品が仮圧着された前記回路基板を前記第２圧着ステージに設置する工程であり、前記本圧着工程は、前記第２圧着ヘッドを前記第２圧着ステージに対して相対的に移動して前記仮圧着された前記実装部品を前記回路基板に本圧着する工程である電子デバイスの製造方法とした。

また、前記仮圧着温度は、前記異方性導電材料の硬化開始温度未満の最も高い温度である電子デバイスの製造方法とした。

また、前記仮圧着温度は、前記異方性導電材料の硬化反応率が０．１％以上かつ１０％未満となる温度である電子デバイスの製造方法とした。

また、前記仮圧着温度は、４０℃〜１００℃である電子デバイスの製造方法とした。

また、前記本圧着温度は、前記異方性導電材料の硬化反応率が８０％以上に達する温度である電子デバイスの製造方法とした。

本発明においては、回路基板と実装部品との間の可撓性絶縁部材を介在させることにより、回路基板と実装部品との間の線熱膨張係数差による応力を可撓性絶縁部材により吸収して、回路基板のそりを低減させることができる、という利点を有する。

以下、本発明の実施の形態に図面を用いて詳細に説明する。

＜電子デバイスの第１実施形態＞
図１は本発明に係る電子デバイス１５の第１実施形態を表す断面図である。回路基板１の上に第１電極２が形成され、実装部品３の表面には第２電極４が形成されている。回路基板１と実装部品３とは、異方性導電部材５と可撓性絶縁部材６を介在して積層して接着されている。可撓性絶縁部材６には貫通孔８が形成され、貫通孔８には貫通電極９が形成されている。第１電極２と貫通電極９との間には異方性導電部材５に含まれる導電材料により電気的に接続されている。従って、回路基板１の第１電極２と実装部品３の第２電極４とは貫通電極９を介して電気的に接続されている。

このように、回路基板１と実装部品３の間に可撓性絶縁部材６を介在させることにより、回路基板１に実装部品３を加熱して圧着後に両部材の熱膨張係数差による応力を吸収することができる。その結果、実装後の電子デバイス１５に発生するそりを低減することができる。

ここで、回路基板１は、図示しない液晶パネルの一方のガラス基板である。第１電極２は液晶パネルを駆動するための透明電極又は金属電極である。実装部品３は、液晶パネルを駆動するための集積回路が形成された半導体集積回路チップ（以下ＩＣチップという）である。第２電極４は、ＩＣチップの表面に形成されたバンプ電極である。なお、回路基板１として、液晶パネルに限定されず、有機ＥＬ発光素子を構成する基板、プリント基板、ガラス基板、その他の回路基板を使用することができる。実装部品３として、ＩＣチップの他に、水晶振動子、電池、ＬＥＤ、照度センサー、他のガラスパッケージの電子デバイス、他の回路基板等を使用することができる。

また、異方性導電部材５として、熱硬化性樹脂に導電性粒子を分散させた異方性導電フィルムを使用した。異方性導電フィルムの他に異方性導電ペーストなどを使用することができる。異方性導電部材５は、加熱硬化後は縦方向の電極間に導電性粒子が介在して導電材料として機能し、横方向の電極間においては絶縁性材料として機能する。熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂、（メタ）アクリル化合物、ウレタン化合物、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂等を使用することができる。更に、熱硬化性樹脂の硬化反応の形態も二重結合のラジカル重合や、エポキシ樹脂のイオン重合、重付加等、いずれの重合形態を利用するものであっても良い。また、それ自身熱硬化しないフィルム形成ポリマーを含んでいる場合であっても良い。また、添加物としてラジカル重合開始剤、エポキシ硬化剤、シランカップリング剤を含んでいても良い。

可撓性絶縁部材６として、ヤング率（弾性係数）が０．１ＧＰａ〜１０ＧＰａの絶縁性材料を使用する。また、可撓性絶縁部材６の厚さを１μｍ〜１００μｍ、好ましくは１μｍ〜３５μｍとする。ヤング率が１０ＧＰａ以上では回路基板１と実装部品３との間に発生する応力を吸収する効果が少なくなり、０．１ＧＰａ以下では実装部品３又は回路基板１との間又は異方性導電部材５との間の接着力が低下する。また、可撓性絶縁部材６の厚さが１μｍ以下では回路基板１と実装部品３との間に発生する応力を吸収する効果が少なくなり、１００μｍ以上では、例えば塗布により形成するためには何度も重ね塗りをする必要があり工数が多くなる。また、貫通孔８の側壁に電極を形成し難くなる。なお、通常のガラス基板はヤング率が約７０ＧＰａであり、シリコン基板は約１６０ＧＰａである。

可撓性絶縁部材として、例えば、ポリカーボネイト、ポリエーテルサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、アラミド、液晶ポリマーのいずれか１又は複合材料からなる樹脂を使用することができる。耐熱性や耐薬品性を考慮した場合、ポリイミドフィルムが好適である。また、低誘電損失など電気的特性を考慮した場合、液晶ポリマーが好適に好適である。このほかに可撓性のガラス繊維補強樹脂板を採用することも可能である。ガラス繊維補強樹脂板の樹脂としては、エポキシ、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンエーテル、マレイミド（共）重合樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどを使用することができる。

＜電子デバイスの第２実施形態＞
図２は、本発明に係る電子デバイスの第２実施形態を示す断面図である。上記電子デバイスの第１実施形態と異なる部分は、回路基板１の第１電極２と実装部品３の第２電極４との間の位置が対応しない場合である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付し、これらの構成については上記電子デバイスの第１実施形態に順ずる。

可撓性絶縁部材６の回路基板１側の表面に配線１０が形成されている。これにより、回路基板１の第１電極２と実装部品３の第２電極４の形成位置が対応しない場合でも、第１電極２と第２電極４とを貫通孔８に設けた貫通電極９とこれに接続する配線１０とを介して電気的に接続することができる。

図３は、本発明に係る電子デバイスに用いられる可撓性絶縁部材６の一例であり、電極構成を説明するための図である。図３（ａ）が可撓性絶縁部材６の上面図、図３（ｂ)が断面図、図３(ｃ)が下面図である。同一の部分及び同一の機能を有する部分には同一の符号を付した。

図３（ｂ）において、可撓性絶縁部材６にはピッチＰ１で複数の貫通孔８が一列に形成されている。それぞれの貫通孔８には貫通電極９が形成されている。図３（ａ）に示すように、ピッチＰ１で形成された複数の貫通電極９が上面１２において露出している。このピッチＰ１は、実装部品３に形成された第２電極４のピッチと合致する。また、図３（ｃ）に示すように、可撓性絶縁部材６の下面１３においては、各貫通電極９に接続する配線１０が中心線Ｏを中心にして一本おきに反対側にピッチＰ２で形成されている。そして、回路基板１の第１電極２が各配線１０の端部の接続領域１１に対応し、この領域において異方性導電部材５を介して電気的に接続する。

このように、可撓性絶縁部材６の下面１３に配線１０を設けることにより、高密度のピッチＰ１で形成された第２電極４と、低密度のピッチＰ２で２列に形成された第１電極２とを接続することができる。実装部品３として多端子半導体チップを使用する場合に、半導体チップの第２電極４は配列密度が高くなる場合がある。一方、回路基板１が液晶表示パネルのガラスである場合に、電極端子の端子配列を半導体チップの端子配列に合致させて形成することができない場合がある。この場合でも、図３に示すように、可撓性絶縁部材６の表面に配線１０を形成して再配線することにより、部品点数を増加させることなく第１電極２と第２電極４とを電気的に接続することができる、という利点を有する。

＜電子デバイスの第３実施形態＞
図４は、本発明に係る電子デバイスの第３実施形態を示す断面図である。上記電子デバイスの第１実施形態と異なる部分は、可撓性絶縁部材６の表面に電極を構成した点と、可撓性絶縁部材６の上下両面に異方性導電部材５を介在させた点である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付し、これらの構成については上記電子デバイスの第１実施形態に順ずる。

図４において、可撓性絶縁部材６の上面１２、側面１４及び下面１３に配線１０を形成している。そして、回路基板１の第１電極２と可撓性絶縁部材６の下面に位置する配線１０とは、異方性導電部材５の導電粒子を介して電気的に接続し、実装部品３の第２電極４と可撓性絶縁部材６の上面１２に位置する配線１０とは、同様に異方性導電部材５’の導電粒子を介して電気的に接続する。これにより、回路基板１の第１電極２と実装部品３の第２電極４の形成位置が合致しない場合でも、これらの電極同士を容易に接続することができる。これにより、電極配線の設計自由度を増大させることができる、という利点を有する。

図５は、上記第１実施形態から第３実施形態の電子デバイス１５を電子機器としての携帯電話２０に適用した携帯電話の断面模式図である。バックライト２６の上部には、メイン液晶表示素子２１が設置されている。バックライト２６の下部には、サブ液晶表示素子３０が設置されている。メイン液晶表示素子２１は、２枚のガラス基板とこれを挟むようにして偏光板２２、２３が貼り付けられている。メイン液晶表示素子２１の２枚のガラス基板のうちの一方のガラス基板はメインガラス基板２４として延在し、電子デバイスの回路基板の一部をなしている。メインガラス基板２４の表面には、実装部品としてメイン駆動ＩＣチップ２５が実装されている。回路基板としてのメインガラス基板２４と、実装部品としてのメイン駆動ＩＣチップ２５とは、表面に配線電極又は貫通電極が形成された可撓性絶縁部材を介在して接着され、また電気的に接続されている。更にメインガラス基板２４とメインボード２８とはフレキシブルシート２７を介して電気的に接続されている。メインボード２８は、ＣＰＵ等が構成されたメインボードＩＣ２９等を搭載し、メイン液晶表示素子２１の制御等を行うように構成されている。

また、バックライト２６の下部に設置されたサブ液晶表示素子３０は、２枚のガラス基板と、このガラス基板を挟むようにして偏光板２２、２３が貼り付けられている。サブ液晶表示素子３０の２枚のガラス基板のうち一方のガラス基板はサブガラス基板３２として延在し、電子デバイスの回路基板の一部をなしている。サブガラス基板３２の表面には、実装部品としてサブ駆動ＩＣチップ３１が実装されている。回路基板としてのサブガラス基板３２と、実装部品としてのサブ駆動ＩＣチップ３１とは、表面に配線電極又は貫通電極が形成された可撓性絶縁部材を介在して接着され、また電気的に接続されている。更に、サブガラス基板３２とサブボード３４とはフレキシブルシート３３を介して電気的に接続されている。サブボード３４は、ＣＰＵ等が構成されたサブボードＩＣ３５等を搭載して、サブ液晶表示素子３０の表示の制御等を行うように構成されている。

メインガラス基板２４とメイン駆動ＩＣチップ２５との間、及び、サブガラス基板３２とサブ駆動ＩＣチップ３１との間に可撓性絶縁部材を介在させて実装することにより、これらの実装部のメインガラス基板２４、サブガラス基板３２に対する応力が緩和される。これにより、メイン駆動ＩＣチップ２５、サブ駆動ＩＣチップ３１の近傍のメイン液晶表示素子２１、サブ液晶表示素子３０の表示色や応答速度のむらが発生することを防止することができる。

図６は、上記第１実施形態の電子デバイスを水晶振動素子７０としたときの断面模式図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付した。

図６において、ガラス基板である回路基板１の内表面には水晶振動片からなる実装部品３が実装され、ガラスからなる蓋７４により密閉されている。回路基板１の表面には導体からなる第１電極２が形成され、裏面には外部電極７３が形成されている。第１電極２と外部電極７３とは、回路基板１のスルーホール７１に埋め込まれた導体７２を介して電気的に接続されている。水晶振動片からなる実装部品３の表面には第２電極４が形成され、第２電極４の周辺には可撓性絶縁部材６が形成されている。可撓性絶縁部材６には貫通孔８が形成され、貫通孔８には貫通電極９が充填されている。貫通電極９と回路基板１上の第１電極２とは、異方性導電部材５により電気的に接続されているか、はんだ付けによる金属間接合により電気的に接続されているか、または導電ペースト材により電気的に接続されている。前記の異方性導電部材５により電気的に接続されている場合は、水晶振動片からなる実装部品３は、異方性導電部材５により回路基板１に接着されている。

上記水晶振動素子７０は、後に詳細に説明する本発明の電子デバイスの製造方法に基づいて製造することができる。簡潔に説明すれば次の通りである。まず、ガラス基板からなる回路基板１に貫通孔８を設けて貫通電極９を充填する。貫通孔８は、回路基板１が軟化する温度まで上昇させてプレス加工により、或いはサンドブラストやレーザ光により形成する。次に、貫通孔８に導体を挿入し、Ａｇとガラスフリットを充填して固化する。次に回路基板１の両面を研磨した後に、表面に第１電極２、裏面に外部電極７３を形成する。これらの電極は、メッキ法やスパッタ法又は蒸着法によりＡｕ等の金属を堆積させ、パターンを形成する。また、水晶振動片からなる実装部品３の表面に金バンプ等からなる第２電極４を形成する。次に、実装部品３の第２電極４が形成された表面に可撓性絶縁部材６を接着固定し、可撓性絶縁部材６の表面に貫通孔８を形成し、この貫通孔８にメッキ法又は塗布法等により導体を充填して貫通電極９を形成する。

そして、回路基板１の上に異方性導電部材５を載置し、回路基板１の第１電極２と実装部品３の貫通電極９とを位置合わせして、実装部品３を回路基板１上に装着する（装着工程）。次に、実装部品３を装着した回路基板１を圧着ステージに設置する（設置工程）。次に、圧着ヘッドを圧着ステージに相対的に接近させて加熱圧着する（圧着工程）。これにより、貫通電極９と回路基板１上の第１電極２とは異方性導電部材５を介して電気的に接続される。同時に、水晶振動片である実装部品３は回路基板１上に接着固定される。次に、ガラス基板である回路基板１に蓋７４をかぶせて、陽極接合により接着する。接着の際には、周囲を真空に引いて水晶振動片を真空封入する。

このように、ガラス基板である回路基板１と水晶振動片である実装部品３との間に、可撓性絶縁部材６を介在させて、回路基板１と実装部品３との間の熱膨張係数差による回路基板１又は実装部品３に歪みが発生することを防止することができる。なお、上記実施形態において、可撓性絶縁部材６を実装部品３に装着したが、これに代えて、回路基板１に可撓性絶縁部材６を装着してもよい。また、可撓性絶縁部材６の材料等については、上記電子デバイスの第１実施形態において説明したものと同様である。

また、前記水晶振動素子７０を樹脂基板にはんだ付けで実装する際に前記水晶振動素子７０はガラスパッケージであるため、前記樹脂基板の線膨張係数と前記ガラスパッケージの線膨張係数の差によりガラスパッケージに曲げ応力が発生してしまう。この課題に対して、ガラス基板である回路基板１と前記樹脂基板との間に、可撓性絶縁部材を介在させて、前記ガラスパッケージと前記樹脂基板との間の熱膨張係数差による前記ガラスパッケージ又は前記樹脂基板に歪みが発生することを防止することができる。

図７は、本発明に係る電子デバイスの製造方法を示す工程フロー図である。以下、同一の部分又は同一の機能を有する部分は同一の符号を付して説明する。

図７において、まず、回路基板１の上に接着部材を介して実装部品３を装着する（ステップＳ１）。接着部材は、第３電極を形成した可撓性絶縁部材６と異方性導電部材５と有している。装着する際には、回路基板１の第１電極２と実装部品３の第２電極４との間、又は、回路基板１と可撓性絶縁部材６に形成した第３電極との間の位置決めを行う。次に、この装着した回路基板１と実装部品３を、圧着ステージ４３に設置する（ステップＳ２）。圧着ステージに設置する場合に、圧着ヘッドは所定の温度に達するように予め加熱しておく。次に、圧着ヘッドを圧着ステージに対して相対的に移動にて、実装部品３を回路基板１に圧着する（ステップＳ３）。そして、回路基板１の表面に形成した第１電極２と、実装部品３の表面に形成した第２電極４とを、可撓性絶縁部材６に形成した第３電極及び異方性導電部材５を介して電気的に接続する。

このように、回路基板１と実装部品３の間に可撓性絶縁部材６を介在させることにより、回路基板１に実装部品３を加熱して圧着後に両部材の熱膨張係数差による応力を吸収することができ、その結果実装後の電子デバイスに発生するそりを低減することができる。

ここで、回路基板１として液晶パネルを構成するガラス基板とすることができる。このガラス基板には液晶パネルを駆動するための第１電極２が形成されている。実装部品３として液晶パネルを駆動するためのドライバー回路が形成されたＩＣチップとすることができる。ＩＣチップの表面にはバンプ電極である第２電極４が形成されている。なお、回路基板１は液晶パネルに限定されず、有機ＥＬ発光素子を構成する基板、プリント基板、ガラス基板、その他の回路基板とすることができる。また、実装部品３はＩＣチップの他に、電池、水晶振動子、他の回路基板等を使用することができる。

異方性導電部材５として、熱硬化性樹脂に導電性粒子を分散させた異方性導電フィルムを使用している。異方性導電フィルムの他に異方性導電ペーストなどを使用することができる。異方性導電部材５は、熱硬化性樹脂の内部に導電性粒子が分散している。熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂等を使用している。

可撓性絶縁部材６として、ヤング率が０．１ＧＰａ〜１０ＧＰａの絶縁性材料を使用する。また、可撓性絶縁部材６の厚さを１μｍ〜１００μｍ、好ましくは１μｍ〜３５μｍとする。可撓性絶縁部材として、例えば、ポリカーボネイト、ポリエーテルサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、アラミド、液晶ポリマーのいずれか１又は複合材料からなる樹脂を使用することができる。

可撓性絶縁部材６に形成する第３電極は、可撓性絶縁部材６に貫通孔を形成し、この貫通孔に形成した貫通電極とすることができる。また、可撓性絶縁部材に貫通孔を形成しないで、可撓性絶縁部材６の表面に導体からなる配線を形成して第１電極２と第２電極４とを電気的に接続するようにしてもよい。

圧着ヘッド４４の温度は、回路基板１や実装部品３の種類により異なる温度に設定する。例えば回路基板１として液晶パネル、実装部品として液晶駆動用ＩＣチップの実装を行う場合には、圧着ヘッド４４の温度を１８０℃〜２１０℃程度まで上昇させる。以下、本発明に係る電子デバイスの製造方法について詳細に説明する。

＜製造方法の第１実施形態＞
図８は、本発明に係る電子デバイスの製造方法を工程順に示す説明図であり、電子デバイスの製造方法の第１実施形態を表す。回路基板１として液晶パネルを構成するガラス基板を使用し、実装部品３として液晶パネルを駆動するためのドライバーＩＣチップを使用している。以下の図において、電子デバイスの各構成要素については、その断面により表している。

まず、図８（ａ）に示すように、第１電極２を形成した回路基板１を準備する。第１電極２は、アルミニュウムやＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）からなる電極である。スパッタリング法や電子ビーム蒸着法により導体薄膜を形成し、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程によりパターン化して第１電極２とした。図８（ｂ）は、実装部品３の上に異方性導電部材５を載置した状態を表す。異方性導電部材５の表面には粘着剤が塗布されており、載置後に回路基板１上で移動しないようにしている。

図８（ｃ）は、実装部品３に可撓性絶縁部材６を接着して固定した状態を示す。実装部品３としてドライバーＩＣチップを使用している。実装部品３の表面には金バンプ等の導体端子からなる第２電極４が形成されている。予め平板状に可撓性絶縁材料を成形して可撓性絶縁部材６とし、貫通孔８及び貫通電極９を形成し、貫通電極９と第２電極４とを位置合わせを行い、貫通電極９と第２電極４とを導通させて可撓性絶縁部材６と実装部品３とを接着固定する。また、可撓性絶縁部材６を第２電極４が形成された実装部品３の上に塗布し又は貼り付け、その後貫通孔８を形成し、実装部品３上の第２電極４と電気的に接続する貫通電極９を形成してもよい。また、後に詳細に説明するように、実装部品３の表面に、第２電極４の一部を除いて絶縁部材を塗布した後に硬化させて、当該一部を除いた部位を貫通孔とする可撓性絶縁部材６を形成し、この貫通孔８に金属インクや導電ペーストを塗布又は印刷し、第２電極４と電気的に接続する貫通電極９からなる第３電極を形成することができる。

図８（ｄ）は、異方性導電部材５を載置した回路基板１の上に、可撓性絶縁部材６を接着固定した実装部品３を装着した状態を示す断面図である（装着工程）。ここで、異方性導電部材５と可撓性絶縁部材６とにより接着部材４１を構成している。本実施の形態においては、回路基板１の第１電極２と実装部品３の第２電極４とは対応する位置関係を有する。従って、回路基板１と実装部品３とは、第１電極２と第２電極４とが対応するように装着する。しかし、回路基板１上の第１電極２と実装部品３の第２電極４とが常に対応関係にあるとは限らない。この場合には、可撓性絶縁部材６の表面に導体からなる配線を形成し、この配線と貫通孔８に形成した貫通電極９とを接続して第３電極とすることができる。実装部品３の第２電極４に合致するように可撓性絶縁部材６に貫通孔８及び貫通電極９を形成し、可撓性絶縁部材６の回路基板１側の表面には、回路基板１の第１電極２に合致するように配線を形成する。

図８（ｅ）は、実装部品３を装着した回路基板１を圧着ステージ４３に設置し（設置工程）、圧着ヘッド４４を圧着ステージ４３に対して相対的に接近させ、加熱圧着する状態を示す断面図である（圧着工程）。圧着の際に、圧着ステージ４３は常温に保持し、圧着ヘッド４４を加熱する。圧着ヘッド４４は、回路基板１や実装部品３の耐熱性、及び異方性導電部材５や可撓性絶縁部材６の種類に応じて所定の温度まで加熱する。回路基板１として液晶パネルのガラス基板を使用し、実装部品３として液晶駆動用のドライバーＩＣチップを使用する場合は、液晶パネルを長時間高温に晒すことができない。液晶パネルを構成する偏光板等の光学部材が劣化するからである。そこで、圧着ヘッド４４の温度を１８０℃〜２１０℃に加熱し、１０秒以内の時間で加熱圧着する。これにより、異方性導電部材５は軟化してつぶれると共に、内部に分散していた粒子状の導電体７により、第１電極２と貫通電極９とが導通する。冷却後は、軟化した異方性導電部材５が接着材として機能し、回路基板１と可撓性絶縁部材６及び実装部品３とを接着固定する。

このように、実装部品３と回路基板１との間に可撓性絶縁部材６を介在させることにより、回路基板１と実装部品３との間の熱膨張係数差による回路基板１の歪の発生を防止することができる。

＜製造方法の第２実施形態＞
図９は、本発明に係る電子デバイスの製造方法を工程順に示す説明図であり、電子デバイスの製造方法の第２実施形態を表す。回路基板１として液晶パネルを構成するガラス基板を使用し、実装部品３として液晶パネルを駆動するためのドライバーＩＣチップを使用している。図８と異なる部分は、回路基板１の上に、可撓性絶縁部材６、異方性導電部材５の順で設置している点である。同一の部分又は同一の機能を有する部分は同一の符号を付した。

図９（ａ）は、回路基板１の断面図である。回路基板１の上には端子電極である第１電極が形成されている。第１電極２は、金属導体又は透明導電体からなる。

図９（ｂ）は、回路基板１の上に可撓性絶縁部材６を接着した状態を示す断面図である。可撓性絶縁部材６を回路基板１の上に塗布し又は貼り付ける。この場合に、可撓性絶縁部材６に予め複数の貫通孔８を形成し、その貫通孔８に第３電極としての貫通電極９を形成する。貫通孔８及び貫通電極９は回路基板１の第１電極２の位置及びピッチを合致させておく。この可撓性絶縁部材６を回路基板１に接着して固定する。なお、回路基板１上に可撓性絶縁部材６を塗布又は貼り付け、その後貫通孔８及び貫通電極９を形成することができる。なお、可撓性絶縁部材６の貫通孔８は打ち抜き法、レーザー加工法、エッチング法等により行うことができる。貫通電極９はメッキ法、スパッタリング法、印刷法等により行うことができる。また、回路基板１の表面に、第１電極２の一部を除いて絶縁部材を塗布した後に硬化させて、当該一部を除いた部位を貫通孔とする可撓性絶縁部材６を形成し、この貫通孔８に金属インクや導電ペーストを塗布又は印刷し、第１電極２と電気的に接続する貫通電極９からなる第３電極を形成することができる。

図９（ｃ）は、可撓性絶縁部材６の上に異方性導電部材５を載置した状態を示す断面図である。異方性導電部材５と可撓性絶縁部材６が接着部材４１を構成する。図９(ｄ)は、その上に実装部品３を装着した状態を示す断面図である（装着工程）。可撓性絶縁部材６の貫通電極９と実装部品３の第２電極４とを位置合わせを行って装着する。異方性導電部材５の表面に粘着材を形成して、多少の振動によって電極同士の位置ずれを生じないようにしている。なお、異方性導電部材５及び可撓性絶縁部材６により接着部材４１を構成している。

図９（ｅ）は、実装部品３を装着した回路基板１を圧着ステージ４３に設置し（設置工程）、圧着ヘッド４４を圧着ステージ４３に相対的に接近させ、加熱圧着する状態を示す断面図である（圧着工程）。圧着方法及び条件等は電子デバイスの製造方法の第１実施形態と同様なので説明を省略する。このように、実装部品３と回路基板１との間に可撓性絶縁部材６を介在させることにより、回路基板１と実装部品３との間の熱膨張係数差による回路基板１の歪の発生を防止することができる。

＜製造方法の第３実施形態＞
図１０は、本発明に係る電子デバイスの製造方法を示す工程フロー図であり、電子デバイスの製造方法の第３実施形態である。製造方法の第１実施形態及び製造方法の第２実施形態と異なるのは、設置工程が仮圧着前工程と仮圧着工程を有し、圧着工程が本圧着前工程と本圧着工程を有する点である。

まず、回路基板１及び実装部品３を準備する。実装部品３は、回路基板１よりも線熱膨張係数が小さくなるように選定する。例えば、回路基板１として液晶表示パネルを構成するガラスとし、実装部品３としてＩＣチップを使用する場合は、ガラスの線膨張係数が約４．８ｐｐｍ／Ｋであり、半導体基板の線膨張係数が約３ｐｐｍ／Ｋである。故に上記要件を満たす。

装着工程では、上記選定した回路基板１の上に接着部材４１を介して実装部品３に装着する（ステップＳ４）。接着部材４１は、第３電極４２を形成した可撓性絶縁部材６と異方性導電部材５とを有している。装着の際には、回路基板１の第１電極２と実装部品３の第２電極４との間、又は、回路基板１と可撓性絶縁部材６に形成した第３電極４２との間の位置決めを行う。なお、回路基板１は液晶パネルに限定されず、有機ＥＬ発光素子を構成する基板、プリント基板、その他の回路基板とすることができる。また、実装部品はＩＣチップの他に、他の回路基板等を使用することができる。また、異方性導電部材５及び可撓性絶縁部材６について、図７で説明したと同様なので、ここでは省略する。

仮圧着前工程では、圧着ステージ４３及び圧着ヘッド４４を仮圧着温度に達するまで加熱する。そして、回路基板１を圧着ステージ４３側に配置して実装部品３が装着された回路基板１を圧着ステージに設置する（ステップＳ５）。これにより、回路基板１と実装部品３は共に温度上昇する。仮圧着工程では、圧着ヘッド４４を圧着ステージ４３に対して相対的に移動して、実装部品を回路基板に仮圧着する（ステップＳ６）。この仮圧着前工程と仮圧着工程が、図７における設置工程（ステップＳ２）に相当する。

本圧着前工程では、圧着ヘッド４４を圧着ステージ４３の温度よりも高い温度の本圧着温度に達するまで加熱する（ステップＳ７）。次に、本圧着工程では、圧着ヘッド４４を圧着ステージ４３に対して相対的に移動して、仮圧着された実装部品３を回路基板１に本圧着する（ステップＳ８）。この本圧着前工程と本圧着工程が、図７における圧着工程（ステップＳ３）に対応する。

上記の製造方法によれば、仮圧着時においては回路基板１のほうが実装部品３よりも熱膨張が大きい状態で仮固定される。そして、本圧着時には圧着ヘッド４４よりも圧着ステージ４３の温度が低いので、回路基板１は実装部品３よりも熱膨張が小さくなる。その結果、室温に冷却したときに回路基板１と実装部品３との間に熱膨張差が相殺される方向に働き、そりの少ない電子デバイスを得ることができる。

なお、上記実施形態においては、回路基板１の上に、異方性導電部材５及び可撓性絶縁部材６を介して実装部品３を装着する装着工程の後に、実装部品３が装着された回路基板１を圧着ステージ４３に設置する仮圧着前工程を行う。しかし、これに代えて、仮圧着前工程において、異方性導電部材５を載置した回路基板１を圧着ステージ４３に設置し、仮圧着温度に加熱された圧着ヘッド４４が可撓性絶縁部材６を接着した実装部品３を吸着し、圧着ヘッド４４を圧着ステージ４３上に移動し、圧着ステージ４３上の実装部品３と圧着ステージ４３上の回路基板１の位置合わせを行い、圧着ヘッド４４を移動して実装部品３を回路基板１上に載置するようにしてもよい。

ここで、回路基板としては液晶パネル、実装部品としては液晶表示パネルを駆動するためのドライバーＩＣチップを対象としたが、液晶パネル以外に、有機ＥＬ発光素子やその他のプリント基板等を対象とすることができる。実装部品としてドライバーＩＣチップの他に、フレキシブルシート等を対象とすることができる。

また、仮圧着温度は、異方性導電部材５の硬化開始温度未満の最も高い温度に設定する。仮圧着の温度を硬化開始温度未満の最も高い温度に設定して、実装部品３側の熱膨張より回路基板１側の熱膨張を大きくする。そして、本圧着時において回路基板１よりも実装部品３をより高温に加熱して、実装部品３側の熱膨張を回路基板１側の熱膨張より大きくする。これにより、室温に冷却後は熱膨張差が補償され、回路基板に発生する反り量を低減することができる。

また、異方性導電部材５の硬化反応率が０．１％以上であり１０％未満となる温度を仮圧着温度とすることができる。仮圧着時の回路基板１と実装部品３との間の熱膨張差を、本圧着時に補償できるようにするためには、仮圧着時において回路基板１と実装部品３とが互いに固定される必要がある。そのために、異方性導電部材５の接着材は硬化反応が発生している必要がある。例えば、接着材としてポリイミド系を使用している場合には、イミド化反応が０．１％〜１０％程度まで促進していることが望ましい。エポキシ系を使用する場合には、エポキシ樹脂の重合による硬化反応が０．１％〜１０％程度まで促進していることが望ましい。

なお、異方性導電部材５に含まれる接着材中の熱硬化性樹脂成分は、上記の他に（メタ）アクリル化合物、アクリル樹脂、ウレタン化合物、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹脂等からなるものを使用することができる。更に、熱硬化性樹脂の硬化反応の形態も二重結合のラジカル重合や、エポキシ樹脂のイオン重合、重付加等、いずれの重合形態を利用するものであっても良い。また、それ自身熱硬化しないフィルム形成ポリマーを含んでいる場合であっても良い。また、添加物としてラジカル重合開始剤、エポキシ硬化剤、シランカップリング剤を含んでいても良い。

また、仮圧着温度として、３０℃〜１２０℃に設定する。また、好ましくは４０℃〜１００℃に設定する。また、圧着ステージと圧着ヘッドとの間の温度差は±２０℃以内に設定し、より好ましくは±５℃以内に設定する。回路基板１として液晶パネルのガラス基板を使用する場合は、液晶パネルを高温にすると液晶の分解や偏光板の劣化等が発生するため、あまりに高温に設定することができない。また、仮圧着温度を低温にすると、回路基板１と実装部品３とが固定されないからである。

また、本圧着温度は、異方性導電部材５の硬化反応率が８０％以上に達する温度とする。硬化率が８０％以上に達することにより、温度変化や耐湿性、その他の対環境性が向上するからである。異方性導電部材５として異方性導電フィルムを使用する場合には、圧着ヘッドの本圧着温度として１５０℃〜２５０℃の範囲に設定する。また、圧着ステージ４３は仮圧着温度に設定する。即ち、３０℃〜１２０℃の範囲、また、より好ましくは４０℃〜１００℃の範囲内に設定する。圧着ヘッド４４の圧力は、異方性導電部材５に含まれる導電粒子の径が１／４〜３／４潰れる圧力とするのが好ましい。

＜製造方法の第４実施形態＞
電子デバイスの製造方法の第４実施形態においては、仮圧着工程における圧着ステージ及び圧着ヘッドと、本圧着工程における圧着ステージ及び圧着ヘッドを異なるようにした。即ち、圧着ステージ４３と圧着ヘッド４４とは、第１圧着ステージ及び第２圧着ステージと、第１圧着ヘッド及び第２圧着ヘッドとを有する。具体的には、図１０に示す装着工程（ステップＳ４）以降の工程は、次のようになる。

まず、仮圧着前工程においては、第１圧着ステージ及び第１圧着ヘッドを仮圧着温度に達するまで加熱する。そして、回路基板１を第１圧着ステージ側に配置して実装部品３が装着された回路基板１を第１圧着ステージに設置する（仮圧着前工程：ステップＳ５）。次に、第１圧着ヘッドを第１圧着ステージに相対的に移動して、実装部品３を回路基板１に仮圧着する（仮圧着工程：ステップＳ６）。また、第２圧着ヘッドを第２圧着ステージよりも高い本圧着温度に達するまで加熱する。そして、回路基板１を第２ステージ側に配置して実装部品３が仮圧着された回路基板１を第２圧着ステージに設置する（本圧着前工程：ステップＳ７）。次に、第２圧着ヘッドを移動して仮圧着された実装部品３を回路基板１に本圧着する（本圧着工程：ステップＳ８）。

即ち、第１圧着ステージ及び第１圧着ヘッドが仮圧着専用とし、第２圧着ステージ及び第２圧着ヘッドを本圧着専用としている。これにより、仮圧着から本圧着へ圧着ヘッドの温度を上昇させるための時間を短縮することができる。その結果、実装部品３を回路基板１へ実装するサイクルタイムを短縮することができる。なお、異方性導電部材５、可撓性絶縁部材６、仮圧着温度、本圧着温度等については、製造方法の第３実施形態において説明したとおりであり、ここでは説明を省略する。

図１１から図２１を用いて、可撓性絶縁部材６を実装部品３に接着して貫通孔８及び貫通電極９等を形成する製造方法を、図２２及び図２３を用いて、絶縁部材５８を実装部品３に塗布して可撓性絶縁部材６を形成する製造方法を説明する。なお、図１１から図２３は、図７において示した工程フロー図にける接着工程（ステップＳ１）に含まれる。

＜製造方法の第５実施形態＞
本発明に係る電子デバイスの製造方法の第５実施形態においては、可撓性絶縁部材６にマスクパターンを形成する工程と、可撓性絶縁部材６の貫通孔８に金属メッキ法又は印刷法により貫通電極９からなる第３電極を形成する工程とを備えている。ここで、可撓性絶縁部材６に貫通孔８及び貫通電極９を形成するまでに、可撓性絶縁部材６を実装部品３又は回路基板１に接着して固定し、その後に貫通孔８及び貫通電極を形成するようにしても良い。以下、具体的に説明する。

図１１は、本発明に係る電子デバイスの一実施形態を表し、可撓性絶縁部材６を実装部品３に接着した状態の断面図である。この実施形態は、可撓性絶縁部材６として最も薄い可撓性フィルム基材を使用した例である。同一の部分又は同一の機能を有する部分は同一の符号を付した。

図１１において、実装部品３としてのＩＣチップには第２電極４としての電極パッドが設けられている。実装部品３は、シリコンウエハ上に回路素子等を集積化し、チップ状に分割したもので、公知の各種ＩＣチップの使用が可能である。また、実装部品３上の第２電極４は、微量のシリコンや銅を含むアルミニウム電極で構成してあるが、その表面にニッケル、銅、金などの各種電極材料を設けても差し支えない。実装部品３は、前記可撓性絶縁部材６の一方の面６ａに取り付けられる。なお、ここでは、可撓性絶縁部材６において、実装部品３が接合される面を一方の面６ａ、それとは逆側の面を他方の面６ｂという。

この場合に、実装部品３は、第２電極４の位置が可撓性絶縁部材６に予め形成した貫通孔８に合致するように、実装部品３の電極パッド形成面を位置決めして、可撓性絶縁部材６の一方の面６ａに接着する。可撓性絶縁部材６の他方の面６ｂには金属を設ける。この金属箔層５１は、所定の導体パターンを有する。導体パターンは、回路を形成するための導体パターン（狭義の意の導体パターン）のみならず、外部接続のためのリード端子の場合を含む。また、可撓性絶縁部材６の貫通孔８には、メッキ法により貫通電極９を形成している。この貫通電極９を介して実装部品３の第２電極４と金属箔層５１の導体パターンとを電気的に接続している。本実施形態においてはアディティブ法により導体パターンを形成するので、実装部品３の第２電極４と導体パターンとをバンプを介さずに直接接続することができる。

また、実装部品３の表面に金属インク等を液状の導体部材６０を塗布し、その後硬化して可撓性絶縁部材６と貫通孔８を形成し、この貫通孔８及び可撓性絶縁部材６の上に第２電極４に直に接続する貫通電極９及び導体パターンを形成することができる。

＜可撓性絶縁部材を接着する製造方法の第１実施形態＞
次に、上記可撓性絶縁部材６を実装部品３に接着する製造方法の第１実施形態について図１２および図１３（ａ）〜（ｅ）を参照しながら説明する。図１２は、可撓性絶縁部材６を実装部品３に接着する製造方法を示す工程フロー図であり、図１３（ａ）〜（ｅ）は、可撓性絶縁部材６と実装部品３の各工程における断面図である。

まず、熱可塑性フィルム基材からなる可撓性絶縁部材６を用意する。この可撓性絶縁部材６は、回路パターンを形成する工程と実装部品３を実装する工程における熱プロセスに耐えるだけの耐熱性を備えている必要がある。従って、上記アラミドフィルムとは異なるプラスチックフィルムを用いてもよい。具体的には、ポリカーボネイト、ポリエーテルサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、液晶ポリマーなどから選択される。耐熱性や耐薬品性を考慮した場合、ポリイミドフィルムが好適である。また、低誘電損失など電気的特性を考慮した場合、液晶ポリマーが好適に好適である。このほかに可撓性のガラス繊維補強樹脂板を採用することも可能である。ガラス繊維補強樹脂板の樹脂としては、エポキシ、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンエーテル、マレイミド（共）重合樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどが挙げられる。

図１３（ｂ）に示すように、可撓性絶縁部材６の所定の箇所にドライエッチング、ウエットエッチングおよびレーザー加工法などを利用して貫通孔８を形成する。即ち、孔明け工程（ステップＳ１０）である。

次に、図１３（ｃ）に示すように、可撓性絶縁部材６の一方の面６ａに実装部品３の第２電極４と貫通孔８とを位置合わせして接着して固定する。即ち、実装部品３を可撓性絶縁部材６へ接着する接着工程（ステップＳ１１）である。次に、図１３（ｃ）に示すように、可撓性絶縁部材６の一方の面６ａとは逆側の他方の面６ｂに導体パターンをアディティブ法で製造するためのレジストパターン５２を形成する。つまり、レジストパターン形成工程（ステップＳ１２）である。メッキ金属が付着するのを防止するレジストパターン５２の形成は、薄膜形成後公知のフォトリソグラフィ工程を用いた方法でも、あるいは印刷法を用いた方法でもよい。また、インクジェット法により選択的にレジストパターン５２を塗布して形成してもよい。

次に、図１３（ｄ）に示すように、貫通孔８にメッキをして貫通電極９を形成すると同時に、可撓性絶縁部材６の他方の面６ｂ上に、導体パターンを有する金属箔層５１を形成する。即ち金属メッキ工程（ステップＳ１３）である。次に、図１３（ｅ）に示すように、レジストパターン５２を剥離し、導体パターンによる回路を形成する。即ち、レジストパターン除去工程（ステップＳ１４）を経て、図１１に示すように、実装部品３及び可撓性絶縁部材６の構成を得ることができる。

なお、本実施形態では、メッキ法により、導体パターンを有する金属箔層５１と貫通電極９とを同時一体的に形成しているが、これに限られることなく、メッキ法により貫通電極９のみを設け、金属箔層５１はエッチング法により形成しても良い。また、導体パターンを有する金属箔層５１と貫通電極９を金属インクを塗布して同一工程により形成してもよい。

＜可撓性絶縁部材を接着する製造方法の第２実施形態＞
図１４（ａ）〜（ｅ）は、本発明に係る可撓性絶縁部材６を接着する製造方法を説明するための各工程における可撓性絶縁部材６及び実装部品３の断面図であり、可撓性絶縁部材６を実装部品３に接着する製造方法の第２実施形態である。

本第２実施形態では、まず、図１４（ａ）に示すように、他方の面６ｂの表面にメッキ用シード層５３を例えばスパッタリング等により堆積した可撓性絶縁部材６を準備する（シード層形成工程）。この可撓性絶縁部材６としては、前記可撓性絶縁部材を接着する製造方法の第１実施形態で説明したものと同様な材料を用いている。メッキ用シード層５３には可撓性絶縁部材６とのメッキの密着性を上げるため、ニッケルおよびクロムの材料またはそれらの複合材料を用いることができる。

次に、図１４（ｂ）に示すように、可撓性絶縁部材６の所定の箇所に、ドライエッチング、ウエットエッチングおよびレーザー加工法などを利用して、メッキ用シード層５３ごと貫通するように貫通孔８を形成する（孔明け工程）。

次に、図１４（ｃ）に示すように可撓性絶縁部材６のメッキ用シード層５３に相対する面、つまり可撓性絶縁部材６の前記他方の面とは逆側の一方の面６ａに実装部品３の電極形成面を、第２電極４と貫通孔８とを位置合わせして固定して接着する（接着工程）。また、図１４（ｃ）に示すように導体パターンをセミアディティブ法で製造するためのレジストパターン５２を、メッキ用シード層５３上に形成する（レジストパターン形成工程）。

次に、図１４（ｄ）に示すように、貫通孔８にメッキ処理を施して貫通電極９を形成すると同時に、導体パターンを有する金属箔層５１を形成する（金属メッキ工程）。次に、図１４（ｅ）に示すように、レジストパターン５２を剥離し、かつメッキ用シード層５３をエッチングすることにより、導体パターンによる回路を有する、図１１に示す実装部品３及び可撓性絶縁部材６を得る。

この方法では、可撓性絶縁部材６の他方の面６ｂに予めメッキ用シード層５３を形成しているので、可撓性絶縁部材６上に金属メッキによって導体パターンを有する金属箔層５１を作製するとき、該金属箔層５１と可撓性絶縁部材６との接着強度を高めることができ、電子デバイスの品質を向上させることができる。

＜可撓性絶縁部材を接着する製造方法の第３実施形態＞
図１５（ａ）〜（ｆ）は、本発明に係る可撓性絶縁部材６を接着する方法を説明するための各工程における可撓性絶縁部材６及び実装部品３の断面図であり、可撓性絶縁部材を実装部品３に接着する製造方法の第３実施形態である。

本第３実施形態では、まず、図１５（ａ）に示すように、片面、つまり他方の面６ｂに金属箔層５１を張り付けた可撓性絶縁部材６を準備する。この可撓性絶縁部材６としては、可撓性絶縁部材６を接着する製造方法の第１実施形態と同様な材料が用いられる。金属箔層５１を張り付け方法は接着材による銅箔張り合わせ法、キャスティング法、ラミネート法、およびスパッタリング・メッキ法いずれの方法でも良い。次に、図１５（ｂ）に示すように、可撓性絶縁部材６の所定の箇所にドライエッチング、ウエットエッチングおよびレーザー加工法などを利用して金属箔層５１ごと貫通するように貫通孔８を形成する。

次に、図１５（ｃ）に示すように可撓性絶縁部材６の金属箔層５１に相対する面、つまり一方の面６ａに予め設けられた離型フィルムを剥離し、この剥離した一方の面６ａに実装部品３の電極形成面を、第２電極４が貫通孔８に合致するよう位置合わせして固定する。

次に、図１５（ｄ）に示すように、貫通孔８にメッキ処理を施して貫通電極９を形成する。このとき、貫通孔８以外のところは、金属メッキが付着しないようにレジスト材で覆ってもよく、あるいはそのまま金属箔層５１上に金属メッキを付着させても良い。金属箔層５１上の金属メッキ層は、後述するエッチング工程で金属箔層５１とともに除去すればよい。

次に、図１５（ｅ）に示すように、金属箔層５１の所定の導体パターンを作製するために、レジストパターン５２を形成し、金属箔層５１の所定部分をエッチングすることにより導体パターンによる回路を形成する。次に、図１５（ｆ）に示すように、レジストパターン５２を剥離することで、図１１に示すような実装部品３及び可撓性絶縁部材６を得る。

なお、本第３実施形態では、貫通電極９をメッキ法によって形成する例に挙げて、可撓性絶縁部材６の一方の面に予め金属箔層５１を設けているが、このように予め可撓性絶縁部材６の一方の面に金属箔層５１を設けることは、後述する貫通電極９を印刷法により形成する場合にも、適用することができる。

図１６は、本発明に係る電子デバイスの一実施形態を表し、可撓性絶縁部材６を実装部品３に接着した状態の断面図である。図１６において、ＩＣチップである実装部品３の片面所定位置には第２電極４が形成されている。実装部品３は、前記可撓性絶縁部材６の一方の面６ａに取り付けられる。なお、ここでは、可撓性絶縁部材６において、実装部品３が接着される面を一方の面６ａ、それとは逆側の面を他方の面６ｂという。

この場合に、実装部品３は、第２電極４の位置が可撓性絶縁部材６に予め形成された貫通孔８に合致するように、位置決めされた状態で、可撓性絶縁部材６の一方の面６ａに接着されている。可撓性絶縁部材６の他方の面６ｂには金属箔層５１が形成されている。この金属箔層５１には、所定の導体パターンが形成されている。導体パターンには、金属箔層５１の端部に外部接続のためのリード端子も含まれる。また、可撓性絶縁部材６の貫通孔８には、印刷法により貫通電極９が設けられている。この貫通電極９を介して実装部品３の第２電極４と金属箔層５１の導体パターンとが電気的に接続されている。

上記電子デバイスでは、印刷法で導体パターンを形成することにより、実装部品３の第２電極４と導体パターンとをバンプを介さずに直接接続している。

＜可撓性絶縁部材を接着する製造方法の第４実施形態＞
次に、上記電子デバイスの製造方法について図１７および図１８（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。図１７は、電子デバイスの製造方法の各工程を説明するフローチャート、図１８（ａ）〜（ｄ）は各工程の電子デバイスの製作途中の断面図であり、本発明に係る可撓性絶縁部材６を実装部品３に接着する製造方法の第４実施形態を示す。

実装部品３は、前述の実装部品３を接着する製造方法の第１実施形態で説明した実装部品と同様、公知の各種ＩＣチップの使用が可能である。また、実装部品３上の第２電極４についても前述の実装部品３を接着する製造方法の第１実施形態で説明した実装部品３と同様、微量のシリコンや銅を含むアルミニウム電極で構成したもの、あるいは、その表面にニッケル、銅、金などの各種電極材料を設けたものであっても差し支えない。

まず、図１８（ａ）に示すように可撓性絶縁部材６としては、前記実装部品３を接着する製造方法の第１実施形態で用いたものと同様の材料が用いられる。

図１８（ｂ）に示すように、可撓性絶縁部材６の所定の箇所にドライエッチング、ウエットエッチング、レーザ加工法、パンチ加工、ドリル加工などを利用して貫通孔８を形成する。つまり、孔明け工程（ステップＳ２０）である。

次に、図１８（ｃ）に示すように可撓性絶縁部材６の一方の面６ａに実装部品３の電極形成面を、第２電極４が貫通孔８に合致するよう位置合わせした状態で、固定して接着する。即ち、実装部品３の可撓性絶縁部材６への接着工程（ステップＳ２１）である。電極形成面の可撓性絶縁部材６への接着方法としては、接着材を用いる方法、あるいは可撓性絶縁部材６を溶着する方法がある。

次に、図１８（ｄ）に示すように、可撓性絶縁部材６の一方の面６ａとは逆側の他方の面６ｂから、前記貫通孔８内に導電ペースト５４を充填する。図１９は、導電ペースト５４を印刷法により塗布する例を表している。即ち、貫通孔８を形成した可撓性絶縁部材６の表面に印刷マスク５５を形成する。その上に、導電ペースト５４を載置してスキージ５７を用いて塗布し、貫通孔８に導電ペースト５４を充填する。この方法によれば、可撓性絶縁部材６の他方の面６ｂに形成する印刷マスク５５に導体パターンを形成すれば、導電ペースト５４により導体パターンを同時に形成することができる。つまり、貫通電極９および金属箔層５１を形成するための印刷工程（ステップＳ２２）である。

次に、加熱炉等を利用して可撓性絶縁部材６や実装部品３ごと導電ペースト５４を所定温度まで加熱し、この導電ペースト５４を硬化させる。つまり、加熱工程（ステップＳ２３）である。これにより、導体パターンおよびリード端子を有する金属箔層５１を得るとともに、導体パターンと実装部品３とを電気的に接合する貫通電極９を得る。

その後、可撓性絶縁部材６を切断して、図１６に示すような、可撓性絶縁部材６を接着した実装部品３を製造することができる。つまり、切断工程（ステップＳ２４）である。

なお、上述した電子デバイスの製造方法は、一連の工程で、多数の実装部品３が可撓性絶縁部材６に取り付けられ、可撓性絶縁部材６を切断して個々の実装部品３及び可撓性絶縁部材６を形成しているが、これに限られることなく、１つだけ単独に実装部品３と可撓性絶縁部材６とを作製するようにしてもよい。

上述した製造方法によれば、貫通電極９や導体パターンを形成するのに印刷法を用いているので、コストを無理なく低減できる。また、実装部品３等を導体パターンに電気的に接続するにあたり、印刷法を用いてそのまま直に配線しているので、実装部品３及び可撓性絶縁部材６の多品種化を実現できる。

また、予め孔加工を行った後に可撓性絶縁部材６に実装部品３を取り付けているので、先に、実装部品３を可撓性絶縁部材６に取り付けその後レーザー加工等により貫通孔を形成する方法に比べて、実装部品３にダメージを与えるおそれがなく、電子デバイスの品質を向上させることができる。

なお、本実施形態では、印刷法により、導体パターンを有する金属箔層５１と貫通電極９とを同時一体的に形成しているが、これに限られることなく、印刷法により貫通電極９のみを設け、金属箔層５１は、エッチング法により形成しても良い。

＜可撓性絶縁部材を接着する製造方法の第５実施形態＞
可撓性絶縁部材６を実装部品３に接着する製造方法の第５実施形態について、図２０、図２１（ａ）〜（ｇ）を参照しながら説明する。図２０は、可撓性絶縁部材６を実装部品３に接着する製造方法の各工程を説明するフロー図、図２１（ａ）〜（ｇ）は、その製造方法の各工程の可撓性絶縁部材６及び実装部品３の製作途中の断面図である。同一の部分及び同一の機能を有する部分は同一の符号を付した。

本第５実施形態では、まず、図２１（ａ）に示すように、可撓性絶縁部材６を準備する。この可撓性絶縁部材６としては、前記可撓性絶縁部材６を接着する製造方法の第１実施形態で説明したものと同様な材料が用いられる。次に、図２１（ｂ）に示すように、可撓性絶縁部材６の一方の面６ａ（図２１（ｂ）における下側の面）に実装部品３の電極形成面を固定して接着する。即ち、実装部品３に可撓性絶縁部材６を接着する接着工程である（ステップＳ３０）である。このとき、実装部品３の可撓性絶縁部材６への位置合わせは、実装部品３の外形を基準に行っても良く、あるいは実装部品３の隅部等に予め設けられた位置合わせようのマークを基準に行っても良い。

次に、図２１（ｃ）に示すように、可撓性絶縁部材６の接着面と相対する面つまり他方の面６ｂに、レジストパターン５２を、実装部品３の第２電極４に対向する部分を除いた所定箇所に形成する。即ち、貫通孔形成用のレジストパターン形成工程（ステップＳ３１）である。なお、このように可撓性絶縁部材６を実装部品３に接着後にレジストパターン５２を所定箇所に堆積、塗布形成するのでなく、初めからレジストが全面に張り付いた可撓性絶縁部材６に実装部品３を接着し、その後にレジストパターンを選択的に形成してもよい。

次に、図２１（ｄ）に示すように、可撓性絶縁部材６においてレジストパターン５２が形成されていない箇所に、ドライエッチングあるいはウエットエッチング等の加工法を利用して貫通孔８を形成する。即ち、可撓性絶縁部材６のエッチング工程（ステップＳ３２）である。レジストパターン５２を形成する際に、実装部品３に予め形成された位置合わせようのマークを利用して実装部品３の第２電極４の正確な位置を割り出したり、あるいは直接第２電極４の位置を認識しながら形成する。

次に、図２１（ｅ）に示すように貫通電極および導体パターンをアディティブ法で製造するためのレジストパターン５２を形成する。即ち、メッキ用のレジストパターン形成工程（ステップＳ３３）である。このとき、前記レジストパターン５２は、すべて一旦取り除きその後、新たにレジストパターン５２を形成しても良く、あるいは前記レジストパターン５２を利用できる場合には、それを再利用しつつその一部を除去することにより、レジストパターン５２を形成しても良い。

次に、図２１（ｆ）に示すように、レジストパターン５２を利用したメッキ法により、貫通孔８に貫通電極９を製作すると同時に、所定の導体パターンを有する金属箔層５１を作製する。即ち、金属メッキ工程（ステップＳ３４）である。次に、図２１（ｇ）に示すように、レジストパターン５２を剥離することで（レジストパターン除去工程（ステップＳ３５））、所望の可撓性絶縁部材６を接着した実装部品３を得る。

この本第５実施形態では、可撓性絶縁部材６の一方の面６ａに実装部品３の電極形成面を、実装部品３の外形基準、あるいは実装部品３に予め設けたマーク基準で位置あわせして接着するため、可撓性絶縁部材６を接着する製造方法の第１〜第４実施形態で説明したように、可撓性絶縁部材６に予め貫通孔８を形成して、当該貫通孔８に実装部品３の第２電極４が合致するよう、実装部品３を位置合わせして接着する場合に比べて、高精度の位置合わせが不要になる分、簡易で安価な設備を利用して高速接着が可能となる。

また、前記可撓性絶縁部材６を接着する製造方法の第１〜第４実施形態においては、可撓性絶縁部材６に予め形成した貫通孔８に第２電極４が合致するよう、実装部品３を位置合わせして接着した。このため、実装部品３の第２電極４のサイズが２０μｍ角以下になると、例え、高精度位置合わせ装着装置を使用した場合であっても、接着時のばらつきは±５μｍ程度生ずる。例えば、５μｍ程度の位置が生ずると、貫通孔８と実装部品３の第２電極４とを接合した場合に、環境試験においては当該接合の信頼性が低下して、断線が発生するおそれが出てくる。

これに対し、本第５実施形態においては、実装部品３を可撓性絶縁部材６に接着した後に、実装部品３の第２電極４の形成面側に予め形成した基準マークに合わせて、あるいは第２電極４自体に合わせて、レジストパターン５２を形成する。そのために、位置ずれはレジストパターン５２のマスク精度の程度となり、サブミクロンのレベルとなる。従って、貫通孔８を実装部品３の第２電極４に高精度の位置合わせを行うことを可能とした。

さらに、次工程の金属メッキ工程はウェットプロセスである。そのため、金属メッキ工程と同様の設備で可撓性絶縁部材６の所定位置に貫通孔８を形成することができる。これにより、製造設備に多額の費用がかからず、かつ、製作時間の短縮化を図ることができる。

なお、上記のように先に可撓性絶縁部材６を実装部品３に接着し、その後実装部品３の第２電極４に合わせて可撓性絶縁部材６に貫通孔８を形成し、この貫通孔８に貫通電極９を形成しているが、この貫通電極９の形成はメッキ法のみならず印刷法によっても形成することができる。

なお、本発明の技術範囲は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、前述した可撓性絶縁部材６を接着する製造方法の第１〜第３実施形態においては、貫通電極９のメッキ可能な金属としては、金、ニッケル、銅およびこれらの合金の一種以上のものが使用できる。また、貫通電極９の形状は問わないものの、円柱状であることが望ましい。すなわち、貫通電極９を円柱状にすることにより、金属メッキされた実装部品３の第２電極４の表面全体が円柱状の貫通電極９と強固に金属接合する。これにより、実装部品３や可撓性絶縁部材６に外部から圧力が加えられて金属疲労が生じた場合でも、金属破断を抑制することができ、導通不良の発生を防止することができる。

また、上記可撓性絶縁部材６を接着する製造方法の第４実施形態では、貫通電極９と金属箔層５１とを導電ペーストを充填塗布することにより１工程で形成しているが、これに代えて、貫通孔８へ充填する充填工程と、金属箔層５１を塗布する塗布工程とに分離してもよい。

＜可撓性絶縁部材を形成する製造方法の実施形態＞
可撓性絶縁部材６を実装部品３に形成する製造方法の実施形態について、図２２、図２３（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。図２２は、可撓性絶縁部材６を実装部品３に形成する製造方法の各工程を説明するフロー図、図２３（ａ）〜（ｄ）は、各工程における可撓性絶縁部材６と実装部品３の断面図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。

まず、第２電極４を表面に形成した実装部品３を準備する。次に、第２２図（ａ）に示すように、実装部品３の表面に第２電極４の一部５９を除いて液状の絶縁部材５８を塗布する。即ち、絶縁部材塗布工程（ステップＳ４０）である。絶縁部材５８は、液状の絶縁部材５８をインクジェット又はディスペンサーを用いて、或いは印刷法により塗布する。

ここで、実装部品３は、可撓性絶縁部材６を実装部品３に接着する製造方法の第１実施形態で説明した実装部品３と同様に、公知の各種ＩＣチップや表面に電極を形成した各種電子素子を使用することができ、実装部品３に形成した第２電極４は、微量のシリコンは銅を含むアルミニウム電極で構成したもの、あるいは、その表面にニッケル、銅、金などの各種電極材料を設けたものを使用することができる。絶縁部材５８は、可撓性絶縁部材６を実装部品３に接着する製造方法の第１実施形態で説明したと同様の材料の液状絶縁部材を使用する。例えば、可撓性絶縁部材６としてポリイミドを形成するときは、絶縁部材５８はポリイミド溶液を使用する。

次に、絶縁部材５８を形成した実装部品３を加熱処理し、図２３（ｂ）に示すように、絶縁部材５８を硬化し、絶縁部材５８を塗布しない一部５９を貫通孔８とする可撓性絶縁部材６を形成する。即ち、可撓性絶縁部材形成工程（ステップＳ４１）である。加熱処理は、絶縁部材５８に紫外線を照射して加熱する、或いは、実装部品３を加熱炉等に投入して加熱する。次に、図２３（ｃ）に示すように、貫通孔８に導体部材６０を塗布する。即ち、導体部材塗布工程（ステップＳ４２）である。導体部材６０として、インクジェットやディスペンサーを用いて塗布する金属インクを使用することができる。また、導体部材６０として、導電ペースト５４を印刷法により塗布することもできる。導体部材６０は、貫通孔８の一部に、又は充填するように塗布するとともに、可撓性絶縁部材６上に形成して電極パターンとすることができる。

次に、加熱炉等を利用して可撓性絶縁部材６及び実装部品３ごと金属インク又は導電ペースト５４からなる導体部材６０を所定の温度まで加熱して硬化させる。即ち、加熱工程（ステップＳ４３）である。これにより、図２３（ｄ）に示すように、貫通孔８には貫通電極９を、可撓性絶縁部材６の上にはリード端子を有する金属箔層５１や図示しない導体パターンを形成することができる。貫通電極９は、実装部品３の第２電極４と回路基板１の第１電極２とを電気的に接続する。

なお、上記実施形態においては、絶縁部材５８を塗布した後に硬化させて可撓性絶縁部材６を形成し、その後導体部材６０を塗布又は印刷して加熱し、貫通電極９や導体パターンを形成したが、これに代えて、絶縁部材５８を塗布した後に導体部材６０を塗布又は印刷し、その後に加熱処理を行って、可撓性絶縁部材６と貫通電極９及び導体パターンとを同時に形成してもよい。

また、上述した電子デバイスの製造方法は、一連の工程で、多数の実装部品３が可撓性絶縁部材６に取り付けられ、可撓性絶縁部材６を切断して個々の実装部品３及び可撓性絶縁部材６を形成してもよいし、これに限られることなく、一つだけ単独に実装部品３と可撓性絶縁部材６とを製作するようにしてもよい。

本実施形態によれば、可撓性絶縁部材６、貫通電極９及び導体パターンをインクジェット法や印刷法を用いて形成するので、可撓性絶縁部材６に貫通孔８を穿設し、可撓性絶縁部材６上の導体パターンを形成するためのレジスト膜の形成、加工等を行う必要がないので、製造コストを低減することができる。また、実装部品３と導体パターンとをインクジェット法や印刷法により直に電気的に接続可能なので、実装部品３及び可撓性絶縁部材６の多品種化に容易に対応することができる。

また、可撓性絶縁部材６を選択的に塗布することにより、予め孔加工を行ったり、可撓性絶縁部材６に実装部品３を取り付け、その後、レーザー加工やエッチング加工等により貫通孔８を形成する必要が無く、実装部品３に加熱によるダメージを与える恐れも無く、簡単な加工で製造コストを抑え、かつ、電子デバイスの品質を向上させることができる。

本発明に係る電子デバイスの第１実施形態を表す断面図である。 本発明に係る電子デバイスの第２実施形態を表す断面図である。 本発明に係る電子デバイスに用いられる可撓性絶縁部材の一例を説明するための図である。 本発明に係る電子デバイスの第３実施形態を示す断面図である。 本発明に係る電子デバイスを用いた携帯電話の断面模式図である。 本発明に係る電子デバイスの実施形態を示す断面図である。 本発明に係る電子デバイスの製造方法を示す工程フロー図である。 本発明に係る電子デバイスの製造方法の第１実施形態の説明図である。 本発明に係る電子デバイスの製造方法の第２実施形態の説明図である。 本発明に係る電子デバイスの製造方法の第３実施形態の説明図である。 本発明に係る電子デバイスに用いられる可撓性絶縁部材を実装部品に接着した状態の断面図である。 本発明に係る電子デバイスの可撓性絶縁部材を接着する製造方法の第１実施形態を表す工程フロー図である。 本発明に係る電子デバイスの可撓性絶縁部材を接着する製造方法の第１実施形態を説明するための説明図である。 本発明に係る電子デバイスの可撓性絶縁部材を接着する製造方法の第２実施形態を説明するための説明図である。 本発明に係る電子デバイスの可撓性絶縁部材を接着する製造方法の第３実施形態を説明するための説明図である。 本発明に係る電子デバイスに用いられる可撓性絶縁部材を実装部品に接着した状態の断面図である。 本発明に係る電子デバイスの可撓性絶縁部材を接着する製造方法の第４実施形態を説明するための説明図である。 本発明に係る電子デバイスの可撓性絶縁部材を接着する製造方法の第４実施形態を説明するための説明図である。 本発明に係る電子デバイスの可撓性絶縁部材に貫通電極及び金属箔層を形成する状態を表す説明図である。 本発明に係る電子デバイスの可撓性絶縁部材を接着する製造方法の第５実施形態を表す工程フロー図である。 本発明に係る電子デバイスの可撓性絶縁部材を接着する製造方法の第５実施形態を説明するための説明図である。 本発明に係る電子デバイスの可撓性絶縁部材を形成する製造方法の実施形態を説明するための説明図である。 本発明に係る電子デバイスの可撓性絶縁部材を形成する製造方法の実施形態を説明するための説明図である。 従来から公知のＣＯＧ実装方法を示す断面図である。 従来から公知の熱圧着後にガラス基板が反る原因の説明図である。

符号の説明

１ 回路基板
２ 第１電極
３ 実装部品
４ 第２電極
５ 異方性導電部材
６ 可撓性絶縁部材
７ 導電体
８ 貫通孔
９ 貫通電極
１０ 配線
１１ 接続領域

Claims (17)

1. 第１電極を有する回路基板に第２電極を有する実装部品が実装された電子デバイスにおいて、
   前記回路基板と前記実装部品とは可撓性絶縁部材を介在して積層して接着されており、前記第１電極と前記第２電極とは前記可撓性絶縁部材の表面に形成した配線電極又は前記可撓性絶縁部材を貫通する貫通電極を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子デバイス。
2. 前記可撓性絶縁部材は、ヤング率が０．１ＧＰａ〜１０ＧＰａであることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
3. 前記可撓性絶縁部材は、厚さが１μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子デバイス。
4. 前記可撓性絶縁部材は、ポリカーボネイト、ポリエーテルサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、アラミド、液晶ポリマーのいずれか１又は複合材料からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
5. 前記回路基板は液晶パネルを構成するガラス基板であり、前記実装部品は半導体集積回路チップであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
6. 前記実装部品を構成するパッケージはガラスであり、前記回路基板は金属材料、無機材料又は有機材料であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載した電子デバイスを使用した電子機器。
8. 第１電極を有する回路基板と第２電極を有する実装部品とを接着部材を介在して対向させ、圧着ステージ及び圧着ヘッドにより加熱圧着して前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する電子デバイスの製造方法において、
   前記接着部材は第３電極が形成された可撓性絶縁部材と異方性導電部材とを有し、前記回路基板と前記実装部品とを対向して位置決めし、前記接着部材を介在して前記実装部品を前記回路基板の上に装着する装着工程と、
   前記圧着ヘッドを所定の温度まで加熱すると共に、前記実装部品が装着された回路基板を前記圧着ステージに設置する設置工程と、
   前記圧着ヘッドを前記圧着ステージに対して相対的に移動し、前記実装部品を前記回路基板に圧着して、前記第１電極と前記第２電極とを前記可撓性絶縁部材に形成された第３電極を介して電気的に接続する圧着工程と、を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
9. 前記装着工程の前に、前記可撓性絶縁部材に貫通孔を形成する工程と、前記可撓性絶縁部材にマスクパターンを形成する工程と、前記可撓性絶縁部材の貫通孔に金属メッキ法又は印刷法により貫通電極からなる第３電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項８に記載の電子デバイスの製造方法。
10. 前記第３電極を形成する工程の前に、前記可撓性絶縁部材を前記第２電極が形成された表面側の前記実装部品に接着する工程を有し、前記実装部品に接着された可撓性絶縁部材に貫通孔を形成することを特徴とする請求項９に記載の電子デバイスの製造方法。
11. 前記装着工程の前に、前記実装部品の前記第２電極が形成された表面側に、少なくとも前記第２電極の一部を除いて絶縁部材を塗布する工程と、前記絶縁部材を硬化して、前記一部を除いた部位を貫通孔とする可撓性絶縁部材を形成する工程と、前記貫通孔に貫通電極からなる第３電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項８に記載の電子デバイスの製造方法。
12. 前記実装部品は前記回路基板よりも線熱膨張係数が小さく、
    前記設置工程は、
    前記圧着ステージ及び前記圧着ヘッドを仮圧着温度に達するまで加熱すると共に、前記回路基板を前記圧着ステージ側に配置して前記実装部品が装着された回路基板を前記圧着ステージに設置する仮圧着前工程と、
    前記圧着ヘッドを前記圧着ステージに対して相対的に移動して、前記実装部品を前記回路基板に仮圧着する仮圧着工程と、を含み、
    前記圧着工程は、
    前記圧着ヘッドを前記圧着ステージの温度よりも高い本圧着温度に達するまで加熱する本圧着前工程と、
    前記圧着ヘッドを前記圧着ステージに対して相対的に移動して、前記仮圧着された前記実装部品を前記回路基板に本圧着する本圧着工程と、を含むことを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
13. 前記圧着ステージ及び圧着ヘッドは、第１圧着ステージ及び第１圧着ヘッドと第２圧着ステージ及び第２圧着ヘッドから成り、
    前記仮圧着前工程は、前記第１圧着ステージ及び前記第１圧着ヘッドを仮圧着温度に達するまで加熱すると共に、前記回路基板を前記第１圧着ステージ側に配置して前記実装部品が装着された回路基板を前記第１圧着ステージに設置する工程であり、
    前記仮圧着工程は、前記第１圧着ヘッドを前記第１圧着ステージに対して相対的に移動して、前記実装部品を前記回路基板に仮圧着する工程であり、
    前記本圧着前工程は、前記第２圧着ヘッドを前記第２圧着ステージの温度よりも高い本圧着温度に達するまで加熱すると共に、前記回路基板を前記第２圧着ステージ側に配置して前記実装部品が仮圧着された前記回路基板を前記第２圧着ステージに設置する工程であり、
    前記本圧着工程は、前記第２圧着ヘッドを前記第２圧着ステージに対して相対的に移動して前記仮圧着された前記実装部品を前記回路基板に本圧着する工程であることを特徴とする請求項１２に記載の電子デバイスの製造方法。
14. 前記仮圧着温度は、前記異方性導電材料の硬化開始温度未満の最も高い温度であることを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載の電子デバイスの製造方法。
15. 前記仮圧着温度は、前記異方性導電材料の硬化反応率が０．１％以上かつ１０％未満となる温度であることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
16. 前記仮圧着温度は、４０℃〜１００℃であることを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
17. 前記本圧着温度は、前記異方性導電材料の硬化反応率が８０％以上に達する温度であることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。

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