JP2008177268A - フィン型電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SOIウエハを用いて、単結晶シリコン層3を下地の埋め込み酸化物層2が露出するまで選択的にドライエッチングしてフィン状の突起部5を形成し、突起部5に生じたダメージを含む表面を酸化して犠牲酸化膜6を形成し、この犠牲酸化膜6をエッチングにより除去して、清浄な表面を有するフィンを形成し、フィン型電界効果トランジスタを製造するにあたり、エッチングの際に、犠牲酸化膜6のエッチング速度(r1 )が、埋め込み酸化物層2のエッチング速度(r2 )よりも高くなるようにする。
【選択図】図1
Description
これらの事実から、微細化による駆動能力増加と低消費電力化を同時に進めることは非常に困難な状況となってきている。
このSOIウエハは、単結晶シリコン基板ウエハに、絶縁材料からなる埋め込み酸化物(Buried Oxide)層と単結晶シリコン層とが積層されたものである。ここに、埋め込み酸化物層は、通常、熱酸化法によって形成される。
まず、SOIウエハに、プラズマエッチング等のドライエッチングを施してフィン状の突起部を形成する。この突起部は最終的に形成されるフィンよりも大きなサイズとする。しかして、この突起部の表面にはプラズマ等によるダメージが生じる。
図1(a)〜(f)は、本発明の一実施形態に係るフィン型電界効果トランジスタの製造方法を示す工程断面図である。この実施形態に係る製造方法は、SOIウエハを用いる製造方法であって、ドライエッチングにより突起部を形成する工程と、突起部に犠牲酸化膜を形成する工程と、犠牲酸化膜をウエットエッチングにより除去する工程とを含む。
埋め込み酸化物層2の膜厚は、例えば130〜160nmとされる。この範囲であれば、電界効果トランジスタのオフ状態の漏電流を十分に抑制することができる。
次に、単結晶シリコン層3のうちハードマスク4が除去されて露出した表面に対応する部分を、埋め込み酸化物層2が露出するまで、ドライエッチングにより除去する。これにより、図1(c)に示すように、フィン状の突起部5が、埋め込み酸化物層2の上に形成される。その後、リン酸およびフッ酸処理を用い、図1(d)に示すように、突起部5の上のハードマスク4を除去する。
ドライエッチングの際にダメージ層が形成されることから、突起部5の幅を最終的に形成されるフィンの幅よりも大きく設定して、ダメージ層を除去する際の削り代を確保するようにする。
/w)は1.5〜2.0であることが好ましい。
次のウエットエッチング工程により清浄な表面のフィンを形成するために、犠牲酸化膜6は、突起部5のダメージが存在する領域(ダメージ層)を包含できる膜厚を有していることが必要である。犠牲酸化膜6の膜厚は、例えば30〜40nmとされ、この膜厚は酸化処理条件を制御することにより適宜調整することができる。
犠牲酸化膜6のエッチング速度(r1 )が、埋め込み酸化物層2のエッチング速度(r2 )よりも高いことにより、後述する犠牲酸化膜の除去工程において、くびれの原因となる埋め込み酸化物層のエッチングがあまり進行しないうちに犠牲酸化膜の除去を完了させることができる。すなわち、犠牲酸化膜の除去が完了した時点で、埋め込み酸化物層では、くびれがあまり進行していない状態とすることができるので、得られるフィン型電界効果トランジスタは、フィンの基端部分においてくびれの抑制されたものとなる。好適には、犠牲酸化膜の除去工程において、埋め込み酸化物層のエッチングが進行する前に犠牲酸化膜の除去が完了することである。この場合には、埋め込み酸化物層では、くびれの形成に至るほどにエッチングが進行していないので、得られるフィン型電界効果トランジスタは、フィンの基端部分において実質的にくびれのないものとなる。
エッチング速度の比率(r1 /r2 )としては、1.0を超えるものであればよいが、1.2以上であることが好ましく、更に好ましくは1.2〜1.6とされる。
このRLSAマイクロ波方式のプラズマ処理は、低電子温度で高密度のプラズマで低温処理が可能であることから、フッ酸をはじめとする各種のエッチング液に対するエッチング速度が高いシリコン酸化物膜(犠牲酸化膜)を形成することができ、形成される犠牲酸化膜は、熱酸化法により形成されるものと比較して表面の平坦性が優れている。また、下地へのプラズマダメージが殆どなく、犠牲酸化膜を除去した後のフィン表面の平坦性にも優れている。さらに、熱酸化法を採用したときに懸念される高温処理条件に伴う特性劣化の問題も回避することができる。
好適な処理ガスとして、具体的には、アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス、アルゴンガスと酸素ガスと水素ガスとの混合ガスを挙げることができる。
マイクロ波の出力としては2〜4W/cm2であることが好ましく、更に好ましくは2.5〜4W/cm2とされる。
希ガスの流量としては100〜2000mL/min(sccm)であることが好ましく、更に好ましくは500〜1000mL/min(sccm)とされる。
酸素ガスの流量としては5〜50mL/min(sccm)であることが好ましく、更に好ましくは5〜10mL/min(sccm) とされる。
ここに、プラズマ処理では、アルゴンガスと酸素ガスとを使用した場合(図中−○−)、アルゴンガスと酸素ガスと水素ガスとを使用した場合(図中−■−)の2種類について測定した。
また、プラズマ酸化処理、特にRLSAマイクロ波プラズマ方式により犠牲酸化膜6を除去した後のフィン7の表面状態は、平坦性に優れている。さらに、RLSAマイクロ波プラズマ方式のプラズマ酸化処理は低温(例えば300〜600℃)で行われるために、特性劣化も生じない。
このように、本実施形態で製造されたフィン型電界効果トランジスタはフィン7の基端部のくびれの形成が抑制されており、好適にはくびれが実質的に存在しないので、くびれにゲート配線材料等が残留することに起因するデバイス性能への悪影響を抑制することができる。また、フィン7が埋め込み酸化物層2によって確実に保持されるので、フィンが倒れるという強度的な問題も生じさせない。
例えば、上記実施形態では、犠牲酸化膜を除去するための工程として、フッ酸によるウエットエッチングを用いたが、エッチング液はフッ酸に限らず他のものでもよく、またウエットエッチングに代えて、窒素もしくは窒素含有化合物(例えばNH3 ガス)より誘導される反応種と、フッ素もしくはフッ素含有化合物(例えばHFガス)より誘導される反応種とを犠牲酸化膜に供給することによって当該犠牲酸化膜を改質すると共に、これを加熱して気化させる工程(エッチング)を採用することもできる。このプロセスはプラズマレスであるからドライプロセスでありながら低ダメージの処理を行うことができる。この場合において、反応種の供給プロセスを最適化することで犠牲酸化膜を優先的・選択的に改質することにより、犠牲酸化膜を選択的に除去することが可能となる。このような犠牲酸化膜を改質・気化して除去するこの手段は、エッチングの異方性をもたせることができ、埋め込み酸化物層の露出部分がある程度エッチングされる場合であっても、フィンの直下(非露出部分)のシリコン酸化物がサイドエッチングされること(くびれの形成)を有効に防止できる可能性がある。
2;埋め込み酸化物層
3;単結晶シリコン層
4;ハードマスク
5;突起部
6;犠牲酸化膜
7;フィン
51;チャンバー
52;サセプタ
53;ガス導入部
54;平面アンテナ
54a;マイクロ波透過孔
55;マイクロ波発生部
56;マイクロ波伝送機構
61;マイクロ波透過板
62;シールド部材
63;排気管
71;導波管
72;同軸導波管
73;内導体
74;外導体
75;モード変換機構
Claims (12)
- Si基板上に絶縁材料からなる埋め込み酸化物層が形成され、さらにその上に単結晶シリコン層が形成されてなるSOIウエハを用いてフィン型電界効果トランジスタを製造する方法であって、
前記単結晶シリコン層を下地の埋め込み酸化物層が露出するまで選択的にドライエッチングしてフィン状の突起部を形成する工程と、
前記突起部に生じたダメージを含む表面を酸化して犠牲酸化膜を形成する工程と、
この犠牲酸化膜をエッチングにより除去して、清浄な表面を有するフィンを形成する工程とを含み、
前記エッチングの際に、前記犠牲酸化膜のエッチング速度(r1 )が、前記埋め込み酸化物層のエッチング速度(r2 )よりも大きいことを特徴とするフィン型電界効果トランジスタの製造方法。 - 前記犠牲酸化膜が、プラズマ酸化処理により形成されることを特徴とする請求項1に記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
- 前記犠牲酸化膜が、RLSA (Radical Line Slot Antenna)マイクロ波プラズマ方式のプラズマ酸化処理により形成されることを特徴とする請求項2に記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
- 前記RLSAマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理において、希ガスと酸素ガスとを含む処理ガスを用いることを特徴とする請求項3に記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
- 前記RLSAマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理において、処理ガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用いることを特徴とする請求項4に記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
- 前記RLSAマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理において、処理ガスとしてアルゴンガスと酸素ガスと水素ガスとを用いることを特徴とする請求項3に記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
- 前記RLSAマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理における処理温度が300〜600℃である請求項3から請求項6のいずれかに記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
- 前記RLSAマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理における処理温度が400〜500℃である請求項3から請求項6のいずれかに記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
- 前記犠牲酸化膜のエッチング速度と、前記埋め込み酸化物層のエッチング速度との比率(r1 /r2 )が1.2以上であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
- ウエットエッチングにより犠牲酸化膜を除去することを特徴とする請求項1から請求項9のいずれかに記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
- ウエットエッチングの際のエッチング液としてフッ酸を用いることを特徴とする請求項10に記載のフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
- Si基板上に絶縁材料からなる埋め込み酸化物層が形成され、さらにその上に単結晶シリコン層が形成されてなるSOIウエハを用いてフィン型電界効果トランジスタを製造する方法であって、
前記単結晶シリコン層を下地の埋め込み酸化物層が露出するまで選択的にドライエッチングしてフィン状の突起部を形成する工程と、
前記突起部に生じたダメージを含む表面を酸化して犠牲酸化膜を形成する工程と、
この犠牲酸化膜をウエットエッチングにより除去して、清浄な表面を有するフィンを形成する工程とを含み、
前記ウエットエッチングの際に使用するエッチング液に対して、前記犠牲酸化膜のエッチング速度が、前記埋め込み酸化物層のエッチング速度よりも高いことを特徴とするフィン型電界効果トランジスタの製造方法。
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