JP2008189522A - 単結晶の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】輻射シールドと融液面との間のギャップ寸法を所定の範囲に制御し、且つ、輻射シールドと単結晶との間を流れるガスの流速を制御することにより、全長に亘り酸素濃度が均一な単結晶を安定して製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶Ｃの引上げ開始から終了までの間、シリコン融液面Ｍ１と該融液面上方に設けられた輻射シールド６下端との間に形成される第１のギャップｄ１の変動を±１ｍｍ以内に制御し、炉体２内の上方から下方に向かうガス流を形成すると共に、輻射シールド６と単結晶Ｃとの間に形成され、シリコン融液面Ｍ１に最も近接した第２のギャップｄ２を流れるガスＧの流速が１ｍ／ｓｅｃ以上１５ｍ／ｓｅｃ以下となるよう制御する。
【選択図】図１

Description

本発明は、チョクラルスキー法（以下、「ＣＺ法」という）によって単結晶を育成しながら引上げる単結晶の製造方法に関する。

シリコン単結晶の育成に関し、ＣＺ法が広く用いられている。この方法は、ルツボ内に収容されたシリコンの溶融液の表面に種結晶を接触させ、ルツボを回転させるとともに、この種結晶を反対方向に回転させながら上方へ引上げることによって、種結晶の下端に単結晶を形成していくものである。

図４に示すように、従来のＣＺ法を用いた引上げ法は、先ず、石英ガラスルツボ５１に原料ポリシリコンを装填し、ヒータ５２により加熱してシリコン溶融液Ｍとする。しかる後、引上げ用のワイヤ５０に取り付けられた種結晶Ｐをシリコン溶融液Ｍに接触させてシリコン単結晶Ｃを引上げる。またコスト低減を目的に、単結晶を引き上げた後に、残った溶融液に原料ポリシリコンを追加し、再度単結晶を引き上げる工程を繰り返すリチャージ法も多く使われている。

一般に、引上げ開始に先立ち、シリコン溶融液Ｍの温度が安定した後、図５に示すように、種結晶Ｐをシリコン溶融液Ｍに接触させて種結晶Ｐの先端部を溶解するネッキングを行う。ネッキングとは、種結晶Ｐとシリコン溶融液Ｍとの接触で発生するサーマルショックによりシリコン単結晶に生じる転位を除去するための不可欠の工程である。このネッキングによりネック部Ｐ１が形成される。また、このネック部Ｐ１は、一般的に、直径が３〜４ｍｍで、その長さが３０〜４０ｍｍ以上必要とされている。

また、引上げ開始後の工程としては、ネッキング終了後、直胴部直径にまで結晶を広げるクラウン工程、製品となる単結晶を育成する直胴工程、直胴工程後の単結晶直径を徐々に小さくするテール工程が行われる。

ところで、このＣＺ法においては、単結晶の引上げが進行するにつれ、シリコン融液の液面が低下するため、液面位置を一定に保つ制御を行わないと、シリコン融液からの酸素の蒸発量が変化し、得られる単結晶の軸方向の酸素濃度が変化するという問題がある。
このため特許文献１には、シリコン融液の液面を測定すると共にルツボを単結晶引上げ速度に対して一定速度で上昇させることにより、溶融液面の位置を一定に保つ方法が開示されている。
特許第２７３５９６０号公報

ところで、この単結晶引上げ工程が行われる炉内には、通常、上方から下方に向けて所定のガス流（例えばＡｒガス）が形成され、シリコン融液の液面から蒸発するＳｉＯガスが滞留しないようになされている。また、炉内に形成された所定のガス流は、単結晶の周囲を包囲するよう上部と下部が開口形成されたルツボ上方の輻射シールドによって整流されるようになされている。

しかしながら、特許文献１に開示された方法のように、液面位置を測定し、ルツボ位置を調整して液面位置を一定に保つ制御を行うだけでは、溶融液面上におけるガスの流速が変化してＳｉＯガスの蒸発量に変動が生じ、結晶外周の酸素濃度が不均一となるという課題があった。また、融液面上のガスの流速が低下した場合には、融液表面の異物を結晶から遠ざけることができず、結晶の有転位化が生じ易くなるという課題があった。

また、これら技術的課題における不具合発生の頻度は、リチャージ法により同じ石英ルツボを用いて、複数の結晶を引き上げる場合や、引上げ途中で有転位化した結晶を再溶融するためのヒータ温度上昇に伴いルツボ変形が加速される場合、さらにルツボ径が３０インチ以上で変形度が大きい等において、特に顕著であった。また結晶の酸素濃度を調整するために、引上機内に導入する不活性ガス量を変更する場合や、輻射シールドの内径を変更する場合に多く発生した。

本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、リチャージ法により同一石英ルツボを用いてシリコン単結晶を複数本引上げる単結晶の製造方法において、輻射シールドと融液面との間のギャップ寸法を所定の範囲に制御し、且つ、輻射シールドと単結晶との間を流れるガスの流速を制御することにより、全長に亘り酸素濃度が均一な単結晶を安定して製造することのできる単結晶の製造方法を提供することを目的とする。

前記した課題を解決するために、本発明に係る単結晶の製造方法は、リチャージ法により同一石英ルツボを用いてシリコン単結晶を複数本引上げる単結晶の製造方法において、前記単結晶の引上げ開始から終了までの間、前記シリコン融液面と該融液面上方に設けられた輻射シールド下端との間に形成される第１のギャップの変動を±１ｍｍ以内に制御し、前記炉体内の上方から下方に向かうガス流を形成すると共に、前記輻射シールドと前記単結晶との間に形成され、前記シリコン融液面に最も近接した第２のギャップを流れるガスの流速が、１ｍ／ｓｅｃ以上１５ｍ／ｓｅｃ以下となるよう制御することに特徴を有する。

尚、前記第１のギャップの変動の制御において、前記シリコン融液の液面高さを測定し、該測定された液面高さに基づき前記第１のギャップの寸法を算出し、前記算出された第１のギャップの寸法に基づき前記ルツボまたは前記輻射シールドの高さ位置を調整することが望ましい。
また、前記第２のギャップを流れるガスの流速の制御は、前記炉体内の圧力と、炉体内の上方から供給するガス流量を調整することにより行うことが望ましい。

このように、第１のギャップの変動を±１ｍｍ以内に制御することにより、シリコン融液ＭからのＳｉＯガスの蒸発量が略一定になされ、軸方向の酸素濃度分布が均一な単結晶Ｃを得ることができる。
また、第２のギャップを流れるガスの流速を１ｍ／ｓｅｃ以上１５ｍ／ｓｅｃ以下に制御することにより、ＳｉＯガスの蒸発効果を抑制し、結晶外周の酸素濃度を向上することができる。さらには融液表面の異物を結晶から遠ざけ、結晶の有転位化を防止することができる。

本発明によれば、リチャージ法により同一石英ルツボを用いてシリコン単結晶を複数本引上げる単結晶の製造方法において、輻射シールドと融液面との間のギャップ寸法を所定の範囲に制御し、且つ、輻射シールドと単結晶との間を流れるガスの流速を制御することにより、全長に亘り酸素濃度が均一な単結晶を安定して製造することのできる単結晶の製造方法を得ることができる。

以下、本発明に係る単結晶の製造方法の実施の形態について図面に基づき説明する。図１は本発明に係る単結晶の製造方法が実施される単結晶引上装置１の全体構成を示すブロック図である。
この単結晶引上装置１は、円筒形状のメインチャンバ２ａの上にプルチャンバ２ｂを重ねて形成された炉体２と、炉体２内に設けられたルツボ３と、ルツボ３に装填された半導体原料（原料ポリシリコン）Ｍを溶融するヒータ４と、育成される単結晶Ｃを引上げる引上げ機構５とを有している。尚、ルツボ３は、二重構造であり、内側が石英ガラスルツボ３ａ、外側が黒鉛ルツボ３ｂで構成されている。
また、引上げ機構５は、モータ駆動される巻取り機構５ａと、この巻取り機構５ａに巻き上げられる引上げワイヤ５ｂを有し、このワイヤ５ｂの先端に種結晶Ｐが取り付けられている。

また、チャンバ内の雰囲気調整のために炉体２内に所定流量の不活性ガスＧ（例えばＡｒガス）を供給する不活性ガス供給手段２０が設けられ、この不活性ガス供給手段２０により、プルチャンバ２ｂの上方から下方に向けて不活性ガスＧによるガス流が形成されている。尚、不活性ガス供給手段２０による不活性ガスＧの供給量は、コンピュータ８の演算制御装置８ｂにより制御される。
また、メインチャンバ２ａ内において、ルツボ３の上方且つ近傍には、単結晶Ｃの周囲を包囲するよう上部と下部が開口形成され、育成中の単結晶Ｃにヒータ４等からの余計な輻射熱を遮蔽すると共に、炉内のガス流を整流するための輻射シールド６が設けられている。尚、輻射シールド６下端と溶融液面との間に形成されるギャップｄ１（第１のギャップ）は、育成する単結晶の所望の特性に応じて所定の距離を維持するよう制御される。

また、図１に示すようにメインチャンバ２ａの外側には、磁場印加用電気コイル１３が設置され、ルツボ３のシリコン溶融液内にカスプ磁場を印加して単結晶を育成するＭＣＺ法（Ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄ ａｐｐｌｉｅｄ ＣＺ法）が使用される。
このＭＣＺ法によれば、融液面の対流が抑えられて、径方向の不純物濃度分布の均一化を図ることができる。また、対流が抑制されることにより、石英ガラスルツボ３ａの内表面の劣化が防止されるという効果も得ることができる。

また、炉体２の外側には、シリコン融液Ｍの液面Ｍ１の高さ位置を検出する液面位置検出装置１４が設けられている。
この液面位置検出装置１４は、コヒーレントな検出光を発振するレーザ光発振器１５と、撮像装置、例えばＣＣＤカメラ１６と、このＣＣＤカメラ１６により撮像された画像を処理する画像処理装置１７とを有する。

レーザ光発振器１５は、メインチャンバ２ｂ上方に配置され、コンピュータ８からの指令信号により、グリーンレーザ光（波長４９０〜５５０ｎｍ）を発振し、このグリーンレーザ光を融液表面Ｍ１の所定スポットに照射するようになされている。
また、ＣＣＤカメラ１６は前記レーザ光発振器１５によりグリーンレーザ光が照射される融液面Ｍ１の所定スポットに焦点が合わされており、この所定スポットの画像を撮像し、撮像した画像を画像処理装置１７に出力するようになされている。
また、画像処理装置１７は、ＣＣＤカメラ１６から入力された画像信号を処理し、シリコン融液液面Ｍ１の高さ位置を検出して、コンピュータ８の演算制御装置８ｂに出力するようになされている。

また、図１に示すように単結晶引上装置１は、シリコン溶融液Ｍの温度を制御するヒータ４の供給電力量を制御するヒータ制御部９と、ルツボ３を回転させるモータ１０と、モータ１０の回転数を制御するモータ制御部１０ａとを備えている。
また、ルツボ３の高さを制御する昇降装置１１と、昇降装置１１を制御する昇降装置制御部１１ａと、成長結晶の引上げ速度と回転数を制御するワイヤリール回転装置制御部１２とを備えている。さらには、磁場印加用電気コイル１３の動作制御を行う電気コイル制御部１３ａを備えている。これら各制御部９、１０ａ、１１ａ、１２、１３ａはコンピュータ８の演算制御装置８ｂに接続されている。

このように構成された単結晶引上装置１においては、最初に石英ガラスルツボ３ａに原料ポリシリコンＭを装填し、コンピュータ８の記憶装置８ａに記憶されたプログラムに基づき図２のフローに沿って結晶育成工程が開始される。

先ず、演算制御装置８ｂにより不活性ガス供給手段２０を制御し、炉体２内を所定の雰囲気にする。そして、演算制御装置８ｂの指令によりヒータ制御部９を作動させてヒータ４を加熱し、これにより石英ガラスルツボ３ａの原料ポリシリコンＭが溶融される（図２のステップＳ１）。
さらに、演算制御装置８ｂの指令によりモータ制御部１０ａと昇降装置制御部１１ａとが作動し、ルツボ３が所定の高さ位置において所定の回転速度で回転動作される。

次いで、演算制御装置８ｂの指令により電気コイル制御部１３ａを作動し、磁場印加用電気コイル１３に所定の電流が流される。これにより溶融液Ｍ内に所定の強度の磁場が印加される（図２のステップＳ２）。
そして、演算制御装置８ｂの指令により、ワイヤリール回転装置制御部１２が作動し、巻取り機構５ａが作動してワイヤ５ｂが降ろされる。そして、ワイヤ５ｂに取付けられた種結晶Ｐがシリコン溶融液Ｍに接触され、種結晶Ｐの先端部を溶解するネッキングが行われてネック部Ｐ１が形成される（図２のステップＳ３）。

ここで、液面位置検出装置１４が動作することにより融液面Ｍ１の所定の基準値に対する高さ位置が測定され、この測定に基づき融液面Ｍ１と輻射シールド６下端とのギャップｄ１を所定の距離に制御するギャップ制御処理が開始される（図２のステップＳ４）。
尚、このギャップ制御処理は、引上げ工程終了まで継続して行われる。

ネック部Ｐ１が形成されると、演算制御装置８ｂの指令によりヒータ４への供給電力や、引上げ速度（通常、毎分数ミリの速度）などをパラメータとして引上げ条件が調整され、クラウン工程（図２のステップＳ５）、直胴工程（図５のステップＳ６）が続けて行われる。

この直胴工程において、演算制御装置８ｂは不活性ガス供給手段２０を制御し、輻射シールド６と単結晶Ｃ（直胴部）との間に形成され、シリコン融液面Ｍ１に最も近接するギャップｄ２（第２のギャップ：例えば２２ｍｍ）を流れる不活性ガスＧの流速が、１ｍ／ｓｅｃ以上１５ｍ／ｓｅｃ以下となされる（図５のステップＳ７）。これは、ギャップｄ２を流れるガスＧの流速が１ｍ／ｓｅｃ未満の場合、融液表面の異物を結晶から遠ざける効果が無くなり、結晶が有転位化し易くなるためである。一方、ガスＧの流速が１５ｍ／ｓｅｃより大きい場合、結晶近傍の融液表面からのＳｉＯの蒸発効果が高くなり、低酸素濃度の融液が結晶外周に取り込まれ、その結果、結晶外周の酸素濃度が低下し、酸素の面内分布が悪化するためである。

尚、この流速制御は、炉体２内におけるギャップｄ２の設定とガス供給量との相関関係を予め測定し、その測定結果を不活性ガス供給手段２０の制御に用いることにより実現される。或いは、図示しない流速測定手段を設け、その測定結果を不活性ガス供給手段２０の制御にフィードバックするように構成してもよい。
また、直胴工程が終了すると、胴径を縮小するテール工程（図２のステップＳ８）が行われ、単結晶Ｃがプルチャンバ２ｂへと引上げられる。

前記したように、引上げ工程中はギャップ制御処理が行われる。このギャップ制御処理は、図３のフローに示すように、先ず、液面位置検出装置１４による融液面Ｍ１の高さ位置検出がなされ、コンピュータ８の演算制御装置８ｂには、引上げ工程中に変動する液面Ｍ１の高さ位置データが入力される（図３のステップＳ３１）。

演算制御装置８ｂにおいては、チャンバ２ｂ内で固定された輻射シールド６の下端位置と画像処理装置１７から入力された融液面Ｍ１の高さ位置とに基づきギャップｄ１の測定寸法を算出する。
そして、ギャップｄ１の測定寸法の変動が±１ｍｍ以内であるかを判断し（図３のステップＳ３２）、満たしていない場合には、その条件を満たすよう昇降装置制御部１１ａを制御して昇降装置１１によりルツボ３の高さ位置を調整する（図３のステップＳ３３）。
前記のように、引上工程中においては、ステップＳ３２の条件を満たすように制御がなされ、単結晶の引上げ工程が進行する（図３のステップＳ３４）。

尚、所望のギャップ寸法ｄ１の設定は、育成する結晶特性によって異なるが、例えば前面Ｖリッチ領域の結晶を育成する場合、引上げ速度が速いため、２０〜３０ｍｍに設定される。結晶面内全面がニュートラル領域となるような結晶を育成する場合には、４０〜８０ｍｍに設定される。いずれの場合であっても、引上げ工程中におけるギャップｄ１の変動は±１ｍｍ以内に抑えられ、これにより酸素濃度分布のばらつきが抑制される。

以上のように本発明に係る実施の形態においては、単結晶Ｃの引上げ工程中に亘り、シリコン融液Ｍの液面Ｍ１の高さ位置が測定され、測定値に基づき液面Ｍ１と輻射シールド６下端とのギャップｄ１が所定の寸法となるよう制御される。これにより、シリコン融液ＭからのＳｉＯガスの蒸発量が略一定になされ、軸方向の酸素濃度分布が均一な単結晶Ｃを得ることができる。
さらに、直胴部の形成時においては、輻射シールド６と単結晶Ｃ（直胴部）との間に形成され、融液面Ｍ１に最も近接するギャップｄ２を流れる不活性ガスＧの流速が、１ｍ／ｓｅｃ以上１５ｍ／ｓｅｃ以下となるよう制御される。これにより、ＳｉＯガスの蒸発効果を抑制し、結晶外周の酸素濃度を向上することができる。さらには、融液表面の異物を結晶から遠ざけ、結晶の有転位化を防止することができる。
したがって、本発明に係る方法によれば、全長に亘り酸素濃度分布が均一な単結晶Ｃを安定して得ることができる。

また、本発明に係る実施の形態によれば、１つのルツボ３を複数回の単結晶引上げに使用し、ルツボ３が経時変化した場合や、引上げ途中で有転位化した結晶を再溶融するためのヒータ温度上昇に伴いルツボ変形が加速される場合、さらにルツボ径が３０インチ以上で変形度が大きい等においても、常に液面Ｍ１の高さ位置を測定できるため、ギャップｄ１の変動を±１ｍｍ以内に抑えることができる。したがって、シリコン融液ＭからのＳｉＯガスの蒸発量を略一定にすることができ、軸方向における酸素濃度分布が均一な単結晶Ｃを安定して得ることできる。
また、ルツボ変形に拘らず輻射シールド６と単結晶Ｃとの間に形成されたギャップｄ２におけるガス流速を制御できるため、ＳｉＯガスの蒸発効果を抑制し結晶外周の酸素濃度を向上すると共に、融液表面の異物を結晶から遠ざけ、結晶の有転位化を防止することができる。

尚、前記実施の形態においては、融液面Ｍ１の高さ位置と輻射シールド６下端とのギャップｄ１を所定寸法に制御するため、ルツボ３の昇降移動により制御する例を示したが、これに限定されず、輻射シールド６を昇降移動させる手段を設け、輻射シールド６の昇降移動によりギャップｄ１の制御を行ってもよい。
また、前記実施の形態においては、融液面Ｍ１の高さ位置を測定する液面位置検出装置１４の構成として、レーザ光を利用した光学的手法により測定する構成としたが、この構成に限定されず、他の公知技術により液面位置を検出するようにしてもよい。

続いて、本発明に係る単結晶の製造方法について、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記実施の形態に示した構成の単結晶引上装置を用い、実際に実験を行うことにより、その効果を検証した。
〔実施例１〕
実施例１では、本発明に係る単結晶の製造方法により引上げを行い、複数回の引上げ工程を経た後のギャップ寸法の変動と、直胴部下部における結晶面内の酸素濃度面内分布を測定した。引上げ条件として、初期チャージ量：１４０ｋｇ、引上結晶本数：４本、結晶径：２０６ｍｍ、磁場方式：カスプ磁場、磁場強度（ルツボ壁）：４００Ｇａｕｓｓ、炉内Ａｒガス流量：１００Ｌ／ｍｉｎ、炉内圧：５０Ｔｏｒｒ、ルツボ回転速度：８ｒｐｍ、結晶回転速度：１３ｒｐｍ、融液と輻射シールド下端とのギャップ設定値（実施形態でのギャップｄ１）：３０ｍｍ、単結晶と輻射シールドとの間のギャップ設定値（実施形態でのギャップｄ２）：２２ｍｍ、単結晶と輻射シールドとの間のギャップ（実施形態でのギャップｄ２）における不活性ガスの流速：８．５ｍ／ｓｅｃとした。

実験結果として、ギャップ寸法の変化を図６のグラフに示し酸素濃度面内分布を図７のグラフに示す。尚、酸素濃度面内分布は、結晶をウエハ加工した後、面内を５ｍｍピッチで中心から半径９０ｍｍまで測定し、（（面内最大値−面内最小値）／面内最小値）・１００（％）で示した。
図６に示すように、ギャップ寸法の変動は±１ｍｍ以内に抑えられた。また、酸素濃度面内分布は、図７に示すように全てのロットで４％以下となった。

〔比較例１〕
比較例１では、単結晶の育成前において、１度のみギャップ調整を行った。その他の条件は、実施例１と同様である。
実験結果として、ギャップ寸法の変化を図８のグラフに示し、酸素濃度面内分布を図９のグラフに示す。
図８に示すように、ギャップ寸法の変動は単結晶育成中に最大５ｍｍ程度まで拡大した。また、酸素濃度面内分布は、図９に示すように４％を超え、７％付近まで分散したロットの発生が確認された。

〔比較例２〕
比較例２では、単結晶と輻射シールドとの間のギャップ（実施形態でのギャップｄ２）における不活性ガスの流速を１６ｍ／ｓｅｃに設定した。その他の条件は、実施例１と同様である。
実験結果として、酸素濃度面内分布を図１０のグラフに示す。図１０に示すように酸素濃度面内分布は、２％付近に集中したが、４％を越えるロットの発生が確認された。この結果から、単結晶と輻射シールドとの間のギャップ（実施形態でのギャップｄ２）における不活性ガスの流速が１５ｍ／ｓｅｃであれば、略全てのロットにおいて酸素濃度面内分布を４％以下に抑えられると考察された。
以上の実施例の実験結果から、本発明によれば、１つのルツボを用いて連続して製造される複数の単結晶の酸素濃度を均一とし、所望の特性を有する単結晶を安定して製造することができると確認した。

本発明は、チョクラルスキー法によって単結晶を引上げる単結晶の製造方法に関するものであり、半導体製造業界等において好適に用いられる。

図１は、本発明に係る単結晶の製造方法が実施される単結晶引上装置の構成を模式的に示すブロック図である。 図２は、本発明に係る単結晶の製造方法による工程を示すフローである。 図３は、図２のフロー中におけるギャップ制御処理のフローである。 図４は、従来のＣＺ法を用いた引上げ法を説明するための図である。 図５は、従来のＣＺ法を用いた引上げ法においてネック部の形成を説明するための図である。 図６は、実施例１の結果を示すグラフである。 図７は、実施例１の結果を示す他のグラフである。 図８は、比較例１の結果を示すグラフである。 図９は、比較例１の結果を示す他のグラフである。 図１０は、比較例２の結果を示すグラフである。

符号の説明

１ 単結晶引上装置
２ 炉体
２ａ メインチャンバ
２ｂ プルチャンバ
３ ルツボ
３ａ 石英ガラスルツボ
３ｂ 黒鉛ルツボ
４ ヒータ
５ 引上げ機構
６ 輻射シールド
８ コンピュータ
８ａ 記憶装置
８ｂ 演算記憶装置
１３ 磁場印加用電気コイル
１４ 液面位置検出装置
１５ レーザ光発振器
１６ ＣＣＤカメラ
１７ 画像処理装置
Ｃ 単結晶
Ｍ 原料ポリシリコン、シリコン溶融液
Ｐ 種結晶
Ｐ１ ネック部

Claims (4)

1. リチャージ法により同一石英ルツボを用いてシリコン単結晶を複数本引上げる単結晶の製造方法において、
   前記単結晶の引上げ開始から終了までの間、
   前記シリコン融液面と該融液面上方に設けられた輻射シールド下端との間に形成される第１のギャップの変動を±１ｍｍ以内に制御し、
   前記炉体内の上方から下方に向かうガス流を形成すると共に、前記輻射シールドと前記単結晶との間に形成され、前記シリコン融液面に最も近接した第２のギャップを流れるガスの流速が、１ｍ／ｓｅｃ以上１５ｍ／ｓｅｃ以下となるよう制御することを特徴とする単結晶の製造方法。
2. 前記第１のギャップの変動の制御において、
   前記シリコン融液の液面高さを測定し、該測定された液面高さに基づき前記第１のギャップの寸法を算出し、
   前記算出された第１のギャップの寸法に基づき前記ルツボの高さ位置を調整することを特徴とする請求項１に記載された単結晶の製造方法。
3. 前記第１のギャップの変動の制御において、
   前記シリコン融液の液面高さを測定し、該測定された液面高さに基づき前記第１のギャップの寸法を算出し、
   前記算出された第１のギャップの寸法に基づき前記輻射シールドの高さ位置を調整することを特徴とする請求項１に記載された単結晶の製造方法。
4. 前記第２のギャップを流れるガスの流速の制御は、前記炉体内の圧力と、炉体内の上方から供給するガス流量を調整することにより行うことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された単結晶の製造方法。

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