JP2008153688A - アクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板10と、基板10上に形成された信号配線11と、信号配線11に交差する走査配線13と、走査配線13に印加される信号に応答して動作するボトムゲート型の薄膜トランジスタ14と、薄膜トランジスタ14を介して信号配線11に電気的に接続され得る画素電極15とを備えている。信号配線11は、第1の層間絶縁膜12を介して走査配線13の下層に形成されており、第1の層間絶縁膜12に形成されたコンタクトホール12’を介して薄膜トランジスタ14のソース電極14Sに電気的に接続されている。第1の層間絶縁膜12は、ゲート絶縁膜16よりも厚く、且つ、ゲート絶縁膜16よりも比誘電率が低い。
【選択図】図3
Description
図1および図2に、本実施形態における液晶表示装置100を示す。図1は、液晶表示装置100の1つの画素領域を模式的に示す上面図であり、図2は、図1中の2A−2A’線に沿った断面図である。
図6および図7(a)〜(c)を参照しながら、本実施形態における液晶表示装置200を説明する。以下では、実施形態1における液晶表示装置100と異なる点を中心に説明する。
図13および図14(a)〜(d)に、本実施形態における液晶表示装置300を模式的に示す。
2 非表示領域(額縁領域)
10 基板(透明絶縁性基板)
11 信号配線
12 第1の層間絶縁膜
12a 基材(マトリクス)
12b シリカフィラー
12’ コンタクトホール
13 走査配線
13a 第1の導電部材
14 薄膜トランジスタ(TFT)
14G ゲート電極
14S ソース電極
14D ドレイン電極
15 画素電極
15a 第2の導電部材
16 ゲート絶縁膜
16’ コンタクトホール
17 半導体層(真性半導体層)
18 不純物添加半導体層
19 層間絶縁膜
19’ コンタクトホール
20 補助容量配線
21 補助容量電極
23 シールド電極
30 ゲートドライバ
40 ソースドライバ
60 液晶層
100、200、300 液晶表示装置
100a、200a、300a アクティブマトリクス基板(TFT基板)
Claims (16)
- 基板と、
前記基板上に形成された複数の信号配線と、
前記複数の信号配線に交差する複数の走査配線と、
前記基板上に形成され、対応する前記走査配線に印加される信号に応答して動作する複数の薄膜トランジスタと、
前記複数の薄膜トランジスタを介して、対応する前記信号配線に電気的に接続され得る複数の画素電極と、を備えたアクティブマトリクス基板であって、
前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれは、対応する前記走査配線に電気的に接続されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極の上方に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたソース電極およびドレイン電極とを有するボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、
前記信号配線は、第1の層間絶縁膜を介して前記走査配線の下層に形成されており、前記第1の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して対応する前記薄膜トランジスタの前記ソース電極に電気的に接続されており、
前記第1の層間絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜よりも厚く、且つ、前記ゲート絶縁膜よりも比誘電率が低い、アクティブマトリクス基板。 - 前記第1の層間絶縁膜の厚さは、1.0μm以上4.0μm以下である請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記第1の層間絶縁膜の比誘電率は、4.0以下である請求項1または2に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記第1の層間絶縁膜は、有機成分を含む絶縁材料から形成されている請求項1から3のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記第1の層間絶縁膜は、Si−O−C結合を骨格とするスピンオンガラス(SOG)材料から形成されている請求項4に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記第1の層間絶縁膜は、Si−C結合を骨格とするスピンオンガラス(SOG)材料から形成されている請求項4に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記第1の層間絶縁膜は、シリカから形成されたフィラーを含むスピンオンガラス(SOG)材料から形成されている請求項4から6のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記半導体層は、アモルファスシリコンから形成されている請求項1から7のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
- マトリクス状に配列された複数の画素領域を有し、前記複数の画素領域のそれぞれに前記複数の画素電極のそれぞれが設けられている請求項1から8のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記複数の画素領域によって規定される表示領域と、前記表示領域の周辺に配置され、前記複数の画素領域を駆動するための信号が入力される複数の端子が設けられる非表示領域とを有し、
前記第1の層間絶縁膜は、前記非表示領域には実質的に形成されていない請求項9に記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記信号配線に略平行に延びるように形成されたシールド電極を有する請求項1から10のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記シールド電極は、前記走査配線に電気的に接続されている請求項11に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記基板上に形成された複数の補助容量配線をさらに備え、
前記シールド電極は、前記補助容量配線に電気的に接続されている請求項11に記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記シールド電極は、前記画素電極のエッジに重なるように配置されている請求項11から13のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
- 請求項1から14のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板上に配置された表示媒体層とを備えた表示装置。
- 前記アクティブマトリクス基板に前記表示媒体層を介して対向する対向基板をさらに備え、前記表示媒体層は液晶層である、請求項15に記載の表示装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012169502A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子素子及びその製造方法 |
WO2013057766A1 (ja) * | 2011-10-20 | 2013-04-25 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法 |
KR20140003481A (ko) * | 2010-12-20 | 2014-01-09 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 표시 장치 |
WO2017043516A1 (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
KR20170110138A (ko) | 2015-02-04 | 2017-10-10 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 포지티브형 감광성 실록산 조성물, 액티브 매트릭스 기판, 표시 장치, 및 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 |
WO2019072120A1 (zh) * | 2017-10-11 | 2019-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
CN110476255A (zh) * | 2017-03-29 | 2019-11-19 | 夏普株式会社 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
CN114706242A (zh) * | 2022-04-07 | 2022-07-05 | 友达光电(昆山)有限公司 | 显示面板 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014199801A1 (ja) | 2013-06-11 | 2014-12-18 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 液晶パネル |
WO2014199839A1 (ja) | 2013-06-11 | 2014-12-18 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 液晶パネル及び絶縁膜の溝部形成方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0239030A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Casio Comput Co Ltd | Tftパネル |
JPH06240455A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-30 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 酸化ケイ素膜の形成方法 |
JPH10102003A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-21 | Nippon Steel Corp | 絶縁膜および絶縁膜形成用塗布液 |
JP2001098224A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系被膜、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品 |
JP2001166338A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2001255834A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Toshiba Corp | 平面表示装置 |
JP2002353465A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-12-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 低誘電率絶縁膜を使用する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2004020687A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
-
2008
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0239030A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Casio Comput Co Ltd | Tftパネル |
JPH06240455A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-30 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 酸化ケイ素膜の形成方法 |
JPH10102003A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-21 | Nippon Steel Corp | 絶縁膜および絶縁膜形成用塗布液 |
JP2001098224A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系被膜、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品 |
JP2001166338A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2001255834A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Toshiba Corp | 平面表示装置 |
JP2002353465A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-12-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 低誘電率絶縁膜を使用する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2004020687A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140003481A (ko) * | 2010-12-20 | 2014-01-09 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 표시 장치 |
KR101630503B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2016-06-14 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 표시 장치 |
JP2012169502A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子素子及びその製造方法 |
WO2013057766A1 (ja) * | 2011-10-20 | 2013-04-25 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法 |
US9018704B2 (en) | 2011-10-20 | 2015-04-28 | Panasonic Corporation | Thin-film transistor and method of manufacturing the same |
KR20170110138A (ko) | 2015-02-04 | 2017-10-10 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 포지티브형 감광성 실록산 조성물, 액티브 매트릭스 기판, 표시 장치, 및 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 |
US10620538B2 (en) | 2015-02-04 | 2020-04-14 | Sakai Display Products Corporation | Positive type photosensitive siloxane composition, active matrix substrate, display apparatus, and method of manufacturing active matrix substrate |
WO2017043516A1 (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
CN110476255A (zh) * | 2017-03-29 | 2019-11-19 | 夏普株式会社 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
CN110476255B (zh) * | 2017-03-29 | 2023-09-19 | 夏普株式会社 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
WO2019072120A1 (zh) * | 2017-10-11 | 2019-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
US11710747B2 (en) | 2017-10-11 | 2023-07-25 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method thereof, and display device |
CN114706242A (zh) * | 2022-04-07 | 2022-07-05 | 友达光电(昆山)有限公司 | 显示面板 |
CN114706242B (zh) * | 2022-04-07 | 2024-03-08 | 友达光电(昆山)有限公司 | 显示面板 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4916461B2 (ja) | 2012-04-11 |
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