JP5935434B2 - 高分子化合物及びそれを用いてなる発光素子 - Google Patents
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Description
R1及びR2は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。
Ar1は、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換の2価の縮合多環芳香族複素環基、又は、下記式(2)で表される2価の芳香族アミン残基を表す。
但し、前記非置換若しくは置換の2価の縮合多環芳香族複素環基におけるナフタレン環と結合する環の骨格は炭素原子のみからなる。)
Ar2、Ar3、及びAr4は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換の2価の芳香族複素環基、又は、非置換若しくは置換のアリーレン基および非置換若しくは置換の2価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる2個以上の基が結合してなる基を表す。
R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、又は、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基を表す。
aは0又は1である。)
R1は、前記と同じ意味を表す。
R17は、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。
Z1及びZ2は、それぞれ独立に、ホウ酸エステル残基、又は、ホウ酸残基を表す。)
下記式(d)で表される化合物および下記式(e)で表される化合物からなる群から選ばれる1種以上の化合物と、
を反応させることを含む、前記式(a)で表される化合物の製造方法を提供する。
RA及びRBは、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、又は、非置換若しくは置換のアリール基を表す。複数あるRAは同一でも異なっていてもよく、2つのRA同士が結合を形成して環構造を形成してもよい。複数あるRBは同一でも異なっていてもよく、2つのRB同士が結合を形成して環構造を形成してもよい。)
下記式(d)で表される化合物および下記式(e)で表される化合物からなる群から選ばれる1種以上と、
を反応させることを含む、前記式(b)で表される化合物の製造方法を提供する。
R1及びR2は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。)
を反応させることを含む、下記式(g)で表される化合物の製造方法を提供する。
を反応させることを含む、下記式(h)で表される化合物の製造方法を提供する。
「構成単位」とは、高分子化合物中に1個以上存在する単位を意味する。
「n価の芳香族複素環基」(nは1又は2である)とは、芳香族性を持つ複素環式化合物からn個の水素原子を除いてなる基を意味する。
「複素環式化合物」とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、燐原子、ホウ素原子等のヘテロ原子を環内に含む化合物を意味する。
「アリーレン基」とは、芳香族炭化水素から水素原子2個を除いてなる原子団を意味する。
「アリール基」とは、芳香族炭化水素から水素原子1個を除いてなる原子団を意味し、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環及び縮合環から選ばれる2個以上が結合した基を含む。
ホウ酸残基とは、−B(OH)2で表される基を意味する。
ホウ酸エステル残基とは、例えば、下記式で表される基を意味する。
以下、好適な実施形態に係る高分子化合物について説明する。
本発明の高分子化合物は、前記式(1)で表される構成単位を含む。
R1及びR2で表される非置換若しくは置換のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソアミル基、2−エチルブチル基、n−ヘキシル基、シクロヘキシル基、n−ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、3−n−プロピルヘプチル基、n−デシル基、3,7−ジメチルオクチル基、2−エチルオクチル基、2−n−ヘキシル−デシル基、等の非置換アルキル基;トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3−フェニルプロピル基、3−(4−メチルフェニル)プロピル基、(3、5−ジ−n−ヘキシルフェニルプロピル基)、6−エチルオキシヘキシル基等の置換アルキル基が挙げられ、得られる発光素子の輝度寿命がより優れるので、非置換のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基、イソアミル基、2−エチルブチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、シクロヘキシルエチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、3−n−プロピルヘプチル基、n−デシル基、3,7−ジメチルオクチル基、2−エチルオクチル基、2−n−ヘキシル−デシル基がより好ましく、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基、イソアミル基、2−エチルブチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、シクロヘキシルエチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、3−n−プロピルヘプチル基、n−デシル基、3,7−ジメチルオクチル基、2−エチルオクチル基、2−n−ヘキシル−デシル基が更に好ましく、シクロヘキシルエチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、3−n−プロピルヘプチル基、n−デシル基、3,7−ジメチルオクチル基、2−エチルオクチル基が特に好ましい。
R1及びR2で表される非置換若しくは置換のアリール基としては、例えば、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−フルオレニル基、3−フルオレニル基、4−フルオレニル基、2−フェニルフェニル基、3−フェニルフェニル基、4−フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性と耐熱性とがバランス良く向上するので、アルキル基で置換されたフェニル基、アリール基で置換されたフェニル基が好ましい。
アルキル基で置換されたフェニル基としては、例えば、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、3−n−ブチルフェニル基、4−n−ブチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、3−n−ヘキシルフェニル基、4−n−ヘキシルフェニル基、4−n−オクチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、3−n−ヘキシル−5−メチルフェニル基、3,5−ジ−n−ヘキシルフェニル基、4−n−ブチル−2,6−ジメチルフェニル基が挙げられる。
アリール基で置換されたフェニル基としては、4−フェニルフェニル基、4−tert−ブチルフェニルフェニル基、3,5−ビス(4−tert−ブチルフェニル)フェニル基、3,5−ビス(3,5−ジ−n−ヘキシルフェニル)フェニル基が挙げられる。
R1及びR2で表される非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基としては、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基等で置換された基が挙げられ、チエニル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基で置換された基が好ましく、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基で置換された基がより好ましい。
R1及びR2で表される非置換若しくは置換のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、n−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert−ブチルオキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性と耐熱性とがバランス良く向上するので、n−ブチルオキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
R1及びR2で表される非置換若しくは置換のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、1−アントラセニルオキシ基、9−アントラセニルオキシ基、1−ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
環12Aは、式(1)中でR1及びR2を有するナフタレン環と結合する、骨格が炭素原子のみからなる環を表す。
環12Bは、環12Aと縮合しており、単環又は縮合多環の芳香族複素環を表す。)
Ar2、Ar3及びAr4で表される基が有し得る置換基は、複数の置換基同士が結合して環を形成してもよい。
R1及びR2は前記と同じ意味を表す。
R5及びR6は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。
R7及びR8は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。R7及びR8が複数存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
b及びcは、それぞれ独立に、0〜3の整数である。)
[1]
前記式(1)で表される構成単位と、
下記式(4)で表される構成単位、下記式(5)で表される構成単位および下記式(6)で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上の構成単位と、
を含む高分子化合物であることが好ましく、
[2]
前記式(1)で表される構成単位と、
下記式(4)で表される構成単位、下記式(5)で表される構成単位および下記式(6)で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上の構成単位と、
からなる高分子化合物であることがより好ましく、
[3]
前記式(1)で表される構成単位と、
下記式(4)で表される構成単位および下記式(6)で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上の構成単位と、
からなる高分子化合物であることが更に好ましい。
Ar7、Ar8及びAr9は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換の2価の芳香族複素環基、又は、非置換若しくは置換のアリーレン基および非置換若しくは置換の2価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる2個以上の基が結合してなる基を表す。
R9及びR10は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、又は、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基を表す。
dは0又は1である。)
R11は、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。R11が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
eは0〜4の整数である。)
R12及びR13は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。R12及びR13が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。
f及びgは、それぞれ独立に、0〜4の整数である。但し、f+gは6以下である。)
R14及びR15は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。)
R16は、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、又は、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基を表す。
Xは、単結合、−O−、−S−、又は、−C(Ra)2−を表す。Raは、非置換若しくは置換のアルキル基、又は、非置換若しくは置換のアリール基を表す。2つのRaは、同一であっても異なっていてもよい。)
Ar7、Ar8及びAr9で表される基が有し得る置換基は、複数の置換基同士が結合して、環構造を形成してもよい。
本発明の高分子化合物は、如何なる方法で製造してもよいが、例えば、
[1]
下記式(M−1)で表される化合物(好ましくは、前記式(b)で表される化合物)と、下記式(M−2)で表される化合物と、をクロスカップリング反応により縮合重合させること、又は、
[2]
下記式(M−3)で表される化合物と、下記式(M−4)で表される化合物と、をクロスカップリング反応により縮合重合させること、
により製造することができる。
R1及びR2は、前記と同じ意味を表す。
Y1及びY2は、それぞれ独立に、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基、下記式(a−2)で表される基、下記式(a−3)で表される基、又は、下記式(a−4)で表される基を表す。)
本発明の組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料と、本発明の高分子化合物とを含有する組成物である。本発明の組成物は、例えば、発光材料や電荷輸送材料として用いることができる。
電子輸送材料としては、下記の[発光素子]の項目で説明する、本発明の発光素子が電子輸送層を有する場合に該電子輸送層が含む電子輸送材料、及び、式(5)で表される構成単位、式(6)で表される構成単位および式(9)で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上の構成単位からなる高分子化合物が挙げられる。
発光材料としては、下記の[発光素子]の項目で説明する、本発明の発光素子が含んでいてもよい発光材料、及び、式(5)で表される構成単位、式(6)で表される構成単位および式(9)で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上の構成単位からなる高分子化合物が挙げられる。
式(11)で表される構成単位からなる高分子化合物と、
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料としての、式(5)で表される構成単位、式(6)で表される構成単位および式(9)で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上の構成単位からなる高分子化合物と、を含有する組成物が好ましい。
本発明の高分子化合物のAr1が、式(2)で表される2価の芳香族アミン残基である場合、及び/又は、本発明の高分子化合物が式(6)で表される構成単位および式(10)で表される構成単位からなる群から選ばれる一種以上の構成単位を含む場合は、組成物全体100重量部に対して、本発明の高分子化合物は、好ましくは20〜99重量部であり、より好ましくは40〜95重量部である。
また、本発明の高分子化合物が、式(11)で表される構成単位からなる高分子化合物である場合は、組成物全体100重量部に対して、本発明の高分子化合物は、好ましくは1〜20重量部であり、より好ましくは5〜20重量部である。
本発明の薄膜は、本発明の高分子化合物を含有するものであり、例えば、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜である。
本発明の発光素子は、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の高分子化合物を含有する層とを有する発光素子である。
正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する層を意味する。
電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する層を意味する。
インターレイヤー層は、発光層と陽極との間で発光層に隣接して存在し、発光層と、陽極とを隔離する役割を担う層、発光層と、正孔注入層若しくは正孔輸送層とを隔離する役割を担う層のことである。
電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と言い、電子注入層と正孔注入層を総称して電荷注入層と言う。発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層及びインターレイヤー層は、各々、一層のみからなるものでも二層以上からなるものでもよい。
正孔輸送材料、電子輸送材料、蛍光及び/又は燐光を示し本発明の高分子化合物とは異なる発光材料、発光素子の輝度寿命を長くする添加剤から選ばれるものを含んでいてもよい。
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる2種以上の材料を含有する場合には、それらの材料の合計100重量部に対する発光材料の割合は、通常1〜50重量部であり、好ましくは5〜40重量部である。また、それらの材料の合計100重量部に対する正孔輸送材料及び電子輸送材料の合計割合は、通常1〜50重量部であり、好ましくは5〜40重量部である。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
c)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(ここで、/は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
a’)陽極/インターレイヤー層/発光層/陰極
b’)陽極/正孔輸送層/インターレイヤー層/発光層/陰極
c’)陽極/インターレイヤー層/発光層/電子輸送層/陰極
d’)陽極/正孔輸送層/インターレイヤー層/発光層/電子輸送層/陰極
正孔輸送材料のうち、高分子量の化合物としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)及びその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)及びその誘導体が例示される。
正孔輸送材料のうち、低分子量の化合物としては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、及び、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子量の化合物は、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
電子輸送材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が例示される。
e)陽極/電荷注入層/発光層/陰極
f)陽極/発光層/電荷注入層/陰極
g)陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/陰極
h)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
j)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
k)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/陰極
l)陽極/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
m)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
n)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
o)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
p)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
q)陽極/絶縁層/発光層/陰極
r)陽極/発光層/絶縁層/陰極
s)陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
t)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/陰極
u)陽極/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
v)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
w)陽極/絶縁層/発光層/電子輸送層/陰極
x)陽極/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
y)陽極/絶縁層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
z)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
aa)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
ab)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
本発明の第一の化合物は、前記式(a)で表される化合物であり、典型的には、前記式(b)で表される化合物である。
前記式(a)で表される化合物は、如何なる方法で製造してもよいが、例えば、
前記式(c)で表される化合物と、
前記式(d)で表される化合物および前記式(e)で表される化合物からなる群から選ばれる1種以上の化合物と、を反応させることを含む方法によって製造することができる。
前記式(d)で表される化合物および前記式(e)で表される化合物からなる群から選ばれる1種以上とを反応させる方法は、例えば、Chem.Commun.,2005,2172−2174.に記載の方法を適用することができる。
前記式(c)で表される化合物1モル当たり、
前記式(d)で表される化合物および前記式(e)で表される化合物からなる群から選ばれる1種以上の化合物の使用量は、通常、1.0〜100モルであり、好ましくは、1.8〜50モルであり、より好ましくは、2.0〜30モルである。
前記式(f)で表される化合物と、
前記式(d)で表される化合物および前記式(e)で表される化合物からなる群から選ばれる1種以上とを、反応させることを含む方法によって製造することができる。
前記式(d)で表される化合物および前記式(e)で表される化合物からなる群から選ばれる1種以上とを反応させる方法は、例えば、Chem.Commun.,2005,2172−2174.に記載の方法を適用することができる。
前記式(f)で表される化合物1モル当たり、
前記式(d)で表される化合物および前記式(e)で表される化合物からなる群から選ばれる1種以上の化合物の使用量は、通常、1.0〜100モルであり、好ましくは、1.8〜50モルであり、より好ましくは、2.0〜30モルである。
前記式(a)で表される化合物と、ハロゲン化剤と、を反応させることを含む方法によって製造することができる。
前記式(b)で表される化合物と、ハロゲン化剤と、を反応させることを含む方法によって製造することができる。
銅(I)塩としては、例えば、ハロゲン化銅(I)、酢酸銅(I)が挙げられる。
銅(II)塩としては、例えば、ハロゲン化銅(II)、硝酸銅(II)、硫酸銅(II)が挙げられる。
ハロゲン化銅(I)としては、例えば、塩化銅(I)、臭化銅(I)、ヨウ化銅(I)が挙げられる。
ハロゲン化銅(II)としては、例えば、フッ化銅(II)、塩化銅(II)、臭化銅(II)、ヨウ化銅(II)が挙げられる。
溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチル−2−ピロリドン等のアミド系溶媒、アセトニトリル、及び、アセトンが挙げられ、反応活性が優れるので、エーテル系溶媒、又は、アミド系溶媒が好ましく、エーテル系溶媒とアミド系溶媒との混合溶媒がより好ましい。
本実施例において、LC−MSの測定は、下記の方法で行った。測定試料を約2mg/mLの濃度になるようにクロロホルムまたはテトラヒドロフランに溶解させて、LC−MS(アジレント・テクノロジー製、商品名:1100LCMSD)に約1μL注入した。LC−MSの移動相には、アセトニトリルとテトラヒドロフランとを比率を変化させながら用い、0.2mL/分の流量で流した。カラムは、L−column 2 ODS(3μm)(化学物質評価研究機構製、内径:2.1mm、長さ:100mm、粒径3μm)を用いた。
本実施例において、NMRの測定は、下記の方法で行った。測定試料5〜10mgを約0.5mLの重クロロホルムまたは重テトラヒドロフランに溶解させて、NMR(バリアン(Varian)製、商品名:MERCURY 300、またはブルカー(Bruker)製、商品名:AVANCE600 TCI cryoprobe)を用いて測定した。
本実施例において、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC、島津製作所製、商品名:LC−10Avp)により求めた。測定する高分子化合物は、約0.5重量%の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、GPCに30μL注入した。GPCの移動相にはテトラヒドロフランを用い、0.6mL/分の流速で流した。カラムは、TSKgel SuperHM−H(東ソー製)2本とTSKgel SuperH2000(東ソー製)1本を直列に繋げた。検出器にはUV検出器(検出波長254nm)を用いた。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、1,5−ナフチルビス(トリフルオロメタンスルホネート)(化合物1、25.0g)と、[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)ジクロロメチレン付加体(0.24g)と、tert−ブチルメチルエーテル(410mL)を仕込み、10℃以下で、2−エチルヘキシルマグネシウムブロマイド(1mol/L ジエチルエーテル溶液173mL)を滴下し、室温にて4時間攪拌した。反応終了後、水と2N塩酸の混合液に反応液を注加し、水層を酢酸エチルにより抽出した後、得られた有機層を塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。洗浄した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン)により精製を行い、化合物2を淡黄色油状物として21.3g得た。
1H−NMR(300MHz、CDCl3):δ(ppm)=0.75−1.00(12H,m),1.10−1.50(16H,m),1.69−1.85(2H,m),2.90−3.05(4H,m),7.24−7.38(3H,m),7.35−7.44(3H,m),7.90−7.95(3H,m).
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物2(21.3g)、ビス(ピナコラート)ジボロン(4,4,4',4',5,5,5',5'−オクタメチル−2,2'−ビ−1,3,2−ジオキサボロラン)(46.0g)、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ジ−μ−メトキシジイリジウム(I)(0.24g)(アルドリッチ社製)、4,4'−ジtert−ブチル−2,2'−ジピリジル(0.19g)、及び、ジオキサン(140mL)の混合物を、100℃で3時間攪拌した。冷却後、ジオキサンを減圧下で留去し、残留物にメタノールを加え、析出した固体をろ取し、乾燥させた。この固体をトルエンに溶解させ、活性白土を加え、60℃で30分撹拌した。その後、混合物を、シリカゲルをプレコートした濾過機にて熱時ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮残渣にメタノールを加え、析出した固体をろ取し、乾燥させて、化合物3を白色粉末として28.0g得た。
1H−NMR(300MHz、CDCl3):δ(ppm)=0.85−0.95(12H,m),1.24−1.50(16H,m),1.66−1.85(2H,m),2.90−3.18(4H,m),7.60(2H,s),8.47(2H,s).
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物3(28.0g)、ジオキサン(420mL)、DMF(N,N−ジメチルホルムアミド)(420mL)、及び、水(210mL)の混合液に、臭化銅(II)(62.7g)を加え、95℃で2時間攪拌した。その後、同温度で臭化銅(II)(31.4g)を添加し、1.5時間撹拌後、臭化銅(II)(31.4g)を追加し、1.5時間撹拌した。次いで、反応液を冷却し、そこにヘキサンを加え攪拌した。その後、有機層を分液し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン)により精製し、濃縮後、固体(21.0g)を得た。この固体をトルエンに溶解させ、活性炭加え、60℃で30分撹拌した。次いで、混合物を、セライトをプレコートした濾過機にて熱時ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮残渣をトルエンとメタノールの混合液より再結晶し、化合物4を白色固体として13.2g得た。
1H−NMR(300MHz、CDCl3):δ(ppm)=0.80−0.98(12H,m),1.20−1.44(16H,m),1.64−1.80(2H,m),2.77−2.95(4H,m),7.37(2H,s),8.00(2H,s).
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、1,5−ジメチルナフタレン(化合物5)24g、ビス(ピナコラート)ジボロン(4,4,4',4',5,5,5',5'−オクタメチル−2,2'−ビ−1,3,2−ジオキサボロラン)229g、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ジ−μ−メトキシジイリジウム(I)0.6g、4,4'−ジ−tert−ブチル−2,2'−ジピリジル0.5g、及び、1,4−ジオキサン(412mL)を仕込んで、85℃にて2時間加熱した。反応物を、室温まで冷却した後、減圧下で濃縮し、析出した固体を濾過し、メタノールで洗浄した。その後、得られた固体をトルエンに溶解させ、活性白土を加えて撹拌した後、濾過し、減圧下で濃縮した。得られた固体をトルエンで再結晶し、化合物6を白色固体として39.8g得た。
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物6(1.00g)、ジオキサン(30mL)、DMF(15mL)、及び、水(3mL)の混合液に、臭化銅(II)(0.5g)を加え、95℃で7時間攪拌した。その後、同温度で臭化銅(II)(1.0g)を追加し、10時間撹拌した後、臭化銅(II)(1.0g)を追加し、10時間撹拌した。冷却後、反応液にトルエン及び水を加え、攪拌した。その後、混合物を、セライトをプレコートした濾過機で濾過し、水、1N塩酸、水の順番で有機層を洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮残渣をトルエンとメタノールの混合液で再結晶し、化合物7を薄褐色固体として得た。
1H−NMR(300MHz、CDCl3):δ(ppm)=2.62(6H,s),7.43(2H,s),7.95(2H,s).
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、1−メチルナフタレン(化合物8)3g、ビス(ピナコラート)ジボロン(4,4,4',4',5,5,5',5'−オクタメチル−2,2'−ビ−1,3,2−ジオキサボロラン)10.7g、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ジ−μ−メトキシジイリジウム(I)0.08g、4,4’−ジ−tert−ブチル−2,2’−ジピリジル0.07g、及び、1,4−ジオキサン(36mL)を仕込んで、85℃にて3時間加熱した。反応液を、室温まで冷却した後、減圧下で濃縮し、得られた濃縮残渣にクロロホルムを加え、水で2回洗浄した。その後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過した後、減圧下で濃縮した。得られた濃縮残渣にエタノールを加えたところ、固体が析出し、その固体を濾過し、乾燥させることにより、化合物9を白色固体として3.2g取得した。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、マグネシウム(27.7g)とテトラヒドロフラン(800mL)を仕込み、3,5−ジ(n−ヘキシル)ブロモベンゼン(化合物23、250g)のテトラヒドロフラン(200mL)溶液を滴下し、加熱還流した(以下、「3,5−ジ(n−ヘキシル)フェニルマグネシウムブロマイド溶液」という。)。
別の反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、1,3−ジブロモプロパン(206g)、テトラヒドロフラン(60.0mL)、ヘキサメチルリン酸トリアミド(60.0mL)、及び、臭化銅(I)(5.51g)を仕込み、加熱還流した。ついで、先程調製した3,5−ジ(n−ヘキシル)フェニルマグネシウムブロマイド溶液を滴下し、3時間攪拌した。反応終了後、水と2N塩酸の混合液に反応液を注加し、水層をヘキサンにより抽出した後、得られた有機層を水洗した。洗浄した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で溶媒および過剰の1,3−ジブロモプロパンを留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン)により精製を行い、化合物24を無色透明液体として232g得た。
1H−NMR(300MHz、CDCl3):δ(ppm)=0.83−0.94(8H,m),1.30−1.35(8H,m),1.53−1.61(6H,m),2.10−2.20(2H,m),2.52−2.59(4H,m),2.69−2.71(2H,m),3.37−3.40(2H,m),6.81(2H,s),6.84(1H,s).
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、マグネシウム(2.45g)とジエチルエーテル(7.5mL)を仕込み、化合物24(25.0g)のジエチルエーテル(27.0mL)溶液を滴下し、加熱還流し、溶液G−1を調製した。
別の反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、1,5−ナフチルビス(トリフルオロメタンスルホネート)(化合物1、5.77g)と、[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)ジクロロメチレン付加体(0.56g)と、ジエチルエーテル(100mL)を仕込み、上記で調製した溶液G−1を室温で滴下した後、3時間加熱還流した。反応終了後、水と2N塩酸の混合液に反応液を注加し、水層を酢酸エチルにより抽出した後、得られた有機層を塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。洗浄した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン)により精製を行い、化合物25を無色油状物として6.19g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物25(8.00g)、ビス(ピナコラート)ジボロン(4,4,4',4',5,5,5',5'−オクタメチル−2,2'−ビ−1,3,2−ジオキサボロラン)(8.69g)、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ジ−μ−メトキシジイリジウム(I)([Ir(OMe)(cod)]2、0.11g)(アルドリッチ社製)、4,4'−ジtert−ブチル−2,2'−ジピリジル(0.09g)、及び、ジオキサン(80mL)の混合物を、100℃で1.5時間攪拌した。反応液を室温まで冷却後、セライトろ過し、酢酸エチルで洗浄した後、減圧濃縮した。得られた粗生成物をヘキサン(100mL)に溶解させ、活性炭(1.20g)を加えて1時間加熱還流した。その後、混合物をセライトろ過し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮残渣をヘキサン−エタノールで再結晶し、析出した固体をろ取し、乾燥させて、化合物26を白色粉末として7.3g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、1,5−ナフチルビス(トリフルオロメタンスルホネート)(化合物1、12.7g)と、[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)ジクロロメチレン付加体(0.12g)と、tert−ブチルメチルエーテル(137mL)を仕込み、さらに、30℃において1−デシルマグネシウムブロマイド(1mol/L ジエチルエーテル溶液90mL)を滴下し、加熱還流にて3時間攪拌した。反応終了後、水と2N塩酸の混合液に反応液を注加し、水層をヘキサンにより抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で溶媒を留去した。残留物をヘキサンとイソプロパノールの混合液で再結晶し、化合物27を薄黄色固体として10.3g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物27(10.0g)、ビス(ピナコラート)ジボロン(4,4,4',4',5,5,5',5'−オクタメチル−2,2'−ビ−1,3,2−ジオキサボロラン)(24.9g)、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ジ−μ−メトキシジイリジウム(I)(0.13g)(アルドリッチ社製)、4,4'−ジtert−ブチル−2,2'−ジピリジル(0.11g)、及び、ジオキサン(147mL)の混合物を、100℃で3時間攪拌した。反応液を冷却後、ジオキサンを減圧下で留去し、残留物にメタノールを加え、析出した固体をろ取し、乾燥させた。その後、この固体をトルエンに溶解させ、活性白土を加え、60℃で30分撹拌した。その後、混合物を、シリカゲルをプレコートした濾過機にて熱時ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮残渣をトルエンとヘキサンの混合液で再結晶し、化合物28を白色固体として13.3g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、室温にて、マグネシウム(4.8g)とジエチルエーテル(75mL)を仕込み、さらにヨウ素(0.01g)を加え、10分撹拌した。そこに、(2−ブロモエチル)シクロヘキサン(37.2g)とジエチルエーテル(152mL)の混合液を1時間かけて滴下した。その後、1時間加熱還流した後、反応液を室温まで冷却し、溶液G−2を調製した。
別の反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、1,5−ナフチルビス(トリフルオロメタンスルホネート)(化合物1、25.0g)と、[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)ジクロロメチレン付加体(0.24g)と、tert−ブチルメチルエーテル(270mL)を仕込み、さらに、30℃において溶液G−2を滴下した後、加熱還流にて3時間攪拌した。反応終了後、水と2N塩酸の混合液に反応液を注加し、ヘキサンにより抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で溶媒を留去した。残留物をヘキサンとイソプロパノールの混合液で再結晶し、化合物29を白色固体として18.0g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物29(18.0g)、ビス(ピナコラート)ジボロン(4,4,4',4',5,5,5',5'−オクタメチル−2,2'−ビ−1,3,2−ジオキサボロラン)(39.3g)、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ジ−μ−メトキシジイリジウム(I)(0.21g)(アルドリッチ社製)、4,4'−ジtert−ブチル−2,2'−ジピリジル(0.17g)、及び、ジオキサン(135g)の混合物を、100℃で3時間攪拌した。反応液を室温まで冷却後、アセトニトリルを加え、析出した固体をろ取し、乾燥させた。この固体をトルエンで再結晶し、化合物30を白色固体として24.5g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、臭化銅(I)(4.4g)と、塩化リチウム(2.6g)と、テトラヒドロフラン(440mL)を仕込み、30分撹拌した。その後、混合液を0℃に冷却し、trans−2−ヘキセン酸エチル(43.3g)と塩化トリメチルシラン(36.4g)を加えた。さらに、1−ブチルマグネシウムクロリド(2.0M テトラヒドロフラン溶液、175mL)を1時間かけて滴下した後、1時間撹拌した。反応終了後、水と2N塩酸の混合液に反応液を注加した。混合液にヘキサンを加えて抽出し、有機層を水洗後、減圧下で溶媒を留去し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン/酢酸エチル)により精製を行い、化合物31を薄黄色油状物として54.5g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、水素化リチウムアルミニウム(2.7g)とテトラヒドロフラン(63mL)を仕込み、ついで化合物31(7.0g)とTHF(24mL)の混合液を30分かけて滴下した。ついで、5時間加熱還流した後、反応液を室温まで冷却し、硫酸ナトリウム10水和物(45g)を固体のまま1時間かけて分割して仕込んだ。得られた混合液にヘキサンを加えることで固体を析出させ、その固体を濾別し、減圧下で溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン/酢酸エチル)により精製を行い、化合物32を無色油状物として5.1g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物32(30.0g)、トリフェニルホスフィン(59.7g)、及び、クロロホルム(61mL)を仕込み、0℃に冷却した。その後、N−ブロモスクシンイミド(40.5g)を1時間かけて仕込み、ついで、室温にて1時間撹拌した。得られた混合液に、10重量%炭酸ナトリウム水溶液(81mL)とクロロホルムを加え、分液した。得られた有機層を減圧下で溶媒を留去した。その後、ヘキサンを加えることで固体を析出させ、その析出した固体を濾別し、減圧下で溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン)により精製を行い、更に減圧蒸留し、化合物33を無色油状物として33.1g得た。沸点は、1.0kPaにおいて、93℃であった。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、室温にて、マグネシウム(2.6g)とジエチルエーテル(40mL)との混合物にヨウ素(0.01g)を加え、10分間撹拌した。得られた反応液に、化合物33(23.0g)とエーテル(82mL)の混合液を1時間かけて滴下した後、1時間加熱還流し、反応液を室温まで冷却し、溶液G−3とした。
別の反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、1,5−ナフチルビス(トリフルオロメタンスルホネート)(化合物1、13.4g)、[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)ジクロロメチレン付加体(0.13g)、及び、tert−ブチルメチルエーテル(144mL)を仕込み、さらに、30℃において、溶液G−3を滴下した後、加熱還流にて3時間攪拌した。反応終了後、水と2N塩酸の混合液に反応液を注加し、水層をヘキサンにより抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン)により精製を行い、化合物34を無色油状物として11.6g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物34(11.5g)、ビス(ピナコラート)ジボロン(4,4,4',4',5,5,5',5'−オクタメチル−2,2'−ビ−1,3,2−ジオキサボロラン)(20.4g)、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ジ−μ−メトキシジイリジウム(I)(0.11g)(アルドリッチ社製)、4,4'−ジtert−ブチル−2,2'−ジピリジル(0.09g)、及び、ジオキサン(86g)の混合物を、100℃で3時間攪拌した。反応液を室温まで冷却後、アセトニトリル(46g)を加え、さらにメタノール(23g)を滴下し、0℃まで冷却することで固体を析出させ、析出した固体をろ取し、乾燥させた。この固体をトルエンとアセトニトリルの混合液で再結晶し、化合物35を白色固体として11.5g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、シクロペンチルメチルエーテル(400ml)と、2−エチルヘキシルマグネシウムブロマイド(1mol/L ジエチルエーテル溶液、232mL)と、[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)ジクロロメチレン付加体(0.32g)を仕込み、40℃〜50℃の温度条件において、1−ブロモナフタレン(40g)とシクロペンチルメチルエーテル(100ml)の混合液を滴下した後、50℃で2時間攪拌した。反応終了後、反応液を0℃まで冷却し、水(80ml)と2N塩酸(40ml)の混合液を滴下した。次いで、トルエン(200ml)により抽出後、水洗し、洗浄した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン)により精製を行い、化合物36を無色油状物として47.6g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物36(48.0g)、ビス(ピナコラート)ジボロン(101.8g)、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ジ−μ−メトキシジイリジウム(I)(0.79g)(アルドリッチ社製)、4,4'−ジtert−ブチル−2,2'−ジピリジル(0.69g)、及び、ジオキサン(348mL)の混合物を、100℃で1.5時間攪拌した。反応液を室温まで冷却後、ジオキサンを減圧下で留去し、残留物にトルエン(700ml)と活性白土(98.3g)を加え、60℃で0.5時間攪拌した。その後、シリカゲルとセライトを敷き詰めた濾過器でろ過し、トルエンを減圧下で留去した。残留物にメタノールを加えることで固体を析出させ、析出した固体を濾取し、乾燥した。その後、得られた固体をトルエンとアセトニトリルの混合液で再結晶し、化合物37を白色固体として23.2gを得た。
1H−NMR(300MHz、CDCl3):δ(ppm)=0.85−0.95(6H,m),1.20−1.40(8H,m),1.75−1.85(1H,m),2.90−3.15(2H,m),7.60(1H,s),7.75−7.90(2H,m),8.20(1H,s),8.55(1H,s).
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、1,5−ナフチルビス(トリフルオロメタンスルホネート)(化合物1、15.0g)と、[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)ジクロロメチレン付加体(0.144g)と、tert−ブチルメチルエーテル(162mL)を仕込み、10℃以下の温度において、2,2−エチルブチルマグネシウムブロマイド(1mol/L ジエチルエーテル溶液136mL)を滴下した後、40℃において3.5時間攪拌した。反応終了後、水と2N塩酸の混合液に反応液を注加し、水層をへキサンにより抽出した後、得られた有機層を5重量%炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。洗浄した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン)により精製を行い、化合物38を淡黄色油状物として9.27g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物38(8.75g)、ビス(ピナコラート)ジボロン(4,4,4',4',5,5,5',5'−オクタメチル−2,2'−ビ−1,3,2−ジオキサボロラン)(22.5g)、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ジ−μ−メトキシジイリジウム(I)(0.0951g)(アルドリッチ社製)、4,4'−ジtert−ブチル−2,2'−ジピリジル(0.117g)、及び、シクロペンチルメチルエーテル(65.6g)の混合物を、100℃で8時間攪拌した。反応液を室温まで冷却後、アセトニトリル(35mL)を加えることで固体を析出させ、析出した固体をろ取し、乾燥させた。その後、この固体をトルエン(120mL)に溶解させ、活性白土(1.2g)を加え、60℃で1時間撹拌した。その後、得られた混合物を、シリカゲルをプレコートした濾過機にて熱時ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮残渣を、トルエンとアセトニトリルの混合液にて再結晶させることで、化合物39を白色固体として11.5g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、1,5−ナフチルビス(トリフルオロメタンスルホネート)(化合物1、82.4g)と、1-(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−3,5−ジヘキシルベンゼン(193.0g)と、トルエン(1137mL)を仕込み、ついでビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)ジクロリド(2.7g)を加え、ついで80℃でテトラエチルアンモニウムヒドロキシド(20重量%水溶液424.1g)を滴下した後、80℃で5時間攪拌した。反応終了後、得られた反応液に水とトルエンを注加して抽出した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン)により精製を行い、化合物40を微黄色油状物として132.8g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物40(132.8g)、ビス(ピナコラート)ジボロン(4,4,4',4',5,5,5',5'−オクタメチル−2,2'−ビ−1,3,2−ジオキサボロラン)(147.8g)、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ジ−μ−メトキシジイリジウム(I)(3.86g)(アルドリッチ社製)、4,4'−ジtert−ブチル−2,2'−ジピリジル(3.12g)、及び、ジオキサン(2L)の混合物を、80℃で一晩攪拌した。反応液を室温まで冷却後、ジオキサンを減圧下で留去した。得られた残留物にトルエン加えて溶解し、活性炭を加え、50℃で30分撹拌した。その後、得られた混合物を、セライトをプレコートした濾過機にて熱時ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた濃縮残渣をトルエンに溶解させ、ついでメタノールを加えることで固体を析出させ、析出した固体をろ取し、乾燥させた。その後、得られた固体にヘキサンを加え、加熱溶解した後に室温まで冷却することで固体を析出させ、析出した固体をろ取し、乾燥させて、化合物41を白色粉末として123.0g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物41(63.5g)、ジオキサン(667mL)、N,N−ジメチルホルムアミド(667mL)、及び、水(333mL)の混合液に、臭化銅(II)(48.7g)を加え、95℃で2時間攪拌した。その後、同温度で臭化銅(II)(243.5g)を分割して添加した後、1時間撹拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、ヘキサンを加え攪拌した。その後、有機層を分液し、有機層へ飽和塩化ナトリウム水を加え撹拌した。その後、有機層を分液し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で溶媒を留去した。その後、得られた残留物、ジオキサン(667mL)、N,N−ジメチルホルムアミド(667mL)、及び、水(333mL)の混合液に、臭化銅(II)(48.7g)を加え、95℃で2時間攪拌した。同温度で臭化銅(II)(559.9g)を分割して添加した後、1時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、そこにヘキサンを加え攪拌した。その後、有機層を分液し、飽和塩化ナトリウム水を加え撹拌した。その後、有機層を分液し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン)により精製し、濃縮後、固体(54.3g)を得た。得られた固体を、トルエンとアセトニトリルの混合液にて再結晶させることで、化合物42を白色固体として65.3g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、1,5−ナフチルビス(トリフルオロメタンスルホネート)(化合物1、63.6g)と、2-(4,4−ビス(1,1−ジメチルエチル)(1,1,3,1−ターフェニル)−5−イル)−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン(161.4g)と、トルエン(900mL)を仕込み、ついでビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)ジクロリド(2.10g)を加え、ついで80℃でテトラエチルアンモニウムヒドロキシド(20重量%水溶液331.0g)を滴下した後、90℃で5時間攪拌した。反応終了後、得られた反応液に水とトルエンを注加して抽出した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下で溶媒を留去して残留物を得た。また、上記のトルエン抽出後の水層に析出していた結晶をクロロホルムにて抽出し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧下で溶媒を留去して残留物を得た。これらの残留物をあわせて、トルエンとイソプロパノールの混合液で再結晶させることで、化合物43を白色粉末状固体として121.9g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物43(70.0g)、ビス(ピナコラート)ジボロン(4,4,4',4',5,5,5',5'−オクタメチル−2,2'−ビ−1,3,2−ジオキサボロラン)(1131.8g)、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ジ−μ−メトキシジイリジウム(I)(1.72g)(アルドリッチ社製)、4,4'−ジtert−ブチル−2,2'−ジピリジル(1.39g)、及び、ジオキサン(2365mL)の混合物を、100℃で2時間攪拌した。得られた反応液を冷却することで固体を析出させ、析出した固体をろ取し、ジオキサンおよびヘキサンで洗浄した後に、乾燥させて、化合物44を白色粉末として101.3g得た。
1H−NMR(300MHz、CDCl3):δ(ppm)=1.34−1.39(32H,d),1.55−1.56(36H,d),7.49−7.52(8H,d),7.69−7.72(8H,d),7.78(4H,s),7.86−7.87(2H,d),7.95(2H,s),8.72(2H,s).
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物44(1.11g)、ジオキサン(110mL)、N,N−ジメチルホルムアミド(55mL)、及び、水(11mL)の混合液に、臭化銅(II)(4.49g)を加え、その後、100℃で26時間攪拌した。同温度で臭化銅(II)(6.74g)を分割して添加した後、14時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、そこに水150mLを加えて結晶を析出させた。析出させた結晶をろ過し、得られた固体を、20重量%塩酸水およびメタノールにて洗浄した。減圧下にて固体を乾燥させた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン/トルエン=90/10)により精製し、化合物45を白色固体として0.15g得た。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、2,6−ジブロモ−1,5−ジヒドロキシナフタレン(73.7g、0.231mol)と、エタノール(884mL)と、ナトリウムエトキシド(40.70g、0.60mol)との混合物に、n−ヘキシルブロマイド(98.71g、0.60mol)とエタノール(147mL)からなる溶液を、室温で15分かけて滴下した後、オイルバスの温度を100℃に設定して8時間攪拌した。得られた反応液を、室温において、水(1500mL)に加えて攪拌し、ついでジクロロメタンを加えて攪拌し、得られた有機層を静置することで濃縮し、乾燥させ、固化した。その後、得られた固体に、ヘキサンを展開溶媒としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、ついでトルエン及びメタノールの混合液を用いた再結晶を行うことで、目的とする化合物21を93.44g得た(収率42%)。
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物21(60.97g、0.13mol)、ビス(ピナコラート)ジボロン(4,4,4',4',5,5,5',5'−オクタメチル−2,2'−ビ−1,3,2−ジオキサボロラン)(319.64g、1.25mol)、[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロライド・ジクロロメタン錯体(PdCl2(dppf)・CH2Cl2、5.12g、6.3mmol)、1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン(3.48g、6.3mmol)、酢酸カリウム(184.57g、1.88mol)、及び、1,4−ジオキサン(1829mL)を混合させ、100℃にて8時間攪拌した。その後、室温に濃縮することで、1,4−ジオキサンを留去した。その後、トルエン、活性炭、及び、活性白土を加えた後、70℃にて攪拌し、ついで濾過することで得られた濾液を濃縮し、乾燥させ、固化した。その後、アセトニトリル及びメタノールの混合液で再結晶を行い、さらに、トルエン及びメタノールの混合液で再結晶を行うことにより、目的とする化合物20を30.47g得た(収率42%)。
反応容器内を不活性雰囲気とした後、下記式;
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物3(1.1946g、1.98mmol)、下記式;
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物20(1.1399g、1.96mmol)、化合物14(1.0498g、1.76mmol)、化合物15(0.1772g、0.24mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)、及び、トルエン(42mL)を混合し、105℃に加熱した。反応液に20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.9g)を滴下し、24時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(24mg)、20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.9g)、及び、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)を加え、更に22時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80℃で2時間撹拌した。冷却後、反応液を、水で2回、3重量%酢酸水溶液で2回、水で2回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物7を1.13g得た。高分子化合物7のポリスチレン換算の数平均分子量は6.0×103であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は8.4×104であった。
高分子化合物7は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式:
スパッタ法により45nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板に、Plextronics社から入手した、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるAQ−1200(商品名)をスピンコート法により35nmの厚さとなるように成膜し、ホットプレート上で170℃で15分間乾燥し、発光素子用基板を作製した。
実施例D1における高分子化合物2に代えて、クロロベンゼン中に1.2重量%の濃度で溶解させた高分子化合物7の溶液を調製し、スピンコート法により1800rpmの回転速度で発光素子用基板上に約60nmの厚さとなるように成膜した以外は、実施例D1と同様にして、発光素子(以下、「発光素子CD1」と言う。)を作製した。
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物3(1.1969g、1.98mmol)、化合物14(1.0737g、1.80mmol)、下記式:
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物41(1.7117g、1.97mmol)、化合物14(1.0736g、1.80mmol)、化合物16(0.2196g、0.20mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)、及び、トルエン(59mL)を混合し、105℃に加熱した。反応液に20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.9g)を滴下し、3時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(24mg)、20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.9g)、及び、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)を加え、20時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80℃で2時間撹拌した。冷却後、反応液を、水で2回、3重量%酢酸水溶液で2回、水で2回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物8を1.69g得た。高分子化合物8のポリスチレン換算の数平均分子量は7.6×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は2.2×105であった。
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物20(1.1400g、1.96mmol)、化合物14(1.0736g、1.80mmol)、化合物16(0.2196g、0.20mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(2.8mg)、及び、トルエン(44mL)を混合し、105℃に加熱した。反応液に20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.9g)を滴下し、7時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(24mg)、20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.9g)、及び、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)を加え、16時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80℃で2時間撹拌した。冷却後、反応液を、水で2回、3重量%酢酸水溶液で2回、水で2回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物9を0.95g得た。高分子化合物9のポリスチレン換算の数平均分子量は9.0×103であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は4.4×104であった。
実施例D1における高分子化合物2に代えて、クロロベンゼン中に1.0重量%の濃度で溶解させた高分子化合物3の溶液を調製し、スピンコート法により3000rpmの回転速度で発光素子用基板上に約60nmの厚さとなるように成膜した以外は、実施例D1と同様にして、発光素子を作製した(以下、「発光素子D2」と言う。)。
実施例D1における高分子化合物2に代えて、クロロベンゼン中に0.9重量%の濃度で溶解させた高分子化合物8の溶液を調製し、スピンコート法により1100rpmの回転速度で発光素子用基板上に約60nmの厚さとなるように成膜した以外は、実施例D1と同様にして、発光素子(以下、「発光素子D3」と言う。)を作製した。
実施例D1における高分子化合物2に代えて、クロロベンゼン中に1.5重量%の濃度で溶解させた高分子化合物9の溶液を調製し、スピンコート法により3500rpmの回転速度で発光素子用基板上に約60nmの厚さとなるように成膜した以外は、実施例D1と同様にして、発光素子(以下、「発光素子CD2」と言う。)を作製した。
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記式;
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物17(1.3328g、1.97mmol)、化合物21(0.8559g、1.76mmol)、化合物15(0.1773g、0.24mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)、及び、トルエン(42mL)を混合し、105℃に加熱した。反応液に20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.9g)を滴下し、3.5時間還流させた。この時点で重合が進行せず高分子化合物が得られなかったので、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)追加し、さらに3.5時間還流させたが、重合が進行せず高分子化合物を得られなかった。
実施例D1における高分子化合物2に代えて、キシレン溶媒中に1.2重量%の濃度で溶解させた高分子化合物4の溶液を調製し、スピンコート法により1500rpmの回転速度で発光素子用基板上に約60nmの厚さとなるように成膜した以外は、実施例D1と同様にして、発光素子(以下、「発光素子D4」と言う。)を作製した。
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記式:
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物3(2.9470g、4.87mmol)、化合物4(2.5520g、5.00mmol)、ジクロロビス(トリス−o−メトキシフェニルホスフィン)(4.5mg)、及び、トルエン(91mL)を混合し、105℃に加熱した。反応液に20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(18mL)を滴下し、1時間40分還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(62mg)、20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(18mL)、及び、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(4.4mg)を加え、17時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80℃で2時間撹拌した。冷却後、反応液を、水で2回、3重量%酢酸水溶液で2回、水で2回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱物が生じ、それをろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物6を3.14g得た。高分子化合物6のポリスチレン換算の数平均分子量は9.0×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は3.5×105であった。
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物20(1.4396g、2.48mmol)、化合物21(1.2157g、2.50mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.8mg)、及び、トルエン(44mL)を混合し、105℃に加熱した。反応液に20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(8.7g)を滴下し、3.5時間還流させた。この時点で重合が進行せず高分子化合物が得られなかったので、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.9mg)追加し、さらに3時間還流させたが、重合が進行せず高分子化合物を得られなかった。
重量比が高分子化合物5:高分子化合物6=90:10となるように、クロロベンゼンに1.0重量%の濃度で溶解させた高分子化合物5の溶液と、クロロベンゼンに1.0重量%の濃度で溶解させた高分子化合物6の溶液とを混合して、組成物1を調製した。
実施例D1における高分子化合物2の溶液に代えて、組成物1を用い、スピンコート法により2600rpmの回転速度で発光素子用基板上に約60nmの厚さとなるように成膜した以外は、実施例D1と同様にして、発光素子D5を作製した。
反応容器内を不活性ガス雰囲気とし、下記式:
反応液に20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(7ml)を滴下し、2時間20分還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(26mg)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.20mg)を加え、更に17時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80℃で2時間撹拌した。冷却後、水(26ml)で2回、3重量%酢酸水溶液(26ml)で2回、水(26ml)で2回洗浄し、得られた溶液をメタノール(311mL)に滴下、ろ取することで沈殿物を得た。
この沈殿物をトルエン(63mL)に溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール(311ml)に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物12を1.49g得た。高分子化合物12のポリスチレン換算数平均分子量は、1.1×105であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は2.9×105であった。
重量比が高分子化合物12:高分子化合物6=90:10となるように、クロロベンゼンに0.9重量%の濃度で溶解させた高分子化合物12の溶液と、クロロベンゼンに0.9重量%の濃度で溶解させた高分子化合物6の溶液とを混合して、組成物2を調製した
実施例D1における高分子化合物2の溶液に代えて、組成物2を用い、スピンコート法により1900rpmの回転速度で発光素子用基板上に約60nmの厚さとなるように成膜した以外は、実施例D1と同様にして、発光素子D6を作製した。
重量比が高分子化合物12:高分子化合物6=80:20となるように、クロロベンゼンに0.9重量%の濃度で溶解させた高分子化合物12の溶液と、クロロベンゼンに0.9重量%の濃度で溶解させた高分子化合物6の溶液とを混合して、組成物3を調製した。
実施例D1における高分子化合物2の溶液に代えて、組成物3を用い、スピンコート法により2000rpmの回転速度で発光素子用基板上に約60nmの厚さとなるように成膜した以外は、実施例D1と同様にして、発光素子D7を作製した。
実施例D1における高分子化合物2に代えて、クロロベンゼン中に0.9重量%の濃度で溶解させた高分子化合物12の溶液を調製し、スピンコート法により1700rpmの回転速度で発光素子用基板上に約60nmの厚さとなるように成膜した以外は、実施例D1と同様にして、発光素子(以下、「発光素子CD3」と言う。)を作製した。
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物17(1.3424g、1.98mmol)、化合物4(0.9187g、1.80mmol)、化合物16(0.2196g、0.20mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)、及び、トルエン(47mL)を混合し、105℃に加熱した。反応液に20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.6mL)を滴下し、2時間40分還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(26mg)、20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.6mL)、及び、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)を加え、18.5時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80℃で2時間撹拌した。冷却後、反応液を、水で2回、3重量%酢酸水溶液で2回、水で2回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物13を1.2g得た。高分子化合物13のポリスチレン換算の数平均分子量は8.4×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は2.5×105であった。
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物17(1.3369g、1.98mmol)、化合物21(0.8753g、1.80mmol)、化合物16(0.2196g、0.20mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)、及び、トルエン(44mL)を混合し、105℃に加熱した。反応液に20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.9g)を滴下し、22時間分還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(24mg)、20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.9g)、及び、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)を加え、21.5時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80℃で2時間撹拌した。冷却後、反応液を、水で2回、3重量%酢酸水溶液で2回、水で2回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物14を1.13g得た。高分子化合物14のポリスチレン換算の数平均分子量は6.9×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は1.4×105であった。
実施例D1における高分子化合物2に代えて、クロロベンゼン中に1.2重量%の濃度で溶解させた高分子化合物13の溶液を調製し、スピンコート法により2800rpmの回転速度で発光素子用基板上に約60nmの厚さとなるように成膜した以外は、実施例D1と同様にして、発光素子(以下、「発光素子D8」と言う。)を作製した。
実施例D1における高分子化合物2に代えて、クロロベンゼン中に1.0重量%の濃度で溶解させた高分子化合物14の溶液を調製し、スピンコート法により1500rpmの回転速度で発光素子用基板上に約60nmの厚さとなるように成膜した以外は、実施例D1と同様にして、発光素子(以下、「発光素子CD4」と言う。)を作製した。
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物17(1.3424g、1.98mmol)、化合物4(0.8983g、1.76mmol)、化合物15(0.1478g、0.20mmol)、化合物16(0.0439g、0.04mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)、及び、トルエン(47mL)を混合し、105℃に加熱した。反応液に20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.6mL)を滴下し、3時間分還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(25mg)、20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.6mL)、及び、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)を加え、17時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80℃で2時間撹拌した。冷却後、反応液を、水で2回、3重量%酢酸水溶液で2回、水で2回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物15を1.22g得た。高分子化合物15のポリスチレン換算の数平均分子量は7.4×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は2.1×105であった。
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物3(1.1957g、1.98mmol)、化合物4(0.8575g、1.68mmol)、化合物15(0.0886g、0.12mmol)、化合物16(0.2196g、0.20mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)、及び、トルエン(47mL)を混合し、105℃に加熱した。反応液に20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.6mL)を滴下し、2時間分還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(25mg)、20重量%水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(6.6mL)、及び、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.4mg)を加え、19時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80℃で2時間撹拌した。冷却後、反応液を、水で2回、3重量%酢酸水溶液で2回、水で2回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物16を1.14g得た。高分子化合物16のポリスチレン換算の数平均分子量は8.4×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は2.5×105であった。
実施例D1における高分子化合物2に代えて、クロロベンゼン中に0.9重量%の濃度で溶解させた高分子化合物15の溶液を調製し、スピンコート法により1500rpmの回転速度で発光素子用基板上に約60nmの厚さとなるように成膜した以外は、実施例D1と同様にして、発光素子(以下、「発光素子D9」と言う。)を作製した。
実施例D1における高分子化合物2に代えて、クロロベンゼン中に1.0重量%の濃度で溶解させた高分子化合物16の溶液を調製し、スピンコート法により2500rpmの回転速度で発光素子用基板上に約60nmの厚さとなるように成膜した以外は、実施例D1と同様にして、発光素子(以下、「発光素子D10」と言う。)を作製した。
Claims (23)
- 下記式(1)で表される構成単位を含む高分子化合物。
R1及びR2は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。
Ar1は、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換の2価の縮合多環芳香族複素環基、又は、下記式(2)で表される2価の芳香族アミン残基を表す。
但し、前記非置換若しくは置換の2価の縮合多環芳香族複素環基におけるナフタレン環と結合する環の骨格は炭素原子のみからなる。)
Ar2、Ar3及びAr4は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換の2価の芳香族複素環基、又は、非置換若しくは置換のアリーレン基および非置換若しくは置換の2価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる2個以上の基が結合してなる基を表す。
R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、又は、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基を表す。
aは0又は1である。) - Ar1が非置換若しくは置換のアリーレン基である、請求項1に記載の高分子化合物。
- Ar1が非置換若しくは置換のフルオレンジイル基、又は、非置換若しくは置換のナフタレンジイル基である、請求項2に記載の高分子化合物。
- 式(1)で表される構成単位が下記式(3)で表される構成単位である、請求項3に記載の高分子化合物。
R1及びR2は前記と同じ意味を表す。
R5及びR6は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。
R7及びR8は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。R7及びR8が複数存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
b及びcは、それぞれ独立に、0〜3の整数である。) - Ar1が式(2)で表される2価の芳香族アミン残基である、請求項1に記載の高分子化合物。
- R1及びR2が、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、又は、非置換若しくは置換のアリール基である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の高分子化合物。
- さらに、下記式(4)で表される構成単位、下記式(5)で表される構成単位および下記式(6)で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上の構成単位を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の高分子化合物。
Ar7、Ar8及びAr9は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアリーレン基、非置換若しくは置換の2価の芳香族複素環基、又は、非置換若しくは置換のアリーレン基および非置換若しくは置換の2価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる2個以上の基が結合してなる基を表す。
R9及びR10は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、又は、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基を表す。
dは0又は1である。) - 式(1)で表される構成単位と、
式(4)で表される構成単位、式(5)で表される構成単位および式(6)で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上の構成単位と、
からなる、請求項7に記載の高分子化合物。 - 式(1)で表される構成単位と、
式(4)で表される構成単位および式(6)で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上の構成単位と、
からなる、請求項8に記載の高分子化合物。 - Ar5が、非置換若しくは置換のフェニレン基、非置換若しくは置換のナフタレンジイル基、又は、非置換若しくは置換のフルオレンジイル基である、請求項7〜9のいずれか一項に記載の高分子化合物。
- 式(4)で表される構成単位が、下記式(7)で表される構成単位、下記式(8)で表される構成単位、又は、下記式(9)で表される構成単位である、請求項7〜10のいずれか一項に記載の高分子化合物。
R11は、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。R11が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
eは0〜4の整数である。)
R12及びR13は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。R12及びR13が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。
f及びgは、それぞれ独立に、0〜4の整数である。但し、f+gは6以下である。)
R14及びR15は、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。) - 正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料と、請求項1〜13のいずれか一項に記載の高分子化合物と、を含有する組成物。
- 正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料が、式(5)で表される構成単位、式(6)で表される構成単位および式(9)で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上の構成単位からなる高分子化合物である、請求項14に記載の組成物。
- 請求項13に記載の高分子化合物と、
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料としての、式(5)で表される構成単位、式(6)で表される構成単位および式(9)で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上の構成単位からなる高分子化合物と、
を含有する、請求項15に記載の組成物。 - 請求項1〜13のいずれか一項に記載の高分子化合物と、溶媒と、を含有する液状組成物。
- 請求項1〜13のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有する薄膜。
- 陽極及び陰極からなる電極と、
該電極間に設けられた、請求項1〜13のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有する層と、
を有する発光素子。 - 下記式(c)で表される化合物と、
下記式(d)で表される化合物および下記式(e)で表される化合物からなる群から選ばれる1種以上の化合物と、
を反応させることを含む、下記式(a)で表される化合物の製造方法。
R1は、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。
R17は、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。)
RA及びRBは、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、又は、非置換若しくは置換のアリール基を表す。複数あるRAは同一でも異なっていてもよく、2つのRA同士が結合を形成して環構造を形成してもよい。複数あるRBは同一でも異なっていてもよく、2つのRB同士が結合を形成して環構造を形成してもよい。)
RAは、前記と同じ意味を表す。複数あるRAは同一でも異なっていてもよく、2つのRA同士が結合を形成して環構造を形成してもよい。)
R1及びR17は、前記と同じ意味を表す。
Z1及びZ2は、それぞれ独立に、ホウ酸エステル残基、又は、ホウ酸残基を表す。) - 下記式(f)で表される化合物と、
下記式(d)で表される化合物および下記式(e)で表される化合物からなる群から選ばれる1種以上と、
を反応させることを含む、下記式(b)で表される化合物の製造方法。
R1及びR2は、それぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換の1価の芳香族複素環基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、又は、非置換若しくは置換のアリールオキシ基を表す。)
RA及びRBは、それぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、又は、非置換若しくは置換のアリール基を表す。複数あるRAは同一でも異なっていてもよく、2つのRA同士が結合を形成して環構造を形成してもよい。複数あるRBは同一でも異なっていてもよく、2つのRB同士が結合を形成して環構造を形成してもよい。)
RAは、前記と同じ意味を表す。複数あるRAは同一でも異なっていてもよく、2つのRA同士が結合を形成して環構造を形成してもよい。)
R1及びR2は、前記と同じ意味を表す。
Z1及びZ2は、それぞれ独立に、ホウ酸エステル残基、又は、ホウ酸残基を表す。)
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