JP2008124217A - ショットキーバリアダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、Si基板14上にAlNバッファ層13を介して設けられたGaNドリフト層12表面にショットキー電極11を備えたショットキーバリアダイオード10において、Si基板14の裏面からAlNバッファ層13を貫通してGaNドリフト層12に到達するビアを設け、ビアを介してGaNドリフト層12に接触するオーミック電極15をSi基板14の裏面に形成することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
まず、実施の形態1について説明する。図1は、実施の形態1にかかるショットキーバリアダイオードの断面図である。図1に示すように、実施の形態1にかかるショットキーバリアダイオード10は、Si基板14上に、AlNによって形成されるAlNバッファ層13と、AlNバッファ層13を介して設けられるとともにGaNによって形成されるGaNドリフト層12とが順次設けられている。GaNドリフト層12は、たとえば500nmの膜厚を有し、n型不純物として1×1016cm-3の添加量のSiが添加されている。ショットキーバリアダイオード10は、Si基板14の一方の面であるGaNドリフト層12表面にショットキーバリア接触するショットキー電極11とを備える。ショットキー電極11は、たとえば、ニッケル(Ni)および金(Au)を含む金属材料によって形成される。
つぎに、実施の形態について説明する。図4は、実施の形態2にかかるショットキーバリアダイオードの断面図である。図4に示すように、実施の形態2にかかるショットキーバリアダイオード20においては、GaNによって形成されるGaNドリフト層22の厚膜化のため、GaNドリフト層22は、選択成長によって形成される。
つぎに、実施の形態3について説明する。図6は、実施の形態3にかかるショットキーバリアダイオードの断面図である。図6に示すように、実施の形態3にかかるショットキーバリアダイオード30は、図1に示すショットキーバリアダイオード10と電極配置が逆である。すなわち、Si基板14裏面上にショットキー電極31が形成されており、GaNドリフト層12上にオーミック電極35が形成されている。
11,31,101,206 ショットキー電極
12,22,102 GaNドリフト層
13,23 AlNバッファ層
14,104,202 Si基板
15,35,105,207 オーミック電極
16 めっき層
27 選択成長マスク
28 埋込み絶縁膜
29 上部配線電極
103,203 バッファ層
201 裏面電極
204 第1の半導体層
205 第2の半導体層
208 ビア
Claims (8)
- 基板上にバッファ層を介して設けられた窒化物半導体層表面に第1の電極を備えたショットキーバリアダイオードにおいて、
前記基板の裏面から前記バッファ層を貫通して前記窒化物半導体層に到達するビアを設け、前記ビアを介して前記窒化物半導体層に接触する第2の電極を前記基板の裏面に形成することを特徴とするショットキーバリアダイオード。 - 前記ビアは、前記第1の電極直下に設けられることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記窒化物半導体層は、選択成長によって形成されることを特徴とする請求項1または2に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記第2の電極表面に金属膜を形成し、該金属膜で前記ビアを埋め込むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記第1の電極がショットキー電極である場合、前記第2の電極は、オーミック電極であり、または、前記第1の電極がオーミック電極である場合、前記第2の電極は、ショットキー電極であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記窒化物半導体層は、GaNを用いて形成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記GaNを用いて形成される窒化物半導体層は、n型不純物としてSiを含むことを特徴とする請求項6に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記基板は、Si基板であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載のショットキーバリアダイオード。
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