JP2008124498A - 窒化物半導体発光素子とその窒化物半導体発光素子を備える窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型窒化物半導体104と、p型窒化物半導体106と、前記n型窒化物半導体104と前記p型窒化物半導体106との間に配置される活性層と、を備え、
前記活性層は、少なくとも2層の障壁層801、802、804、805を積層した積層体と、井戸層803とが交互に積層することにより構成されて、
前記積層体は、窒化ガリウムからなる前記障壁層801、805と、窒化インジウムガリウムからなる前記障壁層802、804とからなることを特徴とする。
【選択図】図9
Description
図1は、本発明の第一の実施形態による、窒化ガリウム系化合物半導体レーザの製造方法を示す断面模式図である。サファイア等の基板上に、低温成長によるアンドープGaNバッファ層、n型GaNコンタクト層、n型Al0.1Ga0.9Nクラッド層、n型GaN光ガイド、In0.05Ga0.95N障壁層とIn0.15Ga0.85N井戸層とを3周期重ねた量子井戸構造の活性層、p型Al0.2Ga0.8Nキャリアブロック層、p型GaN光ガイド層、p型Al0.1Ga0.9Nクラッド層、及びp型GaNコンタクト層を順次積層して得られた窒化ガリウム系化合物半導体積層構造100の表面に、図1(a)のごとく、電子ビーム蒸着法により厚さ150オングストロームのPbよりなる第一の上部電極層10を形成する。
図2は、本発明の第二の実施形態による、窒化ガリウム系化合物半導体レーザの製造方法を示す断面模式図である。サファイア等の基板上に本発明の第一の実施形態と同様の構造を順次積層して得られた窒化ガリウム系化合物半導体積層構造200の表面に、図2(a)のごとく、電子ビーム蒸着法により厚さ150オングストロームのPbよりなる第一の上部電極層11を形成する。この際、第一の実施形態のごとく、第一の上部電極層を、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の表面に、全面に渡って形成するのではなく、幅40ミクロンの領域にのみ形成しておく。
図3は、本発明の第三の実施形態による、窒化ガリウム系化合物半導体レーザの製造方法を示す断面模式図である。まず、第一の実施形態において詳述した方法にて、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造300、厚さ150オングストロームのPbよりなる第一の上部電極層12、線幅1.5ミクロンのストライプ用フォトレジストマスク42を有する図3(a)に示した構造を得る。
図4は、本発明の第四の実施形態による、窒化ガリウム系化合物半導体レーザの構造を示す模式図である。同図に示す窒化ガリウム系化合物半導体レーザの形状は、基本的に、第三の実施形態によるそれと同一で、異なる点は、第三の実施形態を示す図3における、第二の上部電極層20に相当するところの、第二の上部電極層21のストライプと平行な方向の長さが、本実施形態においては、図4に示したごとく200ミクロンと、また、共振器長が500ミクロンと、有限な長さに規定されている点のみである。
図5は、本発明の第五の実施形態による、窒化ガリウム系化合物半導体レーザの構造を示す模式図である。また図6は、その製造方法を示す模式図である。図5に示す窒化ガリウム系化合物半導体レーザは、リッジストライプ構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体積層構造500の上に、厚さ2000オングストロームのSiO2膜32を介して、厚さ150オングストロームのPbよりなる第一の上部電極層14、厚さ2500オングストロームのAuよりなる第二の上部電極層22が形成されており、これらの構成は、図4に示した、第四の実施形態による、窒化ガリウム系化合物半導体レーザのそれと同一である。
図7は、本発明の第六の実施形態による、窒化ガリウム系化合物半導体レーザの構造を示す模式図である。また図8は、その製造方法を示す模式図である。図7に示す窒化ガリウム系化合物半導体レーザは、リッジストライプ構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体積層構造600の上に、厚さ1000オングストロームのSiO2膜33、及び厚さ1500オングストロームのSiO2膜34を介して、厚さ150オングストロームのPbよりなる第一の上部電極層15、厚さ2500オングストロームのAuよりなる第二の上部電極層23が形成されており、これらの構成は、図4に示した第四の実施形態による、窒化ガリウム系化合物半導体レーザのそれと同一である。
本実施の形態における活性層付近の詳細な積層構造を図9に示した。厚さ4nmのIn0.15Ga0.85N井戸層803と厚さ4nmのGaN、(801、805)および厚さ4nmのIn0.05Ga0.95N(802、804)障壁層より構成される多重量子井戸構造を有する活性層を、障壁層/井戸層/障壁層/井戸層/障壁層/井戸層/障壁層の順序で成長し、今回は井戸層の層数は3層とした。その際、井戸層には、不純物はドープしない形で成長した。
本実施の形態において、第一の層、第三の層がIn0.05Ga0.95Nでノンドープ、第二の層、第四の層がGaNでありSiドープである事以外は、第七の実施の形態と全く同じである。第二、第四の層の厚さを同じとして、第二、第四の層厚をX軸にプロットした場合、図11とほぼ同じ結果が得られた。井戸層厚を2nm以上7nm以下の範囲とし、障壁層の層厚を7nm以上12nm以下の範囲において、障壁層へのドーピングは、第二の層と第四の層に行うのがよく、最も効率よくキャリアを井戸層に注入できる。
本実施の形態において活性層の障壁層は3層よりなり、活性層は次のように形成し、活性層付近の詳細な積層構造を図12に示した。厚さ4nmのIn0.15Ga0.85N井戸層604と厚さ9nmのGaN(602)とIn0.05Ga0.95N(601、603、606、607)からなる障壁層より構成される多重量子井戸構造を有する活性層を、障壁層/井戸層/障壁層/井戸層/障壁層/井戸層/障壁層の順序で成長した。その際、井戸層には、不純物はドープしない形で成長した。
20、21、22、23 … 第二の上部電極層
25 … 上部電極層
30、31、32、33、34 … SiO2膜
35 … 誘電体膜
40、41、42、43、44 … ストライプ形成用フォトレジストマスク
50 … 共振器端面作成用フォトレジストマスク
70、71 … フォトレジストマスク
80、81、90 … 開口部
91、92 … 段差
100、200、300、400、500、600、700 … 窒化ガリウム系化合物半導体積層構造
104 … Siドープn型GaN光ガイド層
106 … MgドープAl0.2Ga0.8Nキャリアブロック層
601 … 第一の層
602 … 第二の層
603 … 第三の層
604 … 井戸層
606 … 第四の層
607 … 第五の層
801 … 第一の層
802 … 第二の層
803 … 井戸層
804 … 第四の層
805 … 第三の層
901 … リッジの側面
902 … リッジの上面
Claims (5)
- n型窒化物半導体と、p型窒化物半導体と、前記n型窒化物半導体と前記p型窒化物半導体との間に配置される活性層と、を備え、
前記活性層は、少なくとも2層の障壁層を積層した積層体と、井戸層とが交互に積層することにより構成されて、
前記積層体は、窒化ガリウムからなる前記障壁層と、窒化インジウムガリウムからなる前記障壁層とからなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記積層体は、3層の前記障壁層で構成されて、
前記井戸層に当接する前記障壁層は、窒化インジウムガリウムからなり、
前記井戸層から離間する前記障壁層は、窒化ガリウムからなることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記井戸層から離間する前記障壁層に、シリコンがドープされていることを特徴とする請求項2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記井戸層に当接する前記障壁層の層厚は、3nm以下であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 請求項1〜請求項4のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子を備える窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
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