JP2008135500A - 電子輸送性膜 - Google Patents

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Abstract

【課題】電子輸送性又は電子注入性に優れた電子輸送性膜を提供する。
【解決手段】下記式(1):
Figure 2008135500

(式中、Ar1、Ar2及びAr3は、それぞれ独立に、下記式:
Figure 2008135500

で示されるいずれかの二価の基を表す。Q1及びQ2の一方は、アルカリ金属原子又は水素原子である。)で表される化合物を含有する電子輸送性膜。
【選択図】なし

Description

本発明は、電子輸送性又は電子注入性に優れた電子輸送性膜に関する。
近年、エレクトロニクス分野において、有機材料を用いた半導体デバイス(有機半導体デバイス)の研究開発が活発に行われている。この有機半導体デバイスとしては、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機薄膜太陽電池等が挙げられる。
この有機半導体デバイスに用いる材料には、電子輸送性、電子注入性が高いことが要求され、その結果、有機エレクトロルミネッセンス素子では低駆動電圧、有機薄膜太陽電池では高変換効率等の特性が得られる。
これに対して、有機半導体デバイスを構成する電子注入層として、アルカリ金属原子を含むジピバロイルメタン誘導体等からなる電子注入層が提案されている(特許文献1)。
特開2000−243569号公報
しかし、アルカリ金属原子を含むジピバロイルメタン誘導体等からなる電子注入層では、十分な電子注入性又は電子輸送性を得ることができないという問題がある。
そこで、本発明は、電子輸送性又は電子注入性に優れた電子輸送性膜を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく検討した結果、特定の構造を持つ化合物を含有する電子輸送性膜が電子輸送性又は電子注入性に優れることを見いだし、本発明をなすに至った。
本発明は第一に、下記式(1):
Figure 2008135500

(式中、Ar1、Ar2及びAr3は、それぞれ独立に、下記式:
Figure 2008135500

で示されるいずれかの二価の基を表す。ここで、Rは炭素数1〜18のアルキル基を表し、aは1〜10の整数、b及びcはそれぞれ独立に1〜8の整数、d、e、f及びgはそれぞれ独立に1〜6の整数、hは1〜4の整数を表す。Rが複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、末端にオキシラン環を有する1価の基、アルカリ金属原子、水素原子、炭素数1〜18のアルキル基、オキセタン基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。但し、Q1及びQ2の少なくとも一方は、アルカリ金属原子又は水素原子である。)
で表される化合物を含有する電子輸送性膜を提供する。
本発明は第二に、前記電子輸送性膜からなる電子輸送層及び電子注入層を提供する。
本発明は第三に、前記電子輸送性膜を有する有機半導体デバイス、前記電子輸送性膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、及び前記電子輸送性膜を有する有機薄膜太陽電池を提供する。
本発明の電子輸送性膜は、電子輸送性又は電子注入性に優れるものである。従って、この電子輸送性膜は、有機半導体デバイス、有機エレクトルミネッセンス素子、有機薄膜太陽電池等の製造に有用である。この電子輸送性膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子は低駆動電圧化が達成でき、この電子輸送性膜を有する有機薄膜太陽電池では高変換効率が達成できる。
以下、本発明を詳細に説明する。
<電子輸送性膜>
本発明の電子輸送性膜は、前記式(1)で表される化合物を含有するものである。
前記式(1)中、Ar1、Ar2及びAr3で表される二価の基は、好ましくは下記式:
Figure 2008135500

(式中、R、a、c及びhは、上記と同じ意味を表す。Rが複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。)
で表されるいずれかであり、より好ましくは下記式:
Figure 2008135500

(式中、R、c及びhは、上記と同じ意味を表す。Rが複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。)
で表されるいずれかである。
前記式(1)中、Q1及びQ2の少なくとも一方は、アルカリ金属原子又は水素原子であるが、Q1及びQ2がそれぞれ独立に、アルカリ金属原子又は水素原子であることが好ましい。また、Q1及びQ2の少なくとも一方が、アルカリ金属原子であることも好ましい。
1及びQ2で表される炭素数1〜18のアルキル基は、直鎖状であっても分枝鎖状であってもよい。その具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、イソオクチル基、n−デシル基、n−ドデシル基、n−ペンタデシル基、n−オクタデシル基等が挙げられる。
1及びQ2で表される末端にオキシラン環を有する1価の基としては、下記式:
Figure 2008135500

で表されるものが挙げられる。
1及びQ2で表されるアルカリ金属原子としては、リチウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウム原子、セシウム原子、フランシウム原子が挙げられる。
Rで表される炭素数1〜18のアルキル基は、前記Q1及びQ2で表される炭素数1〜18のアルキル基の項で説明し例示したものと同じであるが、メチル基が好ましい。
前記式(1)で表される化合物は、下記式(2):
Figure 2008135500

(式中、Q1、Q2、Ar2、R及びhは、上記と同じ意味を表す。複数存在するhは、同一であっても異なっていてもよい。Rが複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。)
で表されるものであることが好ましい。
前記式(2)で表される化合物の具体例としては、下記式:
Figure 2008135500

で表されるものが挙げられる。
本発明の電子輸送性膜に含有される前記式(1)又は(2)で表される化合物は、一種単独であっても二種以上であってもよい。
−電子輸送性膜の製造方法−
本発明の電子輸送性膜は、特に限定されず、公知の方法により作製することができる。具体的には、真空蒸着法(抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等)、スパッタリング法、LB法、分子積層法、塗布法(キャスティング法、スピンコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等)等が挙げられ、製造プロセスを簡略化できる点、生産性が優れている点で、塗布法が好ましい。前記塗布法では、前記式(1)又は(2)で表される化合物を溶媒に溶解して塗布液を調製し、該塗布液を所望の層又は電極上に塗布し乾燥させることで電子輸送性膜を形成することができる。
前記溶媒は、前記式(1)又は(2)で表される化合物を均一に溶解乃至分散し安定なものを公知の溶媒から適宜選択して使用できる。このような溶媒としては、アルコール類(メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケトン等)、有機塩素類(クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等)、芳香族炭化水素類(ベンゼン、トルエン、キシレン等)、脂肪族炭化水素類(ノルマルヘキサン、シクロヘキサン等)、アミド類(ジメチルホルムアミド等)、スルホキシド類(ジメチルスルホキシド等)等が挙げられる。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
前記式(1)又は(2)で表される化合物を前記溶媒に溶解する場合には、該溶媒の量は、該化合物の合計100重量部に対して、通常、1000〜100000重量部程度である。
なお、本発明の電子輸送性膜には、前記式(1)又は(2)で表される化合物に加えて、電子輸送性、電子注入性を損なわない範囲で、その他の成分を含有させてもよい。
前記塗布法により、本発明の電子輸送性膜を有機半導体デバイス等の積層構造における層又は電極上に作製する場合、先に塗布した層又は電極が後から塗布する層又は膜に含まれる溶媒に溶解してしまい、積層構造を作製し難い場合がある。
前記式(1)又は(2)で表される化合物において、Q1及びQ2のいずれか一方、又は両方が水素の場合には、該化合物は親水性が高い。そのため、エタノール、イソプロパノール等のアルコール、水に溶解させることで、親油性の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層、高分子を用いた有機薄膜太陽電池の活性層の上に、下層を溶解することなく容易に積層して塗布することが可能となる。
1及びQ2のいずれか一方、又は両方がアルカリ金属原子である場合には、前記式(1)又は(2)で表される化合物をアルコール、水等の溶媒に溶解した後に塗布することにより、親油性の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層、有機薄膜太陽電池の活性層の上に、下層を溶解せずに容易に塗布し積層させることができる。陰極界面側に塗布した場合には、アルカリ金属原子の小さな仕事関数の作用で電子が注入されやすい電子注入層(詳細は後述する)を作製することができる。
1及びQ2のいずれか一方、又は両方が、エポキシ基、オキセタン基、アクリロイル基又はメタクリロイル基である場合には、前記式(1)又は(2)で表される化合物が架橋性を有するものとなるので、光又は熱を照射することにより、熱安定性に優れた膜を作製することができる。なお、本発明の電子輸送性膜には、このように前記式(1)で表される化合物を用いてなるものも含む。
<有機半導体デバイス>
本発明の電子輸送性膜は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機薄膜太陽電池等の有機半導体デバイス等に用いることができる。これらの用途では、本発明の電子輸送性膜は、例えば、活性層、電子輸送層、電子注入層等(特には、電子輸送層及び/又は電子注入層)として用いることができる。例えば、発光層、活性層よりも陰極側に存在する場合は、電子輸送層となる。また、電子輸送層のうち、電極と接する層を電子注入層という。前記有機半導体デバイスの具体例としては、前記電子輸送性膜を電子輸送層及び/又は電子注入層として有する有機半導体デバイス、前記電子輸送性膜を電子輸送層及び/又は電子注入層として有する有機エレクトロルミネッセンス素子、並びに前記電子輸送性膜を電子輸送層及び/又は電子注入層として有する有機薄膜太陽電池等が挙げられる。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記電子輸送性膜からなる層を有するものであり、具体的には、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ前記電子輸送性膜からなる電子輸送層及び/又は前記電子輸送性膜からなる電子注入層とを有するものである。その他にも、例えば、以下の層構造のものが挙げられる。
a)陽極/正孔注入層(正孔輸送層)/発光層/陰極
b)陽極/発光層/電子注入層(電子輸送層)/陰極
c)陽極/正孔注入層(正孔輸送層)/発光層/電子注入層(電子輸送層)/陰極
有機薄膜太陽電池は、2つの異なる電極間に、電子供与性及び電子受容性の機能を有する有機薄膜層(活性層)、本発明の電子輸送性膜からなる電子輸送層、本発明の電子輸送性膜からなる電子注入層等を配置してなるものである。
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
−分子量の測定方法−
実施例において、数平均分子量(Mn)、重量平均分子量(Mw)及びピークトップ分子量(Mp)については、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によりポリスチレン換算のものを求めた。具体的には、GPC(東ソー製、商品名:HLC-8220GPC)により、TSKgel SuperHM-H(東ソー製)3本を直列に繋げたカラムを用いて、テトラヒドロフランを展開溶媒として0.5mL/分の流速で流し、40℃で測定した。検出器には、示差屈折率検出器を用いた。
<合成例1>(高分子化合物1の合成)
500mlの4口フラスコにトリスカプリリルメチルアンモニウムクロリド(Triscaprylylmethylammoniumchloride、商品名:Aliquat336)1.72g、下記式:
Figure 2008135500

で表される化合物A 6.2171g、下記式:
Figure 2008135500

で表される化合物B 0.5085g、下記式:
Figure 2008135500

で表される化合物C 6.2225g、及び下記式:
Figure 2008135500

で表される化合物D 0.5487gを取り、窒素置換した。トルエン100mlを加え、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II) 7.6mg、炭酸ナトリウム水溶液24mlを加え、環流下で3時間攪拌した後、フェニルホウ酸0.40gを加え、終夜攪拌した。ナトリウムN,N−ジエチルジチオカルバメート水溶液を加え、さらに環流下で3時間攪拌した。得られた反応液を分液し、有機相を酢酸水溶液及び水で洗浄した後、メタノール中に滴下したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿を、ろ過し、減圧乾燥した後、トルエンに溶解させ、シリカゲル−アルミナカラムを通し、トルエンで洗浄した。得られたトルエン溶液をメタノール中に滴下したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿を、ろ過し、減圧乾燥した後、トルエンに溶解させ、メタノールに滴下ところ、沈殿が生じた。得られた沈殿を、ろ過し、減圧乾燥して、7.72gの高分子化合物1を得た。高分子化合物1のポリスチレン換算の数平均分子量Mnは1.2×105であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは2.9×105であった。
<合成例2>(高分子化合物2の合成)
5Lセパラブルフラスコにトリスカプリリルメチルアンモニウムクロリド(Triscaprylylmethylammoniumchloride、商品名:Aliquat336)40.18g、下記式:
Figure 2008135500

で表される化合物E 234.06g、下記式:
Figure 2008135500

で表される化合物F 172.06g、及び下記式:
Figure 2008135500

で表される化合物G 28.5528gを取り、窒素置換した。アルゴンバブリングしたトルエン2620gを加え、攪拌しながら更に30分間バブリングした。酢酸パラジウム 99.1mg、トリス(o−トリル)ホスフィン 937.0mgを加え、158gのトルエンで洗い流し、95℃に加熱した。17.5重量%炭酸ナトリウム水溶液855gを滴下後、バス温110℃に昇温し、9.5時間攪拌した後、フェニルホウ酸5.39gをトルエン96mlに溶解して加え、14時間攪拌した。200mlのトルエンを加え、反応液を分液し、有機相を3重量%酢酸水溶液850mlで2回、更に850mlの水とナトリウムN,N−ジエチルジチオカルバメート19.89gを加え、4時間攪拌した。分液後、シリカゲル−アルミナカラムを通し、トルエンで洗浄した。得られたトルエン溶液をメタノール50Lに滴下したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿を、メタノールで洗浄した。減圧乾燥後、11Lのトルエンに溶解させ、得られたトルエン溶液をメタノール50Lに滴下したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿を、ろ過し、減圧乾燥して、278.39gの高分子化合物2を得た。高分子化合物2のポリスチレン換算の数平均分子量Mnは7.7×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは3.8×105であった。
<合成例3>(化合物3の合成)
特開2002-308809号公報に記載の方法に従って、下記式:
Figure 2008135500

で表される1−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)−1−シクロヘキセン(化合物3)を合成した。
<合成例4>(化合物4の合成)
特開2005-29507号公報に記載の方法に従って、下記式:
Figure 2008135500

で表される1−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)ベンゼン(化合物4)を合成した。
<合成例5>(化合物5の合成)
50mLの三口フラスコに1−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)ベンゼン 1.0g(3.62mmol)、及びエタノール50mLを加え、室温で30分攪拌した。そこへ水素化ナトリウム(純分60%品)0.29g(7.25mmol)を加え、さらに30分攪拌した。エバポレータで反応液を濃縮乾固させ、ヘキサン100mL加えてスラリー化した後、ろ過し、得られたケーキをさらにヘキサン50mLで洗浄後、減圧乾燥(500Pa、4時間)することで、下記式:
Figure 2008135500

で表されるビスナトリウム塩(化合物5)1.10gを得た。
<合成例6>(化合物6の合成)
50mLの三口フラスコに1−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)ベンゼン 0.50g(1.81mmol)、及びエタノール40mLを加え、室温で30分攪拌した。そこへtert-ブトキシカリウム0.41g(3.63mmol)を加え、さらに30分攪拌した。エバポレータで反応液を濃縮し、ヘキサン50mL加えてスラリー化した後、ろ過し、得られたケーキをさらにヘキサン50mLで洗浄後、減圧乾燥(500Pa、4時間)することで、下記式:
Figure 2008135500

で表されるビスカリウム塩(化合物6)0.63gを得た。
<合成例7>(化合物7の合成)
50mLの三口フラスコに1−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)ベンゼン 0.55g(1.99mmol)、及び脱水テトラヒドロフラン40mLを加え、室温で30分攪拌した。そこへn−ブチルリチウムヘキサン溶液(1.59M)2.50mL(3.98mmol)を5分かけて滴下し、さらに30分攪拌した。エタノールを10mL加えた後、エバポレータで反応液を濃縮し、ヘキサン50mL加えてスラリー化した後、ろ過し、得られたケーキをさらにヘキサン50mLで洗浄後、減圧乾燥(500Pa、4時間)することで、下記式:
Figure 2008135500

で表されるビスリチウム塩(化合物7)0.57gを得た。
<合成例8>(化合物8の合成)
50mLの三口フラスコに1−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)ベンゼン 0.50g(1.81mmol)、及びエタノール40mLを加え、室温で30分攪拌した。そこへ炭酸セシウム0.59g(1.81mmol)を加え、さらに30分攪拌した。エバポレータで反応液を濃縮し、ヘキサン50mLを加えてスラリー化した後、ろ過し、得られたケーキをさらにヘキサン50mLで洗浄後、減圧乾燥(500Pa、4時間)することで、下記式:
Figure 2008135500

で表されるビスセシウム塩(化合物8)0.93gを得た。
<合成例9>(化合物9の合成)
50mLの三口フラスコに4-[4-(4-ヒドロキシフェニル)-1-シクロヘキセン-1-イル]-2-メチルフェノール 0.50g(1.78mmol)、及びエタノール40mLを加え、室温で30分攪拌した。そこへtert-ブトキシカリウム0.40g(3.56mmol)を加え、さらに30分攪拌した。エバポレータで反応液を濃縮し、ヘキサン50mLを加えてスラリー化した後、ろ過し、得られたケーキをさらにヘキサン50mLで洗浄後、減圧乾燥(500Pa、4時間)することで、下記式:
Figure 2008135500

で表されるビスカリウム塩(化合物9)0.62gを得た。
<実施例1〜7、比較例1〜2>(有機エレクトロルミネッセンス素子の作製、評価)
スパッタ法により150nmの厚みでインジウムスズ酸化物(ITO)膜を付けたガラス基板に、ポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸の溶液(スタルク社製、商品名:Baytron AI4083)を用いてスピンコートにより成膜し、大気中、ホットプレート上で、200℃で、10分間乾燥して正孔注入層(膜厚:60nm)を作製した。次に、高分子化合物2のトルエン溶液(0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過)をスピンコートにより塗布し、グローブボックス中の窒素雰囲気下で、200℃で、15分間ベークして正孔輸送層(膜厚:20nm)を作製した。さらに、高分子化合物1のトルエン溶液(0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過)をスピンコートにより発光層を塗布した。なお、得られる膜厚が70nmとなるように調整した。その後、表1に記載の条件(化合物の有無、化合物の種類、調製する溶液中の化合物の濃度、溶媒の種類と組成)に従って溶液を調製し、得られた溶液を1000rpmの回転数でスピンコートすることで電子輸送層を作製した。なお、比較例1、2では電子輸送層を作製しなかった。
こうして得られた積層体を減圧下、90℃で1時間乾燥した後、表1に記載の条件(陰極の種類)で陰極を蒸着した。Ba/Al(バリウム/アルミニウム)陰極の場合は、Baを4nm蒸着した後、Alを100nm蒸着した。Al陰極の場合はAlのみを100nm蒸着した。こうして目的とする素子を作製した。なお、蒸着のときの真空度は、すべて1〜9×10-3Paであった。素子の形状は、2mm×2mmの正四角形であった。得られた素子に段階的に電圧を印加することにより、電流密度と発光輝度を測定した。発光効率は、発光輝度を電流密度で割ることにより算出した。表1に、9Vのバイアス電圧の時の電流密度及び最大発光効率を示す。
Figure 2008135500

*「iPrOH」は、イソプロピルアルコールを意味する。
−評価−
表1から分かるように、同一の陰極で比較した場合、化合物3〜9の溶液を塗布して電子輸送層を形成した場合、電子輸送層の無いものに比べて、作製した有機エレクトロルミネッセンス素子の9Vバイアス電圧時の電流密度が向上し、高い最大発光効率を示した。即ち、本発明の電子輸送性膜は、電子輸送性又は電子注入性に優れることが認められた。
<実施例8、比較例3>(有機薄膜太陽電池の作製、評価)
スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板に、ポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸の溶液(スタルク社製、商品名:Baytron AI4083)を用いてスピンコートにより成膜し、大気中、ホットプレート上で、200℃で、10分間乾燥して正孔注入層を作製した。得られた膜厚は60nmであった。次に、レジオレギュラーポリ−3−ヘキシルチオフェン(市販品、Aldrich社製)とPCBM(phenyl C61-butylic acid methyl ester、フロンティアカーボン社製、nanom spectra E100)の1:1(重量割合)のo−ジクロロベンゼン溶液(1.0μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過)をスピンコートにより塗布し、有機薄膜太陽電池の活性層(膜厚:100nm)を得た。
次いで、実施例8では、化合物4の1重量%イソプロパノール溶液を活性層に塗布し、電子輸送層を作製した。一方、比較例3では、電子輸送層を作製しなかった。
これを150℃/10分の条件で、窒素雰囲気下でベークした。その後、真空蒸着機によりAlを100nm蒸着した。蒸着のときの真空度は、すべて1〜9×10-3Paであった。また、得られた有機薄膜太陽電池の形状は、2mm×2mmの正四角形であった。得られた有機薄膜太陽電池の特性(変換効率、開放端電圧、短絡電流)をソーラシミュレーター(商品名:AM1.5Gフィルター、100mW/cm2)で測定した。測定結果を表2に示す。
Figure 2008135500
−評価−
表2から分かるように、化合物4を用いて形成した電子輸送層を有する有機薄膜太陽電池(実施例8)は、該電子輸送層を有しない有機薄膜太陽電池(比較例4)に比べて高い変換効率、開放端電圧、短絡電流を示した。即ち、本発明の電子輸送性膜は、電子輸送性又は電子注入性に優れることが認められた。

Claims (16)

  1. 下記式(1):
    Figure 2008135500

    (式中、Ar1、Ar2及びAr3は、それぞれ独立に、下記式:
    Figure 2008135500

    で示されるいずれかの二価の基を表す。ここで、Rは炭素数1〜18のアルキル基を表し、aは1〜10の整数、b及びcはそれぞれ独立に1〜8の整数、d、e、f及びgはそれぞれ独立に1〜6の整数、hは1〜4の整数を表す。Rが複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、末端にオキシラン環を有する1価の基、アルカリ金属原子、水素原子、炭素数1〜18のアルキル基、オキセタン基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。但し、Q1及びQ2の少なくとも一方は、アルカリ金属原子又は水素原子である。)
    で表される化合物を含有する電子輸送性膜。
  2. 前記式(1)で表される化合物が、下記式(2):
    Figure 2008135500

    (式中、Q1、Q2、Ar2、R及びhは、上記と同じ意味を表す。複数存在するhは、同一であっても異なっていてもよい。Rが複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。)
    で表されるものである請求項1に記載の電子輸送性膜。
  3. 前記Ar2が、下記式:
    Figure 2008135500

    (式中、R、a、c及びhは、上記と同じ意味を表す。Rが複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。)
    で表されるいずれかの二価の基を表す請求項1又は2に記載の電子輸送性膜。
  4. 前記Ar2が、下記式:
    Figure 2008135500

    (式中、R、c及びhは、上記と同じ意味を表す。Rが複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。)
    で表されるいずれかの二価の基を表す請求項3に記載の電子輸送性膜。
  5. 前記Q1及びQ2が、それぞれ独立に、アルカリ金属原子又は水素原子である請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子輸送性膜。
  6. 前記Q1及びQ2の少なくとも一方が、アルカリ金属原子である請求項1〜5のいずれか一項に記載の電子輸送性膜。
  7. 前記Rがメチル基である請求項1〜6のいずれか一項に記載の電子輸送性膜。
  8. 有機半導体デバイス用である請求項1〜7のいずれか一項に記載の電子輸送性膜。
  9. 請求項1〜8のいずれか一項に記載の電子輸送性膜からなる電子輸送層。
  10. 請求項1〜8のいずれか一項に記載の電子輸送性膜からなる電子注入層。
  11. 請求項1〜8のいずれか一項に記載の電子輸送性膜を有する有機半導体。
  12. 前記電子輸送性膜が電子輸送層及び/又は電子注入層である請求項11に記載の有機半導体デバイス。
  13. 請求項1〜8のいずれか一項に記載の電子輸送性膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
  14. 前記電子輸送性膜が電子輸送層及び/又は電子注入層である請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  15. 請求項1〜8のいずれか一項に記載の電子輸送性膜を有する有機薄膜太陽電池。
  16. 前記電子輸送性膜が電子輸送層及び/又は電子注入層である請求項15に記載の有機薄膜太陽電池。
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