JP2008202053A - 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ - Google Patents
有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008202053A JP2008202053A JP2008063889A JP2008063889A JP2008202053A JP 2008202053 A JP2008202053 A JP 2008202053A JP 2008063889 A JP2008063889 A JP 2008063889A JP 2008063889 A JP2008063889 A JP 2008063889A JP 2008202053 A JP2008202053 A JP 2008202053A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic semiconductor
- semiconductor material
- main chain
- ring
- field effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】共役結合が拡張した主鎖と、主鎖の実質的な伸長方向と結合角80〜100度で連結した側鎖からなる共役オリゴマーもしくはポリマーであって、該主鎖が置換チオフェン環の繰り返しからなる単位を含んで構成されており、且つ、前記置換チオフェン環が、チオフェンの3位及び4位で芳香族5員環が縮合した構造を有し、前記縮合した5員環がオキサゾール環、チアゾール環、セレナゾール環又はピロール環のいずれかであることを特徴とする有機半導体材料。
【選択図】なし
Description
それらの中でもペンタセン薄膜をもって構成した有機半導体層をもつ有機トランジスタ素子は、有機トランジスタとしては高いキャリア(電荷担体)移動度を示し非常に注目されているが、しかしながらペンタセンは溶剤への溶解性に乏しい化合物であるため、塗布やインクジェット法を含む印刷プロセスよる半導体薄膜形成に対する適性に乏しく、ほとんどの場合においてペンタセン薄膜形成には真空蒸着プロセスが用いられている。これに対して可溶化基を導入したオリゴマーやポリマー、例えば3−アルキルチオフェンを繰り返し単位とするオリゴマーもしくはポリマーは、比較的高いキャリア移動度と比較的良好な溶剤溶解性を有するため、塗布や印刷プロセスといったウェットプロセスで良質な有機半導体薄膜を得ることができると考えられている。
(1)共役結合が拡張した主鎖と、主鎖の実質的な伸長方向と結合角80〜100度で連結した側鎖からなる共役オリゴマーもしくはポリマーであって、該主鎖がチオフェン環のみから構成されており、該チオフェン環の3位及び4位に縮合したイミダゾール環を有することを特徴とする有機半導体材料。
(2)側鎖が直鎖アルキル基であることを特徴とする前記(1)に記載の有機半導体材料。
(3)前記(1)または(2)に記載の有機半導体材料を含んでなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
(4)電荷輸送性材料と、該電荷輸送性材料に直接或いは間接に接するゲート電極から構成され、該ゲート電極及び電荷輸送性材料間に電界を印加することで、電荷輸送性材料中の電流を制御する電界効果トランジスタにおいて、該電荷輸送性材料が前記(1)または(2)に記載の有機半導体材料であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
メタノール100mlに溶解したチエノメルカプトイミダゾール(1)10gにクロルヘキサン(6.3g)を加え、ナトリウムメトキシドの28%メタノール溶液を15ml加えて3時間還流温度にて撹拌した。得られた混合溶液を水300ml中に注ぎ入れ、酢酸エチルにて抽出した有機物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体2(ヘキシルチオチエノイミダゾール)4.9gを得た。(収率33%)
(中間体3の合成)
4.5gの中間体2を、1,2−ジクルロエタン溶液とし、これにN−ブロモコハク酸イミド7gを固体のまま加え、室温下3時間撹拌を行った。得られた混合物を濃縮後、酢酸エチルにより有機物を抽出し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、中間体3(ヘキシルチオジブロモチエノイミダゾール)7.1gを得た。(収率95%)
(例示化合物3の合成)
窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン中に置いたマグネシウム粒(0.5g)に、中間体3を7gテトラヒドロフラン30mlに溶解した溶液を徐々に滴下して、マグネシウム粒からの細かい発泡が持続する状態を維持しつつ、中間体3の溶液の滴下を続けた。滴下終了後、得られた溶液を50℃にて1時間撹拌して中間体3とマグネシウムの反応を完結させた。反応混合物を放冷後、この溶液をシリンジにて反応容器から抜き取り、(1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン)ニッケル塩化物0.4gがテトラヒドロフラン15ml中に分散した懸濁液が入った窒素雰囲気の反応容器に加えた。混合物を50℃に加熱して撹拌を12時間行った。得られた反応混合物を希塩酸に注いで反応を停止し、不溶物を濾取して水、メタノールおよびエチレンジアミン4酢酸水溶液にて洗浄し、例示化合物3の暗褐色固体1.2gを得た。
以下に、本発明に係わる導電性材料からなる有機半導体材料薄膜を用いた電界効果トランジスタについて説明する。
ポリ(3−n−ヘキシルチオフェン−2,5−ジイル)のregioregular体(アルドリッチ社製、ゲル泳動クロマトグラフィーで測定した平均分子量90000)1gをクロロホルム10mlに溶解し、これをポリエーテルスルホン(PES)フィルム上に、アプリケータ(厚み120μm)にて塗布し自然乾燥することでポリマー膜を形成し、有機半導体材料Aを得た。
n型ドープシリコン基板上に厚さ300nmの熱酸化膜を形成した後、酸化膜上に厚さ50nmの金を蒸着し、フォトリソグラフ法により10μmのギャップを有するソース、ドレイン電極を形成した。次に、良く精製した本発明の例示化合物3のクロロホルム溶液をスピンコートすることで厚さ30nmの有機半導体材料層を形成し、有機電界効果トランジスタ(薄膜トランジスタ)を得た。
2 ソース電極
3 ドレイン電極
4 ゲート電極
5 絶縁層
6 支持体
Claims (4)
- 共役結合が拡張した主鎖と、主鎖の実質的な伸長方向と結合角80〜100度で連結した側鎖からなる共役オリゴマーもしくはポリマーであって、該主鎖がチオフェン環のみから構成されており、該チオフェン環の3位及び4位に縮合したイミダゾール環を有することを特徴とする有機半導体材料。
- 側鎖が直鎖アルキル基であることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体材料。
- 請求項1または2に記載の有機半導体材料を含んでなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
- 電荷輸送性材料と、該電荷輸送性材料に直接或いは間接に接するゲート電極から構成され、該ゲート電極及び電荷輸送性材料間に電界を印加することで、電荷輸送性材料中の電流を制御する電界効果トランジスタにおいて、該電荷輸送性材料が請求項1または2に記載の有機半導体材料であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008063889A JP5104428B2 (ja) | 2008-03-13 | 2008-03-13 | 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008063889A JP5104428B2 (ja) | 2008-03-13 | 2008-03-13 | 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002228646A Division JP2004067862A (ja) | 2002-08-06 | 2002-08-06 | 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008202053A true JP2008202053A (ja) | 2008-09-04 |
JP5104428B2 JP5104428B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=39779856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008063889A Expired - Fee Related JP5104428B2 (ja) | 2008-03-13 | 2008-03-13 | 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5104428B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014511021A (ja) * | 2011-01-26 | 2014-05-01 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | ドープされたホール伝導体層を有する有機半導体素子 |
US9246102B2 (en) | 2011-03-31 | 2016-01-26 | Fujifilm Corporation | Organic semiconductor polymer, composition for organic semiconductor material, and photovoltaic cell |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6314471A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果型トランジスタ |
JPH02180922A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-13 | Toyobo Co Ltd | 導電性重合体 |
JPH07126616A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-05-16 | Ryuichi Yamamoto | ポリチオフェンを用いたel素子 |
JP2000506914A (ja) * | 1996-03-06 | 2000-06-06 | ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト | 置換ポリチオフェン、その製造及びその用途 |
-
2008
- 2008-03-13 JP JP2008063889A patent/JP5104428B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6314471A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果型トランジスタ |
JPH02180922A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-13 | Toyobo Co Ltd | 導電性重合体 |
JPH07126616A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-05-16 | Ryuichi Yamamoto | ポリチオフェンを用いたel素子 |
JP2000506914A (ja) * | 1996-03-06 | 2000-06-06 | ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト | 置換ポリチオフェン、その製造及びその用途 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014511021A (ja) * | 2011-01-26 | 2014-05-01 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | ドープされたホール伝導体層を有する有機半導体素子 |
US9263696B2 (en) | 2011-01-26 | 2016-02-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Organic semiconductor component comprising a doped hole conductor layer |
US9246102B2 (en) | 2011-03-31 | 2016-01-26 | Fujifilm Corporation | Organic semiconductor polymer, composition for organic semiconductor material, and photovoltaic cell |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5104428B2 (ja) | 2012-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4736324B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
US7800103B2 (en) | Organic thin film transistor material, organic thin film transistor, field-effect transistor, switching element, organic semiconductor material and organic semiconductor film | |
JP6170488B2 (ja) | 新規縮合多環芳香族化合物及びその用途 | |
JP2008010541A (ja) | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP5245117B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、有機半導体材料、有機半導体膜、及び有機半導体デバイス | |
JP2004006782A (ja) | 有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 | |
KR100790928B1 (ko) | 아릴아민 중합체 및 이 아릴아민 중합체를 주성분으로 하는유기 반도체 층을 구비하는 유기 박막 트랜지스터 | |
JP5429607B2 (ja) | 新規な有機半導体材料 | |
TWI614254B (zh) | 新穎之縮合多環芳香族化合物及其用途 | |
JP5104428B2 (ja) | 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ | |
JP2004067862A (ja) | 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ | |
JP2004006747A (ja) | 有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 | |
JP4723812B2 (ja) | ナフタレンカルボン酸誘導体を用いた有機薄膜トランジスタ | |
JP5170507B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
JP2004214482A (ja) | 有機半導体材料および有機薄膜トランジスタ | |
WO2006038459A1 (ja) | 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 | |
JP2006241359A (ja) | 導電性交互共重合体及びその製造方法、並びにそれを用いた有機電子デバイス及び電界効果トランジスタ | |
JP2004335932A (ja) | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2006028055A (ja) | 有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 | |
WO2015087875A1 (ja) | 新規縮合多環芳香族化合物及びその用途 | |
WO2006098121A1 (ja) | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの形成方法 | |
JP2008163348A (ja) | 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ | |
JP2008147225A (ja) | 有機薄膜トランジスタの製造方法、及び該製造方法により製造した有機薄膜トランジスタ | |
JP2013055094A (ja) | π電子共役系化合物前駆体を用いた電子デバイス用インク組成物ならびにその用途 | |
JP5032781B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110818 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111020 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120904 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120917 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |