JP5891798B2 - 高分子化合物及びそれを用いた発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、高分子化合物及びそれを用いた発光素子に関する。

発光素子に用いるための材料として、例えば、アリールアミンから誘導された構成単位と、フルオレンから誘導された構成単位とを含む高分子化合物（非特許文献１参照）が検討されている。

Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ １９９９， １１， ２４１．

しかしながら、上記の高分子化合物を用いた発光素子は、その正孔輸送性が必ずしも十分ではない。

そこで、本発明は、正孔輸送性に優れる発光素子の製造に有用なる高分子化合物を提供することを目的とする。本発明はまた、当該高分子化合物を含む組成物、有機薄膜及び発光素子を提供することを目的とする。本発明はさらに、高分子化合物の原料化合物を提供することを目的とする。

本発明は第一に、下記式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物を提供する。

［式中、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。
Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Cは、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。
Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基、又は非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。
Ｒ^１及びＲ^３は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^２及びＲ^４は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^１及びＲ^２は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^３及びＲ^４は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^５及びＲ^７は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^６及びＲ^８は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^５及びＲ^６は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^７及びＲ^８は互いに連結して環構造を形成していてもよい。
Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８及びＲ^１９のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい。
Ａｒ^１とＲ^Ａは互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ａｒ^２とＲ^Cは互いに連結して環構造を形成していてもよい。］

上記式（１）で表される構成単位は、下記式（２）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、
Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^C、Ａｒ^１及びＡｒ^２は前記と同義である。
ｎ^１、ｎ^２、ｎ^３及びｎ^４は、それぞれ独立に、１〜５の整数を示す。
Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示し、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８がそれぞれ複数存在するとき、複数存在するＲ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３及びＲ^２４のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい。］

本発明の高分子化合物は、下記式（３）で表される構成単位をさらに含んでいることが好ましい。

［式中、Ａｒ^３は非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。］

本発明の高分子化合物は、上記式（３）で表される構成単位として、非置換若しくは置換のフルオレンジイル基からなる構成単位を含んでいることが好ましく、非置換若しくは置換の２，７−フルオレンジイル基からなる構成単位を含んでいることがより好ましい。

本発明の高分子化合物は、上記式（３）で表される構成単位として、非置換若しくは置換のナフタレンジイル基からなる構成単位を含んでいることが好ましい。

本発明の高分子化合物は、下記式（４）で表される構成単位をさらに含んでいることが好ましい。

［式中、
a^１及びa^２は、それぞれ独立に０又は１を示す。
Ａｒ^４及びＡｒ^６は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基又は非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。
Ａｒ ^５ 及びＡｒ ^７ は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基、又は、アリーレン基及び２価の複素環基から選ばれる同一若しくは異なる２以上の基が連結した２価の基（該基は、置換基を有していてもよい。）を示す。
Ｒ^D、Ｒ^E及びＲ^Fは、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。
Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７はそれぞれ、当該基が結合している窒素原子に結合している当該基以外の基と互いに連結して環構造を形成していてもよい。］

本発明の高分子化合物は、上記式（４）で表される構成単位として、下記式（５）で表される構成単位を含んでいることが好ましい。

［式中、
Ｒ^Gは、非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアリール基又は非置換もしくは置換の１価の複素環基を示す。
Ｘは、単結合、酸素原子、硫黄原子又はＣ（Ｒ^Ｈ）_２を示し、Ｒ^Ｈは、水素原子、非置換もしくは置換のアルキル基又は非置換もしくは置換のアリール基を示し、２つのＲ^Ｈは同一であっても異なっていてもよい。］

本発明の高分子化合物は、前記式（１）で表される構成単位の割合が、０．１〜５０モル％であることが好ましい。正孔輸送性がより優れる発光素子が得られるためである。

本発明はまた、下記式（１Ｍ）で表される化合物を提供する。

[式中、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。
Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Cは、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示し、
Ａｒ^１及びＡｒ^２はそれぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基又は非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。
Ｒ^１及びＲ^３は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^２及びＲ^４は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^１及びＲ^２は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^３及びＲ^４は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^５及びＲ^７は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^６及びＲ^８は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^５及びＲ^６は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^７及びＲ^８は互いに連結して環構造を形成していてもよい。
Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８及びＲ^１９のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい。
Ａｒ^１とＲ^Ａは互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ａｒ^２とＲ^Cは互いに連結して環構造を形成していてもよい。
Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立に、下記置換基群から選ばれる基を示す。
＜置換基群＞
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、
−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^４１（Ｒ^４１は、アルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子若しくはシアノ基で置換されていてもよいアリール基を示す。）で示される基、
−Ｂ（ＯＲ^４２）_２（Ｒ^４２は、水素原子又はアルキル基を示し、２つのＲ^４２は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して環構造を形成していてもよい。）で示される基、
−ＢＦ_４Ｑ^１（Ｑ^１は、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｒｂ^＋及びＣｓ^＋からなる群より選ばれる１価の陽イオンを示す。）で示される基、
−ＭｇＹ^１（Ｙ^１は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で示される基、
−ＺｎＹ^２（Ｙ^２は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で示される基、及び、
−Ｓｎ（Ｒ^４３）_３（Ｒ^４３は、水素原子又はアルキル基を示し、３つのＲ^４３は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して環構造を形成していてもよい。）で示される基。］

上記式（１Ｍ）で表される化合物は、下記式（２Ｍ）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、
Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^C、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｚ^１及びＺ^２は前記と同義である。
ｎ^１、ｎ^２、ｎ^３及びｎ^４は、それぞれ独立に、１〜５の整数を示す。
Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示し、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８がそれぞれ複数存在するとき、複数存在するＲ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３及びＲ^２４のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい。］

本発明はまた、本発明の高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料と、を含有する組成物を提供する。

本発明はまた、本発明の高分子化合物を含有する有機薄膜を提供する。

本発明はまた、本発明の組成物を含有する有機薄膜を提供する。

本発明はまた、本発明の有機薄膜を備える発光素子を提供する。

本発明によれば、正孔輸送性に優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物を提供することができる。本発明はまた、当該高分子化合物を含む組成物、有機薄膜及び発光素子を提供することができる。本発明はさらに、高分子化合物の原料化合物を提供することができる。

以下、本明細書において共通して用いられる用語について、必要に応じて例を挙げて説明する。

本明細書中、「Ｍｅ」はメチル基を示し、「Ｅｔ」はエチル基を示し、「Ｐｈ」はフェニル基を示し、「ｔ−Ｂｕ」及び「ｔＢｕ」はｔｅｒｔ−ブチル基を示す。

本明細書中、「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位構造を意味する。「構成単位」は、「繰り返し単位」（すなわち、高分子化合物中に２個以上存在する単位構造）として高分子化合物中に含まれることが好ましい。

「Ｃ_ｘ〜Ｃ_ｙ」（ｘ、ｙはｘ＜ｙを満たす正の整数である。）という用語は、この用語の直後に記載された官能基名に該当する部分構造の炭素原子数が、ｘ〜ｙ個であることを意味する。すなわち、「Ｃ_ｘ〜Ｃ_ｙ」の直後に記載された有機基が、複数の官能基名を組み合わせて命名された有機基（例えば、Ｃ_ｘ〜Ｃ_ｙアルコキシフェニル基）である場合、複数の官能基名のうち「Ｃ_ｘ〜Ｃ_ｙ」の直後に記載された官能基名（例えば、アルコキシ）に該当する部分構造の炭素原子数が、ｘ〜ｙ個であることを意味する。例えば、「Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基」は炭素原子数が１〜１２個であるアルキル基を意味し、「Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基」は「炭素原子数が１〜１２個であるアルコキシ基」を有するフェニル基を意味する。

本明細書中、「非置換若しくは置換の」という用語は、この用語の直後に記載された官能基が置換基を有していてもよいことを意味する。例えば、「非置換若しくは置換のアルキル基」は、「非置換のアルキル基若しくは置換基を有するアルキル基」を意味する。

本明細書中、「ｎ価の複素環基」（ｎは１以上の整数である。）とは、複素環式化合物（芳香族性を持つ、芳香族複素環式化合物であることが好ましい。）からｎ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。「複素環式化合物」とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、燐原子、ホウ素原子等のヘテロ原子を環内に含む化合物を意味する。「アリーレン基」とは、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた残りの原子団を意味し、縮合環を持つ基を含む。なお、独立したベンゼン環及び縮合環から選ばれる２個以上の環が直接結合した基は含まれない。「アリール基」とは、芳香族炭化水素から水素原子１個を除いた残りの原子団を意味し、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環及び縮合環から選ばれる２個以上が直接結合した基を含む。

本明細書中、「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を示す。

［高分子化合物］
以下、好適な実施形態に係る高分子化合物について説明する。

本発明の高分子化合物は、下記式（１）で表される構成単位を含む。

式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。
Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Cは、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。
Ａｒ^１及びＡｒ^２はそれぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８は、高分子化合物の製造が容易であり、かつ、高分子化合物を発光素子の製造に用いた場合に、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるので、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基又は非置換若しくは置換のアリール基であることが好ましく、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基又は非置換若しくは置換のアルコキシ基であることがより好ましい。

Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０としては、高分子化合物を発光素子の製造に用いた場合に、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるので、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基又は非置換若しくは置換のアリール基が好ましく、水素原子又は非置換若しくは置換のアルキル基がより好ましい。

式（１）においてＲ^１〜Ｒ^２０が示す非置換もしくは置換のアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよく、直鎖状及び分岐状のアルキル基の炭素原子数は通常１〜５０程度、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。環状のアルキル基の炭素原子数は通常３〜５０程度、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソアミル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ｎ−ヘキシル−デシル基、及び、これらの基における水素原子が、アリール基、アルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^２０が示す非置換もしくは置換のアリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、好ましくは６〜６０、より好ましくは６〜４８、さらに好ましくは６〜３０である。
前記アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^２０が示す非置換もしくは置換の１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常４〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
前記１価の複素環基としては、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
なかでも、チエニル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基等で置換された基が好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^２０が示す非置換もしくは置換のアルコキシ基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよい。直鎖状及び分岐状のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常１〜４０であり、好ましくは２〜２０であり、より好ましくは４〜１０である。環状のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常３〜４０であり、好ましくは３〜２０であり、より好ましくは４〜１０である。
前記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アリール基、アルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^２０が示す非置換もしくは置換のアリールオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。
前記アリールオキシ基としては、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Cは、高分子化合物の安定性が良好になり、かつ、高分子化合物を発光素子の製造に用いた場合に、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるので、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基であることが好ましく、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基であることがより好ましく、非置換若しくは置換のアリール基であることがさらに好ましい。

Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Cで表される非置換もしくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基及び非置換若しくは置換の１価の複素環基の定義や例は、それぞれ、Ｒ^１〜Ｒ^２０で示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基及び非置換若しくは置換の複素環基の定義や例と同じである。

Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Cで示される非置換もしくは置換のアリール基としては、高分子化合物の有機溶媒への溶解性と耐熱性とがバランス良く向上するので、フェニル基、アルキル基で置換されたフェニル基が好ましい。

Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Cで示されるアルキル基で置換されたフェニル基としては、２，６−ジメチル−４−ｎ−ブチルフェニル基、２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、３−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３−ｎ−ヘキシル−５−メチルフェニル基、３，５−ジ−ｎ−ヘキシルフェニル基等が挙げられる。

Ａｒ^１及びＡｒ^２が示す非置換もしくは置換のアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、好ましくは６〜６０、より好ましくは６〜３０、さらに好ましくは６〜１８である。
Ａｒ^１及びＡｒ^２で示されるアリーレン基としては、例えば、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフタレンジイル基、１，５−ナフタレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基、２，７−ナフタレンジイル基、２，６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基、２，７−ジヒドロフェナントレンジイル基、５，１２−ナフタセンジイル基、２，７−フルオレンジイル、３，６−フルオレンジイル基、１，６−ピレンジイル基、２，７−ピレンジイル基、３，９−ペリレンジイル基、３，１０−ペリレンジイル基、６，１２−クリセンジイル基、２，８−クリセンジイル基等が挙げられ、
１，４−フェニレン基、２，７−フルオレンジイル、２，６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基、２，７−ジヒドロフェナントレンジイル基、１，６−ピレンジイル基が好ましい。

Ａｒ^１及びＡｒ^２が示す非置換もしくは置換の２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、好ましくは４〜６０、より好ましくは４〜３０、さらに好ましくは４〜１５である。
Ａｒ^１及びＡｒ^２で示される２価の複素環基としては、例えば、２，５−チオフェンジイル基、２，５−ピロールジイル基、２，５−フランジイル基、２，５−ピロールジイル基、２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイル基、２，７−フェノチアジンジイル基、２，８−フェノチアジンジイル基、４，６−フェノチアジンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェンジイル基等が挙げられる。

Ａｒ^１及びＡｒ^２で示される基は置換基を有していてもよい。置換基としては、非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアルコキシ基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基、ハロゲン原子、非置換もしくは置換の１価の複素環基、シアノ基が挙げられ、非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアリール基が好ましい。
非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアルコキシ基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基、非置換もしくは置換の複素環基の定義や例は、それぞれ、Ｒ^１〜Ｒ^２０で表される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基、非置換若しくは置換の１価の複素環基の定義や例と同じである。

式（１）中、Ｒ^１及びＲ^３は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^２及びＲ^４は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^１及びＲ^２は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^３及びＲ^４は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^５及びＲ^７は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^６及びＲ^８は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^５及びＲ^６は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^７及びＲ^８は互いに連結して環構造を形成していてもよい。
Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８及びＲ^１９のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい。
Ａｒ^１とＲ^Ａは互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ａｒ^２とＲ^Cは互いに連結して環構造を形成していてもよい。

式（１）において、「Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい」とは、隣接位の炭素原子に結合する基同士が互いに連結して環構造を形成してもよいことを意味し、Ｒ^１０とＲ^１１とが連結して環構造を形成してもよいこと、Ｒ^１１とＲ^１２とが連結して環構造を形成してもよいこと、及び、Ｒ^１２とＲ^１３とが連結して環構造を形成してもよいことを意味する。

式（１）において、「Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８及びＲ^１９のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい」とは、隣接位の炭素原子に結合する基同士が互いに連結して環構造を形成してもよいことを意味し、Ｒ^１６とＲ^１７とが連結して環構造を形成してもよいことＲ^１７とＲ^１８とが連結して環構造を形成してもよいこと、及び、Ｒ^１８とＲ^１９とが連結して環構造を形成してもよいことを意味する。

上記の形成された環構造は置換基を有していてもよく、置換基としては、非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアルコキシ基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基、ハロゲン原子、非置換もしくは置換の１価の複素環基、シアノ基が挙げられる。
非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアルコキシ基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基、非置換もしくは置換の１価の複素環基の定義や例は、それぞれ、Ｒ^１〜Ｒ^２０で示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基及び非置換若しくは置換の１価の複素環基の定義や例と同じである。

式（１）において、「Ａｒ^１とＲ^Ａは互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ａｒ^２とＲ^Ｃは互いに連結して環構造を形成していてもよい」とは、Ａｒ^１とＲ^Ａ（又はＡｒ^２とＲ^Ｃ）とが、単結合、又は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ^２９）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ^２９）−若しくは−Ｃ（Ｒ^２９）_２−で示される基（Ｒ^２９は、非置換若しくは置換のアルキル基又は非置換若しくは置換のアリール基を示し、Ｒ^２９が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよい）を介して結合し、環構造を形成していてもよいことを示す。これにより、通常５〜７員環が形成される。

上記の形成された環構造は置換基を有していてもよく、置換基としては、非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアルコキシ基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基、ハロゲン原子、非置換もしくは置換の１価の複素環基、シアノ基が挙げられる。
非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアルコキシ基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基及び非置換もしくは置換の１価の複素環基の定義や例は、それぞれ、Ｒ^１〜Ｒ^２０で示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基及び非置換若しくは置換の１価の複素環基の定義や例と同じである。

式（１）で表される構成単位の割合は、得られる高分子化合物の安定性が優れるので、全構成単位の０．１〜５０モル％であることが好ましく、０．１〜４０モル％であることがより好ましく、０．１〜３０モル％であることがさらに好ましい。

前記式（１）で表される構成単位は、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるので、好ましくは、下記式（２）で表される構成単位である。

式（２）中、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^C、Ａｒ^１及びＡｒ^２は前記と同義である。
ｎ^１、ｎ^２、ｎ^３及びｎ^４は、それぞれ独立に、１〜５の整数を示す。
Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。

Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８は、高分子化合物の製造が容易であり、かつ、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるので、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基又は非置換若しくは置換のアリール基であることが好ましく、水素原子又は非置換若しくは置換のアルキル基であることがより好ましい。

Ｒ^２１〜Ｒ^２８で示される非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアルコキシ基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基及び非置換もしくは置換の１価の複素環基の定義や例は、それぞれ、Ｒ^１〜Ｒ^２０で表される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基及び非置換若しくは置換の１価の複素環基の定義や例と同じである。

式（２）において、ｎ^１が２〜５の整数であるとき、複数存在するＲ^２１は互いに同一でも異なっていてもよく、複数存在するＲ^２２は互いに同一でも異なっていてもよい。また、ｎ^２が２〜５の整数であるとき、複数存在するＲ^２３は互いに同一でも異なっていてもよく、複数存在するＲ^２４は互いに同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３及びＲ^２４のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい。

式（２）において、ｎ^３が２〜５の整数であるとき、複数存在するＲ^２５は互いに同一でも異なっていてもよく、複数存在するＲ^２６は互いに同一でも異なっていてもよい。また、ｎ^４が２〜５の整数であるとき、複数存在するＲ^２７は互いに同一でも異なっていてもよく、複数存在するＲ^２８は互いに同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい。

式（２）で表される構成単位においては、例えば、ｎ^１及び／又はｎ^２が２以上の場合で置換基を有するときや、Ｒ^２１及びＲ^２２が互いに異なるときや、Ｒ^２３及びＲ^２４が互いに異なるときに、立体異性を生じ得る。また、ｎ^３及び／又はｎ^４が２以上の場合で置換基を有するときや、Ｒ^２５及びＲ^２６が互いに異なるときや、Ｒ^２７及びＲ^２８が互いに異なるときに、立体異性を生じ得る。高分子化合物は、式（２）で表される構成単位として、同一の立体異性を有する構成単位のみを有していてもよく、互いに異なる立体異性を有する複数の構成単位を有していてもよい。立体異性としては、ジアステレオマー、エナンチオマーが挙げられる。

式（２）で表される構成単位の中に、例えば、下記式（１−Ａ）で表されるジヒドロフェナントレン骨格部分が含まれる場合、その立体異性の例は、下記式（１−ａ）、式（１−ｂ）、式（１−ｃ）、式（１−ｄ）で表される。なお、下記式中、Ｒ^ａ及びＲ^ｂは、それぞれ独立に、アルキル基を示す。

式（１−ａ）で表される骨格部分、式（１−ｂ）で表される骨格部分、式（１−ｃ）で表される骨格部分及び式（１−ｄ）で表される骨格部分は、互いにジアステレオマーの関係にある。

式（２）において、「Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３及びＲ^２４のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい。」とは、例えば、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３及びＲ^２４のうち同一の炭素原子に結合する基同士が互いに連結して環構造を形成してもよく、ｎ^１及び／又はｎ^２が２以上のときに、隣接位の炭素原子に結合する基同士が互いに連結して環構造を形成してもよいことを意味する。

式（２）において、「Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい」とは、例えば、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８のうち同一の炭素原子に結合する基同士が互いに連結して環構造を形成してもよく、ｎ^３及び／又はｎ^４が２以上のときに、隣接位の炭素原子に結合する基同士が互いに連結して環構造を形成してもよいことを意味する。

上記の形成された環構造は置換基を有していてもよく、置換基としては、非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアルコキシ基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基、ハロゲン原子、非置換もしくは置換の１価の複素環基及びシアノ基が挙げられる。
非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアルコキシ基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基、非置換もしくは置換の複素環基の定義や例は、それぞれ、Ｒ^１〜Ｒ^２０で示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基及び非置換若しくは置換の１価の複素環基の定義や例と同じである。

式（２）において、高分子化合物を発光素子の製造に用いた場合に、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるので、ｎ^１、ｎ^２、ｎ^３及びｎ^４は３〜５の整数であることが好ましく、３又は４であることがより好ましく、３であることがさらに好ましい。

式（２）において、ｎ^１及びｎ^２は互いに同一でも異なっていてもよいが、高分子化合物の製造が容易となるので、ｎ^１及びｎ^２は互いに同一であることが好ましい。

式（２）において、ｎ^３及びｎ^４は互いに同一でも異なっていてもよいが、高分子化合物の製造が容易となるので、ｎ^３及びｎ^４は互いに同一であることが好ましい。

式（１）又は（２）で表される構成単位としては、例えば、下記式（１−１）〜（１−１７）で表される構成単位が挙げられ、式（１−１）〜（１−４）で表される構成単位が好ましい。

本発明の高分子化合物は、式（１）又は式（２）で表される構成単位に加えて、下記式（３）で表される構成単位を更に含んでいることが好ましい。

式（３）中、Ａｒ^３は非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。但し、式（３）で表される構成単位は、後述の式（５）で表される構成単位とは異なる。

Ａｒ^３が示す非置換もしくは置換のアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、好ましくは６〜６０、より好ましくは６〜３０、さらに好ましくは６〜１８である。
Ａｒ^３で示されるアリーレン基としては、例えば、例えば、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフタレンジイル基、１，５−ナフタレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基、２，７−ナフタレンジイル基、２，６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基、２，７−ジヒドロフェナントレンジイル基、５，１２−ナフタセンジイル基、２，７−フルオレンジイル、３，６−フルオレンジイル基、１，６−ピレンジイル基、２，７−ピレンジイル基、３，９−ペリレンジイル基、３，１０−ペリレンジイル基、６，１２−クリセンジイル基、２，８−クリセンジイル基が挙げられる。

Ａｒ^３で示されるアリーレン基としては、高分子化合物を発光素子の製造に用いた場合に、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるので、１，４−フェニレン基、２，７−フルオレンジイル、２，６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基、２，７−ジヒドロフェナントレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基、１，６−ピレンジイル基が好ましい。

Ａｒ^３が示す非置換もしくは置換の２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、好ましくは４〜６０、より好ましくは４〜３０、さらに好ましくは４〜１５である。
Ａｒ^３で示される２価の複素環基としては、例えば、２，５−チオフェンジイル基、２，５−ピロールジイル基、２，５−フランジイル基、２，５−ピロールジイル基、２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイル基、２，７−フェノチアジンジイル基、２，８−フェノチアジンジイル基、４，６−フェノチアジンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェンジイル基が挙げられる。

Ａｒ^３で示される基は置換基を有していてもよい。置換基としては、非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアルコキシ基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基、ハロゲン原子、非置換もしくは置換の１価の複素環基及びシアノ基が挙げられ、非置換もしくは置換のアルキル基及び非置換もしくは置換のアリール基が好ましい。
非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアルコキシ基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基及び非置換もしくは置換の１価の複素環基の定義や例は、それぞれ、Ｒ^１〜Ｒ^２０で表される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基及び非置換若しくは置換の１価の複素環基の定義や例と同じである。

式（３）で表される構成単位は、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるので、非置換若しくは置換のフルオレンジイル基からなる構成単位であることが好ましく、非置換若しくは置換の２，７−フルオレンジイル基からなる構成単位であることがより好ましい。

式（３）で表される構成単位は、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるので、非置換若しくは置換のナフタレンジイル基からなる構成単位であることが好ましく、非置換若しくは置換の２，６−ナフタレンジイル基からなる構成単位であることがより好ましい。

本発明の高分子化合物は、式（３）で表される構成単位として、上記の構成単位を一種のみ含んでいてもよいし、異なる複数の構成単位を含んでいてもよい。
例えば、本発明の高分子化合物は、式（３）で表される構成単位として、非置換若しくは置換のフルオレンジイル基からなる構成単位と、非置換若しくは置換のナフタレンジイル基からなる構成単位と、を含んでいてもよい。また、例えば、本発明の高分子化合物は、式（３）で表される構成単位として、非置換若しくは置換のフルオレンジイル基からなる構成単位と、非置換若しくは置換のアントラセンジイル基からなる構成単位と、を含んでいてもよい。

式（３）で表される構成単位としては、例えば、下記式（３−１）〜（３−４２）で表される構成単位が挙げられ、式（３−１）、（３−２）、（３−４）、（３−５）、（３−９）、（３−１２）、（３−２５）、（３−２８）、（３−３０）、（３−３２）、（３−３４）、（３−４１）及び（３−４２）が好ましい。高分子化合物を発光素子の製造に用いた場合に、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるためである。

式（３）で表される構成単位の割合は、得られる高分子化合物の安定性が優れるので、全構成単位の０．１〜９９．９モル％であることが好ましく、３０〜９９．９モル％であることがより好ましく、５０〜９９．９モル％であることがさらに好ましい。

本発明の高分子化合物は、下記式（４）で表される構成単位を更に含んでいることが好ましい。

式（４）中、a^１及びa^２は、それぞれ独立に、０又は１を示す。
Ａｒ^４及びＡｒ^６は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基又は非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。
Ａｒ ^５ 及びＡｒ ^７ は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基、又は、アリーレン基及び２価の複素環基から選ばれる同一若しくは異なる２以上の基が連結した２価の基（該基は、置換基を有していてもよい。）を示す。
Ｒ^D、Ｒ^E及びＲ^Fは、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。
Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７はそれぞれ、当該基が結合している窒素原子に結合している当該基以外の基と互いに連結して環構造を形成していてもよい。

a^１は、高分子化合物を発光素子の製造に用いた場合に、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるので、１であることがより好ましい。

a^２は、本発明の高分子化合物の製造が容易であり、また、高分子化合物を発光素子の製造に用いた場合に、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるので、０であることが好ましい。

式（４）中、Ｒ^D、Ｒ^E及びＲ^Fは、高分子化合物の安定性が良好になり、かつ、高分子化合物を発光素子の製造に用いた場合に、正孔輸送性がより優れるので、置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基であることが好ましく、非置換若しくは置換のアリール基であることがより好ましい。

式（４）においてＡｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７で表される基は、非置換若しくは置換のアリーレン基であることが、高分子化合物の安定性が良好になり、また、高分子化合物を発光素子の製造に用いた場合に、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるので好ましい。

Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７が示す非置換もしくは置換のアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、好ましくは６〜６０、より好ましくは６〜３０、さらに好ましくは６〜１８である。
Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７が示すアリーレン基としては、例えば、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフタレンジイル基、１，５−ナフタレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基、２，７−ナフタレンジイル基、２，６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基、２，７−ジヒドロフェナントレンジイル基、５，１２−ナフタセンジイル基、２，７−フルオレンジイル、３，６−フルオレンジイル基、１，６−ピレンジイル基、２，７−ピレンジイル基、３，９−ペリレンジイル基、３，１０−ペリレンジイル基、６，１２−クリセンジイル基、２，８−クリセンジイル基が挙げられ、１，４−フェニレン基、２，７−フルオレンジイル、２，６−アントラセンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基、２，７−ジヒドロフェナントレンジイル基、１，６−ピレンジイル基が好ましく、１，４−フェニレン基、２，７−フルオレンジイルがさらに好ましい。

Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７が示す非置換もしくは置換の２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、好ましくは４〜６０、より好ましくは４〜３０、さらに好ましくは４〜１５である。
Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７が示す２価の複素環基としては、例えば、２，５−チオフェンジイル基、２，５−ピロールジイル基、２，５−フランジイル基、２，５−ピロールジイル基、２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイル基、２，７−フェノチアジンジイル基、２，８−フェノチアジンジイル基、４，６−フェノチアジンジイル基、ジベンゾフランジイル基、ジベンゾチオフェンジイル基が挙げられる。

Ａｒ^５及びＡｒ^７におけるアリーレン基及び２価の複素環基から選ばれる同一若しくは異なる２以上の基が連結した２価の基としては、例えば、下記式（１ａ−１）、（１ａ−２）、（１ａ−３）、（１ａ−４）、（１ａ−５）、（１ａ−６）又は（１ａ−７）で表される基を選択することができ、上記式（１ａ−１）で表される基が好ましい。

Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７で示される基は置換基を有していてもよい。置換基としては、非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアルコキシ基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基、ハロゲン原子、非置換もしくは置換の１価の複素環基及びシアノ基が挙げられ、非置換もしくは置換のアルキル基及び非置換もしくは置換のアリール基が好ましい。
非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアルコキシ基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基、非置換もしくは置換の１価の複素環基の定義や例は、それぞれ、Ｒ^１〜Ｒ^２０で表される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換のアリールオキシ基、非置換若しくは置換の１価の複素環基の定義や例と同じである。

Ｒ^D、Ｒ^E及びＲ^Fで示される非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアリール基及び非置換若しくは置換の１価の複素環基の定義や例は、それぞれ、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Cで示される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアリール基及び非置換若しくは置換の複素環基の定義や例と同じである。

式（４）の構成単位としては、例えば、下記式（３−ａ）、（３−ｂ）、（３−ｃ）及び（３−ｄ）で表される構成単位が挙げられ、式（３−ｂ）、（３−ｃ）及び（３−ｄ）で表される構成単位が好ましく、式（３−ｂ）及び（３−ｃ）で表される構成単位がより好ましい。

式（３−ａ）〜（３−ｄ）中、Ｒ^５２は、Ｒ^１〜Ｒ^２０の定義や例と同じである。また、Ｒ^５２は、上記の基を表すかわりに、他のＲ^５２と一緒になって環を形成していてもよい。

式（４）で表される構成単位としては、例えば、下記式（４−１）〜（４−５）で表される構成単位が挙げられ、式（４−２）、（４−３）及び（４−４）で表される構成単位が好ましく、式（４−２）及び（４−３）で表される構成単位がさらに好ましい。

式（４）で表される構成単位の割合は、得られる高分子化合物の安定性が優れるので、全構成単位の０．１〜７０モル％であることが好ましく、０．１〜５０モル％であることがより好ましく、０．１〜４０モル％であることがさらに好ましい。

式（４）で表される構成単位は、下記式（５）で表される構成単位であることが好ましい。

Ｒ^Gは水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。
Ｘは、単結合、酸素原子、硫黄原子又はＣ（Ｒ^Ｈ）_２を示し、Ｒ^Ｈは、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基又は非置換若しくは置換のアリール基を示し、２つのＲ^Ｈは同一でも異なっていてもよい。

Ｒ^Gは、高分子化合物の安定性が良好になり、かつ、高分子化合物を発光素子の製造に用いた場合に、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるので、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基であることが好ましく、非置換若しくは置換のアルキル基又は非置換若しくは置換のアリール基であることがより好ましく、非置換若しくは置換のアリール基であることがさらに好ましい。

Ｘは、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に、得られる発光素子の正孔輸送性がより優れるので、単結合又は酸素原子であることが好ましく、酸素原子であることがより好ましい。

Ｒ^Ｇで示される非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアリール基及び非置換若しくは置換の１価の複素環基の定義や例は、それぞれ、Ｒ^Ｄ、Ｒ^Ｅ及びＲ^Ｆで表される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアリール基及び非置換若しくは置換の１価の複素環基の定義や例と同じである。

Ｒ^Ｈで示される非置換もしくは置換のアルキル基及び非置換もしくは置換のアリール基の定義や例は、それぞれ、Ｒ^１〜Ｒ^２０で表される非置換若しくは置換のアルキル基及び非置換もしくは置換のアリール基の定義や例と同じである。

式（５）で表される構成単位としては、例えば、下記式（５−１）〜（５−７）で表される構成単位が挙げられ、正孔輸送性の観点から、式（５−１）〜（５−５）で表される構成単位が好ましく、（５−４）で表される構成単位がより好ましい。

本発明の高分子化合物における、上記の構成単位の組み合わせの例を、以下に示す。

本発明の高分子化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と言う。）によるポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は、通常、１×１０^３〜１×１０^８であり、好ましくは１×１０^４〜１×１０^６である。また、高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常、２×１０^３〜２×１０^８であり、成膜性が良好になるので、好ましくは２×１０^４〜２×１０^６であり、より好ましくは３×１０^４〜１×１０^６であり、更に好ましくは５×１０^４〜５×１０^５である。

本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性や輝度寿命が低下する可能性があるので、安定な基であることが好ましい。この末端基としては、主鎖と共役結合している基が好ましく、アリール基又は１価の複素環基（具体的には、特開平９−４５４７８号公報に記載の基等）が挙げられる。

本発明の高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。

［高分子化合物の製造方法］
次に、本発明の高分子化合物の好ましい製造方法を説明する。

本発明の高分子化合物は、例えば、下記式（1Ｍ）で表される化合物（以下、場合により「化合物１Ｍ」という。）と、他のモノマー（例えば、下記式（３Ｍ）で表される化合物（以下、場合により「化合物３Ｍ」という。）及び／又は下記式（４Ｍ）で表される化合物（以下、場合により「化合物４Ｍ」という。））と、を縮合重合させることにより製造することができる。本明細書において、化合物１Ｍと化合物３Ｍと化合物４Ｍを総称して、「モノマー」ということがある。

式（１Ｍ）中、ｎ^１、ｎ^２、ｎ^３、ｎ^４、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Cは上記と同義であり、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立に、下記置換基群（下記置換基Ａ群又は下記置換基Ｂ群）から選択される基を示す。

式（３Ｍ）中、Ａｒ^３は上記と同義であり、Ｚ^３及びＺ^４は下記置換基Ａ群又は下記置換基Ｂ群から選択される基を示す。

式（４Ｍ）中、a^１、a^２、Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ｒ^D、Ｒ^E及びＲ^Fは上記と同義であり、Ｚ^５及びＺ^６は下記置換基Ａ群又は下記置換基Ｂ群から選択される基を示す。

＜置換基Ａ群＞
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^４１（Ｒ^４１は、アルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子若しくはシアノ基で置換されていてもよいアリール基を示す。）で示される基。

＜置換基Ｂ群＞
−Ｂ（ＯＲ^４２）_２（Ｒ^４２は水素原子又はアルキル基を示し、複数存在するＲ^４２は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して環構造を形成していてもよい。）で示される基、−ＢＦ_４Ｑ^１（Ｑ^１は、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｒｂ^＋及びＣｓ^＋からなる群より選ばれる１価の陽イオンを示す。）で示される基、−ＭｇＹ^１（Ｙ^１は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で示される基、−ＺｎＹ^２（Ｙ^２は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で示される基、及び、−Ｓｎ（Ｒ^４３）_３（Ｒ^４３は水素原子又はアルキル基を示し、複数存在するＲ^４３は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して環構造を形成していてもよい。）で示される基。

置換基Ａ群から選ばれる基を有する化合物と置換基Ｂ群から選ばれる基を有する化合物とは、公知のカップリング反応により縮合重合して、置換基Ａ群から選ばれる基及び置換基Ｂ群から選ばれる基と結合する炭素原子同士が結合することが知られている。そのため、置換基Ａ群から選ばれる基を２個有する化合物Ａと、置換基Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物Ｂと、を公知のカップリング反応に供すれば、縮合重合により、化合物Ａ及び化合物Ｂの縮合重合体を得ることができる。

例えば、化合物１ＭにおけるＺ^１及びＺ^２が置換基Ａ群から選ばれる基である場合、化合物３Ｍ（又は、化合物４Ｍ）におけるＺ^３及びＺ^４（又は、Ｚ^５及びＺ^６）としては、置換基Ｂ群から選ばれる基を選択することができる。また、化合物１ＭにおけるＺ^１及びＺ^２が置換基Ｂ群から選ばれる基である場合、化合物３Ｍ（又は、化合物４Ｍ）におけるＺ^３及びＺ^４（又は、Ｚ^５及びＺ^６）としては、置換基Ａ群から選ばれる基を選択することができる。

式（１Ｍ）、（３Ｍ）、（４Ｍ）で表される化合物は、予め合成し単離したものを用いることも、反応系中で調製してそのまま用いることもできる。

縮合重合の方法としては、式式（１Ｍ）、（３Ｍ）、（４Ｍ）で表される化合物を、適切な触媒や適切な塩基を用いて反応させる方法が挙げられる。

触媒としては、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリス−o‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、［トリス（ジベンジリデンアセトン）］ジパラジウム、パラジウムアセテート等のパラジウム錯体、ニッケル［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ジクロロニッケル、［ビス（１，４−シクロオクタジエン）］ニッケル等のニッケル錯体等の遷移金属錯体と、必要に応じて、更にトリフェニルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）、トリシクロヘキシルホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、ビピリジル等の配位子とからなる触媒が挙げられる。触媒は、予め合成したものを用いることもできるし、反応系中で調製したものをそのまま用いることもできる。これらの触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

触媒を用いる場合には、その使用量は、式（１Ｍ）、（３Ｍ）、（４Ｍ）で表される化合物のモル数の合計に対する遷移金属の量として、０．００００１〜３モル当量が好ましく、０．００００５〜０．５モル当量がより好ましく、０．０００１〜０．２モル当量が更に好ましい。

塩基としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基が挙げられる。これらの塩基は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

塩基を用いる場合には、その使用量は、式（１Ｍ）、（３Ｍ）、（４Ｍ）で表される化合物のモル数の合計に対して、０．５〜２０モル当量が好ましく、１〜１０モル当量がより好ましい。

縮合重合は、通常、有機溶媒等の溶媒の存在下で行うことができる。

有機溶媒は、式（１Ｍ）、（３Ｍ）、（４Ｍ）で表される化合物の種類や反応によって異なるが、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドである。副反応を抑制するために、これらの溶媒に対して、脱酸素処理を行うことが望ましい。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

有機溶媒の使用量は、式（１Ｍ）、（３Ｍ）、（４Ｍ）で表される化合物の合計濃度が、通常０．１〜９０重量％、好ましくは１〜５０重量％、より好ましくは２〜３０重量％となる量である。

縮合重合の反応温度は、好ましくは−１００〜２００℃であり、より好ましくは−８０〜１５０℃であり、更に好ましくは０〜１２０℃である。反応時間は、反応温度等の条件によるが、通常１時間以上であり、好ましくは２〜５００時間である。

重合反応において、本実施形態の高分子化合物の末端に重合性基（例えばＺ^１、Ｚ^２）が残存するのを避けるために、重合停止剤として、下記式（１Ｔ）で示される化合物を用いてもよい。これにより、末端がアリール基又は１価の複素環基（特には１価の芳香族複素環基）である高分子化合物を得ることができる。
Ｚ^Ｔ−Ａｒ^Ｔ （１Ｔ）

式（１Ｔ）中、Ａｒ^Ｔは置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい１価の複素環基（特には１価の芳香族複素環基）を示し、Ｚ^Ｔは上記置換基Ａ群及び上記置換基Ｂ群からなる群から選ばれる基を示す。Ａｒ^Ｔにおけるアリール基及び１価の複素環基（特には１価の芳香族複素環基）としては、それぞれ上述のＲ^１〜Ｒ^２０として例示された非置換もしくは置換のアリール基、非置換もしくは置換の１価の複素環基（特には１価の芳香族複素環基）と同様のものが例示できる。

重合反応の後処理は、公知の方法で行うことができ、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法や、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応溶液を加えて、析出させた沈殿を濾過、乾燥させる方法などを単独、又は組み合わせて行うことができる。

本発明の高分子化合物の純度が低い場合には、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製すればよいが、本発明の高分子化合物を発光素子に用いる場合、その純度が発光効率や輝度寿命等の発光素子の特性に影響を与えるため、縮合重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。

前記縮合重合の方法としては、Ｓｕｚｕｋｉ反応により重合する方法（ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ． Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年））、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法（共立出版、高分子機能材料シリーズ第２巻、高分子の合成と反応（２）、４３２〜４３３頁）、山本重合法により重合する方法（プログレッシブ ポリマー サイエンス（Ｐｒｏｇ． Ｐｏｌｙｍ． Ｓｃｉ．），第１７巻， １１５３〜１２０５頁， １９９２年）が挙げられる。

（化合物）
本発明の化合物は、下記式（１Ｍ）で表される化合物である。

式（１Ｍ）中、ｎ^１、ｎ^２、ｎ^３、ｎ^４、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Cは上記と同義であり、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立に、上記置換基群（上記置換基Ａ群又は上記置換基Ｂ群）から選択される基を示す。

前記式（１Ｍ）で表される化合物は、得られる素子の正孔輸送性に優れるので、好ましくは、下記式（２Ｍ）で表される化合物である。

式（２Ｍ）中、ｎ^１、ｎ^２、ｎ^３、ｎ^４、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７、Ｒ^２８、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Cは上記と同義であり、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立に、上記置換基群（上記置換基Ａ群又は下記置換基Ｂ群）から選択される基を示す。

式（２Ｍ）で表される化合物としては、例えば、下記式（Ｎ−１）〜式（Ｎ−６）で表される化合物が挙げられる。

式（Ｎ−１）〜式（Ｎ−６）で表される化合物の製造方法について説明する。式（Ｎ−１）〜式（Ｎ−６）で表される化合物は、例えば、下記スキーム１に記載の方法で製造することができる。

スキーム１

スキーム１中、Ｙ^１ａ及びＹ^２ａはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基Ａ群から選ばれる基を示し、Ｚ^１ａ及びＺ^２ａは水素原子又は置換基Ａ群から選ばれる基を示し、Ｒ^１ａは水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^ｃは上記と同義である。複数存在するＲ^１ａは互いに同一でも異なっていてもよい。

スキーム１においては、まず、式（６−１−１）で表される化合物（以下、「化合物（６−１−１）」という。他の化合物についても同様。）と所定のアミン化合物とのカップリング反応により化合物（６−１−２）が得られる。

スキーム１において、式（６−１−１）で表される化合物と所定のアミン化合物とのカップリング反応により化合物（６−１−３）が得られる。次いで、化合物（６−１−３）所定のアミン化合物とのカップリング反応により化合物（６−１−４）が得られる。

ここで、Ｙ^１ａ及びＹ^２ａが水素原子である場合には、化合物（６−１−１）をブロモ化反応等の反応に供して、Ｙ^１ａ及びＹ^２ａを置換基Ａ群から選ばれる基に変換する。

次いで、化合物（６−１−２）と化合物（６−１−４）とのカップリング反応により、化合物（６−１−５）が得られる。化合物（６−１−５）におけるＺ^１ａ及びＺ^２ａが水素原子である場合、化合物（６−１−５）をブロモ化反応等の反応に供することにより、該水素原子を置換基Ａ群から選ばれる基に変換することができる。また、化合物（６−１−５）におけるＺ^１ａ及びＺ^２ａが置換基Ａ群から選ばれる基である場合、該基は公知の反応により置換基Ｂ群から選ばれる基に変換することができる。

式（Ｎ−１）で表される化合物は、例えば、下記スキーム１に記載の方法で製造することができる。

スキーム２

化合物１と所定のアミン化合物とのカップリング反応により、化合物２を得る。さらに、化合物２と所定のアミン化合物とのカップリング反応により化合物３を得た後、最終的にブロモ化反応等の反応に供することにより、化合物４が得られる。

［組成物］
本発明の組成物は、本発明の高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、を含有する組成物である。この組成物は、例えば、発光材料や電荷輸送材料（正孔輸送材料及び電子輸送材料を意味する。）として用いることができる。

正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料としては、後述する発光素子が有する有機層が含み得る正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料が挙げられる。

正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と本発明の高分子化合物との含有比率は、用途に応じて決めればよい。

本発明の組成物は、本発明の高分子化合物と、溶媒とを含有する組成物であってもよい。この組成物は、溶液、インク、インク組成物と呼ぶことがあり、以下、「本発明の溶液」と言う。

本発明の溶液は、インクジェットプリント法や印刷法等の塗布による発光素子の作製に有用である。また、本発明の溶液は、高分子化合物及び溶媒以外に、正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、安定剤、増粘剤（粘度を高めるための高分子量の化合物や貧溶媒）、粘度を下げるための低分子量の化合物、界面活性剤（表面張力を下げるためのもの）、酸化防止剤等を含んでいてもよい。

本発明の溶液における溶媒の含有比率は、本発明の高分子化合物１００質量％に対して、通常０．１〜１０００００質量％であり、好ましくは１００〜１０００００質量％であり、より好ましくは１５００〜５００００質量％であり、更に好ましくは２０００〜２００００質量％である。

本発明の溶液の粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために、２５℃において、１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい

増粘剤として用いられる高分子量の化合物は、高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレートを用いることができる。これらの高分子量の化合物は、ポリスチレン換算の重量平均分子量が５０万以上であることが好ましく、１００万以上であることがより好ましい。

増粘剤として貧溶媒を用いることもできる。本発明の溶液中の固形分に対する貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すればよい。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、溶液全体１００質量％に対して、５０質量％以下であることが好ましく、３０質量％部以下であることが更に好ましい。

酸化防止剤は、本発明の溶液の保存安定性を向上させるためのものである。酸化防止剤は、高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が例示される。

本発明の溶液の溶媒は、溶液中の固形成分を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４−メチルアニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

これらの中でも、高分子化合物等の溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等を向上できるので、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、１−メチルナフタレン、テトラリン、アニソール、４−メチルアニソール、エトキシベンゼン、シクロヘキサン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、デカリン、安息香酸メチル、シクロヘキサノン、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトン、アセトフェノン、ベンゾフェノンがより好ましい。

溶媒は、成膜性等が良好になるので、２種以上を組み合わせて用いることが好ましく、２〜３種を組み合わせて用いることがより好ましく、２種を組み合わせて用いることが特に好ましい。

本発明の溶液中に２種の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種の溶媒は２５℃において固体状態のものでもよい。成膜性等が良好になるので、１種の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であることが好ましく、２００℃以上の溶媒であることがより好ましい。また、良好な粘度が得られるので、２種の溶媒のいずれにも６０℃において１質量％以上の濃度で高分子化合物が溶解することが好ましく、２種の溶媒のうちの１種の溶媒には、２５℃において１質量％以上の濃度で高分子化合物が溶解することが好ましい。
本発明の溶液中に２種以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性を良好に得るために、沸点が最も高い溶媒が、溶液中の全溶媒１００質量％のうちの４０〜９０質量％であることが好ましく、５０〜９０質量％であることがより好ましく、６５〜８５質量％であることが更に好ましい。

本発明の溶液に含まれる本発明の高分子化合物は、１種でも２種以上でもよい。また、本発明の高分子化合物以外の高分子量の化合物を含んでいてもよい。

本発明の溶液には、水、金属及びその塩を重量基準で１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。金属としては、リチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウム等が挙げられる。また、本発明の溶液は、ケイ素、リン、フッ素、塩素、臭素等を重量基準で１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。

［薄膜］
本実施形態の薄膜は、本発明の高分子化合物または本発明の組成物を含有するものである。本実施形態の薄膜は、例えば、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜である。

本実施形態の薄膜は、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。好ましくは、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、より好ましくは、インクジェットプリント法により作製することができる。

上述した本発明の溶液を用いて薄膜を作製する場合、溶液に含まれる本発明の高分子化合物のガラス転移温度が高いため、１００℃以上の温度で加熱することが可能であり、１３０℃の温度で加熱しても素子特性の低下が小さい。また、高分子化合物の種類によっては、１６０℃以上の温度で加熱することもできる。

発光性薄膜は、発光素子の駆動電圧が良好になるため、発光量子収率が３０％以上であることが好ましく、５０％以上であることがより好ましく、６０％以上であることが更に好ましく、７０％以上であることが特に好ましい。

導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましく、１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□以下であることが更に好ましい。導電性薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。

有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度の大きい方が、１×１０^−５ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上であることが好ましく、１×１０^−３ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上であることがより好ましく、１×１０^−１ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上であることが更に好ましい。ＳｉＯ_２等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に有機半導体薄膜を形成し、Ａｕ等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。

［発光素子］
次に、本発明の発光素子について説明する。

本発明の発光素子は、陽極及び陰極からなる電極と、電極間に設けられた本発明の高分子化合物または本発明の組成物を含有する層とを有する発光素子である。

本発明の高分子化合物を含有する層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層及びインターレイヤー層の１種以上の層であることが好ましく、電子輸送層、電子注入層及び発光層のうちの１種以上の層であることがより好ましく、発光層であることがより好ましい。

発光層は、発光する機能を有する層を意味する。正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する層を意味する。電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する層を意味する。インターレイヤー層は、発光層と陽極との間で発光層に隣接して存在し、発光層と陽極、又は発光層と、正孔注入層若しくは正孔輸送層とを隔離する役割を担う層のことである。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と言い、電子注入層と正孔注入層を総称して電荷注入層と言う。発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層及びインターレイヤー層は、各々、一層のみからなるものでも二層以上からなるものでもよい。

高分子化合物を含有する層が発光層である場合には、発光層が更に正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料を含んでいてもよい。ここで、発光材料とは、蛍光及び／又は燐光を示す材料（但し、本発明の高分子化合物とは異なる。）を意味する。

高分子化合物を含有する層が、本発明の高分子化合物と正孔輸送材料とを含有する場合には、本発明の高分子化合物１００質量部に対して、正孔輸送材料の含有比率は、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

高分子化合物を含有する層が、本発明の高分子化合物と電子輸送材料とを含有する場合には、本発明の高分子化合物１００質量部に対して、電子輸送材料の含有比率は、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

高分子化合物を含有する層が、本発明の高分子化合物と発光材料とを含有する場合には、本発明の高分子化合物１００質量部に対して、発光材料の含有比率は、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

上記の正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料は、公知の低分子量の化合物、三重項発光錯体、高分子量の化合物が使用できる。

高分子量の化合物としては、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開２００１−１８１６１８号公報、特開２００１−１２３１５６号公報、特開２００１−３０４５号公報、特開２０００−３５１９６７号公報、特開２０００−３０３０６６号公報、特開２０００−２９９１８９号公報、特開２０００−２５２０６５号公報、特開２０００−１３６３７９号公報、特開２０００−１０４０５７号公報、特開２０００−８０１６７号公報、特開平１０−３２４８７０号公報、特開平１０−１１４８９１号公報、特開平９−１１１２３３号公報、特開平９−４５４７８号公報に記載されているフルオレンジイル基を構成単位とする重合体及び共重合体（以下、重合体と共重合体をまとめて「（共）重合体」と表記する。）、アリーレン基を構成単位とする（共）重合体、アリーレンビニレン基を構成単位とする（共）重合体、２価の芳香族アミン基を構成単位とする（共）重合体等が挙げられる。

低分子量の化合物としては、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体が挙げられる。具体的には、特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭５９−１９４３９３号公報に記載されている化合物が挙げられる。

三重項発光錯体としては、イリジウムを中心金属とするＩｒ（ｐｐｙ）_３、Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ＦＩｒｐｉｃ、アメリカンダイソース社（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ, Ｉｎｃ）から市販されているＡＤＳ０６６ＧＥ、白金を中心金属とするＰｔＯＥＰ、ユーロピウムを中心金属とするＥｕ（ＴＴＡ）_３ｐｈｅｎ等が挙げられる。具体的には、Ｎａｔｕｒｅ， （１９９８）， ３９５， １５１、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． （１９９９）， ７５（１）， ４、Ｐｒｏｃ． ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ． Ｓｏｃ． Ｏｐｔ． Ｅｎｇ． （２００１）， ４１０５（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ ＤｅｖｉｃｅｓＩＶ）， １１９、Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， （２００１）， １２３， ４３０４、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．， （１９９７）， ７１（１８）， ２５９６、Ｓｙｎ． Ｍｅｔ．， （１９９８）， ９４（１）， １０３、Ｓｙｎ． Ｍｅｔ．， （１９９９）， ９９（２）， １３６１、Ａｄｖ． Ｍａｔｅｒ．， （１９９９）， １１（１０）， ８５２ 、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３４， １８８３ （１９９５）に記載されている三重項発光錯体が挙げられる。

また、三重項発光錯体は、本発明の高分子化合物の主鎖、側鎖、末端に結合させて用いることもできる。

発光層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよい。通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍであり、更に好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍである。

発光層の形成方法としては、溶液からの成膜による方法が挙げられる。溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。なかでも、パターン形成や多色の塗分けを容易にできるので、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、アニソール、４−メチルアニソール等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

発光素子としては、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた発光素子、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた発光素子、陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた発光素子が挙げられる。

このような発光素子の構造としては、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）

また、これら構造の各々について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設けてもよい。このような発光素子の構造としては、以下のａ’）〜ｄ’）の構造が例示される。
ａ’）陽極／インターレイヤー層／発光層／陰極
ｂ’）陽極／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／陰極
ｃ’）陽極／インターレイヤー層／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ’）陽極／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／電子輸送層／陰極

発光素子が正孔輸送層を有する場合、正孔輸送層には、通常、正孔輸送材料（高分子量の化合物、低分子量の化合物）が含まれる。正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体や、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているものが例示される。

これらの中でも、高分子量の化合物としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体が好ましく、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体がより好ましい。

また、低分子量の化合物としては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が好ましい。これらの低分子量の化合物は、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害せず、可視光に対する吸収が強くない化合物が好ましい。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが挙げられる。

ポリビニルカルバゾール及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーをカチオン重合又はラジカル重合することによって得られる。

ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物が例示される。その合成方法も、これらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサン及びその誘導体としては、シロキサンに由来する構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に低分子量の正孔輸送材料の構造を有する化合物が好ましく、正孔輸送性の芳香族アミンに由来する構造を側鎖又は主鎖に有する化合物がより好ましい。

正孔輸送層の成膜の方法としては、低分子量の化合物を用いる場合には、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。高分子量の化合物を用いる場合には、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、アニソール、４−メチルアニソール等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。

正孔輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適切な値となるように選択すればよいが、ピンホールが発生しないような厚さが必要であるので、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２〜５００ｎｍであり、より好ましくは５〜２００ｎｍである。

発光素子が電子輸送層を有する場合、電子輸送層には、通常、電子輸送材料（高分子量の化合物、低分子量の化合物）が含まれる。電子輸送材料としては、公知のものが使用できる。例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体や、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、特開平３−１５２１８４号公報に記載されている化合物が例示される。なかでも、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンが更に好ましい。

電子輸送層の成膜法としては、低分子量の化合物を用いる場合には、粉末からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法が例示される。高分子量の化合物を用いる場合には、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が例示される。溶液又は溶融状態からの成膜による方法では、上記高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒は、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解又は均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、アニソール、４−メチルアニソール等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

溶液又は溶融状態からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。

電子輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適切な値となるように選択すればよいが、ピンホールが発生しないような厚さが必要であるので、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２〜５００ｎｍであり、より好ましくは５〜２００ｎｍである。

正孔注入層、電子注入層は、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、発光素子の駆動電圧を下げる効果を有するものである。

電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して電荷注入層又は絶縁層（通常、平均厚さで０．５〜４．０ｎｍであり、以下、同じである）を設けてもよい。また、界面の密着性向上や混合の防止のために、電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。

積層する層の順番や数及び各層の厚さは、発光効率や素子寿命を勘案して調整すればよい。

本実施形態において、電荷注入層を設けた発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた発光素子が挙げられる。このような発光素子の構造としては、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極

これらの構造の各々について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。なお、この場合、インターレイヤー層が正孔注入層及び／又は正孔輸送層を兼ねてもよい。

電荷注入層としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が挙げられる。

電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、導電性高分子の電気伝導度は、１×１０^−５〜１×１０^３Ｓ／ｃｍであることが好ましく、さらに発光画素間のリーク電流を小さくできるので、１×１０^−５〜１×１０^２Ｓ／ｃｍがより好ましく、１×１０^−５〜１×１０^１Ｓ／ｃｍが更に好ましい。通常、導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープする。

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンとしては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが例示される。カチオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが例示される。

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で選択すればよい。電荷注入層に用いる材料としては、例えば、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボンが例示される。

絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた発光素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた発光素子が挙げられる。

このような発光素子の構造としては、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／絶縁層／陰極
ｓ）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
ｔ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｖ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｗ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｙ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｚ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極

これらの構造の各々について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。なお、この場合、インターレイヤー層が正孔注入層及び／又は正孔輸送層を兼ねてもよい。

上述した構造ａ）〜ａｂ）にインターレイヤー層を適用する場合、インターレイヤー層は、陽極と発光層との間に設けられ、陽極又は正孔注入層若しくは正孔輸送層と、発光層を構成する高分子化合物との中間のイオン化ポテンシャルを有する材料で構成されることが好ましい。

インターレイヤー層に用いる材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の芳香族アミンを含むポリマーが例示される。

インターレイヤー層の成膜方法としては、高分子量の材料を用いる場合には、溶液からの成膜による方法が挙げられる。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、インターレイヤー層に用いる材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、アニソール、４−メチルアニソール等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。

インターレイヤー層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよい。通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２〜５００ｎｍであり、より好ましくは５〜２００ｎｍである。

インターレイヤー層を発光層に隣接して設ける場合、特に両方の層を塗布法により形成する場合には、２層の材料が混合して素子の特性等に対して好ましくない影響を与えることがある。インターレイヤー層を塗布法で形成した後、発光層を塗布法で形成する場合、２層の材料の混合を少なくする方法としては、インターレイヤー層を塗布法で形成し、このインターレイヤー層を加熱して発光層作製に用いる有機溶媒に対して不溶化した後、発光層を形成する方法が挙げられる。加熱の温度は、通常、１５０〜３００℃である。加熱の時間は、通常、１分〜１時間である。この場合、加熱により溶媒不溶化しなかった成分を除くため、加熱後、発光層を形成する前に、インターレイヤー層を発光層形成に用いる溶媒でリンスすればよい。加熱による溶媒不溶化が十分に行われた場合は、リンスを省略できる。加熱による溶媒不溶化が十分に行われるためには、インターレイヤー層に用いる高分子量の化合物として分子内に重合可能な基を含むものを用いることが好ましい。更に、重合可能な基の数が、分子内の構成単位の数に対して５％以上であることが好ましい。

発光素子における基板は、電極を形成することができ、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよい。例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の材料からなるものが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。

発光素子が有する陽極及び陰極の少なくとも一方は、通常、透明又は半透明であるが、陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及び、それらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性化合物を用いて作製された膜、ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅等が用いられる。なかでも、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。また、陽極を２層以上の積層構造としてもよい。

陽極の厚さは、光の透過性と電気伝導度とを考慮して選択することができる。例えば、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは４０〜５００ｎｍである。

陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層や、金属酸化物、金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる絶縁層を設けてもよい。

陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、又はそれらのうち２種以上の合金、又はそれらのうち１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金、並びにグラファイト及びグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。

陰極の厚さは、電気伝導度や耐久性を考慮して調整すればよい。通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは５０〜５００ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、又は金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機層（即ち、本発明の高分子化合物を含むいずれかの層）との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物、金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均厚さ２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。

保護層としては、高分子量の化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。保護カバーとしては、金属板、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができる。例えば、保護カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子の損傷を防ぐことが容易である。この空間に窒素やアルゴンのような不活性ガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができる。更に、酸化バリウム等の乾燥剤をこの空間内に設置することにより、製造工程で吸着した水分又は硬化樹脂を通り抜けて浸入する微量の水分が素子に損傷を与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、１種以上の方策を採ることが好ましい。

発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライト等に有用である。

発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。更に、ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等に用いることができる。

更に、面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

［数平均分子量及び重量平均分子量の測定方法］
本実施例において、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と言う。）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。測定する高分子化合物は、約０．５重量％の濃度になるようテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」と言うことがある。）に溶解させ、ＧＰＣに３０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相にはテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／分の流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。

［ＬＣ−ＭＳの測定方法］
本実施例において、ＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させて、ＬＣ−ＭＳ（アジレント・テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、特に断りのない限り、アセトニトリルとテトラヒドロフランとを比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ２ ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

［ＮＭＲの測定方法］
本実施例において、ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。測定試料５〜１０ｍｇを約０．５ｍＬの重クロロホルム又は重テトラヒドロフランに溶解させて、ＮＭＲ（バリアン(Ｖａｒｉａｎ)製、商品名：ＭＥＲＣＵＲＹ ３００、又はブルカー(Ｂｒｕｋｅｒ)製、商品名：ＡＶＡＮＣＥ６００ ＴＣＩ ｃｒｙｏｐｒｏｂｅ）を用いて測定した。

［正孔輸送性の評価］
正孔輸送性の評価について説明する。正孔輸送性の評価は、上記の発光素子における陰極材料を、仕事関数の大きい材料（例えば、金、銀、白金等）に変更した正孔輸送性の評価素子（「ホールオンリーデバイス」と呼ばれることがある。）を作製し、その電圧電流特性を測定することで行うことができる。正孔輸送性の評価素子では、陰極からの電子注入が抑制されるため、正孔に起因した電流を測定することができるためである。

上記の正孔輸送性の評価素子の構造としては、以下のＨＯＤ１〜ＨＯＤ４が挙げられるが、本実施例においては、ＨＯＤ４を用いて、陰極材料としては金を用いて、正孔輸送性の評価を行った。
ＨＯＤ１）陽極／正孔輸送層／陰極
ＨＯＤ２）陽極／発光層／陰極
ＨＯＤ３）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ＨＯＤ４）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極

＜合成例１：化合物２の合成＞
まず、化合物１を用いて、下記のとおり化合物２を合成した。

撹拌器を備えた１０００ｍＬの四つ口フラスコに、化合物１（６１．５ｇ）と、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−ブチル）−２，６−ジメチルフェニルアミン（１９．０ｇ）と、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１．３４ｇ）と、１，１’-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．８５ｇ）と、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２１．１ｇ）を入れ、フラスコ内の気体を窒素ガスで置換した。そこに、トルエン（７６０ｍＬ）を入れた後、１００℃まで昇温し、３時間保温しながら撹拌した。

得られた反応液を室温まで冷却し、水を入れ、セライトをプレコートした濾過器により濾過し、残渣をトルエンで洗浄し、ろ液から水層を分離し、有機層を水で洗浄した。得られた有機層を濃縮し、粗生成物を得た。粗生成物をトルエンで再結晶し、その後、シリカゲルカラム（展開溶媒 ヘキサン／トルエン混合液）を用いて精製し、白色固体として化合物２を２１．６ｇ得た。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ、ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｈ］^＋５９０
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８、６００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝０．９８（３Ｈ、ｔ）、１．４３（４Ｈ、ｍ）、１．６６（４Ｈ、ｍ）、１．８９（２Ｈ、ｍ）、１．９６（２Ｈ、ｍ）、２．００（２Ｈ、ｍ）、２．０３（６Ｈ、ｓ）、２．１７（２Ｈ、ｍ）、２．６２（２Ｈ、ｔ）、６．７４（１Ｈ、ｄ）、６．８８（１Ｈ、ｔ）、７．００（２Ｈ、ｄ）、７．００（２Ｈ、ｓ）、７．０４（１Ｈ、ｓ）、７．２０（２Ｈ、ｔ）、７．２９（１Ｈ、ｄ）、７．５１（１Ｈ、ｓ）、７．７４（１Ｈ、ｄ）、７．７４（１Ｈ、ｄ）．

＜合成例１：化合物３の合成＞
次に、化合物２を用いて、下記のとおり化合物３を合成した。

撹拌器を備えた３００ｍＬの四つ口フラスコに、化合物２（６．７９ｇ）と、２，６−ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルアニリン（１．００ｇ）と、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．２５ｇ）と、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート（０．３２ｇ）と、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１．６２ｇ）とｔｅｒｔ−ブタノール（６．０ｇ）を入れ、フラスコ内の気体を窒素ガスで置換した。そこに、トルエン（１５０ｍＬ）を入れた後、１００℃まで昇温し、４時間保温しながら撹拌した。

得られた反応液を室温まで冷却し、水を入れ、セライトをプレコートした濾過器により濾過し、残渣をトルエンで洗浄し、ろ液から水層を分離し、有機層を水で洗浄した。得られた有機層を濃縮し、粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒 ヘキサン／トルエン混合液）を用いて精製した。得られた溶液を濃縮し、イソプロパノールとトルエンの混合液で再結晶し、白色固体として化合物３を４．５０ｇ得た。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ、ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｈ］^＋１１９５

＜実施例１：化合物４の合成＞
次に、化合物３を用いて、下記のとおり化合物４を合成した。

撹拌器を備えた３００ｍＬの四つ口フラスコ内の気体を窒素ガスで置換し、化合物３（４．００ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（５．５ｍＬ）及びクロロホルム（８５ｍＬ）を入れ、室温で溶解させた。その後、フラスコ全体を遮光し、室温でＮ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）（１．１８ｇ）を複数回に分けて入れた。室温で４時間、保温しながら撹拌した後、水を入れ、次いで、飽和亜硫酸ナトリウム水溶液を臭素の色が消えるまで入れた。室温まで昇温後、得られた溶液に、クロロホルムを入れ、水層を分離した。有機層を水で２回洗浄し、濃縮することで粗生成物を得た。粗生成物をトルエンに溶解させ、７０℃に昇温し、活性炭（０．４ｇ）を入れ、その温度で３０分保温しながら撹拌した。シリカゲルをプレコートした濾過器により濾過し、残渣をトルエンで洗浄した。得られた溶液を濃縮し、粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒 ヘキサン／トルエン混合液）を用いて精製した。得られた溶液を濃縮し、イソプロパノールとトルエンの混合液で再結晶し、白色固体として化合物４を３．２９ｇ得た。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ、ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｈ］^＋１３５１
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８、６００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝０．９８（６Ｈ、ｔ）、１．３７（９Ｈ、ｓ）、１．４２（４Ｈ、ｍ）、１．４３（４Ｈ、ｍ）、１．５９（４Ｈ、ｍ）、１．６６（４Ｈ、ｍ）、１．８８〜２．０８（１６Ｈ、ｍ）、２．０６（１２Ｈ、ｓ）、２．０７（６Ｈ、ｓ）、２．６２（４Ｈ、ｔ）、６．６６（２Ｈ、ｄ）、６．７１（２Ｈ、ｄ）、６．８６（４Ｈ、ｄ）、７．０１（４Ｈ、ｓ）、７．０９（２Ｈ、ｓ）、７．２１（２Ｈ、ｓ）、７．２２（２Ｈ、ｓ）、７．３１（４Ｈ、ｄ）、７．６５（４Ｈ、ｄ）．

＜合成例３：化合物１Ａの合成＞

４口フラスコ内の気体を窒素ガス置換し、該フラスコ内で、２，７−ジブロモフルオレノン（１６．５ｇ）をジフェニルエーテルに懸濁させた。懸濁液を１２０℃まで加熱し、２，７−ジブロモフルオレノンを溶解させた後、該溶液に水酸化カリウム（１５．５ｇ）を加え、１６０℃まで昇温し、２．５時間撹拌した。該溶液を室温まで放冷後、ヘキサンを加えて、ろ過し、得られた固形分をヘキサンで分液洗浄した。４口フラスコ内の気体を窒素置換し、該フラスコ内で、上記で得られたものを脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、「ＤＭＦ」とする。）に溶解させた。該溶液を９０℃に昇温し、反応を追跡しながらヨウ化メチル（５３．０ｇ）を加えた。反応時間は合計１０時間であった。該溶液を室温まで放冷し、０℃に冷却した水の中に滴下し、反応生成物をヘキサンで２回抽出した。シリカゲルを敷いたグラスフィルターでろ過後、濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物１Ａ（１３．３ｇ）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝３．６８（ｓ，３Ｈ）、７．１５（ｄ，２Ｈ）、７．２０（ｄ，１Ｈ）、７．５２（ｄ，２Ｈ）、７．６５（ｄ，１Ｈ）、８．００（ｂｒｓ，１Ｈ）．

＜合成例４：化合物１Ｂの合成＞

反応容器をアルゴンガス雰囲気下とし、１−ブロモ−３，５−ジ−ｎ−ヘキシルベンゼン（２０．０ｇ）及びテトラヒドロフランを加え、均一溶液を調製し、−７０℃まで冷却した。該溶液に、２．７６Ｍのｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１−ブロモ−３，５−ジ−ｎ−ヘキシルベンゼンに対して１モル当量）を−７０℃で１．５時間かけて滴下し、さらに該溶液を、−７０℃で１．５時間撹拌した。次いで、化合物１Ａ（９．０ｇ）とテトラヒドロフランからなる溶液を−７０℃で１時間かけて滴下し、−７０℃で２時間撹拌した。次いで、該溶液に−７０℃にてメタノール、蒸留水を加え撹拌した後、室温まで昇温し、室温にて一晩撹拌した。次いで、反応混合物をろ過し、ろ液を濃縮し、ヘプタン、水を加え撹拌し、静置して分液した油層から水層を除去した。該油層に飽和食塩水を加え撹拌し、静置して分液した油層から水層を除去した。油層に硫酸マグネシウムを加え撹拌し、ろ過して得られたろ液を濃縮し、化合物１Ｂを得た。

＜合成例５：化合物２Ｂの合成＞

反応容器をアルゴンガス気流下とし、化合物１Ｂ（２３．４ｇ）及びジクロロメタンを加え、均一溶液を調製し、−３０℃に冷却した。該溶液に、３フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（化合物１Ｂに対して１モル当量）を−３０℃において３０分間かけて滴下し、室温にて一晩撹拌した。次いで、該反応溶液を−２０℃に冷却し、蒸留水を加え、１時間撹拌した後、静置して分液した水層を油層から除去した。次いで、水を加え撹拌し、静置して分液した水層を油層から除去した。得られた油層に１０質量％炭酸水素ナトリウム水溶液を加え撹拌し、静置して分液した水層を油層から除去した。該油層を濃縮し溶媒を除去した。次いで、トルエン及びヘプタンを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、濃縮して溶媒を除去した。次いで、酢酸ブチルとメタノールを用い再結晶することにより、目的とする化合物２Ｂ（１１．３ｇ）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝０．８５（ｔ，１２Ｈ）、１．２５（ｍ，２４Ｈ）、１．５０（ｍ，８Ｈ）、２．４６（ｔ，８Ｈ）、６．７２（ｓ，４Ｈ）、６．８６（ｓ，２Ｈ）、７．４５（ｄｄ，２Ｈ）、７．４６（ｄ，２Ｈ）、７．５４（ｄ，２Ｈ）．

＜合成例６：化合物３Ｂの合成＞

反応容器をアルゴンガス雰囲気下とし、化合物２Ｂ（９．５ｇ）、化合物３Ｂ−１（６．６ｇ）、１，４−ジオキサン、酢酸カリウム（７．１ｇ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ、０．ｌｇ）及び１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンジクロロパラジウム（ＩＩ）塩化メチレン錯体（ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ_２Ｃｌ_２、０．１５ｇ）を加え、１００℃で５時間撹拌した。次いで、得られた反応混合物を室温まで冷却した後、セライト及びシリカゲルを敷き詰めたろ過器でろ過し、得られたろ液を濃縮して溶媒を除去した。次いで、ヘキサンを加えて調製した溶液に、活性炭を加え、ヘキサンが還流する温度にて１時間撹拌した。室温まで冷却後、セライトを敷き詰めたろ過器でろ過し、得られたろ液を濃縮して溶媒を除去した。次いで、トルエン及びアセトニトリルで再結晶を行うことにより、目的とする化合物３Ｂ（１０．１ｇ）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝０．８５（ｔ，１２Ｈ）、１．２７（ｍ，４６Ｈ）、１．４８（ｍ，８Ｈ）、２．４３（ｔ，８Ｈ）、６．８１（ｓ，６Ｈ）、７．７９（ｍ，６Ｈ）．

＜合成例７：化合物６の合成＞

反応容器を窒素ガス雰囲気下とし、１，５−ナフチルビス（トリフルオロメタンスルフォネート）（化合物５、２５．０ｇ）と、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメチレン付加体（０．２４ｇ）と、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル（４１０ｍｌ）を仕込み、１０℃以下で２−エチルヘキシルマグネシウムブロマイド（１ｍｏｌ／Ｌ ジエチルエーテル溶液、１７３ｍｌ）を滴下し、室温にて４時間攪拌した。反応終了後、水（５００ｍｌ）と２Ｎ塩酸（１００ｍｌ）の混合液に反応液を注加し、酢酸エチルにより抽出、塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウで乾燥後、減圧下溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒ヘキサン）により精製を行い、化合物６を淡黄色油状物として２１．３ｇ得た。
ＭＳ（ＥＳＩ、ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ^＋］３５３
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝０．７５−１．００（１２Ｈ，ｍ），１．１０−１．５０（１６Ｈ，ｍ），１．６９−１．８５（２Ｈ，ｍ），２．９０−３．０５（４Ｈ，ｍ），７．２４−７．３８（３Ｈ，ｍ），７．３５−７．４４（３Ｈ，ｍ），７．９０−７．９５（３Ｈ，ｍ）．

＜合成例８：化合物７の合成＞

反応容器を窒素ガス雰囲気下とし、化合物６（２１．３ｇ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（４,４,４’,４’,５,５,５’,５’−オクタメチル−２,２’−ビ−１，３，２−ジオキサボロラン）（４６．０ｇ）、ビス(１，５−シクロオクタジエン)ジ−μ−メトキシジイリジウム（Ｉ）（０．２４ｇ）（アルドリッチ社製。合成方法は例えばＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃａｔａｌｙｓｉｓ Ａ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ １８７ (２００２) １６９に記載されている。）、４，４’−ジｔ−ブチル−２，２’−ジピリジル（０．１９ｇ）及びジオキサン（１４０ｍｌ）の混合物を、１００℃で３時間攪拌した。得られた反応混合物を冷却後、ジオキサンを減圧下留去し、残留物にメタノール（２００ｍｌ）を加え析出した固体をろ取、乾燥させた。得られた固体をトルエン（２５０ｍｌ）に溶解させ、活性白土（２０ｇ）を加え６０℃で３０分撹拌後、シリカゲルをプレコートした濾過機にて熱時ろ過し、得られたろ液を減圧下で濃縮した。濃縮残渣にメタノール（２５０ｍｌ）を加え、析出した固体をろ取、乾燥して化合物７を白色粉末固体として２８．０ｇ得た。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ、ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ^＋］６０５
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝０．８５−０．９５（１２Ｈ，ｍ），１．２４−１．５０（１６Ｈ，ｍ），１．６６−１．８５（２Ｈ，ｍ），２．９０−３．１８（４Ｈ，ｍ），７．６０（２Ｈ，ｓ），８．４７（２Ｈ，ｓ）．

＜合成例９：化合物８の合成＞

反応容器をアルゴンガス雰囲気下とし、１−ブロモ−３，５−ジ−ｎ−ヘキシルベンゼン（５８．４ｇ）及びテトラヒドロフランを加え、均一溶液を調製し、−７５℃まで冷却した。該溶液に２．５Ｍのｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１−ブロモ−３，５−ジ−ｎ−ヘキシルベンゼンに対して１モル当量）（７１．２ｍｌ）を−７５℃で１．５時間かけて滴下し、さらに該溶液を−７０℃で１．５時間撹拌した。次いで、２，７−ジブロモフルオレノン（５５．２ｇ）とテトラヒドロフランからなる溶液を−７５℃で１時間かけて滴下し、反応溶液を室温まで昇温させ４時間撹拌した。次いで、該溶液を０℃まで冷却させ、アセトン、２ｍｏｌ％塩酸水をゆっくり加え撹拌した後、室温まで昇温し、室温にて静置した。次いで、反応混合物をろ過し、ろ液を濃縮し、ヘキサン、水を加え撹拌し、静置して分液した油層から水層を除去した。該油層に飽和食塩水を加え撹拌し、静置して分液した油層から水層を除去した。油層に硫酸マグネシウムを加え撹拌し、ろ過して得られたろ液を濃縮し、化合物８（３０．２）を得た。

＜合成例１０：化合物９の合成＞

反応容器をアルゴンガス気流下とし、化合物８（２７．７ｇ）及びトリフルオロ酢酸（３６ｍｌ）を加えた。該溶液にトリメチルシラン（８．４ｍｌ）とヘキサン（２５ｍｌ）の混合溶液を３０分間かけて滴下し、室温にて一晩撹拌した。次いで、該反応溶液を１０℃に冷却し、ヘキサンと蒸留水を加え、１時間撹拌した後、静置して分液した水層を油層から除去した。次いで、水を加え撹拌し、静置して分液した水層を油層から除去した。該油層に飽和食塩水を加え撹拌し、静置して分液した油層から水層を除去した。油層に硫酸マグネシウムを加え撹拌し、ろ過して、得られたろ液を濃縮した。次いで、ヘキサン及びジクロロメタンを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、濃縮して溶媒を除去した。次いで、メタノールで洗浄することにより、目的とする化合物９（１２．１ｇ）を得た。

＜合成例１１：化合物１０の合成＞

反応容器をアルゴンガス気流下とし、化合物９（１２．０ｇ）、ジメチルスルホキシド（６０ｍｌ）、水（２ｍｌ）及び水酸化カリウム（４．８５ｇ）を加えた。該溶液にヨウ化メチル（４．１ｍｌ）を滴下し、室温にて一晩撹拌した。次いで、該反応溶液を室温にて、ヘキサンと蒸留水を加え、１時間撹拌した後、静置して分液した水層を油層から除去した。次いで、水を加え撹拌し、静置して分液した水層を油層から除去した。該油層に飽和食塩水を加え撹拌し、静置して分液した油層から水層を除去した。油層に硫酸マグネシウムを加え撹拌し、ろ過して、得られたろ液を濃縮した。次いで、メタノールと酢酸ブチルを用いて再結晶することにより、目的とする化合物１０（４．３ｇ）を得た。

＜合成例１２：化合物１１の合成＞

反応容器をアルゴンガス雰囲気下とし、化合物１０（４．２ｇ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（４,４,４’,４’,５,５,５’,５’−オクタメチル−２,２’−ビ−１，３，２−ジオキサボロラン）（４．０ｇ）、１，４−ジオキサン（４５ｍｌ）、酢酸カリウム（４．２ｇ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ、５９ｍｇ）及び１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンジクロロパラジウム（ＩＩ）塩化メチレン錯体（ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ_２Ｃｌ_２、８８ｍｇ）を加え、１００℃で２０時間撹拌した。次いで、得られた反応混合物を室温まで冷却した後、セライト及びシリカゲルを敷き詰めたろ過器でろ過し、得られたろ液を濃縮して溶媒を除去した。次いで、ヘキサンを加えて調製した溶液に、活性炭を加え、ヘキサンが還流する温度にて１時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却後、セライトを敷き詰めたろ過器でろ過し、得られたろ液を濃縮して溶媒を除去した。次いで、トルエン及びメタノールで再結晶を行うことにより、目的とする化合物１１（３．９ｇ）を得た。

＜合成例１３：化合物１２の合成＞

反応容器をアルゴンガス雰囲気下とし、３−ｎ−ヘキシルブロモベンゼン（１１１．１ｇ）及びテトラヒドロフランを加え、均一溶液を調製し、−７５℃まで冷却した。該溶液に２．５Ｍのｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１−ブロモ−３，５−ジ−ｎ−ヘキシルベンゼンに対して１モル当量）（１７６ｍｌ）を−７５℃で１．５時間かけて滴下し、さらに該溶液を−７０℃で１．５時間撹拌した。次いで、２，７−ジブロモフルオレノン（１４２ｇ）とテトラヒドロフランからなる溶液を−７５℃で１時間かけて滴下し、反応溶液を室温まで昇温させ４時間撹拌した。次いで、該溶液を０℃まで冷却させ、アセトン、２ｍｏｌ％塩酸水をゆっくり加え撹拌した後、室温まで昇温し、室温にて静置した。次いで、反応混合物をろ過し、ろ液を濃縮し、ヘキサン、水を加え撹拌し、静置して分液した油層から水層を除去した。該油層に飽和食塩水を加え撹拌し、静置して分液した油層から水層を除去した。油層に硫酸マグネシウムを加え撹拌し、ろ過して、得られたろ液を濃縮した。次いで、ヘキサン及びジクロロメタンを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物１２（１６２ｇ）を得た。

＜合成例１４：化合物１３の合成＞

反応容器をアルゴンガス気流下とし、化合物１２（１６２ｇ）及びトリフルオロ酢酸（２４５ｍｌ）を加えた。該溶液にトリメチルシラン（１１５ｍｌ）を３０分間かけて滴下し、室温にて一晩撹拌した。次いで、該反応溶液を１０℃に冷却し、ヘキサンと蒸留水を加え、１時間撹拌した後、静置して分液した水層を油層から除去した。次いで、水を加え撹拌し、静置して分液した水層を油層から除去した。該油層に飽和食塩水を加え撹拌し、静置して分液した油層から水層を除去した。油層に硫酸マグネシウムを加え撹拌し、ろ過して得られたろ液を濃縮した。次いで、ヘキサン及びジクロロメタンを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、濃縮して溶媒を除去した。次いで、メタノールで洗浄することにより、目的とする化合物１３（１３８ｇ）を得た。

＜合成例１５：化合物１４の合成＞

反応容器をアルゴンガス気流下とし、化合物１３（１３８ｇ）、１−ブロモオクタン（７５．４ｍｌ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６、アルドリッチ社製）（１．２ｇ）及び４０％水酸化カリウム（６０ｍｌ）を加え、８５℃にて一晩撹拌した。次いで、該反応溶液を室温に冷却させた後、ジクロロメタンと蒸留水を加え、１時間撹拌した後、静置して分液した水層を油層から除去した。次いで、水を加え撹拌し、静置して分液した水層を油層から除去した。該油層に飽和食塩水を加え撹拌し、静置して分液した油層から水層を除去した。油層に硫酸マグネシウムを加え撹拌し、ろ過して得られたろ液を濃縮した。次いで、ヘキサン及びジクロロメタンを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、濃縮して溶媒を除去した。次いで、メタノールとジクロロメタンを用いた再沈殿を行うことにより、目的とする化合物１４（１４５ｇ）を得た。

＜合成例１６：高分子化合物１の合成＞
反応容器を不活性ガス雰囲気下とし、下記式：

で表される化合物３Ｂ（２．６８８２ｇ、２．９６ｍｍｏｌ）、下記式：

で表される化合物１５（０．４２４５ｇ、０．７５ｍｍｏｌ）、下記式：

で表される化合物１６（１．６３９６ｇ、１．８０ｍｍｏｌ）、特開２００８−１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した下記式：

で表される化合物１７（０．２３７７ｇ、０．４５ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．１ｍｇ）及びトルエン（６２ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。

得られた反応液に、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１０ｍｌ）を滴下し、４．５時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（３６．８ｍｇ）及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．１ｍｇ）を加え、更に１６．５間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を冷却後、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。

この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物１を３．１２ｇ得た。高分子化合物１のポリスチレン換算の数平均分子量は７．８×１０⁴であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．６×１０⁵であった。

高分子化合物１は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位とが、５０：１２．５：３０：７．５のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜実施例２：高分子化合物２の合成＞
反応容器を不活性ガス雰囲気下とし、化合物４（０．２７１３ｇ、０．２ｍｍｏｌ）、下記式；

で表される化合物７（１．１９５１ｇ、１．９７ｍｍｏｌ）、下記式：

で表される化合物１４（１．０７７２g、１．８０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．４ｍｇ）及びトルエン（４７ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応溶液に２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（７．５ｍｌ）を滴下し、３時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（２５ｍｇ）、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（７．５ｍｌ）及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．５ｍｇ）を加え、更に１７時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を冷却後、水（２６ｍｌ）で２回、３重量％酢酸水溶液（２６ｍｌ）で２回、水（２６ｍｌ）で２回洗浄し、得られた溶液をメタノール（３１０ｍＬ）に滴下、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエン（６３ｍＬ）に溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール（３１０ｍｌ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物２を１．１３ｇ得た。高分子化合物２のポリスチレン換算の数平均分子量は８．８×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．３×１０⁵であった。

高分子化合物２は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位とが、５０：４５：５のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜実施例３：高分子化合物３の合成＞
反応容器を不活性ガス雰囲気下とし、化合物４（０．２７１３ｇ、０．２ｍｍｏｌ）、下記式；

で表される化合物１１（１．３３４６ｇ、１．９７ｍｍｏｌ）、化合物１４（１．０７７２g、１．８０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．４ｍｇ）及びトルエン（４７ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応溶液に２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（７．５ｍｌ）を滴下し、４．３時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（２５ｍｇ）、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（７．５ｍｌ）及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．５ｍｇ）を加え、更に１７時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を冷却後、水（２６ｍｌ）で２回、３重量％酢酸水溶液（２６ｍｌ）で２回、水（２６ｍｌ）で２回洗浄し、得られた溶液をメタノール（３１０ｍＬ）に滴下、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエン（６３ｍＬ）に溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール（３１０ｍｌ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物３を１．１７ｇ得た。高分子化合物３のポリスチレン換算の数平均分子量は８．１×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．２×１０⁵であった。

高分子化合物３は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位とが、５０：４５：５のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜比較例１：高分子化合物４の合成＞
反応容器を不活性ガス雰囲気下とし、化合物７（１．２０３０ｇ、１．９８ｍｍｏｌ）、化合物１４（１．０７６４g、１．８０ｍｍｏｌ）、下記式；

で表される化合物１８（０．１４８５ｇ、０．２０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．４ｍｇ）及びトルエン（４７ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応溶液に２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（７．５ｍｌ）を滴下し、３時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（２５ｍｇ）、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（７．５ｍｌ）及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．５ｍｇ）を加え、更に１７時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を冷却後、水（２６ｍｌ）で２回、３重量％酢酸水溶液（２６ｍｌ）で２回、水（２６ｍｌ）で２回洗浄し、得られた溶液をメタノール（３１０ｍＬ）に滴下、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエン（６３ｍＬ）に溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール（３１０ｍｌ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物４を１．２５ｇ得た。高分子化合物４のポリスチレン換算の数平均分子量は６．０×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．１×１０⁵であった。

高分子化合物４は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位とが、５０：４５：５のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜比較例２：高分子化合物５の合成＞
反応容器を不活性ガス雰囲気下とし、化合物１１（１．３４６４ｇ、１．９７ｍｍｏｌ）、化合物１４（１．０７６４g、１．８０ｍｍｏｌ）、下記式；

で表される化合物１８（０．１４８５ｇ、０．２０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．４ｍｇ）及びトルエン（４７ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応溶液に２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（７．５ｍｌ）を滴下し、３時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸（２５ｍｇ）、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（７．５ｍｌ）及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．５ｍｇ）を加え、更に１７時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を冷却後、水（２６ｍｌ）で２回、３重量％酢酸水溶液（２６ｍｌ）で２回、水（２６ｍｌ）で２回洗浄し、得られた溶液をメタノール（３１０ｍＬ）に滴下、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエン（６３ｍＬ）に溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール（３１０ｍｌ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物５を１．４２ｇ得た。高分子化合物５のポリスチレン換算の数平均分子量は９．１×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．２×１０⁵であった。

高分子化合物５は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位と、下記式：

で表される構成単位とが、５０：４５：５のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜実施例４：正孔輸送性評価素子１の作製と評価＞
スパッタ法により４５ｎｍの厚さでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社、商品名：ＡＩ４０８３）を用いてスピンコートにより厚さ６５ｎｍの薄膜を成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間加熱した。

次に、高分子化合物１をキシレンに溶解させ、０．７質量％のキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を用いてスピンコートすることにより、厚さ２０ｎｍの薄膜を成膜し、窒素雰囲気中において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱した。

次に、高分子化合物２をキシレンに溶解させ、１．３質量％のキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を用いてスピンコートすることにより厚さ６５ｎｍの薄膜を成膜し、窒素雰囲気中において、ホットプレート上で１３０℃、１０分間加熱した後、陰極として金を約３００ｎｍ蒸着して、正孔輸送性評価素子１を作製した。なお、真空度が、１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に金の蒸着を開始した。

得られた正孔輸送性評価素子１の電圧電流特性を測定したところ、１０mＡ／ｃｍ^２の電流密度が得られたのは、５．８Ｖであった。

＜実施例５：正孔輸送性評価素子２の作製と評価＞
実施例４の高分子化合物２に換えて、高分子化合物３を用いた以外は実施例４と同様の方法で、正孔輸送性評価素子２を作製した。

得られた正孔輸送性評価素子２の電圧電流特性を測定したところ、１０mＡ／ｃｍ^２の電流密度が得られたのは、８．２Ｖであった。

＜比較例３：正孔輸送性評価素子Ｃ１の作製と評価＞
実施例４の高分子化合物２に換えて、高分子化合物４を用いた以外は実施例４と同様の方法で、正孔輸送性評価素子Ｃ１を作製した。

得られた正孔輸送性評価素子Ｃ１の電圧電流特性を測定したところ、１０mＡ／ｃｍ^２の電流密度が得られたのは、８．６Ｖであった。

＜比較例４：正孔輸送性評価素子Ｃ２の作製と評価＞
実施例４の高分子化合物２に換えて、高分子化合物５を用いた以外は実施例４と同様の方法で、正孔輸送性評価素子Ｃ２を作製した。

得られた正孔輸送性評価素子Ｃ２の電圧電流特性を測定したところ、１０mＡ／ｃｍ^２の電流密度が得られたのは、９．５Ｖであった。

上記の正孔輸送性評価素子に係る実施例及び比較例の結果を、表１にまとめた。

上記の表１の結果より、本発明の高分子化合物は優れた正孔輸送性を示すことがわかった。

Claims (15)

1. 下記式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物。
   

   

   ［式中、
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。
   Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Cは、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示し、
   Ａｒ^１及びＡｒ^２はそれぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基又は非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。
   Ｒ^１及びＲ^３は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^２及びＲ^４は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^１及びＲ^２は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^３及びＲ^４は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^５及びＲ^７は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^６及びＲ^８は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^５及びＲ^６は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^７及びＲ^８は互いに連結して環構造を形成していてもよい。
   Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８及びＲ^１９のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい。
   Ａｒ^１とＲ^Ａは互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ａｒ^２とＲ^Cは互いに連結して環構造を形成していてもよい。］
2. 前記式（１）で表される構成単位が、下記式（２）で表される構成単位である、請求項1に記載の高分子化合物。
   

   

   ［式中、
   Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^C、Ａｒ^１及びＡｒ^２は前記と同義である。
   ｎ^１、ｎ^２、ｎ^３及びｎ^４は、それぞれ独立に、１〜５の整数を示す。
   Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示し、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８がそれぞれ複数存在するとき、複数存在するＲ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８は互いに同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３及びＲ^２４のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい。］
3. 下記式（３）で表される構成単位を更に含む、請求項１又は２に記載の高分子化合物。
   

   

   ［式中、Ａｒ^３は非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。］
4. 前記式（３）で表される構成単位の少なくとも１個が、非置換若しくは置換のフルオレンジイル基からなる構成単位である、請求項３に記載の高分子化合物。
5. 前記式（３）で表される構成単位の少なくとも１個が、非置換若しくは置換の２，７−フルオレンジイル基からなる構成単位である、請求項４に記載の高分子化合物。
6. 前記式（３）で表される構成単位の少なくとも１個が、非置換若しくは置換のナフタレンジイル基からなる構成単位である、請求項３〜５のいずれか一項に記載の高分子化合物。
7. 下記式（４）で表される構成単位を更に含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の高分子化合物
   

   

   ［式中、
   a^１及びa^２はそれぞれ独立に、０又は１を示す。
   Ａｒ^４及びＡｒ^６は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基又は非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。
   Ａｒ^５及びＡｒ^７は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換の２価の複素環基、又は、アリーレン基及び２価の複素環基から選ばれる同一若しくは異なる２以上の基が連結した２価の基（該基は、置換基を有していてもよい。）を示す。
   Ｒ^D、Ｒ^E及びＲ^Fは、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。
   Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７はそれぞれ、当該基が結合している窒素原子に結合している当該基以外の基と互いに連結して環構造を形成していてもよい。］
8. 前記式（４）で表される構成単位の少なくとも１個が、下記式（５）で表される構成単位である、請求項７に記載の高分子化合物。
   

   

   ［式中、
   Ｒ^Gは、水素原子、非置換もしくは置換のアルキル基、非置換もしくは置換のアリール基又は非置換もしくは置換の１価の複素環基を示す。
   Ｘは、単結合、酸素原子、硫黄原子又はＣ（Ｒ^Ｈ）_２を示し、Ｒ^Ｈは、水素原子、非置換もしくは置換のアルキル基又は非置換もしくは置換のアリール基を示し、２つのＲ^Ｈは同一であっても異なっていてもよい。］
9. 前記式（１）で表される構成単位の割合が、０．１〜５０モル％であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の高分子化合物。
10. 下記式（１Ｍ）で表される化合物。
    

    

    [式中、
    Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示す。
    Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ及びＲ^Cは、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示し、
    Ａｒ^１及びＡｒ^２はそれぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基又は非置換若しくは置換の２価の複素環基を示す。
    Ｒ^１及びＲ^３は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^２及びＲ^４は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^１及びＲ^２は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^３及びＲ^４は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^５及びＲ^７は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^６及びＲ^８は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^５及びＲ^６は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^７及びＲ^８は互いに連結して環構造を形成していてもよい。
    Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８及びＲ^１９のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい。
    Ａｒ^１とＲ^Ａは互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ａｒ^２とＲ^Cは互いに連結して環構造を形成していてもよい。
    Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立に、下記置換基群から選ばれる基を示す。
    ＜置換基群＞
    塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、
    −Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^４１（Ｒ^４１は、アルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子若しくはシアノ基で置換されていてもよいアリール基を示す。）で示される基、
    −Ｂ（ＯＲ^４２）_２（Ｒ^４２は、水素原子又はアルキル基を示し、２つのＲ^４２は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して環構造を形成していてもよい。）で示される基、
    −ＢＦ_４Ｑ^１（Ｑ^１は、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｒｂ^＋及びＣｓ^＋からなる群より選ばれる１価の陽イオンを示す。）で示される基、
    −ＭｇＹ^１（Ｙ^１は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で示される基、
    −ＺｎＹ^２（Ｙ^２は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）で示される基、及び、
    −Ｓｎ（Ｒ^４３）_３（Ｒ^４３は、水素原子又はアルキル基を示し、３つのＲ^４３は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して環構造を形成していてもよい。）で示される基。］
11. 前記式（１Ｍ）で表される化合物が、下記式（２Ｍ）で表される化合物である、請求項１０に記載の高分子化合物。
    

    

    ［式中、
    Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^C、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｚ^１及びＺ^２は前記と同義である。
    ｎ^１、ｎ^２、ｎ^３及びｎ^４は、それぞれ独立に、１〜５の整数を示す。
    Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基又は非置換若しくは置換の１価の複素環基を示し、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８がそれぞれ複数存在するとき、複数存在するＲ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８は互いに同一でも異なっていてもよい。
    Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３及びＲ^２４のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよく、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７及びＲ^２８のうち隣接する基同士は互いに連結して環構造を形成していてもよい。］
12. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の高分子化合物と、
    正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料と、を含有する組成物。
13. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有する有機薄膜。
14. 請求項１２に記載の組成物を含有する有機薄膜。
15. 請求項１３又は１４に記載の有機薄膜を備える発光素子。