JP2011181900A - 有機エレクトロルミネッセンス素子および高分子発光体組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一対の電極と、該電極間に設けられる発光層とを備える有機EL素子において、前記発光層は、下記化合物(I)〜(IV)およびこれらの誘導体からなる群から選ばれた1種以上の化合物と、第1の高分子発光体とを含有する発光層、前記化合物(I)〜(IV)およびこれらの誘導体からなる群から選ばれた1種以上の化合物の2価の残基を、繰り返し単位として有する第2の高分子発光体を含有する発光層である、有機EL素子。
(I)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ジイミド
(II)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸二無水物
(III)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ビスイミダゾール
(IV)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ビスピリミジン
【選択図】なし
Description
前記発光層は、
下記化合物(I)〜(IV)およびこれらの誘導体からなる群から選ばれた1種以上の化合物と、第1の高分子発光体とを含有する発光層、または、
前記化合物(I)〜(IV)およびこれらの誘導体からなる群から選ばれた1種以上の化合物の2価の残基を、繰り返し単位として有する第2の高分子発光体を含有する発光層である、有機エレクトロルミネッセンス素子。
(I)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ジイミド
(II)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸二無水物
(III)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ビスイミダゾール
(IV)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ビスピリミジン
前記化合物(I)〜(IV)およびこれらの誘導体からなる群から選ばれた1種以上の化合物の2価の残基を、繰り返し単位として有する第2の高分子発光体を含有する、高分子発光体組成物。
(I)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ジイミド
(II)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸二無水物
(III)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ビスイミダゾール
(IV)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ビスピリミジン
(I)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ジイミド
(II)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸二無水物
(III)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ビスイミダゾール
(IV)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ビスピリミジン
なお各構造式において、括弧記号に交差する直線、すなわち括弧記号”(”、または括弧記号”)”に交差する直線は、それぞれ結合手を表す。
(1)
(式(1)中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7およびR8は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基を表す。これらの基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。)
(2)
(式(2)中、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17およびR18は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基を表す。これらの基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。)
(3)
(式(3)中、gは1〜6の整数を表し、hは0〜5の整数を表す。)
また第2の高分子発光体を構成する、化合物(I)〜(IV)およびこれらの誘導体からなる群から選ばれた1種以上の化合物の2価の残基の合計分子量の、第2の高分子発光体における割合は、第2の高分子発光体を1とすると、通常0.0001〜1.0であり、より好ましくは0.0001〜0.5であり、さらに好ましくは0.001〜0.2である。
例えば、共役系高分子である高分子発光体は、用いる重合反応に適した官能基を有する単量体を合成した後に、必要に応じて、有機溶媒に溶解し、例えば、アルカリや適当な触媒、配位子を用いた公知のアリールカップリング等の重合方法を用いて重合することにより合成することができる。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
d)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
e)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
g)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
h)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
k)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
l)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
m)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
n)陽極/発光層/電子注入層/陰極
o)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
p)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
q)陽極/(構造単位A)/電荷発生層/(構造単位A)/陰極
r)陽極/(構造単位B)x/(構造単位A)/陰極
発光層から放射される光が陽極を通って素子の外に出射する構成の有機EL素子の場合、陽極には光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、電気伝導度および光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す構成の有機EL素子では、発光層から放射される光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。陰極には、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の13族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また、陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、およびIZOを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお陰極は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお電子注入層が陰極として用いられる場合もある。
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法などを挙げることができる。
発光層は、塗布法によって形成されることが好ましい。塗布法は、製造プロセスを簡略化できる点、生産性が優れている点で好ましい。塗布法としてはキャスティング法、スピンコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等があげられる。前記塗布法を用いて発光層を形成する場合、まず前記化合物(I)〜(IV)およびこれらの誘導体からなる群から選ばれた1種以上の化合物と、前記高分子発光体とを含有する溶液状態の高分子発光体組成物を塗布液として調製し、この塗布液を前述した所定の塗布法によって所望の層又は電極上に塗布し、さらにこれを乾燥することにより、所期の膜厚の発光層を形成することができる。
正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層および電子輸送層などの材料は特に制限されない。正孔注入層の材料としては、たとえば酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体をあげることができる。正孔輸送層の材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体をあげることができる。電子輸送層の材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体をあげることができる。電子注入層の材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの1種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、またはこれらの物質の混合物などをあげることができる。各層は塗布法、真空蒸着法、スパッタリング法およびラミネート法などの所定の成膜方法によって形成される。
実施例において、数平均分子量(Mn)および重量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によりポリスチレン換算のものを求めた。具体的には、GPC(東ソー製、商品名:HLC-8220GPC)により、TSKgel SuperHM-H(東ソー製)3本を直列に繋げたカラムを用いて、展開溶媒としてテトラヒドロフランを0.5mL/分の流速で流し、40℃で測定した。検出器には、示差屈折率検出器を用いた。
500mlの4口フラスコにメチルトリオクチルアンモニウムクロライド(商品名:Aliquat336、シグマアルドリッチジャパン社製)1.72g、下記式:
で表される化合物A 6.2171g、下記式:
で表される化合物B 0.5085g、下記式:
で表される化合物C 6.2225g、及び下記式:
で表される化合物D 0.5487gを取り、窒素置換した。トルエン100mlを加え、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II) 7.6mg、炭酸ナトリウム水溶液24mlを加え、環流下で3時間攪拌した後、フェニルホウ酸0.40gを加え、終夜攪拌した。ナトリウムN,N−ジエチルジチオカルバメート水溶液を加え、さらに環流下で3時間攪拌した。得られた反応液を分液し、有機相を酢酸水溶液及び水で洗浄した後、メタノール中に滴下したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿をろ過し、ろ過した沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解させ、シリカゲル−アルミナカラムを通し、トルエンで洗浄した。得られたトルエン溶液をメタノール中に滴下したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿をろ過し、ろ過した沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解させ、メタノールに滴下ところ、沈殿が生じた。得られた沈殿をろ過し、ろ過した沈殿を減圧乾燥して、7.72gの高分子化合物1(共役系高分子)を得た。高分子化合物1のポリスチレン換算の数平均分子量Mnは1.2×105であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは2.9×105であった。
5Lセパラブルフラスコにメチルトリオクチルアンモニウムクロライド(商品名:Aliquat336、シグマアルドリッチジャパン社製)40.18g、下記式:
で表される化合物A 234.06g、下記式:
で表される化合物E 172.06g、及び下記式:
で表される化合物F 28.5528gを取り、窒素置換した。アルゴンバブリングしたトルエン2620gを加え、攪拌しながら更に30分間バブリングした。酢酸パラジウム 99.1mg、トリス(o−トリル)ホスフィン 937.0mgを加え、158gのトルエンで洗い流し、95℃に加熱した。17.5重量%炭酸ナトリウム水溶液855gを滴下後、バス温110℃に昇温し、9.5時間攪拌した後、フェニルホウ酸5.39gをトルエン96mlに溶解して加え、14時間攪拌した。200mlのトルエンを加え、反応液を分液し、有機相を3重量%酢酸水溶液850mlで2回、更に850mlの水とナトリウムN,N−ジエチルジチオカルバメート19.89gを加え、4時間攪拌した。分液後、シリカゲル−アルミナカラムを通し、トルエンで洗浄した。得られたトルエン溶液をメタノール50Lに滴下したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿を、メタノールで洗浄した。減圧乾燥後、11Lのトルエンに溶解させ、得られたトルエン溶液をメタノール50Lに滴下したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿をろ過し、ろ過した沈殿を減圧乾燥して、278.39gの高分子化合物2を得た。高分子化合物2のポリスチレン換算の数平均分子量Mnは7.7×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは3.8×105であった。
200mLセパラブルフラスコに、9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジホウ酸エチレングリコールエステル 1.591g(3.00mmol)、9,9−ジオクチル−2,7−ジブロモフルオレン 1.612g(2.94mmol)、N,N’−ビス(2,6−ジイソプロピルフェニル)−ジブロモペリレン−3,4:9,10−テトラカルボン酸ビスイミド(1,6−ジブロモ体と1,7−ジブロモ体との異性体混合物) 0.052g(0.06mmol)、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(商品名:Aliquat336、シグマアルドリッチジャパン社製) 0.39gとトルエン 30mLを加えた。窒素雰囲気下、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド 3.2mgを加え85℃に加熱した。この溶液に、17.5重量%炭酸ナトリウム水溶液 8.2mLを滴下しながら105℃に加熱した後、2.5hr攪拌した。次にフェニルホウ酸 0.366g、トルエン30mLを加え、105℃で終夜攪拌した。
200mLセパラブルフラスコに、9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジホウ酸エチレングリコールエステル 1.061g(2.00mmol)、9,9−ジオクチル−2,7−ジブロモフルオレン 0.987g(1.80mmol)、N,N’−ビス(2,6−ジイソプロピルフェニル)−ジブロモペリレン−3,4:9,10−テトラカルボン酸ビスイミド(1,6−ジブロモ体と1,7−ジブロモ体との異性体混合物) 0.174g(0.20mmol)、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(商品名:Aliquat336、シグマアルドリッチジャパン社製) 0.26gとトルエン 20mLを加えた。窒素雰囲気下、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド 2.1mgを加え85℃に加熱した。この溶液に、17.5重量%炭酸ナトリウム水溶液 5.4mLを滴下しながら105℃に加熱した後、6hr攪拌した。次にフェニルホウ酸 0.244g、トルエン20mLを加え、105℃で終夜攪拌した。
高分子化合物4は、以下の繰り返し単位を以下のモル比(99:5)で有する重合体である(原料から求めた理論値である)。
95 : 5
高分子化合物1を1.0重量%の濃度でキシレンに溶解させ、その後、該溶液を孔径0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過し、塗布溶液A1を作製した。
高分子化合物2を0.5重量%の濃度でキシレンに溶解させ、その後、該溶液を孔径0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過し、塗布溶液Bを作製した。
高分子化合物1を1.0重量%の濃度でキシレンに溶解させ、さらにペリレンのテトラカルボン酸ジイミド誘導体として下記化合物BPPC(シグマ−アルドリッチジャパン社より購入)を溶解{高分子化合物1:化合物BPPC=100:0.1(重量比)}させ、塗布溶液A2を作製した。
N,N′-Bis(2,5-di-tert-butylphenyl)-3,4,9,10-perylenedicarboximide
(略称BPPC)
高分子化合物1を1.0重量%の濃度でキシレンに溶解させ、さらに上記化合物BPPCを溶解高分子化合物1:化合物BPPC=100:0.01(重量比)}させ、塗布溶液A3を作製した。
高分子化合物1を1.0重量%の濃度でキシレンに溶解させ、高分子化合物3を1.0重量%の濃度でクロロベンゼンに溶解させ、さらにそれら溶液を高分子化合物1:高分子化合物3=99:1(重量比)の割合になるように混合し、塗布溶液A4を作製した。
高分子化合物1を1.0重量%の濃度でキシレンに溶解させ、高分子化合物3を1.0重量%の濃度でクロロベンゼンに溶解させ、さらにそれら溶液を高分子化合物1:高分子化合物3=96:4(重量比)の割合になるように混合し、塗布溶液A5を作製した。
高分子化合物1を1.0重量%の濃度でキシレンに溶解させ、高分子化合物4を1.0重量%の濃度でクロロベンゼンに溶解させ、さらにそれら溶液を高分子化合物1:高分子化合物4=99:1(重量比)の割合になるように混合し、塗布溶液A6を作製した。
<実施例1>
スパッタ法により表面に陽極(膜厚150nmのITO膜)が形成されたガラス基板上に、正孔注入層形成用溶液(Plextronics社製、商品名:HIL764)をスピンコートし、さらにこれを大気中ホットプレート上で170℃で15分間乾燥することにより正孔注入層(膜厚:50nm)を形成した。次に、塗布溶液Bを正孔注入層上にスピンコートし、グローブボックス中において窒素雰囲気中で、180℃で60分間ベークすることにより正孔輸送層(膜厚:20nm)を形成した。さらに前記塗布溶液A2を正孔輸送層上にスピンコートし、発光層を形成した。発光層の形成ではその膜厚が80nmとなるように調整した。
塗布溶液A2の代わりに塗布溶液A3を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製し、有機EL素子のLT80を測定した。測定結果を表1に示す。
塗布溶液A2の代わりに塗布溶液A4を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製し、有機EL素子のLT80を測定した。測定結果を表1に示す。
塗布溶液A2の代わりに塗布溶液A5を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製し、有機EL素子のLT80を測定した。測定結果を表1に示す。
塗布溶液A2の代わりに塗布溶液A6を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製し、有機EL素子のLT80を測定した。測定結果を表1に示す。
塗布溶液A2の代わりに塗布溶液A1を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製し、有機EL素子のLT80を測定した。測定結果を表1に示す。
Claims (8)
- 一対の電極と、該電極間に設けられる発光層とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記発光層は、
下記化合物(I)〜(IV)およびこれらの誘導体からなる群から選ばれた1種以上の化合物と、第1の高分子発光体とを含有する発光層、または、
前記化合物(I)〜(IV)およびこれらの誘導体からなる群から選ばれた1種以上の化合物の2価の残基を、繰り返し単位として有する第2の高分子発光体を含有する発光層である、有機エレクトロルミネッセンス素子。
(I)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ジイミド
(II)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸二無水物
(III)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ビスイミダゾール
(IV)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ビスピリミジン - 前記化合物(I)〜(IV)の誘導体が高分子化合物である請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記第1および第2高分子発光体が共役系高分子である、請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記第1および第2高分子発光体が、非置換又は置換のフルオレンジイル基、及び非置換又は置換のベンゾフルオレンジイル基からなる群から選ばれる1種以上のジイル基を繰り返し単位として有する高分子発光体である、請求項1〜3のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層における前記化合物(I)〜(IV)およびこれらの誘導体からなる群から選ばれた1種以上の化合物の含有量が、前記高分子発光体を100重量部としたときに0.001〜5重量部である、請求項1〜4のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層における前記化合物(I)〜(IV)およびこれらの誘導体からなる群から選ばれた1種以上の化合物の含有量が、前記高分子発光体を100重量部としたときに0.01〜1重量部である請求項1〜5のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項1〜6のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える発光装置。
- 下記(I)〜(IV)およびこれらの誘導体からなる群から選ばれた1種以上の化合物と、第1の高分子発光体とを含有する、または、
前記化合物(I)〜(IV)およびこれらの誘導体からなる群から選ばれた1種以上の化合物の2価の残基を、繰り返し単位として有する第2の高分子発光体を含有する、高分子発光体組成物。
(I)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ジイミド
(II)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸二無水物
(III)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ビスイミダゾール
(IV)ペリレン若しくはナフタレンのテトラカルボン酸ビスピリミジン
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