JP2008153434A - 半導体装置の製造装置及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リテーナーリング1の、研磨パッド8と接触する面には溝2a,2bが設けられている。同心円状の溝2bは、ウェハ研磨動作でのリテーナーリング1の磨耗に伴い、研磨パッド8に対するリテーナーリング1の接触面積を変化させる目的の溝である。各溝2bは、リテーナーリング1の外周から内周へ順に0.1mm、0.2mm、0.3mmの溝深さに形成されている。一方、リテーナーリング1を横切るように形成された溝2aは、研磨剤の半導体ウェハ5表面への導入を促進することと、半導体ウェハ5に対するヘッド3のデチャックを容易にすることを目的とした溝である。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に用いられるリテーナーリングの研磨パッドと接触する面側から見た平面図である。リテーナーリング1の、研磨パッド8と接触する面には溝2a,2bが設けられている。
次に本発明の第2の実施形態を説明するが、第1の実施形態のCMP装置と異なる部分についての説明のみとする。
次に本発明の第3の実施形態を説明する。ここでも、第1の実施形態のCMP装置と異なる部分についての説明のみとする。
次に本発明の第4の実施形態を説明する。ここでも、第1の実施形態のCMP装置と異なる部分についての説明のみとする。
次に本発明の第5の実施形態を説明する。ここでも、第1の実施形態のCMP装置と異なる部分についての説明のみとする。
次に本発明の第6の実施形態を説明する。ここでも、第1の実施形態のCMP装置と異なる部分についての説明のみとする。
次に本発明の第7の実施形態を説明する。ここでも、第1の実施形態のCMP装置と異なる部分についての説明のみとする。
2a 研磨剤導入および/またはデチャック容易化の為の溝
2b 圧力調整用の溝
3 ヘッド
3a ヘッド回転軌跡
4 スピンドル
5 半導体ウェハ
6a,6b,6c メンブレン
7 プラテン
8 研磨パッド
9 ドレッサ
10 研磨剤ノズル
11 メンブレンサポート
12 クロス
13 ロード/アンロード部
14 ロボット
15 洗浄機構
16 インターフェイス
17 曲面加工部
18 穴加工部
19a,19b テーパー部
20 段差部
21 低硬度材料
Claims (11)
- 半導体ウェハを保持するヘッドと、該ヘッドに保持された前記半導体ウェハの外周を囲むリテーナーリングと、前記半導体ウェハの研磨面を研磨する研磨パッドとを有し、前記半導体ウェハの研磨面を前記リテーナーリングと共に前記研磨パッドに押し付けて研磨する半導体装置の製造装置において、
前記リテーナーリングの前記研磨パッドとの接触面に、前記リテーナーリングの磨耗に応じて、前記研磨パッドに対する前記リテーナーリングの接触面積を増加させる形状を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 半導体ウェハを保持するヘッドと、該ヘッドに保持された前記半導体ウェハの外周を囲むリテーナーリングと、前記半導体ウェハの研磨面を研磨する研磨パッドとを有し、前記半導体ウェハの研磨面を前記リテーナーリングと共に前記研磨パッドに押し付けて研磨する半導体装置の製造装置において、
前記リテーナーリングの前記研磨パッドとの接触面に、深さの異なる複数の溝または穴が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 半導体ウェハを保持するヘッドと、該ヘッドに保持された前記半導体ウェハの外周を囲むリテーナーリングと、前記半導体ウェハの研磨面を研磨する研磨パッドとを有し、前記半導体ウェハの研磨面を前記リテーナーリングと共に前記研磨パッドに押し付けて研磨する半導体装置の製造装置において、
前記リテーナーリングの前記研磨パッドとの接触面に、先細りのテーパーまたは曲面を有する溝または穴が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 半導体ウェハを保持するヘッドと、該ヘッドに保持された前記半導体ウェハの外周を囲むリテーナーリングと、前記半導体ウェハの研磨面を研磨する研磨パッドとを有し、前記半導体ウェハの研磨面を前記リテーナーリングと共に前記研磨パッドに押し付けて研磨する半導体装置の製造装置において、
前記リテーナーリングの、前記研磨パッドとの接触面の外周部に、テーパーまたは凸状曲面が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 半導体ウェハを保持するヘッドと、該ヘッドに保持された前記半導体ウェハの外周を囲むリテーナーリングと、前記半導体ウェハの研磨面を研磨する研磨パッドとを有し、前記半導体ウェハの研磨面を前記リテーナーリングと共に前記研磨パッドに押し付けて研磨する半導体装置の製造装置において、
前記リテーナーリングの、前記研磨パッドとの接触面の外周部に、段差が多段に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 半導体ウェハを保持するヘッドと、該ヘッドに保持された前記半導体ウェハの外周を囲むリテーナーリングと、前記半導体ウェハの研磨面を研磨する研磨パッドとを有し、前記半導体ウェハの研磨面を前記リテーナーリングと共に前記研磨パッドに押し付けて研磨する半導体装置の製造装置において、
前記リテーナーリングの、前記研磨パッドとの接触面側の外周部が、その他の部分と異なる物性の材料で構成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 半導体ウェハを保持するヘッドと、該ヘッドに保持された前記半導体ウェハの外周を囲むリテーナーリングと、前記半導体ウェハの研磨面を研磨する研磨パッドとを有する研磨装置を用い、前記半導体ウェハの研磨面を前記リテーナーリングと共に前記研磨パッドに押し付けて研磨する半導体装置の製造方法において、
前記リテーナーリングの前記研磨パッドとの接触面に、深さの異なる複数の溝または穴を形成しておき、ウェハ研磨において、前記リテーナーリングの磨耗に応じて当該複数の溝または穴が段階的に消滅していくことにより、前記リテーナーリングの実効圧力を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体ウェハを保持するヘッドと、該ヘッドに保持された前記半導体ウェハの外周を囲むリテーナーリングと、前記半導体ウェハの研磨面を研磨する研磨パッドとを有する研磨装置を用い、前記半導体ウェハの研磨面を前記リテーナーリングと共に前記研磨パッドに押し付けて研磨する半導体装置の製造方法において、
前記リテーナーリングの前記研磨パッドとの接触面に、先細りのテーパーまたは曲面を有する溝または穴を形成しておき、ウェハ研磨において、前記リテーナーリングの磨耗に応じて当該溝または穴が段階的に縮小していくことにより、前記リテーナーリングの実効圧力を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体ウェハを保持するヘッドと、該ヘッドに保持された前記半導体ウェハの外周を囲むリテーナーリングと、前記半導体ウェハの研磨面を研磨する研磨パッドとを有する研磨装置を用い、前記半導体ウェハの研磨面を前記リテーナーリングと共に前記研磨パッドに押し付けて研磨する半導体装置の製造方法において、
前記リテーナーリングの、前記研磨パッドとの接触面の外周部に、テーパーまたは凸状曲面を形成しておき、ウェハ研磨において、前記リテーナーリングの磨耗に応じて前記リテーナーリングの、前記研磨パッドとの接触面側のリング幅が段階的に拡大していくことにより、前記リテーナーリングの実効圧力を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体ウェハを保持するヘッドと、該ヘッドに保持された前記半導体ウェハの外周を囲むリテーナーリングと、前記半導体ウェハの研磨面を研磨する研磨パッドとを有する研磨装置を用い、前記半導体ウェハの研磨面を前記リテーナーリングと共に前記研磨パッドに押し付けて研磨する半導体装置の製造方法において、
前記リテーナーリングの、前記研磨パッドとの接触面の外周部に段差を多段に形成しておき、ウェハ研磨において、前記リテーナーリングの磨耗に応じて前記リテーナーリングの、前記研磨パッドとの接触面側のリング幅が段階的に拡大していくことにより、前記リテーナーリングの実効圧力を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体ウェハを保持するヘッドと、該ヘッドに保持された前記半導体ウェハの外周を囲むリテーナーリングと、前記半導体ウェハの研磨面を研磨する研磨パッドとを有する研磨装置を用い、前記半導体ウェハの研磨面を前記リテーナーリングと共に前記研磨パッドに押し付けて研磨する半導体装置の製造方法において、
前記リテーナーリングの、前記研磨パッドとの接触面側の外周部をその他の部分と異なる物性の材料で構成しておき、ウェハ研磨において、前記リテーナーリングの磨耗に応じて前記リテーナーリングの、前記研磨パッドとの接触面側のリング形状が段階的に大きくなっていくことにより、前記リテーナーリングの実効圧力を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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