JP2008182512A5 - - Google Patents

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  1. 基板上に第１電極を形成する工程と、
    前記第１電極上に圧電体層を形成する工程と、
    前記圧電体層上に第１の温度補償層を形成する工程と、
    前記第１の温度補償層上に第２電極を形成する工程と、
    前記第２電極上に前記第１の温度補償層よりも厚い第２の温度補償層を形成する工程と、を具備することを特徴とするバルク音響振動子の製造方法。
  2. 基板上に第１電極を形成する工程と、
    前記第１電極上に第１の温度補償層を形成する工程と、
    前記第１の温度補償層上に圧電体層を形成する工程と、
    前記圧電体層上に第２電極を形成する工程と、
    前記第２電極上に前記第１の温度補償層よりも厚い第２の温度補償層を形成する工程と、を具備することを特徴とするバルク音響振動子の製造方法。
  3. 前記第１電極と前記圧電体層と前記第２電極と前記第１の温度補償層とを含む積層部は、負の周波数温度特性を有することを特徴とする請求項１または２に記載のバルク音響振動子の製造方法。
  4. 前記第１の温度補償層および前記第２の温度補償層は、ＳｉＯ 2 、ＴｅＯ 5 、ＺｒＯ、ＺｒＯ 2 、ＦｅＮｉ合金のいずれかの材料を用いることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載のバルク音響振動子の製造方法。
  5. 基板と、
    前記基板上に形成された第１電極と、
    前記第１電極の上層に形成された圧電体層と、
    前記圧電体層の上層に形成された第２電極と、
    前記第１電極の上層で且つ前記第２電極の下層に形成された第１の温度補償層と、
    前記第２電極の上層に形成され前記第１の温度補償層よりも厚い第２の温度補償層と、を具備することを特徴とするバルク音響振動子。
  6. 前記第１の温度補償層および前記第２の温度補償層は、ＳｉＯ 2 、ＴｅＯ 5 、ＺｒＯ、ＺｒＯ 2 、ＦｅＮｉ合金のいずれかの材料を用いることを特徴とする請求項５に記載のバルク音響振動子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9240767B2 (en) * 2012-05-31 2016-01-19 Texas Instruments Incorporated Temperature-controlled integrated piezoelectric resonator apparatus
CN102904546B (zh) * 2012-08-30 2016-04-13 中兴通讯股份有限公司 一种温度补偿能力可调节的压电声波谐振器
JP6885533B2 (ja) * 2017-01-27 2021-06-16 新日本無線株式会社 バルク弾性波共振器の製造方法
CN109831175B (zh) * 2018-12-26 2023-10-20 天津大学 一种薄膜体声波谐振器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5829211A (ja) * 1981-08-13 1983-02-21 Nec Corp 薄膜圧電振動子
JPS58137317A (ja) * 1982-02-09 1983-08-15 Nec Corp 圧電薄膜複合振動子
JP3514222B2 (ja) * 1999-11-17 2004-03-31 株式会社村田製作所 圧電共振子、電子部品及び電子機器
JP3498682B2 (ja) * 2000-06-23 2004-02-16 株式会社村田製作所 圧電共振子およびそれを用いた圧電フィルタ
DE10162580A1 (de) * 2001-12-19 2003-07-17 Infineon Technologies Ag Piezoelektrischer Schwingkreis, Verfahren zu dessen Herstellung und Filteranordnung
JP2005051685A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Matsushita Electric Works Ltd 超音波センサの共振周波数調整方法及び装置
US7358831B2 (en) * 2003-10-30 2008-04-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging
JP2005184491A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Mitsubishi Electric Corp 圧電体薄膜素子ならびにその周波数調整方法および周波数調整装置
JP2007006542A (ja) * 2006-10-13 2007-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電薄膜振動子及びその共振周波数調整方法

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