JP2008134629A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】
【解決手段】 透過軸を互いに直交にして配置された第１及び第２の偏光子(１１，１２)と、該第１及び第２の偏光子の間に配置された液晶層(１３)と、前記第１もしくは第２の偏光子と液晶層との間に第１の光学異方性層（１４）とを有する液晶表示装置であって、前記第１の光学異方性層(１４)の面内レターデーション（Ｒｅ）が、可視光域の波長λ１において正となり、可視光域の波長λ２（但しλ１≠λ２）において負となり、及び｜Ｒｔｈ（５５０）｜が５０ｎｍ以上であることを特徴とする液晶表示装置である。
【選択図】 図１

Description

本発明は視野角特性に優れた液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、低電圧・低消費電力で小型化・薄膜化が可能など様々な利点からパーソナルコンピューターや携帯機器のモニター、テレビ用途に広く利用されている。このような液晶表示装置は液晶セル内の液晶分子の配列状態により様々なモードが提案されているが、従来は液晶セルの下側基板から上側基板に向かって約９０°捩れた配列状態になるＴＮモードが主流であった。
一般に液晶表示装置は液晶セル、光学補償シート、及び偏光子から構成される。光学補償シートは画像着色を解消したり、視野角を拡大するために用いられており、延伸した複屈折フィルムや透明フィルムに液晶を塗布したフィルムが使用されている。例えば、特許文献１ではディスコティック液晶をトリアセチルセルロースフィルム上に塗布し配向させて固定化した光学補償シートをＴＮモードの液晶セルに適用し、視野角を広げる技術が開示されている。しかしながら、大画面で様々な角度から見ることが想定されるテレビ用途の液晶表示装置は視野角依存性に対する要求が厳しく、前述のような手法をもってしても要求を満足することはできていない。そのため、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）モードなど、ＴＮモードとは異なる液晶表示装置が研究されている。特にＶＡモードはコントラストが高く、比較的製造の歩留まりが高いことからＴＶ用の液晶表示装置として着目されている。

しかしながらＶＡモードでは、パネル法線方向においてはほぼ完全な黒色表示ができるものの、斜め方向からパネルを観察すると光漏れが発生し、視野角が狭くなるという問題があった。この問題を解決するためにフィルムの３次元方向の屈折率がいずれも異なる、光学的に二軸の位相差板を用いることによりＶＡモードの視野角特性を向上することが提案されている（例えば特許文献１）。
特開２００３−３４４８５６

しかしながら上記の方法はある波長域（例えば５５０ｎｍ付近の緑光）に対して光漏れを低減しているのみであり、それ以外の波長域（例えば４５０ｎｍ付近の青光、６５０ｎｍ付近の赤光）に対する光漏れは考慮していない。このため例えば黒表示をして斜めから観察すると、青色や赤色に着色するいわゆるカラーシフトの問題が解決されていなかった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、広範囲の視野角において高いコントラスト比の画像を表示可能であり、カラーシフト（斜め方向から見た際の色味変化）が軽減された液晶表示装置の提供を目的とする。

前記課題を解決するための手段は以下の通りである。
［１］ 透過軸を互いに直交にして配置された第１及び第２の偏光子と、
該第１及び第２の偏光子の間に配置された液晶層と、
前記第１もしくは第２の偏光子と液晶層との間に第１の光学異方性層とを有する液晶表示装置であって、
前記第１の光学異方性層の面内レターデーション（Ｒｅ）が、可視光域の波長λ１において正となり、可視光域の波長λ２（但しλ１≠λ２）において負となり、及び｜Ｒｔｈ（５５０）｜が５０ｎｍ以上であることを特徴とする液晶表示装置。
［２］ 前記第１の光学異方性層が下記式（１）及び（２）を満たすことを特徴とする［１］の液晶表示装置：
Ｒｅ（４５０）×Ｒｅ（６５０）＜０ 式（１）
｜Ｒｔｈ（５５０）／Ｒｅ（５５０）｜＞１０ 式（２）
式中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍの光を入射させて測定した面内レターデーション（単位：ｎｍ）であり、第１の光学異方性層のＲｅの正負は、液晶セルに対して同じ側に配置された偏光子の吸収軸を基準とし、該吸収軸と平行方向を正とする。
［３］ 前記第１もしくは第２の偏光子と液晶層との間に第２の光学異方性層を有し、前記第２の光学異方性層が、下記式（３）及び（４）を満足することを特徴とする［１］又は［２］の液晶表示装置：
３０ｎｍ＜Ｒｅ（５５０）＜４００ｎｍ 式（３）
−１００ｎｍ＜Ｒｔｈ（５５０）＜３００ｎｍ 式（４）
式中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍの光を入射させて測定した面内レターデーション（単位：ｎｍ）であり；Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍの光を入射させて測定した厚み方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である。
［４］ 前記第１の光学異方性層が、前記液晶層と前記第１の偏光子との間に、及び前記第２の光学異方性層が、前記液晶層と前記第２の偏光子との間に配置されることを特徴とする［３］の液晶表示装置。

［５］ ＶＡモードであることを特徴とする［１］〜［４］のいずれかの液晶表示装置。
［６］ 前記第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＞０ 、
Ｒｅ（６５０）＜０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＞０、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜≧１．０
を全て満たすことを特徴とする［５］の液晶表示装置。
［７］ 前記第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＞０ 、
Ｒｅ（６５０）＜０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＞０、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜＜１．０
を全て満たすことを特徴とする［５］の液晶表示装置。
［８］ 前記第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＜０ 、
Ｒｅ（６５０）＞０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＞０、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜＜１．０
を全て満たすことを特徴とする［５］の液晶表示装置。
［９］ 前記第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＜０ 、
Ｒｅ（６５０）＞０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＞０ 、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜≧１．０
を全て満たすことを特徴とする［５］の液晶表示装置。

［１０］ 水平配向モードであることを特徴とする［１］〜［４］のいずれかの液晶表示装置。
［１１］ 前記第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＜０ 、
Ｒｅ（６５０）＞０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＜０、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜≧１．０
を全て満たすことを特徴とする［１０］の液晶表示装置。
［１２］ 前記第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＜０ 、
Ｒｅ（６５０）＞０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＜０、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜＜１．０
を全て満たすことを特徴とする［１０］の液晶表示装置。
［１３］ 前記第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＞０ 、
Ｒｅ（６５０）＜０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＜０ 、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜＜１．０
を全て満たすことを特徴とする［１０］の液晶表示装置。
［１４］ 前記第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＞０ 、
Ｒｅ（６５０）＜０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＜０、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜≧１．０
を全て満たすことを特徴とする［１０］の液晶表示装置。

［１５］ 前記第１の光学異方性層が、セルロースアシレートフィルムからなることを特徴とする［１］〜［１４］のいずれかの液晶表示装置。
［１６］ 前記第１の光学異方性層が、Ｒｔｈ発現剤を少なくとも一種類含有することを特徴とする［１］〜［１５］のいずれかの液晶表示装置。

本発明によれば、広範囲の視野角において高いコントラスト比の画像を表示可能であり、カラーシフト（斜め方向から見た際の色味変化）が軽減された液晶表示装置の提供することができる。

以下、本発明について説明する。なお、本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。また実質的に直交もしくは平行とは、厳密な角度±１０°の範囲を意味する。
また、本明細書において、Ｒｅ（λ）、Ｒｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレターデーション及び厚さ方向のレターデーションを表す。Ｒｅ（λ）はＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。

測定されるフィルムが１軸又は２軸の屈折率楕円体で表されるものである場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）のフィルム法線方向に対して法線方向から片側５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて全部で６点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
上記において、法線方向から面内の遅相軸を回転軸として、ある傾斜角度にレターデーションの値がゼロとなる方向をもつフィルムの場合には、その傾斜角度より大きい傾斜角度でのレターデーション値はその符号を負に変更した後、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
尚、遅相軸を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）、任意の傾斜した２方向からレターデーション値を測定し、その値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基に、以下の式（２１）及び式（２２）よりＲｔｈを算出することもできる。

Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ −−−式（２２）
式中、上記のＲｅ（θ）は法線方向から角度θ傾斜した方向におけるレターデーション値をあらわす。
また式中、ｎｘは面内における遅相軸方向の屈折率を表し、ｎｙは面内においてｎｘに直交する方向の屈折率を表し、ｎｚはｎｘ及びｎｙに直交する方向の屈折率を表し、ｄは膜厚を表す。

測定されるフィルムが１軸や２軸の屈折率楕円体で表現できないもの、いわゆる光学軸（ｏｐｔｉｃ ａｘｉｓ）がないフィルムの場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−５０度から＋５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて１１点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
上記の測定において、平均屈折率の仮定値は ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：
セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。この算出されたｎｘ、ｎｙ、ｎｚよりＮｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）がさらに算出される。

また、本明細書では、Ｒｅ（４５０）、Ｒｅ（５５０）、Ｒｅ（６５０）、Ｒｔｈ（４５０）、Ｒｔｈ（５５０）、Ｒｔｈ（６５０）の値は以下のようにして求めた。測定装置により３以上の異なる波長（例としてλ＝４７９．２５４６．３、６３２．８、７４５．３ｎｍ）を用いて測定し、それぞれの波長からＲｅ、Ｒｔｈを算出するものとする。これらの値をコーシーの式（第３項まで、Ｒｅ＝Ａ＋Ｂ／λ²＋Ｃ／λ⁴）にて近似して値Ａ、Ｂ、Ｃを求める。以上より波長λにおけるＲｅ、Ｒｔｈをプロットし直し、そこから波長４５０、５５０、６５０ｎｍでのＲｅおよびＲｔｈ値であるＲｅ（４５０）、Ｒｅ（５５０）、Ｒｅ（６５０）、Ｒｔｈ（４５０）、Ｒｔｈ（５５０）、Ｒｔｈ（６５０）を求めることができる。

本発明の液晶表示装置は、液晶セル、該液晶セルの両側にそれぞれ配置された第１及び第２の偏光子、及び前記第１及び第２の偏光子の間に、面内レターデーション（Ｒｅ）が、可視光域の波長λ１において正となり、可視光域の波長λ２（但しλ１≠λ２）において負となり、及び｜Ｒｔｈ（５５０）｜が５０ｎｍ以上である、第１の光学異方性層を有することを特徴とする。前記第１の光学異方性層の一例は、下記式（１）及び式（２）を満足する光学異方性層である。
Ｒｅ（４５０）×Ｒｅ（６５０）＜０ 式（１）
Ｒｔｈ（５５０）／Ｒｅ（５５０）＞１０ 式（２）
式中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍの光を入射させて測定した面内レターデーション（単位：ｎｍ）であり、第１の光学異方性層のＲｅの正負は、液晶セルに対して同じ側に配置された偏光子の吸収軸を基準とし、該吸収軸と平行方向を正とする。
式中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍの光を入射させて測定した面内レターデーション（単位：ｎｍ）であり、第１の光学異方性層のＲｅの正負は、液晶セルに対して同じ側に配置された偏光子の吸収軸を基準とし、該吸収軸と平行方向を正とする。
前記第１の光学異方性層は、単独でもしくは他の光学異方性層と組合せされて、種々のモードの液晶表示装置の表示特性の改善に寄与する。前記第１の光学異方性層は、少なくとも1つの光軸を有する光学異方性層と組み合わせられてもよい。

以下、図面を用いて本発明の作用を説明する。
本発明の液晶表示装置の一態様を図１に示す。本発明は液晶表示装置の駆動方式には依存せず、いずれの液晶モードにも有効であろうが、例として、図１では、ＶＡモードの液晶表示装置の構成を示す。図１の液晶表示装置は、液晶セル１３と、液晶セル１３を挟んで配置された一対の偏光子１１と偏光子１２とを有する。偏光子１１と液晶セル１３との間には、上記式（１）及び式（２）を満足する第１の光学異方性層１４、及び偏光子１２と液晶セル１３との間には、少なくとも一つの光軸を有する第２の光学異方性層１５を有する。偏光子１１及び１２は、それぞれの透過軸を互いに直交にして配置されている。また、第２の光学異方性層１５は、その面内遅相軸を偏光子１２の吸収軸に対して直交にして配置されているのが好ましい。

偏光子１１及び１２は、いずれがバックライト側であっても、表示面側であってもよい。また、第１の光学異方性層１４及び第２の光学異方性層１５はそれぞれ、偏光子１１及び１２の保護フィルムとして、それぞれの表面に接触させて配置されていてもよい。また、偏光子１１と第１の光学異方性層１４との間、及び偏光子１２と第２の光学異方性層１５との間には、それぞれ保護フィルムが別途配置されていてもよいが、該保護フィルムは、位相差が０に近い、等方性のフィルムであるのが好ましい。

次に、本発明の作用を図面を用いて説明する。比較のために、図７に一般的なＶＡモードの液晶表示装置の構成を示す模式図を示した。ＶＡモードの液晶表示装置は、一般的には、電圧無印加時、即ち黒表示時に、液晶が基板面に対して垂直配向する液晶層を有する液晶セル５３と、該液晶セル５３を挟持し、且つ互いの透過軸方向（図７では縞線で示した）を直交させて配置された偏光板５１及び偏光板５２とを有する。図７中、光は、偏光板５２側から入射するものとする。電圧無印加時に、法線方向、即ち、ｚ軸方向に進む光が入射した場合、偏光板５２を通過した光は、直線偏光状態を維持したまま、液晶セル５３を通過し、偏光板５１において完全に遮光される。その結果、コントラストの高い画像を表示できる。

しかし、図８に示す様に、斜光入射の場合には状況が異なる。光が、ｚ軸方向でない斜め方向、即ち、偏光板５１および５２の偏光方向に対して斜めの方位（いわゆるＯＦＦ ＡＸＩＳ）から入射する場合、入射光は、液晶セル５３の垂直配向した液晶層を通過する際に、斜め方向のレターデーションの影響を受け、その偏光状態が変化する。さらに、偏光板５１と偏光板５２の見かけの透過軸が直交配置からずれる。この２つの要因のため、ＯＦＦ ＡＸＩＳにおける斜め方向からの入射光は、偏光板５１で完全に遮光されず、黒表示時に光抜けが生じ、コントラストを低下させることになる。

ここで、極角と方位角を定義する。極角はフィルム面の法線方向、即ち、図７及び図８中のｚ軸からの傾き角であり、例えば、フィルム面の法線方向は、極角＝０度の方向である。方位角は、ｘ軸の正の方向を基準に反時計回りに回転した方位を表しており、例えばｘ軸の正の方向は方位角＝０度の方向であり、ｙ軸の正の方向は方位角＝９０度の方向である。前述したＯＦＦ ＡＸＩＳにおける斜め方向とは、極角が０度ではない場合で且つ、方位角＝４５度、１３５度、２２５度、３１５度の場合を主に指す。

従来、ＶＡモードの液晶表示装置の、かかる斜め方向のコントラストの低下を、二軸プレートとＣプレートを用いることで解消することが提案されている（例えば、前記特許文献１）。ところで、従来光学補償フィルムには種々の延伸ポリマーフィルムが用いられているが、一般的には、延伸ポリマーフィルムは、面内レターデーションＲｅがＲｅ（４５０）≧Ｒｅ（５５０）≧Ｒｅ（６５０）であり、厚さ方向のＲｔｈがＲｔｈ（４５０）≧Ｒｔｈ（５５０）≧Ｒｔｈ（６５０）の関係を満足する、すなわち、Ｒｅ及びＲｔｈがそれぞれ可視光域において短波長ほど大きい値を持つもの（以下、この性質を「順分散性」という場合があり、逆の性質、Ｒｅ及びＲｔｈがそれぞれ可視光域において長波長ほど大きい値を持つ性質を「逆分散性」という場合がある）がほとんどである。

図９に、二軸プレート及びＣプレートを用いた従来のＶＡモード液晶表示装置の一例の模式図を示す。図９の液晶表示装置は、液晶セル５３と一対の偏光板５１及び５２を有し、偏光板５２と液晶セル５３との間にＡプレートの光学補償フィルム５５、偏光板５１と液晶セル５３との間にＣプレートの光学補償フィルム５４を有する。図１０に、図９の構成における補償機構について、ポアンカレ球を用いて説明した図を示す。ポアンカレ球は偏光状態を記述する三次元マップで、球の赤道上は直線偏光を表している。ここで、液晶表示装置内における光の伝播方向は方位角＝４５度、極角＝３４度である。図１０中、Ｓ２軸は、紙面下から上に垂直に貫く軸であり、図１０は、ポアンカレ球を、Ｓ２軸の正の方向から見た図である。ここで、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３座標は、ある偏光状態のストークスパラメーターの値を表している。また図１０は、平面的に示されているので、偏光状態の変化前と変化後の点の変位は、図中直線の矢印で示されているが、実際は、液晶層や光学補償フィルムを通過することによる偏光状態の変化は、ポアンカレ球上では、それぞれの光学特性に応じて決定される特定の軸の回りに、特定の角度回転させることで表される。

図９中の偏光板５２を通過した入射光の偏光状態は、図１０では点（ｉ）に相当し、図９中の偏光板５１の吸収軸によって遮光される偏光状態は、図１０では点（ii）に相当する。従来、ＶＡモードの液晶表示装置において、斜め方向におけるＯＦＦ ＡＸＩＳの光抜けは、出射光の偏光状態が点（ii）からずれていることに起因する。光学補償フィルムは、一般的に、液晶層における偏光状態の変化も含めて、入射光の偏光状態を正しく点（ｉ）から点（ii）に変化させるために用いられる。

Ａプレートである光学補償フィルム５５を通過することによる入射光の偏光状態の変化は、ポアンカレ球上では、図１０中の「Ａ」を付された矢印で示される軌跡をたどる。ポアンカレ球上での回転角度は、液晶表示装置を観察する斜め方向からの実効的なレターデーションΔｎ’ｄ’を光の波長λで割った値Δｎ’ｄ’／λに比例する。上記した通り、光学補償フィルム５５として一般的な延伸ポリマーフィルムを用いると、Ｒｅは波長が短いほど大きくなり、Ｒ、Ｇ、Ｂで実効的なレターデーションＲｅは異なり、且つ波長λの逆数も短波長であるほど大きくなることから、波長が異なるＲ、Ｇ、Ｂの各波長においては、回転角度はＢ＞Ｇ＞Ｒの順となる。すなわち回転後におけるＲ、Ｇ、Ｂの偏光状態、すなわち（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３）座標は図１０に示す通りとなる。

液晶セル５３の液晶層は正の屈折率異方性を示し、垂直配向しているので、液晶層を通過することによる入射光の偏光状態の変化は、ポアンカレ球上では、図１０中「ＬＣ」を付された上から下への矢印で示さる軌跡をたどり、Ｓ１軸周りの回転として表される。

次に、Ｃプレートである光学補償フィルム５４を通過する際の、Ｂ光、Ｇ光、及びＲ光の偏光状態の変換は、ポアンカレ球上では、図１０中、「Ｃ」を付した矢印で示されている通り、Ｓ１−Ｓ２面の法線方向への移動で表される。図１０に示す通り、この移動によっては、Ｓ１座標が一致せず、異なる偏光状態にあるＲ光、Ｇ光、Ｂ光の全てを、点（ii）の偏光状態に変換することは不可能である。このずれた波長の光が偏光板で遮断されないため光漏れが生じる。光の色はＲ、Ｇ、Ｂの足し合わせからなるので、特定の波長の光だけが光漏れすると、Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光の足し合わせの比率がずれるために、色味の変化がおこる。これが、液晶表示装置を斜め方向から見たときに「色味変化」となって観察される。
ここで、本明細書においては、Ｒ、Ｇ、Ｂの波長として、Ｒは波長６５０ｎｍ、Ｇは波長５５０ｎｍ、Ｂは波長４５０ｎｍを用いた。Ｒ、Ｇ、Ｂの波長は必ずしもこの波長で代表されるものではないが、本発明の効果を奏する光学特性を規定するのに適当な波長であると考えられる。

本発明では、下記式（１）および式（２）を満足する第１の光学異方性層を用いることで、Ｒ光、Ｇ光及びＢ光のいずれについても、偏光状態を点（ii）の位置に変換することを可能としている。
Ｒｅ（４５０）×Ｒｅ（６５０）＜０ 式（１）
Ｒｔｈ（５５０）／Ｒｅ（５５０）＞１０ 式（２）
図２に示すポアンカレ球を用いて、図１の構成の本発明の液晶表示装置の補償機構の一例について説明する。斜め方向に入射した光は偏光子１２を通過して、図２に示す点（ｉ）の偏光状態の直線偏光となる。次に、第２の光学異方性層１５を通過すると、第２の光学異方性層の光学特性によって偏光状態が変換される。かかる偏光状態の変換は、ポアンカレ球上では、図２中「１５」を付した矢印で示した通り、第２の光学異方性層１５の光学特性によって決定される所定の軸を回転軸として、斜め方向からの実効的なレターデーションΔｎ’ｄ’を光の波長λで割った値Δｎ’ｄ’／λに比例する大きさの角度だけの回転として表される。上記した通り、通常、実効的レターデーションは、波長に依存して変化すること、及び波長λの逆数も波長の大きさに依存して変化することから、図２に示す通り、回転後におけるＲ、Ｇ、Ｂの偏光状態、すなわち（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３）座標はそれぞれ異なる。

液晶セル１３の液晶層は正の屈折率異方性を示し、垂直配向しているので、液晶層を通過することによる入射光の偏光状態の変化は、ポアンカレ球上では、図２中「ＬＣ」を付された上から下への矢印で示さる軌跡をたどり、Ｓ１軸回りの回転として表される。

次に、入射光は第１の光学異方性層１４を通過する。第１の光学異方性層１４は上記式（２）を満足しているので、入射光の偏光状態の変化は、図２に示す通り、Ｓ１軸周りの回転に類似した軌跡をたどる。さらに、第１の光学異方性層１４は上記式（１）も満足しているので、Ｒ、Ｇ、Ｂ各波長の光は、第１の光学異方性層１４を通過することによって、波長ごとに異なった遅相軸及びレターデーションで光学補償される。より具体的には、波長Ｒ（６５０ｎｍ）は（ii）点の右下にあり、ここから点（ii）に移動させるためには、左上へ移動させる必要があり、かかる移動を可能にするためには、第１の光学異方性層１４のＲｅ（６５０）が負で、且つＲｔｈ（６５０）が正の値であればよい。同様にして波長Ｇ（５５０ｎｍ）は点（ii）の下にあり、ここから点（ii）に移動させるには、第１の光学異方性層１４のＲｅ（５５０）がゼロで、且つＲｔｈ（５５０）が正であればよい。さらに、波長Ｂ（４５０ｎｍ）は、点（ii）の左下にあり、ここから点（ii）に移動させるためには、右上へ移動させる必要があり、かかる移動を可能にするためには、第１の光学異方性層１４のＲｅ（４５０）が正で、且つＲｔｈ（４５０）も正の値であればよい。即ち、図３に模式的にグラフ上に示した光学特性を有する第１の光学異方性層１４を用いることによって、Ｒ光、Ｇ光及びＢ光のいずれも、点（ii）の偏光状態に変換可能となり、斜め方向から観察した場合の色味変化を軽減することができる（上記の構成が後述する分類のうち分類Ａに相当するものである）。

図２に示した光学補償機構は一例であり、本発明では第１の光学異方性層は、前記式（１）および式（２）を満足すればよく、第１の光学異方性層のＲｅ及びＲｔｈの波長依存性については特に制限されない。第１の光学異方性層のＲｅ及びＲｔｈの波長依存性は、順分散性、逆分散性及び一定のいずれであってもよく、第２の光学異方性層のＲｅ及び／又はＲｔｈの波長依存性に応じて、決定することができる。
図４に、第２の光学異方性層のＲｅ及びＲｔｈの波長依存性と、第１の光学異方性層のＲｅ及びＲｔｈの波長依存性との好ましい組み合わせを、分類Ａ〜Ｈとして示した。なお、図４中のグラフは、理解を容易にするために模式的に記述したものであり、実際の光学特性を測定して作成したグラフではない。後述する図６中のグラフについても同様である。

分類Ａは、第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＞０ 、
Ｒｅ（６５０）＜０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＞０、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜≧１．０
を全て満たす態様である。Ｒｅ及びＲｔｈの双方が順分散性を示す第２の光学異方性層と組み合わせるのが好ましい。本態様において、第１の光学異方性層は、さらにＲｅ（４５０）＞５ｎｍ、Ｒｅ（６５０）＜−５ｎｍを満足するのが好ましい。また、第２の光学異方性層は、０．７０＜Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）＜１．１５を満足するのがより好ましく、０．９０＜Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）＜１．１０を満足するのがさらに好ましい。

分類Ｂは、第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＞０ 、
Ｒｅ（６５０）＜０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＞０、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜＜１．０
を全て満たす態様である。Ｒｅが逆分散性を示し、且つＲｔｈが順分散性を示す第２の光学異方性層と組み合わせるのが好ましい。本態様において、第１の光学異方性層は、さらにＲｅ（４５０）＞５ｎｍ、Ｒｅ（６５０）＜−５ｎｍを満足するのが好ましい。また、第２の光学異方性層は、Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）≧１．１５かつＲｔｈ（５５０）／Ｒｔｈ（６５０）≧１．１５を満たすことが好ましく、Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）≧１．１０を満たすことがさらに好ましい。

分類Ｃは、第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＜０ 、
Ｒｅ（６５０）＞０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＞０、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜＜１．０
を全て満たす態様である。Ｒｅ及びＲｔｈの双方が逆分散性を示す第２の光学異方性層と組み合わせるのが好ましい。本態様においては、第１の光学異方性層は、さらにＲｅ（４５０）＜−５ｎｍ、Ｒｅ（６５０）＞５ｎｍを満足するのが好ましい。また、第２の光学異方性層は、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜０．７０を満たすことがより好ましい。

分類Ｄは、第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＜０ 、
Ｒｅ（６５０）＞０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＞０ 、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜≧１．０
を全て満たす態様である。第２の光学異方性層として、Ｒｅ及びＲｔｈの双方が逆分散性を示す光学異方性層と、Ｒｅが可視光域のいずれの波長においても略０で且つＲｔｈが順分散性を示す光学異方性層との積層体を用いるのが好ましい。本態様において、第１の光学異方性層は、さらに、Ｒｅ（４５０）＜−５ｎｍ、Ｒｅ（６５０）＞５ｎｍを満足するのが好ましい。また、第２の光学異方性層は、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜０．８０を満たす光学異方性層と、Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）＞１．２５を満たす光学異方性層との積層体を用いるのがより好ましく；Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜０．７５を満たす光学異方性層と、Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）＞１．３０を満たす光学異方性層との積層体を用いるのがさらに好ましい。

分類Ｅは、第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＜０ 、
Ｒｅ（６５０）＞０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＜０、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜≧１．０
を全て満たす態様である。Ｒｅ及びＲｔｈの双方が順分散性を示す第２の光学異方性層と組み合わせるのが好ましい。本態様では、第１の光学異方性層は、Ｒｅ（４５０）＜−５ｎｍ、Ｒｅ（６５０）＞５ｎｍを満足するのがより好ましい。また、第２の光学異方性層は、０．７０＜Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）＜１．１５を満たすことがより好ましく、０．９０＜Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）＜１．１０を満たすことがさらに好ましい。

分類Ｆは、第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＜０ 、
Ｒｅ（６５０）＞０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＜０、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜＜１．０
を全て満たす態様である。本態様では、Ｒｅが逆分散性を示し、Ｒｔｈが順分散性を示す第２の光学異方性層と組み合わせるのが好ましい。第１の光学異方性層は、さらに、Ｒｅ（４５０）＜−５ｎｍ、Ｒｅ（６５０）＞５ｎｍを満足するのがより好ましい。また、第２の光学異方性層は、Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）≧１．１５かつＲｔｈ（５５０）／Ｒｔｈ（６５０）≧１．１５を満たすことがより好ましく、Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）≧１．１０を満たすことがさらに好ましい。

分類Ｇは、第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＞０ 、
Ｒｅ（６５０）＜０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＜０ 、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜＜１．０
を全て満たす態様である。Ｒｅ及びＲｔｈの双方が逆分散性を示す第２の光学異方性層と組み合わせるのが好ましい。本態様においては、第１の光学異方性層は、さらにＲｅ（４５０）＜−５ｎｍ、Ｒｅ（６５０）＞５ｎｍを満足するのが好ましい。また、第２の光学異方性層は、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜０．７０を満たすことがより好ましい。

分類Ｈは、第１の光学異方性層が、下記式
Ｒｅ（４５０）＞０ 、
Ｒｅ（６５０）＜０ 、
Ｒｔｈ（５５０）＜０、及び
｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜≧１．０
を全て満たす態様である。第２の光学異方性層として、Ｒｅ及びＲｔｈの双方が逆分散性を示す光学異方性層と、Ｒｅが可視光域のいずれの波長においても略０で且つＲｔｈが順分散性を示す光学異方性層との積層体を用いるのが好ましい。本態様において、第１の光学異方性層は、さらに、Ｒｅ（４５０）＜−５ｎｍ、Ｒｅ（６５０）＞５ｎｍを満足するのが好ましい。また、第２の光学異方性層は、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜０．８０を満たす光学異方性層と、Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）＞１．２５を満たす光学異方性層との積層体を用いるのがより好ましく；Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜０．７５を満たす光学異方性層と、Ｒｔｈ（４５０）／Ｒｔｈ（５５０）＞１．３０を満たす光学異方性層との積層体を用いるのがさらに好ましい。

なお、図１には、第１及び第２の光学異方性層を液晶セルを挟んで配置した態様を示したが、第１及び第２の光学異方性層の双方が、液晶セルと表示面側偏光子との間、又は液晶セルとバックライト側偏光子との間に配置されていてもよい。
また、上記では垂直配向モードの液晶表示装置の態様について説明したが、本発明は、かかる態様に限定されるものではなく、ＩＰＳモード等の水平配向モードであってもよい。

図５に、本発明をＩＰＳモードの液晶表示装置に適用した例について、断面模式図を示す。図５の液晶表示装置は、一対の偏光子２１及び２２と、該一対の偏光子の間に配置されたＩＰＳモードの液晶セル２３と、偏光子２１と液晶セル２３との間に、上記式（１）及び（２）を満足する第１の光学異方性層２４と、少なくとも一つの光軸を有する第２の光学異方性層２５とを有する。偏光子２１及び２２は、それぞれの吸収軸（図５中、２１及び２２中の矢印）を互いに直交にして配置されている。また、第２の光学異方性層２５は、その面内遅相軸を偏光子２１の吸収軸に対して平行にして配置されている。
なお、図５中では、偏光子２２と液晶セル２３との間には、なんら層が配置されていないが、偏光子２２の保護フィルムが配置されるのが一般的である。図５に示す態様では、液晶セル２３との間に配置される偏光子２２の保護フィルムは、レターデーションがほぼ０のフィルムが好ましく、例えば、特開２００５−１３８３７５号公報に記載のセルロースアシレートフィルムが好ましい。

液晶セル２３は、ＩＰＳモードの液晶セルであり、電圧無印加状態（又は低印加状態）で黒表示を、電圧印加状態で白表示を行う。液晶セルの上下基板の液晶に接触する表面には、配向膜が形成されていて、液晶分子は、基板の表面に対して略平行に配向し、且つ配向膜上に施されたラビング処理方向により、黒表示時に、その長軸をバックライト側の偏光子（図５では偏光子２２）の吸収軸に平行にして配向するように制御されている。即ち、液晶セル２３は、入射光に対して、偏光子２２の吸収軸と平行な方向に遅相軸を有するＡ−ｐｌａｔｅ様の作用をする。

図６に、黒表示時における図５の構成の液晶表示装置の補償機構について、ポアンカレ球を用いて説明した図を示す。図６中の分類Ｅ〜分類Ｈは、第１及び第２の光学異方性層のＲｅ・Ｒｔｈ波長依存性の好ましい組み合わせの分類であり、図４中の分類Ｅ〜Ｈとそれぞれ同一である。
図５中、偏光子２２に入射した偏光状態は、（ｉ）に位置する。液晶セル２３を通過すると、偏光状態は液晶セル２３の複屈折性によって変化するが、上記した通り、液晶セル２３は、入射光に対して、偏光子２２の吸収軸と平行な方向に遅相軸を有するＡ−ｐｌａｔｅ様の作用をするので、その変化は（ｉ）を中心とする回転として表現される。そのため、液晶セル２３を通過した光の偏光状態は、（ｉ）のまま動かない。その後、第２の光学異方性層２５を通過する際に、その複屈折性によって偏光状態が変換され、且つ、図６に示す通り、Ｒｅ・Ｒｔｈ波長依存性に応じて、Ｒ，Ｇ，Ｂの各波長で異なった偏光状態となる。図６に示す分類に従って、所定のＲｅ・Ｒｔｈ波長依存性を示す第１の光学異方性層を選択することによって、第２の光学異方性層２５を通過することによって分離してしまったＲ，Ｇ，Ｂのそれぞれ異なる偏光状態を、偏光子２１の消光点(ii)に変換することができる。

第１及び第２の光学異方性層のレターデーション値を、液晶セルの光学特性等との関係で適宜組み合わせることで、いずれのモードにおいても、視野角コントラストが良好で、色味変化の少ない液晶表示装置を実現することができる。垂直配向モード、例えばＶＡモード、の液晶セルを有する態様では、第１の光学異方性層のＲｔｈ（５５０）と、第２の光学異方性層のＲｔｈ（５５０）との和が、１００ｎｍ〜４００ｎｍであるのが好ましく、２００ｎｍ〜３００ｎｍであるのがより好ましい。また、水平配向モード、例えばＩＰＳモード、の液晶セルを有する態様では、第１の光学異方性層のＲｔｈ（５５０）と、第２の光学異方性層のＲｔｈ（５５０）との和が、−１５０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが好ましく、−１００ｎｍ〜５０ｎｍであるのがさらに好ましい。

次に、本発明に使用可能な第１の光学異方性層、及び第２の光学異方性層について、その光学特性、材料、及び製造方法等について詳細に説明する。

［第１の光学異方性層］
本発明では、第１の光学異方性層として、下記式（１）及び（２）を満足する光学異方性層を用いる。
Ｒｅ（４５０）×Ｒｅ（６５０）＜０ 式（１）
Ｒｔｈ（５５０）／Ｒｅ（５５０）＞１０ 式（２）
なお、本発明には、第１の光学異方性層のＲｅが、Ｒｅ（５５０）＝０を満足する態様も含まれるものとする。Ｒｔｈ（５５０）／Ｒｅ（５５０）＞１５を満足しているのが好ましい。前記第１の光学異方性層は、Ｒｔｈ（５５０）の値によらず色味変化低減に寄与し得るが、｜Ｒｔｈ（５５０）｜の値が大きい方が、色味補償の効果が大きく、｜Ｒｔｈ（５５０）｜≧５０ｎｍである。また、一般的には、｜Ｒｔｈ（５５０）｜は、２００ｎｍ以下であるのが好ましく、１４０ｎｍ以下であるのがより好ましく、８０ｎｍ以下であるのがさらに好ましい。一方、｜Ｒｅ（５５０）｜は、小さいのが好ましく、｜Ｒｅ（５５０）｜＜２０ｎｍであるのが好ましい。

式（１）を満足する光学異方性層は、種々の方法で作製することができる。例えば、ポリマーフィルムの波長分散特性は、高分子主鎖(通常、フィルムの長手方向に沿っている)の分極率と、該主鎖に直交する方向に存在する側鎖の分極率に影響される。また、ポリマーフィルムのUV波長域の吸収ピークの位置にも影響される。したがって、これらの波長分散特性に影響を与える因子を調整することで、式（１）を満足するポリマーフィルムが得られる。
例えば、セルロースアシレートは、セルロース単位中の水酸基の水素原子がアシル基によって置換されていて、それらのアシル基の存在が、主鎖に直交する方向に分極率異方性を生じさせる。したがって、セルロースアシレートを利用して、第１の光学異方性に要求される特性を満足するポリマーフィルムを作製することができる。また、セルロースアシレート以外にも、側鎖に分極率異方性を持つ置換基を導入した種々のポリマーを選択し、第１の光学異方性に要求される特性を満足するポリマーフィルムを作製することができる。
また作製方法の一例を挙げると、ポリマーフィルムをクリップなどで保持する際又は少なくとも一方向に延伸する際の温度、及び／またはその処理時間によって、高分子の側鎖の結晶化の程度を調整することができ、それにより所望のＲｅ波長分散特性が得られる。

［第２の光学異方性層］
本発明の液晶表示装置は、少なくとも一つの光軸を有する第２の光学異方性層を有していてもよい。前記第２の光学異方性層は、少なくとも一つの光軸を有する限り、光学特性については特に制限されない。例えば、一般的にＡプレートといわれている位相差板を用いることができる。一般的には、前記第２の光学異方性層は、下記式（３）及び（４）を満足しているのが好ましい。
３０ｎｍ＜Ｒｅ（５５０）＜４００ｎｍ 式（３）
−１００ｎｍ＜Ｒｔｈ（５５０）＜３００ｎｍ 式（４）
さらに、下記式（３）’を満足するのが好ましく、又はさらに下記式（４）’を満足するのが好ましい。
４０ｎｍ＜Ｒｅ（５５０）＜３００ｎｍ 式（３）’
−５０ｎｍ＜Ｒｔｈ（５５０）＜２５０ｎｍ 式（４）’

前記第１の光学異方性層及び第２の光学異方性層の材料については特に制限されない。第１及び第２の光学異方性層がポリマーフィルムであると、偏光子と貼り合わせることができる。前記ポリマーフィルムの材料としては、光学性能、透明性、機械的強度、熱安定性、水分遮蔽性、等方性などに優れるポリマーが好ましいが、上述の条件を満たす範囲であればどのような材料を用いてもよい。例えば、ポリカーボネート系ポリマー、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等のポリエステル系ポリマー、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系ポリマー、ポリスチレンやアクリロニトリル・スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）等のスチレン系ポリマー等が挙げられる。また、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、エチレン・プロピレン共重合体の如きポリオレフィン系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、ナイロンや芳香族ポリアミド等のアミド系ポリマー、イミド系ポリマー、スルホン系ポリマー、ポリエーテルスルホン系ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン系ポリマー、ポリフェニレンスルフィド系ポリマー、塩化ビニリデン系ポリマー、ビニルアルコール系ポリマー、ビニルブチラール系ポリマー、アリレート系ポリマー、ポリオキシメチレン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、または前記ポリマーを混合したポリマーも例として挙げられる。

また、前記ポリマーフィルムを形成する材料としては、熱可塑性ノルボルネン系樹脂を好ましく用いることができる。熱可塑性ノルボルネン系樹脂としては、日本ゼオン（株）製のゼオネックス、ゼオノア、ＪＳＲ（株）製のアートン等が挙げられる。

また、前記ポリマーフィルムを形成する材料としては、従来偏光板の透明保護フィルムとして用いられてきたセルロース系ポリマー（以下、セルロースアシレートという）を特に好ましく用いることができる。セルロースアシレートの代表例としては、トリアセチルセルロースが挙げられる。セルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えば、丸澤、宇田著、「プラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂」日刊工業新聞社（１９７０年発行）や発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができ、前記セルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

第１の光学異方性層用のセルロースアシレートフィルムは、二種類以上の置換基を有するセルロースアシレートを含む組成物からなることが好ましい。かかるセルロースアシレートの好ましい例には、アシル化度が２〜２．９であり、複数のアシル基（たとえば、アセチル基及び炭素数が３〜４のアシル基）を有する混合脂肪酸エステルが含まれる。前記混合脂肪酸エステルのアシル化度は２．２〜２．８５がさらに好ましく、２．４〜２．８がよりさらに好ましい。また、アセチル化度は２．５未満が好ましく、１．９未満がさらに好ましい。脂肪酸エステル残基において、脂肪族アシル基は炭素原子数が２〜２０であることが好ましい。具体的にはアセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル、ヘキサノイル、オクタノイル、ラウロイル、ステアロイル等が挙げられ、好ましくはアセチル、プロピオニル及びブチリルである。

前記セルロースアシレートは、脂肪酸アシル基と置換もしくは無置換の芳香族アシル基とを有する混合酸エステルであってもよい。
芳香族アシル基の置換度はセルロース脂肪酸モノエステルの場合、残存する水酸基に対して、好ましくは２．０以下、さらに好ましくは０．１〜２．０である。また、セルロース脂肪酸ジエステル（二酢酸セルロース）の場合、残存する水酸基に対して、好ましくは１．０以下、さらに好ましくは０．１〜１．０である。

前記セルロースアシレートは、３５０〜８００の質量平均重合度を有することが好ましく、３７０〜６００の質量平均重合度を有することがさらに好ましい。また本発明で用いられるセルロースアシレートは、７００００〜２３００００の数平均分子量を有することが好ましく、７５０００〜２３００００の数平均分子量を有することがさらに好ましく、７８０００〜１２００００の数平均分子量を有することがよりさらに好ましい。

前記セルロースアシレートは、アシル化剤として酸無水物や酸塩化物を用いて合成できる。工業的に最も一般的な合成方法では、綿花リンタや木材パルプなどから得たセルロースをアセチル基及び他のアシル基に対応する有機酸（酢酸、プロピオン酸、酪酸）又はそれらの酸無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸）を含む混合有機酸成分でエステル化してセルロースエステルを合成する。

前記セルロースアシレートフィルムは、ソルベントキャスト法により製造されるのが好ましい。ソルベントキャスト法を利用したセルロースアシレートフィルムの製造例については、 米国特許第２，３３６，３１０号、同２，３６７，６０３号、同２，４９２，０７８号、同２，４９２，９７７号、同２，４９２，９７８号、同２，６０７，７０４号、同２，７３９，０６９号及び同２，７３９，０７０号の各明細書、英国特許第６４０７３１号及び同７３６８９２号の各明細書、並びに特公昭４５−４５５４号、同４９−５６１４号、特開昭６０−１７６８３４号、同６０−２０３４３０号及び同６２−１１５０３５号等の記載を参考にすることができる。また、前記セルロースアシレートフィルムは、延伸処理を施されていてもよい。延伸処理の方法及び条件については、例えば、特開昭６２−１１５０３５号、特開平４−１５２１２５号、同４−２８４２１１号、同４−２９８３１０号、同１１−４８２７１号 等に記載の例を参考にすることができる。また、第１の光学異方性層に要求される光学特性を満足するセルロースアシレートフィルムを作製する場合は、横延伸処理（フィルムの幅方向の延伸処理であって、縦(機械)方向に対して直交方向）するか、延伸処理の代わりに、テンタークリップで把持した状態で搬送するのが好ましく、これらの処理時の温度及び／又は処理時間が、Ｒｅの波長分散特性に影響することは上記した通りである。

第１の光学異方性層としての条件を満足するセルロースアシレートフィルムを作製するために、セルロースアシレートフィルム中に、Ｒｔｈ発現剤を添加すしてもよい。ここで、「Ｒｔｈ発現剤」とはフィルムの厚み方向に複屈折を発現する又は増加させる性質を有する化合物である。

前記Ｒｔｈ発現剤としては、２５０ｎｍ〜３８０ｎｍの波長範囲に吸収極大を有する分極率異方性の大きい化合物が好ましい。前記Ｒｔｈ発現剤としては、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を特に好ましく使用できる。

式中、Ｘ¹は、単結合、−ＮＲ⁴−、−Ｏ−又はＳ−であり；Ｘ²は、単結合、−ＮＲ⁵−、−Ｏ−又はＳ−であり；Ｘ³は、単結合、−ＮＲ⁶−、−Ｏ−又はＳ−である。また、Ｒ¹、Ｒ²、及びＲ³は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、芳香族環基又は複素環基であり；Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基である。

以下に前記一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい例（Ｉ−（１）〜ＩＶ−（１０））を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

前記Ｒｔｈ発現剤としては下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物も好ましい。以下に一般式（ＩＩＩ）の化合物に関して詳細に説明する

一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ¹¹、Ｒ¹³はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表し、Ｌ¹、Ｌ²はそれぞれ独立に単結合又は二価の連結基を表す。Ａｒ¹はアリーレン基又は芳香族へテロ環を表し、Ａｒ²はアリール基又は芳香族へテロ環を表し、ｎは３以上の整数を表し、ｎ種存在するＬ²、Ａｒ¹はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ただしＲ¹¹、Ｒ¹³は互いに異なっており、Ｒ¹³で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。

一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。前記置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。

一般式（ＩＩＩ）におけるＲ²として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基であり、最も好ましくは水素原子である。

一般式（ＩＩＩ）におけるＲ⁴として好ましくは、水素原子又は電子供与性基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、特に好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基であり、最も好ましくは水素原子、メトキシ基である。

一般式（ＩＩＩ）におけるＲ⁵として好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。最も好ましくは水素原子である。

一般式（ＩＩＩ）におけるＲ¹¹、Ｒ¹³はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ¹¹、Ｒ¹³は互いに異なっており、Ｒ¹³で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。ここでヘテロ原子とは水素原子、炭素原子以外の原子のことを表し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン、ケイ素、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ホウ素などが挙げられる。
Ｒ¹¹、Ｒ¹³で表されるアルキル基としては、直鎖、分岐、又は環状であって、置換もしくは無置換のアルキル基を表し、好ましくは置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基（つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基。）、更に環構造が多いトリシクロ構造などが挙げられる。

Ｒ¹¹、Ｒ¹³で表されるアルキル基の好ましい例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、１，１，３−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、２−ヘキシルデシル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、２−ヘキセニル基、オレイル基、リノレイル基、リノレニル基等を挙げることができる。また、シクロアルキル基としては、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル、ビシクロアルキル基としては、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イルなどを挙げることができる。

Ｒ¹¹として更に好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくはメチル基である。
Ｒ¹³として特に好ましくは、炭素原子２個以上を含むアルキル基であり、より好ましくは炭素原子３個以上を含むアルキル基である。分岐又は環状構造をもったものは特に好ましく用いられる。

以下にＲ¹³で表されるアルキル基の具体例（Ｏ−１〜Ｏ−２０）を挙げて説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。尚、下記具体例中、「＃」は酸素原子側を意味する。

一般式（ＩＩＩ）におけるＡｒ¹はアリーレン基又は芳香族へテロ環を表し、繰り返し単位中のＡｒ¹は、すべて同一であっても異なっていてもよい。また、Ａｒ²はアリール基又は芳香族へテロ環を表す。
一般式（ＩＩＩ）中、Ａｒ¹で表されるアリーレン基として好ましくは炭素数６〜３０のアリーレン基であり、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ａｒ¹で表されるアリーレン基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニレン基、ｐ−メチルフェニレン基、ナフチレン基などが挙げられる。
一般式（ＩＩＩ）中、Ａｒ²で表されるアリール基として好ましくは炭素数６〜３０のアリール基であり、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ａｒ²で表されるアリール基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。

一般式（ＩＩＩ）中、Ａｒ¹、Ａｒ²で表される芳香族ヘテロ環は、酸素原子、窒素原子又は硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環であることができ、好ましくは５〜６員環の酸素原子、窒素原子又は硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環である。また、可能な場合にはさらに置換基を有してもよい。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。

一般式（ＩＩＩ）中、Ａｒ¹、Ａｒ²で表される芳香族ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、ピロロトリアゾール、ピラゾロトリアゾールなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましいものは、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾールである。

一般式（ＩＩＩ）中、Ｌ¹、Ｌ²はそれぞれ独立に単結合、又は２価の連結基を表す。Ｌ¹、Ｌ²は、同じであってもよく異なっていてもよい。また、繰り返し単位中のＬ²は、すべて同一であっても異なっていてもよい。
前記二価の連結基として好ましいものは、−Ｏ−、−ＮＲ―（Ｒは水素原子又は置換基を有してもよいアルキル基又はアリール基をあらわす）、−ＣＯ−、−ＳＯ₂−、−Ｓ−、アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アルキニレン基及びこれらの二価の基を２つ以上組み合わせて得られる基であり、その内より好ましいものは−Ｏ−、−ＮＲ−、−ＣＯ−、−ＳＯ₂ＮＲ−、−ＮＲＳＯ₂−、−ＣＯＮＲ−、−ＮＲＣＯ−、−ＣＯＯ−、及びＯＣＯ−、アルキニレン基である。Ｒは好ましくは水素原子を表す。

本発明における一般式（ＩＩＩ）で表される化合物において、Ａｒ¹はＬ¹及びＬ²と結合するが、Ａｒ¹がフェニレン基である場合、Ｌ^1-Ａｒ¹−Ｌ²、及びＬ^2-Ａｒ¹−Ｌ²は互いにパラ位（１，４−位）の関係にあることが特に好ましい。

一般式（ＩＩＩ）中、ｎは３以上の整数を表し、好ましくは３〜７であり、より好ましくは３〜６であり、さらに好ましくは３〜５である。

前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物としては、下記一般式（ＩＶ）及び（Ｖ）で表される化合物を特に好ましく用いることができる。

一般式（ＩＶ）中、Ｒ²、Ｒ⁵は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ¹¹、Ｒ¹³は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、Ｌ¹、Ｌ²は、それぞれ独立に、単結合又は二価の連結基を表す。Ａｒ¹はアリーレン基又は芳香族へテロ環を表し、Ａｒ²はアリール基又は芳香族へテロ環を表し、ｎは３以上の整数を表し、ｎ種存在するＬ²、Ａｒ¹はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ただしＲ¹¹、Ｒ¹³は互いに異なっており、Ｒ¹³で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。

一般式（ＩＶ）中、Ｒ²、Ｒ⁵、Ｒ¹¹、Ｒ¹³は一般式（ＩＩＩ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。また、Ｌ¹、Ｌ²、Ａｒ¹、Ａｒ²についても一般式（ＩＩＩ）におけるそれらと同義であり、好ましい範囲も同様である。

一般式（Ｖ）中、Ｒ²、Ｒ⁵はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ¹¹、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表し、Ｌ¹、Ｌ²はそれぞれ独立に単結合又は二価の連結基を表す。Ａｒ¹はアリーレン基又は芳香族へテロ環を表し、Ａｒ²はアリール基又は芳香族へテロ環を表し、ｎは３以上の整数を表し、ｎ種存在するＬ²、Ａｒ¹はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ただしＲ¹¹、Ｒ¹³は互いに異なっており、Ｒ¹³で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。

一般式（Ｖ）中、Ｒ²、Ｒ⁵、Ｒ¹¹、Ｒ¹³は一般式（ＩＩＩ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。また、Ｌ¹、Ｌ²、Ａｒ¹、Ａｒ²は一般式（ＩＩＩ）におけるそれらと同義であり、好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｖ）において、Ｒ¹⁴は水素原子又はアルキル基を表し、アルキル基としてはＲ¹¹、Ｒ¹³の好ましい例として示したアルキル基が好ましく用いられる。前記Ｒ¹⁴として好ましくは、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であり、より好ましくは水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Ｒ¹¹とＲ¹⁴とは同一であってもよいし異なっていてもよいが、ともにメチル基であることが特に好ましい。

また、前記一般式（Ｖ）で表される化合物としては、一般式（Ｖ―Ａ）もしくは一般式（Ｖ−Ｂ）で表される化合物も好ましい。

一般式（Ｖ−Ａ）中、Ｒ²、Ｒ⁵は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ¹¹、Ｒ¹³は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、Ｌ¹、Ｌ²は、それぞれ独立に、単結合又は二価の連結基を表す。Ａｒ¹はアリーレン基又は芳香族へテロ環を表し、ｎは３以上の整数を表し、ｎ種存在するＬ²、Ａｒ²はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ただしＲ¹¹、Ｒ¹³は互いに異なっており、Ｒ¹³で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。

一般式（Ｖ―Ａ）中、Ｒ²、Ｒ⁵、Ｒ¹¹、Ｒ¹³、Ｌ¹、Ｌ²、Ａｒ¹、ｎは一般式（ＩＩＩ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（Ｖ−Ｂ）中、Ｒ²、Ｒ⁵は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ¹¹、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、Ｌ¹、Ｌ²は、それぞれ独立に、単結合又は二価の連結基を表す。Ａｒ¹はアリーレン基又は芳香族へテロ環を表し、ｎは３以上の整数を表し、ｎ種存在するＬ¹、Ａｒ²はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ただしＲ¹¹、Ｒ¹³は互いに異なっており、Ｒ¹³で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。

一般式（Ｖ―Ｂ）中、Ｒ²、Ｒ⁵、Ｒ¹¹、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｌ¹、Ｌ²、Ａｒ¹、ｎは一般式（ＩＩＩ）及び（Ｖ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。

以下に前述の置換基Ｔについて説明する。
置換基Ｔとして好ましくはハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換又は無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換又は無置換の、芳香族又は非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５又は６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、

シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、

アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、

スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換又は無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニル基、６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイルベンゾイル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換又は無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）を表わす。

上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられ、具体例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。

また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（Ｖ−Ａ）で表される化合物として好ましいものは、Ｒ¹¹がいずれもメチル基であり、Ｒ²、Ｒ⁵がいずれも水素原子であり、Ｒ¹³が炭素原子３個以上をもつアルキル基であり、Ｌ¹が、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ−、−ＳＯ₂ＮＲ−、−ＮＲＳＯ₂−、−ＣＯＮＲ−、−ＮＲＣＯ−、−ＣＯＯ−、及びＯＣＯ−、アルキニレン基（Ｒは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基を表す。好ましくは水素原子である。）であり、Ｌ²が−Ｏ−又はＮＲ−（Ｒは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基を表す。好ましくは水素原子である。）であり、Ａｒ¹がアリーレン基であり、ｎが３〜６であるものを挙げることができる。

以下に一般式（Ｖ−Ａ）及び（Ｖ−Ｂ）で表される化合物に関して具体例をあげて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。

一般式（ＩＩＩ）で表される化合物はまず置換安息香酸を合成した後に、この置換安息香酸とフェノール誘導体もしくはアニリン誘導体との一般的なエステル反応もしくはアミド化反応によって合成でき、エステル結合、アミド結合形成反応であればどのような反応を用いてもよい。例えば、置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール誘導体もしくはアニリン誘導体と縮合する方法、縮合剤あるいは触媒を用いて置換安息香酸とフェノール誘導体もしくはアニリン誘導体を脱水縮合する方法などが挙げられる。
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の製造方法としては、製造プロセス等を考慮すると置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール誘導体もしくはアニリン誘導体と縮合する方法が好ましい。

一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の製造方法においては、反応溶媒として、炭化水素系溶媒（好ましくはトルエン、キシレンが挙げられる。）、エーテル系溶媒（好ましくはジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる）、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。これらの溶媒は単独でも数種を混合して用いてもよく、前記溶媒として好ましくはトルエン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドである。

反応温度としては、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは０〜１００℃、更に好ましくは０〜９０℃であり、特に好ましくは２０℃〜９０℃である。
また、本反応には塩基を用いないのが好ましい。塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、３級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミンなどが挙げられる）である。

一般式（Ｖ−Ａ）及び（Ｖ−Ｂ）で表される化合物は、公知の方法で合成することができ、例えば、ｎ＝４である化合物の場合、下記構造Ａを有する原料化合物と水酸基、アミノ基等の反応性部位を有する誘導体との反応により得られた下記中間体Ｂ ２分子を、下記化合物Ｃ １分子により連結することによって得ることができる。ただし、一般式（Ｖ−Ａ）及び（Ｖ−Ｂ）で表される化合物の合成法はこの例に限定されない。

式中、Ａは水酸基、ハロゲン原子等の反応性基を表し、Ｒ¹¹、Ｒ²、Ｒ¹³、及びＲ⁵は先に記載した通りであり、Ｒ⁴は水素原子もしくは前述のＯＲ¹⁴で表される置換基である。

式中、Ａ’はカルボキシル基等の反応性基を表し、Ｒ¹¹、Ｒ²、Ｒ¹³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ａｒ¹、及びＬ¹は先に記載した通りである。

式中、Ｂ及びＢ’は水酸基、アミノ基等の反応性基を表し、Ａｒ²及びＬ²は先に記載したＡｒ¹、Ｌ¹と同義である。

上記一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）〜（Ｖ）で表される本発明におけるＲｔｈ発現剤のセルロースアシレート１００質量部に対する含有量は０．１〜３０質量％が好ましく、１〜２５質量％がさらに好ましく、３〜１５質量％がよりさらに好ましい。
前記セルロースアシレートフィルムをソルベントキャスト法により製造する場合は、前記Ｒｔｈ発現剤をドープ中に添加してもよい。前記Ｒｔｈ発現剤を添加するタイミングについて特に制限はなく、アルコール、メチレンクロライド、ジオキソラン等の有機溶媒にＲｔｈ発現剤を溶解してから、セルロースアシレート溶液（ドープ）に添加するか、又は直接ドープ組成中に添加してもよい。

前記Ｒｔｈ発現剤として、前記一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）〜（Ｖ）で表される化合物の一種を単独で用いてもよいし、２種類以上混合して用いることができる。また、本発明においては、一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）〜（Ｖ）で表されるＲｔｈ発現剤の併用も好ましい。

前記セルロースアシレートフィルム、特に第１の光学異方性層として用いられるセルロースアシレートフィルム、は紫外線吸収剤を含有していてもよい。紫外線吸収剤は、Ｒｔｈ発現剤及び／又はＲｅ波長分散調整剤としても機能し得る。前記紫外線吸収剤としては、例えば、オキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物等を挙げることができるが、着色の少ないベンゾトリアゾール系化合物が好ましい。また、特開平１０−１８２６２１号公報、特開平８−３３７５７４号公報に記載の紫外線吸収剤、特開平６−１４８４３０号公報記載の高分子紫外線吸収剤も好ましく用いられる。前記セルロースアシレートフィルムには、紫外線吸収剤としては、偏光子や液晶の劣化防止の観点から、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れており、且つ、表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましい。

本発明に有用なベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤の具体例として、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−（３”，４”，５”，６”−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール）、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（直鎖及び側鎖ドデシル）−４−メチルフェノール、オクチル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネートと２−エチルヘキシル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネートの混合物等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、市販品として、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１０９、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１７１、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）３２６（何れもチバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製）を好ましく使用できる。

また、第１の光学異方性層としての条件を満足するセルロースアシレートフィルムを作製するために、セルロースアシレートフィルム中に、トリフェニルホスフェート、ビフェニルホスフェート等の可塑剤を添加してもよい。

本発明の液晶表示装置は、ＶＡモード等の垂直配向モードであっても、ＩＳＰモード等の水平配向モードであってもよく、あるいはＯＣＢモード、ＴＮモードであってもよい。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の具体例に制限されるものではない。
［第１の光学異方性層用位相差フィルムの作製］
（セルロースアシレート溶液ＣＡ−１の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアシレートの溶液ＣＡ−１調製した。
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（セルロースアシレート溶液ＣＡ−１組成）
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セルロースアセテート １００．０質量部
（Ａｃ置換度２．９２）
下記Ｒｔｈ低下剤１１９ １２．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒） ６０．０質量部
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（マット剤溶液ＭＴ−１の調製）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分間以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液ＭＴ−１を調製した。
─────────────────────────────────────
（マット剤溶液ＭＴ−１組成）
─────────────────────────────────────
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液 １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７６．３質量部
メタノール（第２溶媒） ３．４質量部
セルロースアシレート溶液ＣＡ−１ １０．３質量部
─────────────────────────────────────

（添加剤溶液の調製）
下記組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液ＡＤ−１を調製した。
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（添加剤溶液ＡＤ−１組成）
─────────────────────────────────────
下記波長分散調整剤 ＵＶ−２６５ １８．１質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒） ８．７質量部
セルロースアシレート溶液ＣＡ−１ １２．８質量部
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（位相差フィルム試料１０１の作製）
上記セルロースアシレート溶液ＣＡ−１を９４．０質量部、マット剤溶液ＭＴ−１を１．５質量部、添加剤溶液ＡＤ−１を４．５質量部それぞれ濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。上記組成でＲｔｈ低下剤および波長分散調整剤のセルロースアシレートに対する質量比はそれぞれ１２．０％、５．０％であった。残留溶剤量３０％でフィルムをバンドから剥離し、１３５℃で２０分間乾燥させセルロースアシレートフィルムを製造した。流延したフィルムを、１６０℃の条件でテンターを用いて５％の延伸倍率で横延伸し、膜厚８０μｍの位相差フィルム１０１を得た。

このフィルムを２５℃６０％ＲＨに環境下で２時間以上調湿したのち、自動複屈折計ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ（王子計測器（株）製）を用いて２５℃６０％ＲＨの環境下で２時間以上調湿し、波長４５０ｎｍ，５５０ｎｍ，６５０ｎｍにおいて３次元複屈折測定を行い、面内のレターデーションＲｅおよび傾斜角を変えてＲｅを測定することで得られる膜厚方向のレターデーションＲｔｈを求めたところ表１に示す光学性能であることがわかった。

（位相差フィルム試料１０２の作製）
位相差フィルム試料１０１の作製において、セルロースアシレート溶液ＣＡ−１中の、Ｒｔｈ低下剤１１９の代わりに、トリフェニルホスフェート７．０質量部、ビフェニルホスフェート５．０質量部を添加し、及び添加剤溶液ＡＤ−１中の波長分散調製剤ＵＶ−２６５の量を１０．５質量部に代えた（波長分散調整剤ＵＶ−２６５のセルロース溶液中のセルロースアシレートに対する質量比を３．０％に代えた）以外は、試料１０１と同様にして、膜厚８０μｍであり、且つ表１に示す光学特性である位相差フィルム１０２を得た。

（位相差フィルム試料１０３の作製）
位相差フィルム試料１０１の作製において、添加剤溶ＡＤ−１中の波長分散調整剤ＵＶ−２６５の量を２１．５質量部に代えた（波長分散調整剤ＵＶ−２６５のセルロース溶液中のセルロースアシレートに対する質量比を６．０％に代えた）以外は、試料１０１と同様にして流延してフィルムを作製した。上記横延伸に代えて、このフィルムを、フィルム温度１８０℃に設定しテンタークリップで３分間保持、搬送し、膜厚８７μｍであり、且つ表１に示す光学特性である位相差フィルム１０３を得た。

（位相差フィルム試料１０４の作製）
位相差フィルム試料１０４の作製において、セルロースアシレート溶液ＣＡ−１中に用いたセルロースアシレートを、置換度を２．８６のセルロースアシレートに代え、Ｒｔｈ低下剤１１９の代わりにトリフェニルホスフェート７．０質量部、ビフェニルホスフェート５．０質量部を添加し、及び添加剤溶液ＡＤ−１中の波長分散調整剤ＵＶ−２６５の量を１．８質量部に代えた（波長分散調整剤ＵＶ−２６５のセルロース溶液中のセルロースアシレートに対する質量比を０．５％に代えた）以外は、試料１０１と同様に流延してフィルムを作製した。上記横延伸に代えて、このフィルムを、フィルム温度１８０℃に設定し、テンタークリップで３分間保持、搬送し、膜厚８７μｍであり、且つ表１に示す光学特性である位相差フィルム１０４を得た。

（位相差フィルム試料１０５の作製）
位相差フィルム試料１０１の作製において、添加剤溶液ＡＤ−１中の波長分散調整剤ＵＶ−２６５の量を２１．５質量部に代えた（波長分散調整剤ＵＶ−２６５のセルロース溶液中のセルロースアシレートに対する質量比を６．０％に代えた）以外は、試料１０１と同様に流延し、膜厚８５μｍであり、且つ表１に示す光学特性である位相差フィルム１０５を得た。延伸は行っていない。

（偏光板の作製）
上記で作製した位相差フィルム１０１の表面をアルカリ鹸化処理した。１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に５５℃で２分間浸漬し、室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。続いて、厚さ８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムをヨウ素水溶液中で連続して５倍に延伸し、乾燥して厚さ２０μｍの偏光膜を得た。ポリビニルアルコール（クラレ製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤として、前記のアルカリ鹸化処理した位相差フィルム試料１０１と、同様のアルカリ鹸化処理したフジタックＴＤ８０ＵＬ（富士写真フィルム社製）を用意し、これらの鹸化した面が偏光膜側となるようにして偏光膜を間に挟んで貼り合わせ、位相差フィルム１０１とＴＤ８０ＵＬが偏光膜の保護フィルムとなっている偏光板１０１を得た。この際、位相差フィルム試料１０１のＭＤ方向およびＴＤ８０ＵＬの遅相軸が偏光膜の吸収軸と平行になるように貼り付けた。
同様にして上記で作製した位相差フィルム試料１０２〜１０４、比較例の位相差フィルム試料１０５を用いて、偏光板を作製した。以下これら偏光板を、偏光板１０２〜１０４、及び１０５という。これら偏光板はいずれも十分な偏光性能を示した。

［第２の光学異方性層用位相差フィルムの作製］
（位相差フィルム試料２０１の作製）
（セルロースアシレート溶液ＣＡ−２の作製）
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（セルロースアシレート溶液ＣＡ−２組成）
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Ａｃ置換度２．８１のセルロースアセテート １００．０質量部
ＴＰＰ（トリフェニルホスフェート） ７．８質量部
ＢＤＰ（ビフェニルジフェニルフォスフェート） ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒） ６０．０質量部
─────────────────────────────────────

（マット剤溶液ＭＴ−２の調製）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液ＭＴ−２を調製した。
─────────────────────────────────────
（マット剤溶液ＭＴ−２組成）
─────────────────────────────────────
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液 １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７６．３質量部
メタノール（第２溶媒） ３．４質量部
セルロースアシレート溶液ＣＡ−２ １０．３質量部
─────────────────────────────────────

（添加剤溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液ＡＤ−２を調製した。
─────────────────────────────────────
（添加剤溶液ＡＤ−２組成）
─────────────────────────────────────
下記のレターデーション発現剤Ｘ ２１．７質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒） ８．７質量部
セルロースアシレート溶液ＣＡ−２ １２．８質量部
─────────────────────────────────────

レターデーション発現剤Ｘ

（セルロースアシレートフィルム試料０１の作製）
上記セルロースアシレート溶液ＣＡ−２を９４．０質量部、マット剤溶液ＭＴ−２を１．５質量部、添加剤溶液ＡＤ−２を４．５質量部それぞれを濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。上記組成でレターデーション発現剤のセルロースアシレートに対する質量比は６．０％であった。残留溶剤量３０％でフィルムをバンドから剥離し、１４０℃で４０分間乾燥させセルロースアシレートフィルム試料０１を製造した。作製されたセルロースアシレートフィルム試料０１の残留溶剤量は０．２％であり、膜厚は１２０μｍであった。

（位相差フィルム試料２０１の作製）
上記で得たセルロースアシレートフィルム試料０１を、連続した長尺フィルムをテンタークリップの長手方向の間隔が把持、搬送している間に狭くなる構造のテンターを用いて幅方向に延伸する工程を持っている延伸装置に送りだし、フィルムの温度を１６０℃に設定してフィルム幅方向に１．２５倍延伸し、延伸後の膜厚１０４μｍの位相差フィルム試料２０１を得た。位相差フィルム試料２０１の光学特性を下記表２に示す。

（位相差フィルム試料２０２の作製）
上記で得たセルロースアシレートフィルム試料０１を用いて、フィルム温度を１８０℃に設定して３０秒後加熱ゾーンを通過したあとに延伸を開始、フィルム幅手方向には１．３５倍に延伸、フィルム長手方向は０．６５倍に収縮し、延伸後膜厚１４０μｍの位相差フィルム試料２０２を得た。位相差フィルム試料２０２の光学特性を下記表２に示す。

（位相差フィルム試料２０３の作製）
上記セルロースアシレートフィルム試料０１の作製方法において、セルロースアシレート溶液ＣＡ−２組成中、Ａｃ置換度２．８１のセルロースアセテートをＡｃ置換度２．９２のセルロースアセテートに代え、添加剤溶液ＡＤ−２組成中、レターデーション発現剤Ｘを１０．０質量部に代えた以外は、同様の操作を行い、セルロースアシレートフィルム試料０３を得た。これを用いて、フィルム温度を１８０℃に設定して３０秒後加熱ゾーンを通過した後に延伸を開始、フィルム幅手方向には１．２５倍、フィルム長手方向には０．７５倍収縮し、延伸後膜厚１３５μｍの位相差フィルム試料２０３を得た。位相差フィルム試料２０３の光学特性を下記表２に示す。

（位相差フィルム試料２０４’の作製）
上記セルロースアシレートフィルム試料０１の作製方法において、セルロースアシレート溶液ＣＡ−２組成中、Ａｃ置換度２．８１のセルロースアセテート、Ａｃ置換度２．８６のセルロースアセテートに代え、添加剤溶液ＡＤ−２組成中、レターデーション発現剤Ｘを添加しなかった以外は、同様の操作を行い、セルロースアシレートフィルム試料０４を得た。これを用いて、フィルム温度を２００℃、フィルム長手方向に１．３倍、フィルム幅方向には０．７倍収縮し、延伸後膜厚１２５μｍの位相差フィルム試料２０４’を得た。位相差フィルム試料２０４’の光学特性を下記表２に示す。

（位相差フィルム試料２０４”の作製）
上記セルロースアシレートフィルム試料０１の作製方法において、セルロースアシレート溶液ＣＡ−２組成中、Ａｃ置換度２．８１のセルロースアセテート、Ａｃ置換度２．９２のセルロースアセテートに代え、添加剤溶液ＡＤ−２組成中、レターデーション発現剤Ｘ２１．７質量部を波長分散調整剤ＵＶ−２６５ ２５．０質量部に代えた以外は、同様の操作を行い、セルロースアシレートフィルム試料０５を得た。これを用いて、フィルム温度を１６０℃に設定して固定に軸延伸を開始、フィルム幅手方向に１．１倍、フィルム長手方向に１．１倍延伸し、延伸後の膜厚１００μｍの位相差フィルム試料２０４”を得た。位相差フィルム試料２０４”の光学特性を下記表２に示す。

（位相差フィルム試料２０４の作製）
上記位相差フィルム試料２０４’と２０４”とを積層して、位相差フィルム試料２０４を作製した。

（偏光板の作製）
上記と同様にして、偏光膜を作製した。この偏光膜の一方の面に、表面を鹸化処理した位相差フィルム試料２０１を、他方の面に、表面を鹸化処理したセルローストリアセテートフィルム（フジタック ＴＤ８０ＵＬ、富士写真フイルム（株）製）を、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて貼り合わせ、偏光板２０１を作製した。
上記で作製した位相差フィルム試料２０２〜２０４を用いて、同様にして偏光板を作製した。以下これら偏光板を、偏光板２０２〜２０４という。これら偏光板はいずれも十分な偏光性能を示した。

［実施例１］
（液晶表示装置の作製）
液晶表示装置に用いる光学補償フィルムの光学特性の種類により、以下のＡ〜Ｄの４系統にてＶＡパネルへの実装評価を行なった。
（液晶表示装置００１及び００５）
ＶＡモードの液晶ＴＶ（ＬＣ３７−ＧＥ２、シャープ（株）製）の表裏の偏光板および位相差板を剥して実装溶の液晶セルとして用いた。図１の構成で、偏光子１１及び第１の光学異方性層１４として偏光板１０１を、液晶セル１３として上記のＶＡ液晶セル、偏光子１２及び第２の光学異方性層１５として偏光板２０１を用い、それぞれを粘着剤を用いて貼り合わせた。この際、偏光板２０１の位相差フィルム試料２０１が液晶セル１３側になるように、かつ、偏光板１０１の位相差フィルム試料１０１が液晶セル１３側になるように貼り合わせた。また、位相差フィルム試料２０１の遅相軸は、偏光板２０１の吸収軸と直交するように貼り合わせた。液晶表示装置００１を作製した。この液晶表示装置００１は前記分類Ａに属するものである。
また、液晶表示装置００１の作製方法において、偏光板１０１に代えて、偏光板１０５を用いた以外は、同様にして、液晶表示装置００５を作製した。

（液晶表示装置００２及び００６）
上記液晶表示装置００１（分類Ａ）と同様の構成にて、偏光板１０１の代わりに偏光板１０２及び１０５をそれぞれ用い、さらに偏光板２０１の代わりに偏光板２０２を用いて、液晶表示装置００２及び００６をそれぞれ作製した。このうち液晶表示装置００２は前記分類Ｂに属するものである。

（液晶表示装置００３及び００７）
上記液晶表示装置００１（分類Ａ）と同様の構成にて、偏光板１０１の代わりに偏光板１０３及び１０５をそれぞれ用い、さらに偏光板２０１の代わりに偏光板２０３を用いて、液晶表示装置００３及び００７をそれぞれ作製した。このうち液晶表示装置００３は前記分類Ｃに属するものである。

（液晶表示装置００４及び００８）
上記液晶表示装置００１（分類Ａ）と同様の構成にて、偏光板１０１の代わりに偏光板１０４及び１０５をそれぞれ用い、さらに偏光板２０１の代わりに偏光板２０４を用いて、液晶表示装置００４及び００８をそれぞれ作製した。このうち液晶表示装置００４は前記分類Ｄに属するものである。

（パネルの色味視野角評価）
上記作製したＶＡモードの液晶表示装置００１〜００８について、図１中の偏光子２側（即ち、偏光板２０１〜２０４側）にバックライトを設置し、各々について測定機（ＥＺ−Ｃｏｎｔｒａｓｔ ＸＬ８８、ＥＬＤＩＭ社製）を用いて、暗室内で黒表示および白表示の輝度および色度を測定し、黒表示におけるカラーシフトおよびコントラスト比を算出した。

（極角方向の黒カラーシフト）
黒表示において、液晶セルの法線方向から一対の偏光板の透過軸の中心線方向（方位角４５度）に視角を倒した場合の色度の変化Δｘθ、Δｙθは、極角０〜８０度の間で、常に下記数式（ＩＩ）および（ＩＩＩ）を満たすことが好ましい。
数式（ＩＩ）： ０≦Δｘθ≦０．１
数式（ＩＩＩ）： ０≦Δｙθ≦０．１
［式中、Δｘθ＝ｘθ−ｘθ₀、Δｙθ＝ｙθ−ｙθ₀であり、（ｘθ₀、ｙθ₀）は黒表示における液晶セル法線方向で測定した色度、（ｘθ、ｙθ）は黒表示における液晶セル法線方向から一対の偏光板の透過軸の中心線方向に極角θ度まで視角を倒した方向で測定した色度］

（方位角方向の黒カラーシフト）
また、液晶セルの法線方向から視認側偏光板の吸収軸方向に６０度まで視角を倒し、さらに前記方向を基点とし該法線を中心として３６０度回転させて色度を測定した場合における色度変化Δｘφ、が、Δｙφは方位角０から３６０度の間で常に下記数式（IV）および（V）を満たすことが好ましい。
数式（IV）： −０．０２≦Δｘφ≦０．１
数式（V）： −０．０２≦Δｙφ≦０．１
［式中、Δｘφ＝ｘφ−ｘφ₀、Δｙφ＝ｙφ−ｙφ₀であり、（ｘφ₀、ｙφ₀）は黒表示における液晶セルの法線方向から視認側偏光板の吸収軸方向に６０度まで視角を倒して測定した色度、（ｘφ、ｙφ）は黒表示における液晶セルの法線方向から視認側偏光板の吸収軸方向に６０度まで視角を倒し、該法線方向を中心として方位角φの方向から測定した色度］

（視野角）
方位角４５度・極角６０度におけるコントラスト比（ＣＲ＠φ＝４５／Θ＝６０）が大きいほど視野角が広いことを意味する。
結果を下記表３に示す。

本発明の液晶表示装置の一例の概略模式図である。 本発明の液晶表示装置の光学補償機構の一例をポアンカレ球上で説明するために用いた図である。 本発明の液晶表示装置に使用可能な第１の光学異方性層の一例の光学特性を模式的にグラフ上示したものである。 本発明の液晶表示装置の種々の態様を、分類Ａ〜Ｈに分類して示した図である。 本発明の液晶表示装置の一例の概略模式図である。 図５の構成の本発明の液晶表示装置の種々の態様を、分類Ｅ〜Ｈに分類して示した図である。 一般的なＶＡモードの液晶表示装置の一例の概略模式図である。 一般的なＶＡモードの液晶表示装置の一例の概略模式図である。 従来のＶＡモードの液晶表示装置の一例の概略模式図である。 従来のＶＡモードの液晶表示装置の光学補償機構の一例をポアンカレ球上で説明するために用いた図である。

符号の説明

１１、２１、５１ 偏光子
１２、２２、５２ 偏光子
１３、２３、５３ 液晶セル
１４、２４ 第１の光学異方性層
１５、２５ 第２の光学異方性層
５４ 光学補償フィルム（Ｃプレート）
５５ 光学補償フィルム（Ａプレート）

Claims (16)

1. 透過軸を互いに直交にして配置された第１及び第２の偏光子と、
   該第１及び第２の偏光子の間に配置された液晶層と、
   前記第１もしくは第２の偏光子と液晶層との間に第１の光学異方性層とを有する液晶表示装置であって、
   前記第１の光学異方性層の面内レターデーション（Ｒｅ）が、可視光域の波長λ１において正となり、可視光域の波長λ２（但しλ１≠λ２）において負となり、及び｜Ｒｔｈ（５５０）｜が５０ｎｍ以上であることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記第１の光学異方性層が下記式（１）及び（２）を満たすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置：
   Ｒｅ（４５０）×Ｒｅ（６５０）＜０ 式（１）
   ｜Ｒｔｈ（５５０）／Ｒｅ（５５０）｜＞１０ 式（２）
   式中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍの光を入射させて測定した面内レターデーション（単位：ｎｍ）であり、第１の光学異方性層のＲｅの正負は、液晶セルに対して同じ側に配置された偏光子の吸収軸を基準とし、該吸収軸と平行方向を正とする。
3. 前記第１もしくは第２の偏光子と液晶層との間に第２の光学異方性層を有し、前記第２の光学異方性層が、下記式（３）及び（４）を満足することを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置：
   ３０ｎｍ＜Ｒｅ（５５０）＜４００ｎｍ 式（３）
   −１００ｎｍ＜Ｒｔｈ（５５０）＜３００ｎｍ 式（４）
   式中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍの光を入射させて測定した面内レターデーション（単位：ｎｍ）であり；Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍの光を入射させて測定した厚み方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である。
4. 前記第１の光学異方性層が、前記液晶層と前記第１の偏光子との間に、及び前記第２の光学異方性層が、前記液晶層と前記第２の偏光子との間に配置されることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
5. ＶＡモードであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
6. 前記第１の光学異方性層が、下記式
   Ｒｅ（４５０）＞０ 、
   Ｒｅ（６５０）＜０ 、
   Ｒｔｈ（５５０）＞０、及び
   ｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜≧１．０
   を全て満たすことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記第１の光学異方性層が、下記式
   Ｒｅ（４５０）＞０ 、
   Ｒｅ（６５０）＜０ 、
   Ｒｔｈ（５５０）＞０、及び
   ｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜＜１．０
   を全て満たすことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
8. 前記第１の光学異方性層が、下記式
   Ｒｅ（４５０）＜０ 、
   Ｒｅ（６５０）＞０ 、
   Ｒｔｈ（５５０）＞０、及び
   ｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜＜１．０
   を全て満たすことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
9. 前記第１の光学異方性層が、下記式
   Ｒｅ（４５０）＜０ 、
   Ｒｅ（６５０）＞０ 、
   Ｒｔｈ（５５０）＞０ 、及び
   ｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜≧１．０
   を全て満たすことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
10. 水平配向モードであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
11. 前記第１の光学異方性層が、下記式
    Ｒｅ（４５０）＜０ 、
    Ｒｅ（６５０）＞０ 、
    Ｒｔｈ（５５０）＜０、及び
    ｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜≧１．０
    を全て満たすことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
12. 前記第１の光学異方性層が、下記式
    Ｒｅ（４５０）＜０ 、
    Ｒｅ（６５０）＞０ 、
    Ｒｔｈ（５５０）＜０、及び
    ｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜＜１．０
    を全て満たすことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
13. 前記第１の光学異方性層が、下記式
    Ｒｅ（４５０）＞０ 、
    Ｒｅ（６５０）＜０ 、
    Ｒｔｈ（５５０）＜０ 、及び
    ｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜＜１．０
    を全て満たすことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
14. 前記第１の光学異方性層が、下記式
    Ｒｅ（４５０）＞０ 、
    Ｒｅ（６５０）＜０ 、
    Ｒｔｈ（５５０）＜０、及び
    ｜Ｒｔｈ（４５０）｜／｜Ｒｔｈ（６５０）｜≧１．０
    を全て満たすことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
15. 前記第１の光学異方性層が、セルロースアシレートフィルムからなることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
16. 前記第１の光学異方性層が、Ｒｔｈ発現剤を少なくとも一種類含有することを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。

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