JP2008169340A - 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法 - Google Patents
重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008169340A JP2008169340A JP2007005280A JP2007005280A JP2008169340A JP 2008169340 A JP2008169340 A JP 2008169340A JP 2007005280 A JP2007005280 A JP 2007005280A JP 2007005280 A JP2007005280 A JP 2007005280A JP 2008169340 A JP2008169340 A JP 2008169340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- formula
- carbon atoms
- polymer
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 CCOC1(CC(C)C2)CC2C(C*(C)=C)*C1 Chemical compound CCOC1(CC(C)C2)CC2C(C*(C)=C)*C1 0.000 description 6
- FTRQTUIGTQZQBL-UHFFFAOYSA-N CCOC1C(C)(CC2)C(C)(C)C2C1 Chemical compound CCOC1C(C)(CC2)C(C)(C)C2C1 FTRQTUIGTQZQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWPRXYFSKLDCOZ-UHFFFAOYSA-N CCOC1C(C2)C(CCC3)C3C2C1 Chemical compound CCOC1C(C2)C(CCC3)C3C2C1 AWPRXYFSKLDCOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTLXGZSEWVXYNH-UHFFFAOYSA-N CCOCC(C1)C2C(C3CC4CC3)C4C1C2 Chemical compound CCOCC(C1)C2C(C3CC4CC3)C4C1C2 LTLXGZSEWVXYNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGSKSXXCWLILGJ-UHFFFAOYSA-N CCOCC(C1)C2C(CCC3)C3C1C2 Chemical compound CCOCC(C1)C2C(CCC3)C3C1C2 KGSKSXXCWLILGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPVQRBUAPHLRFE-UHFFFAOYSA-N CCOCC1C(C)(CC2)C(C)(C)C2C1 Chemical compound CCOCC1C(C)(CC2)C(C)(C)C2C1 XPVQRBUAPHLRFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVDANNJUOWZZMG-UHFFFAOYSA-N CCOCC1C(CC2)CC2C1 Chemical compound CCOCC1C(CC2)CC2C1 RVDANNJUOWZZMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
【課題を解決するための手段】
特定のナフタレン骨格を有する構成単位(A)及び特定の親水性基を有する構成単位(D)を含有するレジスト用の重合体、レジスト組成物、及びレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、250nm以下の波長の光で露光する工程及び現像液で現像する工程を有するパターンが形成された基板の製造方法。
【選択図】なし
Description
現在では、KrFエキシマレーザー(波長:248nm)リソグラフィー技術が市場に導入され、より短波長化を図ったArFエキシマレーザー(波長:193nm)リソグラフィー技術及びEUVエキシマレーザー(波長:13nm)リソグラフィー技術が研究されている。更に、最近ではこれらの液浸リソグラフィー技術も研究されている。また、これらとは異なるタイプのリソグラフィー技術として、電子線リソグラフィー技術についても精力的に研究されている。
例えば、ArFエキシマレーザーリソグラフィーにおいて使用される化学増幅型レジスト樹脂として、波長193nmの光に対して透明なアクリル系樹脂が注目されている。このようなアクリル系樹脂としては、例えば、特許文献1及び特許文献2には、エステル部にアダマンタン骨格を有する(メタ)アクリル酸エステルとエステル部にラクトン骨格を有する(メタ)アクリル酸エステルの重合体が開示されている。
しかしながら、これらの樹脂はレジストのドライエッチング耐性には優れるものの、特にArFエキシマレーザー(波長:193nm)リソグラフィーの場合、露光波長における重合体の光線透過率が十分でない場合や、他の単量体との共重合性が十分でない場合が多く、レジスト組成物の感度や解像度へ悪影響を及ぼす可能性がある。
更に、上記重合体を含むレジスト組成物、及びこのレジスト組成物を用いてパターンが形成された基板の製造方法を提供することを目的とする。
また、第2の発明は、重合体(P)を含有するレジスト組成物である。
更に、第3の発明は、前記レジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、250nm以下の波長の光で露光する工程及び現像液で現像する工程を有するパターンが形成された基板の製造方法である。
また、X51、X52、X53、X54、X55及びX56で置換される位置は環状構造のどの位置であってもよい。
ここで、R571とR572におけるアルキル基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数2〜6のアシル基又は炭素数1〜6のアルコールとエステル化されたカルボキシ基を有していても良い。また、R571とR572における橋かけ環式炭化水素基は、炭素数1〜6の直鎖又は分岐アルキル基を有していてもよく、前記アルキル基はヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数2〜6のアシル基又は炭素数1〜6のアルコールとエステル化されたカルボキシ基を有していてもよい。
また、本発明の基板の製造方法により高精度の微細なパターンが形成された基板を製造することができる。
構成単位(A)
本発明においては、式(1−3)で表されるナフタレン骨格を有する構成単位(A)が重合体(P)の構成単位として含まれる。
式(1−3)中のR10は水素原子又はメチル基を表す。
式(1−3)中のGは、−C(=O)−O−、−O−又は−O−C(=O)−のいずれかを表す。中でも、構成単位(A)を与える単量体(a)の重合性の点から、−C(=O)−O−又は−O−C(=O)−が好ましい。
ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子及びリン原子が挙げられる。
炭素数1〜20の直鎖、分岐又は環状の2価の炭化水素基としては、例えば、下式(2−1)〜式(2−33)が挙げられる。
また、L1’は、レジストのドライエッチング耐性の点から、下式(1−11)〜式(1−14)から選ばれる少なくとも1種が好ましい。
尚、式(1−11)〜式(1−14)中、左上の結合手はGへ、右下の結合手は酸素原子又はナフタレン環へそれぞれ結合する。
重合体(P)への波長193nmの光線透過率の点から、Yは−OH又は−OR13が好ましく、−OHが特に好ましい。R13は炭素数1〜20の直鎖、分岐又は環状の炭化水素基を表す。この炭化水素基はヘテロ原子を有していてもよい。
R13としては、例えば、下式(3−1)〜式(3−27)が挙げられる。
尚、本発明において、「酸脱離性基」は酸の作用により分解又は脱離する基をいう。
(i)R121、R122、R123、R141、R142及びR143は、それぞれ独立に、炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体又は炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐のアルキル基を表す。また、R121、R122及びR123のうち少なくとも1つ並びにR141、R142及びR143のうち少なくとも1つがこの脂環式炭化水素基又はその誘導体を表す。
(ii)R121、R122及びR123のうち何れか2つ並びにR141、R142及びR143のうち何れか2つが互いに結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に、炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基又はその誘導体を形成する。R121、R122及びR123のうち結合に関与しなかった残りの1つ並びにR141、R142及びR143のうち結合に関与しなかった残りの1つは炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐のアルキル基又は炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体を表す。
(i)R133及びR153は炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体又は炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐のアルキル基を表す。R131、R132、R151及びR152はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐のアルキル基を表す。
(ii)R131とR133、R132とR133、R151とR153又はR152とR153の2つが互いに結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に、炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基又はその誘導体を形成する。R131及びR132のうち結合に関与しなかった残りの1つ並びにR151及びR152のうち結合に関与しなかった残りの1つは水素原子を表す。
重合体(P)中の構成単位(A)の含有量は、レジストのドライエッチング耐性や屈折率の点で、3モル%以上が好ましく、5モル%以上がより好ましい。また、重合体(P)中の構成単位(A)の含有量は、レジスト組成物の感度及び解像度の点で、30モル%以下が好ましく、20モル%以下がより好ましく、15モル%以下が更に好ましい。
また、レジスト組成物の保存安定性の点で、式(8−31)〜式(8−37)、式(8−53)〜式(8−59)及び式(8−71)〜式(8−78)で表される単量体並びにこれらの幾何異性体及び光学異性体が好ましい。
酸触媒の使用量は2−ヒドロキシ−6−ヒドロキシメチルナフタレン100モル部に対して0.1〜10モル部が好ましい。酸触媒の使用量が0.1モル部以上の場合に反応速度を高くできる傾向にあり、また10モル部以下の場合に副生成物の生成を抑制できる傾向にある。酸触媒の使用量の下限値は0.5モル部以上がより好ましく、また、上限値は3モル部以下がより好ましい。
塩基の使用量は2−ヒドロキシ−6−ヒドロキシメチルナフタレン100モル部に対して0.5〜10モル部が好ましい。塩基の使用量は、副生成物の点で、1〜8モル部がより好ましい。
前記反応では溶媒を使用することができる。溶媒としては、(メタ)アクリル酸又は無水(メタ)アクリル酸を使用した反応における溶媒と同様のものが挙げられる。
前記反応では溶媒を使用することができる。溶媒としては、(メタ)アクリル酸又は無水(メタ)アクリル酸を使用した反応における溶媒と同様のものが挙げられる。
また、構成単位(A)が親水性基を有している場合、レジストのパターン矩形性が良好となる傾向にある。尚、この場合、構成単位(A)は、後述する構成単位(D)にも該当することになるが、本発明においては、このような構成単位は構成単位(A)とみなす。
構成単位(D)
親水性基としては、−C(CF3)2−OH、ヒドロキシ基、シアノ基、メトキシ基、カルボキシ基、アミノ基等が挙げられ、1種で又は2種以上を併用して使用できる。
構成単位(D)は、構成単位(A)と組み合わせて用いると、レジスト組成物のディフェクトの更なる低減や、レジストのパターン矩形性の更なる改善に効果を奏することができる。
構成単位(D)の含有量は、レジストのパターン矩形性の点で、重合体(P)中に5〜30モル%が好ましく、10〜25モル%がより好ましい。
式(5−1)中のn51は、レジストのドライエッチング耐性の点で、1が好ましい。
式(5−1)中のX51は、レジストのパターン形状の点で、−C(CF3)2−OH、ヒドロキシ基、シアノ基又はメトキシ基が好ましい。
式(5−2)中のX52は、レジストのパターン形状の点で、−C(CF3)2−OH、ヒドロキシ基、シアノ基又はメトキシ基が好ましい。
式(5−3)中のW1及びW2は、レジストのドライエッチング耐性の点で、それぞれ独立して−CH2−又は−CH2CH2−が好ましい。
式(5−3)中のR531、R532、R533及びR534は、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、それぞれ独立して水素原子、メチル基、エチル基又はイソプロピル基が好ましい。
式(5−3)中のX53は、レジストのパターン形状の点で、−C(CF3)2−OH、ヒドロキシ基、シアノ基又はメトキシ基が好ましい。
式(5−3)中のq1は、レジストのドライエッチング耐性の点で、1が好ましく、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、0が好ましい。
式(5−4)中のn54は、レジストのドライエッチング耐性の点で、1が好ましい。
式(5−4)中のX54は、レジストのパターン形状の点で、−C(CF3)2−OH、ヒドロキシ基、シアノ基又はメトキシ基が好ましい。
式(5−4)中のr1は、レジストのドライエッチング耐性の点で、1が好ましく、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、0が好ましい。
式(5−5)中のn55は、レジストのドライエッチング耐性の点で、1が好ましい。
式(5−5)中のX55は、レジストのパターン形状の点で、−C(CF3)2−OH、ヒドロキシ基、シアノ基又はメトキシ基が好ましい。
式(5−6)中のW3は、レジストのドライエッチング耐性の点で、−CH2−又は−CH2CH2−が好ましい。
式(5−6)中のR535及びR536は、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、それぞれ独立して水素原子、メチル基、エチル基又はイソプロピル基が好ましい。
式(5−6)中のX56は、レジストのパターン形状の点で、−C(CF3)2−OH、ヒドロキシ基、シアノ基又はメトキシ基が好ましい。
式(5−6)中のq2は、レジストのドライエッチング耐性の点で、1が好ましく、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、0が好ましい。
尚、式(5−1)〜式(5−7)において、X51、X52、X53、X54、X55及びX56で置換される位置は、環状構造のどの位置であってもよい。
構成単位(D)は、1種で又は2種以上を併用して使用できる。
単量体(d)としては、例えば、下式(13−1)〜式(13−79)で表される単量体が挙げられる。式(13−1)〜式(13−79)中、Rは水素原子又はメチル基を表す。
また、構成単位(D)がラクトン骨格を有する場合、レジスト組成物の感度がより優れる傾向にある。尚、この場合、構成単位(D)は後述する構成単位(B)にも該当することになるが、本発明においては、このような構成単位は構成単位(B)とみなす。
構成単位(B)
構成単位(B)の含有量は、レジスト組成物の基板への密着性の点から、重合体(P)中に30モル%以上が好ましく、35モル%以上がより好ましい。また、構成単位(B)の含有量は、レジスト組成物の感度及び解像度の点で、重合体(P)中に60モル%以下が好ましく、55モル%以下がより好ましく、50モル%以下が更に好ましい。
また、構成単位(B)が親水性基を有している場合、レジストのパターン矩形性が良好となる傾向にある。尚、この場合、構成単位(B)は後述する構成単位(D)にも該当することになるが、本発明においては、このような構成単位は構成単位(B)とみなす。
n5、n6、n7、n8及びn9はそれぞれ独立に0〜4の整数を表す。尚、n5、n6、n7、n8及びn9が2以上の場合にはX5、X6、X7、X8及びX9はそれぞれ複数の異なる基を有することができる。
Y21及びY22はそれぞれ独立に−CH2−又は−C(=O)−を表し、そのうち少なくとも一つは−C(=O)−を表す。
iは0又は1を表す。m及びm1は1又は2を表す。
式(4−1)中のmは、レジスト組成物の感度及び解像度の点で、1が好ましい。
式(4−2)中のR201及びR202は、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、それぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基又はイソプロピル基が好ましい。
式(4−2)中のn6は、レジストのドライエッチング耐性の点で、0が好ましい。
式(4−3)中のR203及びR204は、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、それぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基又はイソプロピル基が好ましい。
式(4−3)中のn7は、レジストのドライエッチング耐性の点で、0が好ましい。
式(4−4)中のY11、Y12及びY13は、レジスト組成物の基板表面等への密着性の点で、一つが−C(=O)−O−であり、残りの二つが−CH2−であることが好ましい。
式(4−4)中のn8は、レジストのドライエッチング耐性の点で、0が好ましい。
式(4−5)中のm1は、レジスト組成物の感度及び解像度の点で、1が好ましい。
式(4−6)中のR208及びR209は、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、それぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基又はイソプロピル基が好ましい。
式(4−6)中のY21及びY22は、レジスト組成物の基板表面等への密着性の点で、1つが−C(=O)−であり、残りの1つが−CH2−であることが好ましい。
式(4−6)中のn9は、レジストのドライエッチング耐性の点で、0が好ましい。
構成単位(B)を有する重合体は構成単位(B)を与える単量体(b)を含む単量体を重合することによって製造できる。
単量体(b)としては、例えば、下式(10−1)〜式(10−29)で表される単量体が挙げられる。式(10−1)〜式(10−29)中、Rは水素原子又はメチル基を表す。
構成単位(C)
構成単位(C)の含有量は、レジスト組成物の感度及び解像度の点で、重合体(P)中に20モル%以上が好ましく、25モル%以上がより好ましい。また、構成単位(C)の含有量は、レジスト組成物の基板表面等への密着性の点で、重合体(P)中に60モル%以下が好ましく、55モル%以下がより好ましく、50モル%以下が更に好ましい。
また、構成単位(C)が親水性基を有する場合、レジスト組成物の感度がより優れる傾向にある。尚、この場合、構成単位(C)は構成単位(D)にも該当することになるが、本発明においては、このような構成単位は構成単位(C)とみなす。
R1、R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立に炭素数1〜3のアルキル基を表す。
X1、X2、X3、X4、X51及びX61は、それぞれ独立に炭素数1〜6の直鎖又は分岐アルキル基を表す。
V1、V2、V3、V4、V5及びV6は、それぞれ独立に−O−、−S−、−NH−又は鎖長1〜6のメチレン鎖(−(CH2)u1−(u1は1〜6の整数を表す))を表す。
q、q3及びq4は0又は1を表す。rは0〜2の整数を表す。
R381、R382及びR383は、それぞれ独立に炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。
式(3−1−1)中のn1は、レジストのドライエッチング耐性の点で、0が好ましい。
式(3−2−1)中のn2は、レジストのドライエッチング耐性の点で、0が好ましい。
式(3−3−1)中のV1及びV2は、レジストのドライエッチング耐性の点で、それぞれ独立に−CH2−又は−CH2CH2−が好ましい。
式(3−3−1)中のR331、R332、R333及びR334は、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、それぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基又はイソプロピル基が好ましい。
式(3−3−1)中のn3は、レジストのドライエッチング耐性の点で、0が好ましい。
式(3−3−1)中のqは、レジストのドライエッチング耐性の点で、1が好ましく、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、0が好ましい。
式(3−4−1)中のn4は、レジストのドライエッチング耐性の点で、0が好ましい。
式(3−4−1)中のrは、レジストのドライエッチング耐性の点で、1が好ましく、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、0が好ましい。
式(3−5−1)中のR351、R352、R353及びR354は、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、それぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基又はイソプロピル基が好ましい。
式(3−5−1)中のn51は、レジストのドライエッチング耐性の点で、0が好ましい。
式(3−5−1)中のq3は、レジストのドライエッチング耐性の点で、1が好ましく、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、0が好ましい。
式(3−5−1)中の−C(R355)(R356)(R357)は、レジストのラインエッジラフネスの点で、下式(K−1)〜式(K−6)で表される構造が好ましく、レジストのドライエッチング耐性の点で、下式(K−7)〜式(K−17)で表される構造が好ましい。
式(3−6−1)中のR361、R362、R363及びR364は、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、それぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基又はイソプロピル基が好ましい。
式(3−6−1)中のn61は、レジストのドライエッチング耐性の点で、0が好ましい。
式(3−6−1)中のq4は、レジストのドライエッチング耐性の点で、1が好ましく、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、0が好ましい。
構成単位(C)は、1種で又は2種以上を併用して使用できる。
単量体(c)としては、例えば、下式(9−1)〜式(9−224)で表される単量体が挙げられる。式(9−1)〜式(9−224)中、R及びR’はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表す。
また、レジストのパターン矩形性の点で、式(9−197)〜式(9−224)で表される単量体並びにこれらの幾何異性体及び光学異性体がより好ましい。
構成単位(E)
構成単位(E)としては、例えば、酸脱離性基及び親水性基を有さず脂環式骨格(非極性脂環式骨格)を有する構成単位(E1)が挙げられる。ここで脂環式骨格とは、環状の飽和炭化水素基を1個以上有する骨格である。構成単位(E1)は、1種で又は2種以上を併用して使用できる。
構成単位(E1)としては、レジストのドライエッチング耐性の点で、下式(11−1)〜式(11−4)で表される構成単位が好ましい。
また、X301、X302、X303及びX304は、それぞれ独立に炭素数1〜6の直鎖又は分岐アルキル基を表し、これらが結合する位置は環のどこでもよい。
n301、n302、n303及びn304は、それぞれ独立に0〜4の整数を表す。尚、n301、n302、n303及びn304が2以上の場合には、X301、X302、X303及びX304は複数の異なる基を有することができる。
また、n301、n302、n303及びn304は、レジストのドライエッチング耐性の点で、0が好ましい。
p及びp1は、重合体(P)の有機溶媒への溶解性の点で、0が好ましく、レジストのドライエッチング耐性の点で、1が好ましい。
単量体(e1)としては、例えば、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ノルボルニル(メタ)アクリレート、アダマンチル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタジエニル(メタ)アクリレート及びこれらの化合物の脂環式骨格上に炭素数1〜6の直鎖又は分岐アルキル基を有する誘導体が好ましい。
単量体(e1)としては、例えば、下式(14−1)〜式(14−5)で表される単量体が挙げられる。式(14−1)〜式(14−5)中、Rは水素原子又はメチル基を表す。
また、上記単量体の他に、脂環式骨格としてノルボルネン等のシクロオレフィン構造を有するものが挙げられる。
構成単位(E2)を含有する重合体は、単量体(e2)を含む単量体を重合することによって製造できる。
重合体(P)
重合体(P)の分子量分布は、重合体(P)の有機溶媒への溶解性及びレジスト組成物の解像度の点で、2.5以下が好ましく、2.0以下がより好ましく、1.8以下が特に好ましい。
重合体(P)の製造方法
また、溶液重合は一括重合でも滴下重合でもよいが、組成分布及び/又は分子量分布の狭い重合体が簡便に得られる点で、単量体を重合容器中に滴下する滴下重合が好ましい。滴下する単量体は、単量体単独又は単量体を有機溶媒に溶解させた溶液のいずれでもよい。
滴下方法はこれには限定されない。単量体は、滴下溶媒に溶解させずに滴下することもでき、その場合、重合開始剤は、単量体中又は滴下溶媒中に溶解させることができる。また、単量体や重合開始剤は、仕込み溶媒が存在しない重合容器中に滴下することができる。
単量体と重合開始剤は、それぞれ独立した貯槽から、所定の重合温度まで加熱された仕込み溶媒中へ直接滴下してもよいし、滴下する直前で混合し、仕込み溶媒中へ滴下してもよい。
また、単量体の一部を仕込み溶媒と共に予め重合容器に仕込んでおいてもよい。
また、これらの滴下速度は、滴下終了まで一定の速度とする方法、単量体や重合開始剤の消費速度に応じて多段階に速度を変化させる方法又は間欠的に滴下を停止/実施する方法のいずれでもよい。
滴下重合法における重合温度は50〜150℃が好ましい。
これらの中で、低分子量の重合体を得る場合は乳酸エチル等の水酸基含有エステルが好ましい。
また、これらの溶媒は1種で又は2種以上を併用して使用できる。
滴下重合法においては、重合用溶媒を2種以上使用する場合、滴下溶媒と仕込み溶媒における重合用溶媒の混合比は任意の割合で設定できる。
重合用溶媒中に滴下する単量体溶液の単量体濃度は5〜50質量%が好ましい。
尚、仕込み溶媒の量は、通常は、重合に使用する単量体全量100質量部に対して30〜700質量部で使用される。
更に、重合時の安全性等を考慮すると、重合開始剤は10時間半減期温度が60℃以上のものが好ましい。
連鎖移動剤としては、例えば、1−ブタンチオール、2−ブタンチオール、1−オクタンチオール、1−デカンチオール、1−テトラデカンチオール、シクロヘキサンチオール、2−メチル−1−プロパンチオール及び2−ヒドロキシエチルメルカプタンが挙げられる。
ArFエキシマレーザー(波長:193nm)を用いるリソグラフィー用途に使用する場合には、重合体(P)への光線透過率(波長193nmの光に対する透過率)をできるだけ低下させないために、連鎖移動剤は芳香環を有さないものが好ましい。
重合体(P)の析出は、重合体溶液中に残存する未反応の単量体や重合開始剤等を取り除くために非常に有効である。これらの未反応物は、そのまま残存しているとレジスト性能に悪影響を及ぼす可能性があるので、できるだけ取り除くことが好ましい。
重合体(P)の析出物は、必要に応じて濾別、乾燥を行って、重合体(P)の粉体として得ることができる。
また、析出の後、濾別を行い、続いて溶剤への再溶解、再溶解した溶液の濃縮を順次行って、重合体(P)の溶液を得ることができる。
レジスト組成物
本発明のレジスト組成物は、重合体(P)を溶媒に溶解したものを使用できる。また、溶液重合等によって得られた重合体溶液から重合体を分離することなく、この重合体溶液をそのままレジスト組成物の調製に使用することもできる。更に、この重合体溶液を適当な溶媒で希釈して、又は濃縮してレジスト組成物の調製に使用することができる。
また、重合体(P)の溶液を貧溶媒中に滴下して重合体(P)を析出させて得られた重合体を濾別した後、乾燥せずに湿粉のままレジスト組成物の調製に使用することもできる。更に、この重合体湿粉を適当な溶媒に溶解した後、濃縮した重合体溶液をレジスト組成物の調製に使用することができる。
これらの中で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、シクロヘキサノン及びγ―ブチロラクトンが安全性の点で好ましい。
化学増幅型のレジスト組成物
光酸発生剤
これらの中で、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等のオニウム塩化合物が好ましい。
具体例としては、トリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、(ヒドロキシフェニル)ベンジルメチルスルホニウムトルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−メチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリ(tert−ブチルフェニル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネートが挙げられる。
光酸発生剤の含有量は、光酸発生剤の種類により適宜決められるが、重合体(P)100質量部に対して0.1質量部以上が好ましく、0.5質量部以上がより好ましい。光酸発生剤の含有量をこの範囲にすることにより、露光により発生した酸の触媒作用による化学反応を十分に生起できる。
また、光酸発生剤の含有量は、重合体(P)100質量部に対して20質量部以下が好ましく、10質量部以下がより好ましい。光酸発生剤の含有量をこの範囲にすることにより、レジスト組成物の安定性が向上し、レジスト組成物を塗布する際の塗布むらやレジスト組成物の現像時におけるスカム等の発生が少なくなる。
ここで「低級脂肪族アミン」とは、炭素数5以下のアルキル又はアルキルアルコールのアミンをいう。
第2級低級脂肪族アミン、第3級低級脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリペンチルアミン、ジエタノールアミン及びトリエタノールアミンが挙げられる。これらの中で、トリエタノールアミン等の第3級アルカノールアミンがより好ましい。
含窒素化合物の含有量は、含窒素化合物の種類等により適宜決められるが、重合体(P)100質量部に対して0.01質量部以上が好ましい。含窒素化合物の含有量をこの範囲にすることにより、レジストのパターン形状をより矩形にすることができる。
また、含窒素化合物の含有量は、重合体(P)100質量部に対して2質量部以下が好ましい。含窒素化合物の含有量をこの範囲にすることにより、レジスト組成物の感度の劣化を小さくすることができる。
有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸及びサリチル酸が好ましい。
リンのオキソ酸又はその誘導体としては、例えば、リン酸、リン酸ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸及びそれらのエステル誘導体;ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸及びそれらのエステル誘導体;ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸及びそれらのエステル誘導体が挙げられる。これらの中でホスホン酸が好ましい。
有機カルボン酸若しくはリンのオキソ酸又はその誘導体は、1種で又は2種以上を併用して使用できる。
また、有機カルボン酸若しくはリンのオキソ酸又はその誘導体の含有量は、重合体(P)100質量部に対して5質量部以下が好ましい。有機カルボン酸若しくはリンのオキソ酸又はその誘導体の含有量をこの範囲にすることにより、レジストのパターンの膜減りを小さくすることができる。
基板
レジスト膜
レジスト膜の膜厚は0.02〜3μmである。
露光
露光に用いる放射線としては、電子線又は250nm以下の波長の光が使用され、i線、g線等の紫外線、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー又はEUVエキシマレーザーが好ましい。
また、本発明においては、レジスト膜と露光装置の最終レンズとの間に、純水、パーフルオロ−2−ブチルテトラヒドロフラン、パーフルオロトリアルキルアミン、パーヒドロナフタレン、パーヒドロピレン等の高屈折率液体を介在させた状態で露光する液浸露光を行ってもよい。
半導体製造における液浸露光用のレジスト組成物の場合にはArFエキシマレーザーが好ましい。
現像
パターンが形成された基板の製造方法
最初に、基板の表面にレジスト組成物をスピンコート等により塗布する。次いで、レジスト組成物が塗布された基板をベーキング処理(プリベーク)等により乾燥し、基板上にレジスト膜を得る。
この後、レジスト膜を、必要に応じてレジスト膜と露光装置の最終レンズとの間に液浸液を介在させた状態で、フォトマスクを介して露光する。
露光後、熱処理し、次いで現像する。現像後、基板を純水等でリンス処理することにより、基板上にレジストのパターンが得られる。
レジストのパターンが形成された基板は、熱処理(ポストベーク)によりレジストが強化される。その後、基板上のレジストのない部分が選択的にエッチング処理される。エッチング後、レジストを剥離剤で除去することによって、パターンが形成された基板が得られる。
また、以下の方法で重合体及びレジスト組成物を評価した。
<重合体の各構成単位の含有量>
重合体の各構成単位の含有量は、1H−NMR測定で求めることができる場合には1H−NMR測定により求めた。また、プロトンピークの重なり等により1H−NMR測定で求めることができない場合には13C−NMR測定により求めた。
1H−NMR測定には、日本電子(株)製、JNM−GX−270型FT−NMR(商品名)を用いた。約5%の重合体試料の重水素化クロロホルム溶液又は重水素化ジメチルスルホキシド溶液を直径5mmφの試験管に入れ、観測周波数270MHz、シングルパルスモードにて64回の積算で測定を実施した。尚、測定温度は、重水素化クロロホルムを溶媒とした場合は40℃、重水素化ジメチルスルホキシドを溶媒とした場合は60℃とした。
13C−NMR測定には、バリアンテクノロジーズ社製、UNITY−INOVA型FT−NMR(商品名)を用いた。約20%の重合体試料の重水素化ジメチルスルホキシド溶液を直径5mmφの試験管に入れ、測定温度60℃、観測周波数125MHz、核オーバーハウザー効果(NOE)が除去されたプロトン完全デカップリング法にて50,000回の積算で測定を実施した。
約20mgの重合体を5mlのテトラヒドロフラン(以下、「THF」という)に溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過して試料溶液を調製した。この試料溶液を東ソー(株)製ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)を用いて質量平均分子量及び分子量分布を測定した。
尚、分離カラムは昭和電工(株)製、Shodex GPC K−805L(商品名)を3本直列にしたものを用いた。また、測定には溶媒としてTHFを使用し、検出器として示差屈折計を使用した。測定は、流量1.0ml/分、測定温度40℃、注入量0.1mlで実施し、標準ポリマーとしてポリスチレンを使用した。
レジスト用の重合体5部と、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、「PGMEA」という)45部とを混合して均一溶液とした。これを孔径0.1μmのメンブレンフィルターで濾過し、重合体溶液を調製した。
次いで、重合体溶液を基板である石英ウエハー上にスピンコートし、ホットプレートを用いて120℃、60秒間プリベークを行い、膜厚1μmのレジスト膜を製造した。
石英ウエハー上に製造されたレジスト膜を(株)島津製作所製、紫外・可視吸光光度計UV−3100(商品名)の試料側に、また、未処理の石英ウエハーを参照側にそれぞれ設置し、光線透過率を測定した。測定に際しては、波長範囲を192〜194nm、スキャンスピードを中速、サンプリングピッチを自動、スリット幅を2.0とした。
重合体を製造する際の、単量体の共重合性の評価として、重合開始後1時間又は1.5時間毎に重合反応液中の各単量体の未反応単量体量を測定した。次いで、所定の重合時間における各単量体の消費割合を仕込み単量体量に対する反応単量体量の割合(%)として算出し、重合単量体の共重合性を評価した。
所定の重合時間における各単量体の消費割合が一致するほど共重合性はよい。一方、単量体の消費割合が単量体の種類によって大きく異なる場合は、偏った共重合組成比の重合体が生成しており、共重合性は悪い。
尚、濃度の異なる3種類の単量体溶液を調製し、これらを標準液として検量線を作成し、この検量線を用いて未反応単量体量を求めた。
高速液体クロマトグラフの測定条件は以下の通りとした。
分離カラム:ジーエルサイエンス(株)製Inertsil ODS−2(商品名)(シリカゲル粒径5μm、カラム内径4.6mm×カラム長さ450mm)1本
移動相:水/アセトニトリルのグラジエント系
(グラジエント条件)
測定時間0〜3分:A液(水)/B液(アセトニトリル)=90/10(体積%)
測定時間3〜24分:A液/B液=90/10→50/50(体積%)
測定時間24〜36.5分:A液/B液=50/50→0/100(体積%)
測定時間36.5〜44分:A液/B液=0/100(体積%)
流量:0.8ml/min
検出器:東ソー(株)製、紫外・可視吸光光度計UV−8020(商品名)
検出波長:220nm
測定温度:40℃
注入量:4μl
<レジスト組成物の調製>
重合体(固形物)100部、光酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムトリフレート2部並びに溶媒としてPGMEA720部及び乳酸エチル180部を混合して均一溶液とした。この後、この溶液を孔径0.1μmのメンブレンフィルターで濾過してレジスト組成物を調製した。
調製したレジスト組成物をシリコンウエハー上にスピンコートし、ホットプレートを用いて120℃で60秒間プリベークを行い、膜厚0.3μmのレジスト膜を製造した。次いで、ArFエキシマレーザー露光機(波長:193nm)で、0.16μmのライン・アンド・スペースパターンのマスクを使用して露光した後、ホットプレートを用いて110℃で60秒間露光後ベークを行った。この後、2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて室温で現像し、純水で洗浄し、乾燥してレジストのパターンを作成した。
0.16μmのライン・アンド・スペースパターンのマスクが0.16μmの線幅に転写される露光量(mJ/cm2)を感度として測定した。
上記露光量で露光したときに解像されるレジストのパターンの最小寸法(μm)を解像度とした。
重合体の露光後の現像液への溶解性は以下の方法により評価した。
現像した後の現像液(以下、「処理現像液」という)中に存在する重合体の粒径分布(以下、「希釈前粒度分布」という)及び処理現像液を水で希釈した10%水溶液中に存在する重合体の粒径分布(以下、「希釈後粒度分布」という)を求めた。
希釈前粒径分布と希釈後粒径分布が同じような分布の場合、重合体の露光後の現像液への溶解性が良好であることを表している。このような場合には、レジスト組成物のディフェクト等の現像欠陥が少ない。
一方、希釈前粒径分布と比較して、希釈後粒径分布が大粒径側にピークが出現するもの、又は大粒径側のピーク面積の割合が相対的に大きくなったりするものの場合は、重合体の露光後の現像液への溶解性が悪いことを表している。このような場合には、レジスト組成物のディフェクト等の現像欠陥が多い。
上記の重合体の露光後の現像液への溶解性の評価を実施することにより、レジスト組成物のディフェクト等の現像欠陥の有無を評価した。
また、データ処理方法は、粒子径10nm〜100,000nm(=100μm)で、マルカッド法を用いて行った。
測定は以下の方法により実施した。
レジスト組成物を6インチのシリコンウエハー上にスピンコートした。次いで、ホットプレートで120℃、60秒間プリベークを行い、膜厚0.3μmのレジスト膜を製造した。
この後、アズワン(株)製、ハンディーUVランプSUV−4(商品名)(波長254nm)を用いて、照射面とレジスト膜が製膜されたシリコンウエハーの間隔を5cmに設定し、30秒間レジスト膜を露光した。次いで、ホットプレートで110℃、60秒間露光後ベークを行った。
この後、2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液100部の入った23℃のガラスシャーレの中へ、上記の露光処理されたシリコンウエハーを60秒間浸漬し、現像した。
上記の現像液を用いて、上記と同様にして得られたレジスト膜が製膜されたシリコンウエハー14枚を上記と同様にして現像し、計15枚のレジスト膜が製膜されたシリコンウエハーを現像した処理現像液を調製した。
上記で得られた処理現像液と、この処理現像液の10%水溶液の粒径分布測定を実施し、粒径と散乱強度の関係を示すグラフを得た。
上記測定で、1,000nm(=1μm)以上の粒子の生成量が少ない程レジスト組成物のディフェクト等の現像欠陥が少ないことを示す。
また、希釈前粒径分布と希釈後粒径分布が同じような分布を示すもの程、レジスト組成物のディフェクト等の現像欠陥が少ないことを示す。
窒素導入口、攪拌機、コンデンサー及び温度計を備えたフラスコに、室温にて乳酸エチル69.5部を添加した後、ボールフィルターを用いて30分間乳酸エチル内に窒素を吹き込んだ。その後、窒素雰囲気下で攪拌しながらフラスコ内の温度を80℃に上げた。
次いで、式(51)で表されるα−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン(以下、「GBLMA」という)27.2部、式(52)で表される2−メタクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン(以下、「MAdMA」という)37.4部、式(53)で表される1−メタクリロイルオキシ−3−ヒドロキシアダマンタン(以下、「HAdMA」という)9.4部、式(54)で表される2−メタクリロイルオキシメチル−6−ヒドロキシナフタレン(以下、「HNMMA」という)9.3部、乳酸エチル125.0部及びジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート(以下、「DAIB」という)2.76部を混合した単量体溶液を調製した。この単量体溶液を滴下装置に入れ、一定速度で4時間かけてフラスコ中へ滴下した。滴下終了後、内温80℃で3時間保持し、重合体(A−1)溶液を得た。
尚、重合体(A−1)の露光後の現像液への溶解性の評価に使用した処理現像液をG−1とした。
フラスコ内の初期投入乳酸エチルを75.1部とし、滴下装置内の単量体溶液を式(55)で表される2−メタクリロイルオキシ−2−エチルアダマンタン(以下、「EAdMA」という)39.7部、式(56)で表される1−アクリロイルオキシ−3−ヒドロキシアダマンタン(以下、「HAdA」という)13.3部、式(57)で表される2−メタクリロイルオキシメチル−6−(t−ブトキシカルボニルオキシ)ナフタレン(以下、「BOCNMA」という)13.3部、GBLMA8.8部、乳酸エチル135.1部及びDAIB3.22部を混合した単量体溶液とした。その他の条件は実施例1と同様にして重合体(A−2)溶液を得た。
尚、重合体(A−2)の露光後の現像液への溶解性の評価に使用した処理現像液をG−2とした。
フラスコ内の初期投入乳酸エチルを73.2部とし、滴下装置内の単量体溶液を式(58)で表される1−(1−メタクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン(以下、「IAdMA」という)41.9部、式(59)で表される2−メタクリロイルオキシ−2−シアノメチルアダマンタン(以下、「CMAMA」という)15.5部、GBLMA20.4部、BOCNMA10.0部、HNMMA7.0部、乳酸エチル131.7部及びDAIB2.02部を混合した単量体溶液とした。その他の条件は実施例1と同様にして重合体(A−3)溶液を得た。
尚、重合体(A−3)の露光後の現像液への溶解性の評価に使用した処理現像液をG−3とした。
フラスコ内の初期投入乳酸エチルを64.0部とし、滴下装置内の単量体溶液を式(60)で表されるβ−メタクリロイルオキシ−β−メチル−δ−バレロラクトン(以下、「MLMA」という)23.8部、式(61)で表される2−アクリロイルオキシ−2−エチルアダマンタン(以下、「EAdA」という)23.4部、式(62)で表される2−シアノ−5−ノルボルニルメタクリレート55%及び3−シアノ−5−ノルボルニルメタクリレート45%からなる混合物(以下、「CNNMA」という)16.4部、式(63)で表されるトリシクロデカニルメタクリレート(以下、「TCDMA」という)13.2部、HNMMA9.3部、乳酸エチル115.1部及びDAIB1.75部を混合した単量体溶液とした。その他の条件は実施例1と同様にして重合体(A−4)溶液を得た。
尚、重合体(A−4)の露光後の現像液への溶解性の評価に使用した処理現像液をG−4とした。
滴下装置内の単量体であるHNMAを式(64)で表される2−ビニル−6−ヒドロキシナフタレン(以下、「HVN」という)6.8部とし、DAIBを2.21部とした単量体溶液とした。その他の条件は実施例1と同様にして重合体(B−1)溶液を得た。
尚、重合体(B−1)の露光後の現像液への溶解性の評価に使用した処理現像液をH−1とした。
フラスコ内の初期投入乳酸エチルを69.3部とし、滴下装置内の単量体溶液をGBLMA27.2部、MAdMA28.1部、HNMMA27.8部、乳酸エチル124.7部及びDAIB2.76部を混合した単量体溶液とした。その他の条件は実施例1と同様にして重合体(B−2)溶液を得た。
次いで、実施例1と同様にして析出、濾別、乾燥し、重合体(B−2)を得た。得られた重合体(B−2)の評価を実施し、結果を表1に示した。
フラスコ内の初期投入乳酸エチルを76.4部とし、滴下装置内の単量体溶液をGBLMA23.8部、IAdMA47.2部、CMAMA20.7部、乳酸エチル137.5部及びDAIB2.39部を混合した単量体溶液とした。その他の条件は実施例1と同様にして重合体(B−3)溶液を得た。
次いで、実施例1と同様にして析出、濾別、乾燥し、重合体(B−3)を得た。得られた重合体(B−3)の評価を実施し、結果を表1及び図6に示した。
尚、重合体(B−3)の露光後の現像液への溶解性の評価に使用した処理現像液をH−3とした。
これに対して、比較例1の重合体は光線透過率及び単量体の共重合性が劣っており、レジスト組成物は感度が低位であった。また、比較例2の重合体は光線透過率が劣っており、レジスト組成物は感度が低位であった。更に、図5及び6から明らかなように、比較例1及び3のレジスト組成物は、重合体の露光後の現像液への溶解性に劣り、ディフェクト等の現像欠陥が多いことが伺える。
Claims (5)
- 下式(1−3)で表されるナフタレン骨格を有する構成単位(A)及び下式(5−1)〜式(5−7)からなる群より選ばれる少なくとも1種で表される親水性基を有する構成単位(D)を含有するレジスト用の重合体。
R501、R502、R503、R504、R505及びR506は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基を表す。
X51、X52、X53、X54、X55、X56及びX57は、それぞれ独立に炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、−C(CF3)2−OH、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシ基、炭素数1〜6のアシル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のアルコールでエステル化されたカルボキシ基又はアミノ基を表す。前記炭素数1〜6の直鎖又は分岐アルキル基は、置換基として−C(CF3)2−OH、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボキシ基、炭素数1〜6のアシル基、炭素数1〜6のアルコールでエステル化されたカルボキシ基及びアミノ基からなる群より選ばれる少なくとも一つの基を有していてもよい。
また、X51、X52、X53、X54、X55及びX56で置換される位置は環状構造のどの位置であってもよい。
n51、n52、n53、n54、n55及びn56は、それぞれ独立に1〜4の整数を表す。尚、n51、n52、n53、n54、n55及びn56が2以上の場合には、X51、X52、X53、X54、X55及びX56は、それぞれ複数の異なる基を有することができる。
R531〜R536は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基を表す。W1、W2及びW3は、それぞれ独立に−O−、−S−、−NH−又は鎖長1〜6のメチレン鎖(−(CH2)u2−(u2は1〜6の整数を表す))を表す。
q1及びq2は0又は1を表す。また、r1は0〜2の整数を表す。
R571は水素原子、炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数4〜16の橋かけ環式炭化水素基又は炭素数4〜16の橋かけ環式炭化水素基を有する炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基を表す。
R572は水素原子又は炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、或いはR571とR572とが一緒になって、それぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4〜16の橋かけ環式炭化水素基を形成していてもよい。
ここで、R571とR572におけるアルキル基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数2〜6のアシル基又は炭素数1〜6のアルコールとエステル化されたカルボキシ基を有していても良い。また、R571とR572における橋かけ環式炭化水素基は、炭素数1〜6の直鎖又は分岐アルキル基を有していてもよく、前記アルキル基はヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数2〜6のアシル基又は炭素数1〜6のアルコールとエステル化されたカルボキシ基を有していてもよい。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の重合体を含有するレジスト組成物。
- 請求項4に記載のレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、250nm以下の波長の光で露光する工程及び現像液で現像する工程を有するパターンが形成された基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007005280A JP5318350B2 (ja) | 2007-01-15 | 2007-01-15 | 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007005280A JP5318350B2 (ja) | 2007-01-15 | 2007-01-15 | 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008169340A true JP2008169340A (ja) | 2008-07-24 |
JP5318350B2 JP5318350B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=39697737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007005280A Active JP5318350B2 (ja) | 2007-01-15 | 2007-01-15 | 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5318350B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010256874A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-11-11 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化学増幅型フォトレジスト組成物 |
US20100297557A1 (en) * | 2009-02-08 | 2010-11-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Coating compositions suitable for use with an overcoated photoresist |
JP2010271402A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物 |
JP2015145490A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-08-13 | 三菱レイヨン株式会社 | レジスト用共重合体、およびレジスト用組成物 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001174995A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線またはx線用化学増幅系ネガ型レジスト組成物 |
JP2006276458A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2007114728A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-05-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP2008107677A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
-
2007
- 2007-01-15 JP JP2007005280A patent/JP5318350B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001174995A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線またはx線用化学増幅系ネガ型レジスト組成物 |
JP2006276458A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2007114728A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-05-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP2008107677A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100297557A1 (en) * | 2009-02-08 | 2010-11-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Coating compositions suitable for use with an overcoated photoresist |
US9726977B2 (en) * | 2009-02-08 | 2017-08-08 | Globalfoundries Inc. | Coating compositions suitable for use with an overcoated photoresist |
JP2010256874A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-11-11 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化学増幅型フォトレジスト組成物 |
JP2010271402A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物 |
JP2015145490A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-08-13 | 三菱レイヨン株式会社 | レジスト用共重合体、およびレジスト用組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5318350B2 (ja) | 2013-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008133312A (ja) | 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法 | |
TWI465467B (zh) | 光阻用聚合物、光阻組成物及圖案製造方法與光阻用聚合物用原料化合物 | |
US9188857B2 (en) | Resist polymer, process for production thereof, resist composition, and process for production of substrates with patterns thereon | |
JP5138199B2 (ja) | レジスト用重合体、レジスト組成物、パターンが形成された基板の製造方法 | |
JP4881002B2 (ja) | レジスト用重合体およびレジスト組成物 | |
JP5006055B2 (ja) | レジスト組成物および微細パターンが形成された基板の製造方法 | |
JP5318350B2 (ja) | 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法 | |
JP5339494B2 (ja) | 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法 | |
JP5610176B2 (ja) | 重合体、その製造方法、レジスト組成物及びその応用 | |
JP5006054B2 (ja) | レジスト用重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法 | |
JP5059419B2 (ja) | 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法 | |
JP5416889B2 (ja) | レジスト用重合体、レジスト組成物、およびパターンが形成された基板の製造方法 | |
JP4693149B2 (ja) | レジスト用重合体 | |
JP4945160B2 (ja) | 重合体の製造方法、レジスト組成物、およびパターンが形成された基板の製造方法 | |
JP2006131739A (ja) | レジスト用重合体の製造方法 | |
JP4851140B2 (ja) | (メタ)アクリル酸エステル、重合体、レジスト組成物、およびパターンが形成された基板の製造方法 | |
JP2006241233A (ja) | レジスト用重合体の製造方法、レジスト用重合体、レジスト用組成物、およびパターン製造方法 | |
JP4332445B2 (ja) | レジスト用重合体 | |
JP5584980B2 (ja) | レジスト材料、レジスト組成物、微細パターンが形成された基板の製造方法、およびレジスト用重合体の製造方法 | |
WO2007049593A1 (ja) | レジスト用重合体、レジスト組成物、パターンが形成された基板の製造方法、重合性モノマー、および重合性モノマーの製造方法 | |
JP4494184B2 (ja) | レジスト用重合体の製造方法、レジスト用重合体、レジスト組成物、およびパターン製造方法 | |
JP4390197B2 (ja) | 重合体、レジスト組成物およびパターン製造方法 | |
KR100790658B1 (ko) | 레지스트용 중합체, 레지스트용 중합체의 제조방법,레지스트 조성물, 및 패턴이 형성된 기판의 제조방법 | |
JP4375785B2 (ja) | レジスト用重合体 | |
JP4979477B2 (ja) | レジスト用重合体、レジスト組成物、およびパターン製造方法、並びにレジスト用重合体用原料化合物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120126 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120321 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120628 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130704 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130710 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5318350 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |