JP2008170934A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 画素薄膜トランジスタが形成されている第１基板、前記第１基板に対向する第２基板、及び前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層を含む液晶表示装置において、
   前記第１基板は、
   前記画素薄膜トランジスタが形成されている表示領域と、前記表示領域を取り囲む非表示領域とを有する第１絶縁基板と、
   前記表示領域に形成され、前記画素薄膜トランジスタに電気的に接続されているゲート線と、
   前記非表示領域に位置して前記画素薄膜トランジスタを駆動し、駆動薄膜トランジスタを含む駆動部と、
   前記第１絶縁基板上の前記駆動部の周辺領域に形成されているダミー半導体層と、
   を含み、
   前記駆動部は、前記ゲート線と接続されて前記ゲート線を駆動するゲート駆動部を含み、
   前記ダミー半導体層は、少なくとも一部が前記ゲート駆動部と前記表示領域との間に形成されることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記ダミー半導体層は、前記ゲート駆動部の外周側にさらに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記駆動薄膜トランジスタは半導体層を含み、
   前記半導体層と前記ダミー半導体層は同一の層であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記ダミー半導体層と前記ゲート線とは離間していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記第２基板は、
   前記表示領域上に形成されている内部ブラックマトリックスと、
   前記非表示領域上に形成されている外部ブラックマトリックスと、
   を含み、前記ゲート駆動部は前記外部ブラックマトリックスの領域内に位置することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 前記外部ブラックマトリックスは有機物からなり、
   前記第２基板は、少なくとも一部が前記表示領域に対応して形成されており、前記ゲート駆動部とは対向しない共通電極をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 画素薄膜トランジスタが形成されている第１基板、前記第１基板に対向する第２基板、及び前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層を含む液晶表示装置において、
   前記第１基板は、
   前記画素薄膜トランジスタが形成されている表示領域と、前記表示領域を取り囲む非表示領域とを有する第１絶縁基板と、
   前記表示領域に形成され、前記画素薄膜トランジスタに電気的に接続されているゲート線と、
   前記非表示領域に位置して前記画素薄膜トランジスタを駆動し、駆動薄膜トランジスタを含む駆動部と、
   を含み、前記第２基板は、
   前記非表示領域に対応して形成される外部ブラックマトリックスと、
   少なくとも一部が前記表示領域に対応して形成され、前記駆動部と対向しない共通電極と、
   を含み、
   前記駆動部は、前記ゲート線に接続されて前記ゲート線を駆動するゲート駆動部を含み、
   前記ゲート駆動部は、外部ブラックマトリックスの領域内に位置することを特徴とする液晶表示装置。
8. 前記第１基板は、前記ゲート駆動部の周辺領域に形成されるダミー半導体層をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記ダミー半導体層は、少なくとも一部が前記ゲート駆動部と前記表示領域との間に形成されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
10. 前記ダミー半導体層は、少なくとも一部が前記ゲート駆動部の外周側に形成されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。