JP2008118053A - Ｉｃチップ実装パッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】従来のＩＣチップ実装パッケージよりもその厚さを薄くさせた状態で、ＩＣチップに発生する熱を効果的に放熱させることが可能なＩＣチップ実装パッケージを提供する。
【解決手段】液晶ドライバ実装パッケージ１ａは、ドライバソケット４ａを介してフィルム基材２と液晶ドライバ３とが接続している。ドライバソケット４ａにおける液晶ドライバ３実装面には、吸熱効果を奏する吸熱部として機能する第１の導電部材３１と、第１の導電部材３１によって吸収された熱を放熱する放熱部として機能する第２の導電部材３２と、第１の導電部材３１から第２の導電部材３２まで熱を移行させる拡散領域（Ｐ型拡散領域とＮ型拡散領域）とを、それぞれドライバソケット４ａ表面に有している。
【選択図】図７

Description

本発明は、ＩＣチップ実装パッケージに関し、詳細には、液晶ドライバ等のＩＣチップを、該ＩＣチップから発生した熱をＩＣチップ外部に放熱させる機能を備えた半導体基板に実装したＩＣチップ（液晶ドライバ）実装パッケージに関するものである。

液晶ドライバ等の集積回路（ＩＣ）チップの実装に関しては、様々な形態が採用されている。例えば、液晶パネルのガラス辺に実装を行う必要があると共にパネル額縁を小さくする必要があることから、折り曲げ可能なパッケージであるＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｒ Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＦ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）が知られている。ＳＯＦは、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）とも呼ばれる。

図１８及び図１９に、ＴＣＰ構造の集積回路チップ実装パッケージの構成を示す。図１８は、ＴＣＰ構造の上面図であり、封止樹脂を透視した状態を示した部分透視図である。また、図１９は、図１８に示したＴＣＰ構造を切断線Ｂ−Ｂ’において切断した状態を示した矢視断面図である。

図１８及び図１９に示すＴＣＰ構造１２０では、スリット１１４と、デバイスホール１１５と呼ばれる穴部とが、フィルム基材１１３に設けられている。さらに、フィルム基材１１３に銅配線１１１・１１２が形成され、銅配線１１１・１１２上にソルダーレジスト１１６が形成されている。集積回路チップ１０１は、デバイスホール１１５内に設けられており、集積回路チップ１０１表面のバンプ１１０（図１９）と、銅配線１１１・１１２とが接続した構造となっている。図１９に示す封止樹脂１０９は、集積回路チップ１０１等を外部環境から保護する機能をもつ。

ところで、集積回路に組み込まれるトランジスタの数は年々多くなっており、トランジスタ内部に構成される回路数も多くなっている。また、液晶パネルに関しては、近年、高精細化がますます進んでおり、表示画素が増加する分、駆動用の集積回路の回路数も増加している。このように増加した集積回路を補うためには、液晶パネルに実装される液晶ドライバの数を増加させるか、１つの液晶ドライバに搭載される駆動用集積回路を増加させる必要があるが、近年では、液晶パネルに実装される液晶ドライバの数が増加しないように、後者の液晶ドライバの駆動回路を増加させる（多出力にする）対応をとることが多い。加えて、後者が選択される理由として、集積回路チップは、チップサイズが小さいほど量産効率がよく、チップの原価は安くなるという点が挙げられる。そこで、このような多出力のドライバでは、チップサイズ縮小のために、パッドをファインピッチ化することが必要となる。また、集積回路チップのパッドのファインピッチ化に伴い、ドライバのパッケージであるフィルムのインナーリード（集積回路チップとフィルム基材をつなぐ配線）のピッチもファインピッチ化する必要がある。

ところが、図１８及び図１９に示すＴＣＰ１２０の構造では、ファインピッチ化が困難であるという欠点がある。それは、図１９に示すように、インナーリード（銅配線１１１・１１２）がフィルム基材１１３に固定されない構造（フライングリード）となっているためである。すなわち、配線のピッチが４０μｍ以下になると、配線が変形して形成困難になるためである。

一方、ＳＯＦ構造は、ファインピッチ化を実現可能な構造である。図２０及び図２１に、ＳＯＦ構造の集積回路チップ実装パッケージの構成を示す。図２０は、ＳＯＦ構造の上面図であり、図２１は、図２０に示したＳＯＦ構造を切断線Ｂ−Ｂ’において切断した状態を示した矢視断面図である。

上記ＳＯＦ構造１３０は、フィルム基材１１３に銅配線１１１・１１２が形成されており、銅配線１１１・１１２の上にソルダーレジスト１１６が形成されている。銅配線１１１・１１２と、集積回路チップ１０１とは、当該集積回路チップ１０１のバンプ１１０によって接続されている。また、図２１に示されているように、集積回路チップ１０１等を外部環境から保護するためにアンダーフィル材１１７が充填されている。上記ＳＯＦ構造１３０は、フィルム基材１１３に銅配線１１１・１１２を固定した構造であるため、銅配線１１１・１１２（すなわち、インナーリード）の変形が少ない。そのため、銅配線の銅箔厚をＴＣＰ構造１２０より薄くすることにより、ＴＣＰ構造１２０で不可能な４０μｍ以下のピッチを実現できる。

また、半導体集積回路の多ピンのパッケージの別の一例として、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）を挙げることができる。

ＢＧＡは、集積回路をインターポーザと呼ばれる配線基板（ガラスエポキシやフィルムにより構成）にワイヤーボンディングやフィリップチップ接続等を用いて接続し、インターポーザの下部に配置された半田ボール等により回路基板へ実装する構造を有している。以下に、ＢＧＡの構造を図２２〜図２５に基づいて詳述する。

図２２及び図２３は、ワイヤーボンディングを用いて集積回路チップとインターポーザを接続した場合のＢＧＡの構成を示している。図２２は、ＢＧＡの上面図であり、封止樹脂を透視した状態を示した部分透視図である。また、図２３は、図２２に示したＢＧＡを切断線Ｂ−Ｂ’において切断した状態を示した矢視断面図である。図２２及び図２３に示すように、ワイヤーボンディング１０６を用いたＢＧＡ１００ａの構成では、インターポーザ１０２上に集積回路チップ１０１が搭載されており、集積回路チップ１０１のパッド１０５と、インターポーザ１０２のパッド１０７とがワイヤー１０６によって接続されている。図２３に示す封止樹脂１０９は、図２２の上面を被覆するように設けられており、集積回路チップ１０１等を外部環境から保護している。インターポーザ１０２のパッド１０７は、図２２に示す配線１０３に接続されており、スルーホール１０４を介して、インターポーザ１０２の裏面に設けられた半田ボール１０８と導通している。すなわち、半田ボール１０８を図示しない回路基板と接続することによって、集積回路チップ１０１を当該回路基板上に実装することができる。

また、図２４及び図２５は、フィリップチップ接続を用いて集積回路チップとインターポーザを接続した場合のＢＧＡの構成を示している。図２４は、ＢＧＡの上面図であり、封止樹脂を透視した状態を示した部分透視図である。また、図２５は、図２４に示したＢＧＡを切断線Ｂ−Ｂ’において切断した状態を示した矢視断面図である。ＢＧＡ１００ｂにおけるフィリップチップ接続とは、集積回路チップ１０１の入出力端子にバンプ１１０（図２５）を形成して、直接、インターポーザ１０２の電極端子（不図示）と接合した構成である。また、図２４及び図２５も、図２２及び図２３と同様に、封止樹脂１０９が、図２４の上面を被覆するように設けられており、集積回路チップ１０１等を外部環境から保護している。ＢＧＡ１００ｂは、スルーホール１０４を介して、インターポーザ１０２の配線１０３（図２４）と、インターポーザ１０２の裏面に設けられた半田ボール１０８とが導通しており、図示しない回路基板と接続することによって、集積回路チップ１０１を当該回路基板上に実装することができる。

しかしながら、図２４及び図２５に示すようにフィリップチップ接続を行った場合、熱膨張係数の異なる集積回路（シリコン）チップとインターポーザとで周囲温度変化による熱応力が発生し、両者の接続部が剥離もしくは、集積回路チップに亀裂が発生する等の不具合が発生する。このような熱応力の対策として、インターポーザ上に集積回路チップと同じシリコン基板を設け、シリコン基板に集積回路チップを一旦フィリップチップ接続し、その後シリコン基板とインターポーザをワイヤーボンディングする構成が、特許文献１に開示されている。

また、特許文献２には、インターポーザ上の配線を組み替え、集積回路チップの端子配置をそのままで、パッケージの端子構成を変更する技術が開示されている。

また、特許文献３には、インターポーザ上に複数の半導体素子（集積回路チップ）を実装し、ＢＧＡの形態で外部回路と接続することができる半導体装置（パッケージ）に関して、該パッケ半導体装置にペルチェ素子を組み込み、半導体素子から発生した熱をインターポーザ側へ移行させ、放熱を促進させる技術が提案されている。以下に、図２６を用いて、この構成を説明する。

図２６は、特許文献３に開示された半導体装置の構成を示す断面図である。図２６に示す半導体装置２００は、ペルチェ素子２０８の上に半導体素子２０２Ａ，２０２Ｂが積層されている。ここで、ペルチェ素子２０８について図２７を用いて説明する。

図２７は、上記ペルチェ素子２０８の構成を示す図である。ペルチェ素子２０８は、直列に接続された複数のＮ型半導体とＰ型半導体で構成される。図２７に示すように電流Ｉを流すと、両面２０８ａと２０８ｂとの間に温度差ΔＴが発生する。ペルチェ素子２０８の電極側が放熱面２０８ａとなり、反対側の面が吸熱面２０８ｂとなる。すなわち、吸熱面２０８ｂでは熱を吸収し、吸収した熱を放熱面２０８ｂから放出する。従って、ペルチェ素子２０８は、吸熱面側から放熱面側へと熱を移動させる機能を有し、これにより、吸熱面２０８ｂ側を冷却することができる。

このような構成を有するペルチェ素子２０８は、図２６に示す下側の半導体素子２０２Ａから熱を吸収して、吸収した熱をインターポーザ２０１に対して放出する。そして、インターポーザ２０１に伝達された熱は、インターポーザ２０１から半導体装置２００外部へと放出される。従って、半導体装置２００は、このような構成を備えることによって、半導体素子から発生する熱を効果的に放熱させることができる。
特開平８−１２４９６７号公報（１９９６年５月１７日公開） 特開２００５−１２９６０５号公報（２００５年５月１９日公開） 特開２００３−１７６３８号公報（２００３年１月１７日公開）

微細化、高集積化が進められた半導体素子（いわゆるＩＣチップ、半導体チップ、液晶ドライバ等）は、内部回路の発生する熱が多大となるため、パッケージ化した際に特許文献３の構成を備えて放熱させることは有用であるが、特許文献３の構成を使用する場合、ペルチェ素子の上面と下面とで放熱、吸熱が行われるため、半導体素子とインターポーザ間に使用した場合、パッケージ全体の厚さが増し、液晶パネル等の表示素子への実装において問題が発生する。

そこで、本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、従来のＩＣチップ実装パッケージよりもその厚さを薄くさせた状態で、ＩＣチップに発生する熱を効果的に放熱させることが可能なＩＣチップ実装パッケージを提供するものである。

本発明に係るＩＣチップ実装パッケージは、上述した課題を解決するために、半導体基板と、出入力端子群を有するＩＣチップとを備えており、上記ＩＣチップから発生する熱を吸収する吸熱部と、該吸熱部で吸収した熱を放熱する放熱部と、該吸熱部で吸収した熱を該放熱部に移行させる拡散部とを有する放熱素子を、上記半導体基板における上記ＩＣチップが搭載される側の表面に設けているＩＣチップ実装パッケージであって、上記拡散部は、上記表面と面一になるように半導体基板に埋設されており、半導体基板の上記表面側に、上記吸熱部と放熱部とが互いに並設されており、上記ＩＣチップは、上記吸熱部の上に設けられていることを特徴としている。

上記の構成とすれば、従来のＩＣチップ実装パッケージよりもその厚さを薄くさせた状態で、ＩＣチップに発生する熱を効果的に放熱させることが可能なＩＣチップ（液晶ドライバ）実装パッケージを提供することができる。

すなわち、従来のＩＣチップ実装パッケージの場合は、本願の吸熱部と、拡散部と、放熱部とに相当する構成が、半導体基板表面に積層されて設けられていた。これに対して、本発明のＩＣチップ実装パッケージは、吸熱部と、拡散部と、放熱部とが半導体基板の表面の上で該表面に沿って設けられている。すなわち、積層された状態ではない。そのため、従来の場合は、本発明の放熱素子に相当する構成を設けようとすると、吸熱部の厚さと、拡散部の厚さと、放熱部の厚さとの３つの構成要素の厚さ分、ＩＣチップ実装パッケージの厚さが増すことになる。しかしながら、本発明のＩＣチップ実装パッケージの場合は、上記拡散部は半導体基板の上記表面に埋設されているので厚さを考慮する必要なく、吸熱部の厚さのみ、もしくは放熱部のみの１つの構成要素の厚さ分、ＩＣチップ実装パッケージの厚さが増すだけで放熱素子を実現することができる。

従って、本発明の構成によれば、上記吸熱部の上にＩＣチップを設けることによって、従来のＩＣチップ実装パッケージほどその厚さを増加させることなく、放熱機能を実現したＩＣチップ実装パッケージを提供することができる。

具体的には、本発明に係るＩＣチップ実装パッケージの上記放熱素子は、ペルチェ素子であることが好ましい。

また、本発明に係るＩＣチップ実装パッケージは、上記表面側には、上記拡散部としてＰ型拡散領域及びＮ型拡散領域が形成されており、上記吸熱部と放熱部とは、各々複数個が交互に配設されていて、吸熱部と放熱部との間に上記Ｐ型拡散領域もしくはＮ型拡散領域が、Ｐ型拡散領域とＮ型拡散領域とが交互になるように形成されており、上記吸熱部と放熱部とＰ型拡散領域とＮ型拡散領域とが、全ての上記吸熱部を上記表面の中央に配置させるとともに、全ての上記放熱部を該吸熱部を挟むように上記表面の該中央よりも外周側に配置させるように、１つの蛇行形状の電流経路を形成していることが好ましい。

上記のように構成することによって、上記吸熱部を半導体基板の表面の中央に集結させて形成しているので、ＩＣチップに発生した熱を効果的に吸熱させ、放熱させることができる。

また、本発明に係るＩＣチップ実装パッケージは、上記ＩＣチップには、外部電源から該ＩＣチップに電流が供給されるための電源接続用パッドと、接地用パッドとが設けられており、上記放熱素子には、外部から上記電流経路に電流が供給されるための供給用電極と、接地電極とが設けられており、上記接地用パッドと、上記供給用電極とが接続されており、上記接地電極が接地していることが好ましい。

ＩＣチップの発熱量は、ＩＣチップの消費電流が多くなればなるほど多くなる。そこで、本発明では、上記のように、上記接地用パッドと、上記供給用電極とが接続されており、上記接地電極が接地している。すなわち、外部電極からＩＣチップに流れた電流は、ＩＣチップの接地用パッドに接続された半導体基板の上記供給用電極から放熱素子内を流れて、接地電極に至る。これにより、ＩＣチップで消費される消費電流量が、放熱素子に流れる電流の電流量と同じになる。よって、発熱量が多くなった時に放熱量が多くなるので、ＩＣチップに残存する熱量を常に一定に保つことができる。

また、本発明に係るＩＣチップ実装パッケージは、さらに、上記半導体基板を実装するための、接続端子群を有するパッケージ基材を備えており、上記半導体基板は、上記出入力端子群と接続するように構成されたＩＣチップ側接続端子群と、上記接続端子群と接続するように構成されたパッケージ基材側接続端子群と、上記ＩＣチップ側接続端子群及びパッケージ基材側接続端子群を接続する配線とを有しており、上記ＩＣチップ側接続端子群のピッチは、上記出入力端子群のピッチと合致するように構成されており、上記パッケージ基材側接続端子群は、上記ＩＣチップ側接続端子群の最小ピッチを下回ることのないピッチを有していることが好ましい。

上記のように、狭パッドピッチのＩＣを実装するパッケージが種々開発されているが、液晶ドライバのように実装面積が限られるパッケージとしてはＴＣＰやＳＯＦの形態をとる必要がある。特に、ＳＯＦを狭パッドピッチのドライバに対応させる場合、フィルム基材の加工精度をあげ、パッドピッチと同じピッチのインナーリードを加工する必要があるが、図２０及び図２１に示した従来のＳＯＦの構成においてファインピッチ（例えば２０μｍ）のインナーリードを加工するには、次の（１）〜（３）；
（１）インナーリードは銅箔で形成されているが、ファインピッチの配線加工を行うには、銅箔の厚さを薄くする必要がある。例えば５０μｍピッチを形成するＴＣＰの銅箔の厚さは１２μｍであるが、２０μｍピッチを形成するには銅箔の厚さを５μｍ程度にする必要がある。銅箔を薄く形成し、強度を保つためには現行使用している技術を検討しなおし、新規技術の導入、新規加工機器の導入を行う必要があり、技術検討の労力や、新規導入設備に対するコストがかかる。
（２）ファインピッチで配線を形成した場合、安価な基材材料を選択できない問題も発生する。加工後に基材が変形した場合、配線がショートしてしまうが、ファインピッチであるほど、変形の許容値も小さくなるため、変形の少ない材料を選択する必要がある。このため安価な基材材料を採用したいが変形が大きく使用できない場合も発生する。
（３）また、配線を加工する場合、加工機器の加工精度が配線ピッチを十分上回っていれば、加工後の検査も簡単に行う程度でよいが、配線がファインピッチになり、加工精度が配線ピッチに近づいてくると、加工が十分行われない部分が発生していないか等、加工後十分検査する必要が発生し、検査コストも上昇する。
に示すような問題が発生する。しかしながら、本発明に係る構成によれば、上記のような問題は何れも解消される。

具体的には、本発明に係るＩＣチップ実装パッケージは、上記ＩＣチップと上記パッケージ基材との間に設けられた、上記パッケージ基材側接続端子群及び上記ＩＣチップ側接続端子群を有する上記半導体基板は、上記ＩＣチップ側接続端子群のピッチが、上記ＩＣチップの出入力端子群のピッチと合致するように構成されており、且つ、上記パッケージ基材側接続端子群が、上記ＩＣチップ側接続端子群の最小ピッチを下回ることのないピッチを有している。

このように、本発明に係るＩＣチップ実装パッケージは、上記半導体基板を備えていることによって、ＩＣチップが多出力であって、且つその端子がファインピッチで形成されている場合であっても、パッケージ基材のインナーリードのピッチを当該多出力のピッチに合わせてファインピッチで構成する必要がない。すなわち、上記半導体基板において、一方の上記ＩＣチップ側接続端子群をＩＣチップの端子のピッチに合わせて形成し、他方のパッケージ基材側接続端子群を、当該ＩＣチップ側接続端子群よりもピッチを拡大させておくことができる。これにより、パッケージ基材のインナーリードは、ファインピッチで構成する必要がなく、既存の技術を用いて形成することができる。

また、上記半導体基板は、半導体プロセスを用いて容易に製造することが可能である。

また、本発明の構成によれば、従来において、パッケージ基材のインナーリードのファインピッチ化を実現するために銅箔厚を薄くする等の技術革新を必要とすることなく、既存の技術を用いて当該インナーリードを形成することができる。

このように、技術革新を必要とせず、半導体基板及びパッケージ基材の双方を既存技術によって製造することができるため、技術革新に対応するための新規加工機器を必要としない。

従って、多出力のＩＣチップを実装するＩＣチップ実装パッケージを製造するにあたって、技術面やコスト面の増加を著しく抑えることができる。

また、ＩＣチップに関しては、上記半導体基板を備えることによって、端子のピッチをパッケージ基材の端子ピッチを考慮することなく、可能な限りファインピッチ化することができる。これにより、ＩＣチップサイズを縮小することができ、コストの低減を実現することができる。

また、従来であれば、加工後に許容される変形の割合も厳しくなるため、パッケージ基材の材料に変形の少ないものを導入する必要があったが、上記の構成とすることによって、基材材料の選択の自由度が増し、安価な基材材料を選択することも可能となる。これにより、コストアップを回避、もしくはコストを低減することができる。

さらに、上記の構成とすれば、従来と比較して、パッケージ基材の加工精度に余裕があるように設定可能であることから、加工後の検査を簡易化することができる。よって、検査に伴うコストの増加を抑えることができる。

また、上記の構成とすれば、パッケージ基材と半導体基板の接続部分を十分確保することができ、信頼性を向上させることができる。通常、外部からの衝撃等の力はパッケージ基材に加わる。そのため、パッケージ基材にＩＣチップが直接実装されている場合、この衝撃によってパッケージ基材とＩＣチップとの接続部分が剥離したり、破損したりする虞がある。しかしながら、本発明の構成とすれば、半導体基板を設け、パッケージ基材に接続している上記半導体基板の端子は、パッケージ基材の端子のピッチに合わせて比較的広く形成されており、パッケージ基材と半導体基板との接続面積は広く確保できている。よって、パッケージ基材と半導体基板との接続は、外部からの衝撃に対して強く、従って、半導体基板に接続したＩＣチップと、パッケージ基材との接続を十分確保することができる。これにより、上記の構成とすることによって、信頼性の高いＩＣチップ実装パッケージを提供することが可能となる。

以上のことから、本発明の構成とすることにより、技術革新を必要とすることなく、既存の技術を用いて、ファインピッチのＩＣピッチを実装したＩＣピッチ実装パッケージを提供することができる。

また、本発明に係るＩＣチップ実装パッケージは、上記放熱部から放熱されようとする熱を伝える放熱補助膜が、上記半導体基板における上記放熱部の上層に設けられていることが好ましい。

上記のように構成することにより、上記放熱部からの放熱をより効率よく行うことができる。

また、本発明に係るＩＣチップ実装パッケージは、上記放熱補助膜の上層に樹脂層が設けられており、上記樹脂層は、上記半導体基板における上記ＩＣチップを実装する面とは反対側の面にも形成されていることが好ましい。

上記のように構成することにより、上記放熱部の熱が樹脂層を伝わって、上記半導体基板における上記ＩＣチップを実装する面とは反対側の面からも放熱を行うことができるので、放熱効率を高めることができる。

また、特に、上記半導体基板における上記ＩＣチップを実装する面に形成された上記樹脂層が、外部環境に露出していることが好ましい。

これにより、より一層、放熱効率を向上させることができる。

また、本発明に係るＩＣチップ実装パッケージは、上記放熱部から放熱されようとする熱を伝える放熱補助膜が、上記半導体基板における上記放熱部の上層、該半導体基板の側面、及び該半導体基板における上記ＩＣチップを実装する面とは反対側の面に設けられていることが好ましい。

上記のように構成することにより、上記放熱部からの放熱をより効率よく行うことができる。

また、上記の構成において、本発明に係るＩＣチップ実装パッケージは、上記放熱補助膜が形成された、上記半導体基板における上記ＩＣチップを実装する面とは反対側の面は、外部環境に露出していることが好ましい。

このように構成することにより、上記放熱部から、上記放熱補助膜を通じて上記半導体基板における上記チップを実装する面に至った熱は、外部環境と接触することにより効率的に放熱される。特に、外部環境が流動性を有している場合は、更に放熱効果を向上させることができる。

また、本発明に係るＩＣチップ実装パッケージは、上述した課題を解決するために、ＩＣチップを搭載した半導体基板を有するＩＣチップ実装パッケージであって、上記半導体基板の一表面側には、複数のＰ型拡散領域及びＮ型拡散領域が形成されており、上記一表面側には、１つの上記Ｐ型拡散領域と１つの上記Ｎ型拡散領域との間に位置し、該Ｐ型拡散領域とＮ型拡散領域とを電気的に接続するための第１の導電部材が設けられており、上記１つのＰ型拡散領域と、上記１つのＮ型拡散領域と、Ｐ型拡散領域とＮ型拡散領域との間の第１の導電部とは、１つの列を構成しており、上記列は、互いに平行になるように、且つ隣り合う２つの上記列における一方の列のＰ型拡散領域と他方の列のＮ型拡散領域とが隣り合うように、複数設けられており、上記一表面側には、全ての上記列によって１つの蛇行形状の電流経路が形成されるように隣り合う上記列同士を電気的に接続する第２の導電部材が設けられており、上記第１の導電部材の上に、上記ＩＣチップを配設していることを特徴としている。

上記の構成とすれば、従来のＩＣチップ実装パッケージよりもその厚さを薄くさせた状態で、ＩＣチップに発生する熱を効果的に放熱させることが可能なＩＣチップ（液晶ドライバ）実装パッケージを提供することができる。

具体的には、上記の構成とすることによって、上記第１の導電部材、上記第２の導電部材、及び、第１の導電部材と第２の導電部材との間に位置する上記Ｐ型拡散領域（もしくは上記Ｎ型拡散領域）によって、ペルチェ素子を構成することができ、電流が流れることによって、ペルチェ効果を実現することができる。すなわち、上記第１の導電部材が、ＩＣチップから発生する熱を吸収する吸熱部として機能し、上記第２の導電部材が、該吸熱部で吸収した熱を放熱する放熱部として機能する。また、上記Ｐ型拡散領域及び上記Ｎ型拡散領域が、該吸熱部で吸収した熱を該放熱部に移行させる拡散部として機能する。

すなわち、本発明のＩＣチップ実装パッケージは、吸熱部と、拡散部と、放熱部とが積層された状態ではなく、半導体基板の表面の上で、該表面に沿って並んで設けられている。これに対して、従来のＩＣチップ実装パッケージの場合は、本願の吸熱部と、拡散部と、放熱部とに相当する構成が、半導体基板表面に積層されて設けられているため、吸熱部の厚さと、拡散部の厚さと、放熱部の厚さとの３つの構成要素の厚さ分、ＩＣチップ実装パッケージの厚さが増すことになる。しかしながら、本発明のＩＣチップ実装パッケージの構成によれば、上記拡散部は半導体基板の上記表面に埋設されているので厚さは増加せず、よって、吸熱部の厚さのみ、もしくは放熱部のみの１つの構成要素の厚さ分、ＩＣチップ実装パッケージの厚さが増すだけで放熱機能を実現することができる。

従って、本発明の構成によれば、吸熱部として機能する上記第１の導電部材の上にＩＣチップを設けることによって、従来のＩＣチップ実装パッケージほどその厚さを増加させることなく、放熱機能を実現したＩＣチップ実装パッケージを提供することができる。

また、本発明に係る表示駆動装置は、上記した構成を備えたＩＣチップ実装パッケージのＩＣチップとして、表示用駆動ＩＣを実装していることを特徴としている。

本発明に係るＩＣチップ実装パッケージは、以上のように、半導体基板と、出入力端子群を有するＩＣチップとを備え、上記ＩＣチップから発生する熱を吸収する吸熱部と、該吸熱部で吸収した熱を放熱する放熱部と、該吸熱部で吸収した熱を該放熱部に移行させる拡散部とを有する放熱素子を、上記半導体基板における上記ＩＣチップが搭載される側の表面に設けているＩＣチップ実装パッケージであって、上記拡散部は、上記表面と面一になるように半導体基板に埋設されており、半導体基板の上記表面側に、上記吸熱部と放熱部とが互いに並設されており、上記ＩＣチップは、上記吸熱部の上に設けられていることを特徴としている。また、本発明に係るＩＣチップ実装パッケージは、以上のように、ＩＣチップを搭載した半導体基板を有するＩＣチップ実装パッケージであって、上記半導体基板の一表面側には、複数のＰ型拡散領域及びＮ型拡散領域が形成されており、上記一表面側には、１つの上記Ｐ型拡散領域と１つの上記Ｎ型拡散領域との間に位置し、該Ｐ型拡散領域とＮ型拡散領域とを電気的に接続するための第１の導電部材が設けられており、上記１つのＰ型拡散領域と、上記１つのＮ型拡散領域と、Ｐ型拡散領域とＮ型拡散領域との間の第１の導電部とは、１つの列を構成しており、上記列は、互いに平行になるように、且つ隣り合う２つの上記列における一方の列のＰ型拡散領域と他方の列のＮ型拡散領域とが隣り合うように、複数設けられており、上記一表面側には、全ての上記列によって１つの蛇行形状の電流経路が形成されるように隣り合う上記列同士を電気的に接続する第２の導電部材が設けられており、上記第１の導電部材の上に、上記ＩＣチップを配設していることを特徴としていると言うこともできる。

以上の構成とすれば、従来のＩＣチップ実装パッケージよりもその厚さを薄くさせた状態で、ＩＣチップに発生する熱を効果的に放熱させることが可能なＩＣチップ（液晶ドライバ）実装パッケージを提供することができる。

〔実施の形態１〕
本発明に係るＩＣチップ実装パッケージの一実施形態を、その一例である液晶ドライバ実装パッケージに基づいて説明する。なお、以下の説明では、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲が以下の実施形態および図面に限定されるものではない。また、本実施形態では、液晶表示体を駆動すべく構成された液晶ドライバ実装パッケージについて説明するが、本発明のＩＣチップ実装パッケージは、これに限定されるものではない。すなわち、ＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示体の駆動素子や、各種携帯用電子機器などの装置内部に搭載される素子の実装用パッケージとして適用することが可能である。

図１は、本発明の一実施形態である液晶ドライバ実装パッケージの構成を示した平面図である。また、図２は、図１に示す液晶ドライバ実装パッケージ１ａを切断線Ａ−Ａ’において切断した状態を示した矢視断面図である。

本実施形態の液晶ドライバ実装パッケージ１ａは、表示面を有する液晶表示体を駆動すべく当該表示面の周辺において当該液晶表示体に隣接配置される液晶表示体駆動装置として用いることができる。そのため、本実施形態における液晶ドライバ実装パッケージ１ａは、図１に示すように、フィルム基材（パッケージ基材）２と、液晶ドライバ（ＩＣチップ）３と、ドライバソケット（半導体基板）４ａと、フィルム上配線５・６と、ソルダーレジスト７を備えている。

上記フィルム基材２には、図２に示すように、デバイスホール８と呼ばれる穴部が形成されており、このデバイスホール８の周辺部にフィルム上配線５・６が形成されている。

上記フィルム上配線５・６は、デバイスホール８側の一端が、第１のバンプ９を介してドライバソケット４ａ上の端子（後述するフィルム基材接続用端子）と接続されている。詳細は後述するが、ドライバソケット４ａ上のソケット上配線は液晶ドライバ３の液晶駆動用回路と導通していることから、フィルム上配線５・６は、ドライバソケット４ａを介して、液晶ドライバ３の液晶駆動用回路と導通している。すなわち、フィルム上配線５は、液晶ドライバ３から出力された信号（例えば駆動信号）を図示しない液晶表示体に送るための出力用配線であり、フィルム上配線６は、制御信号（例えば画像データ信号）を液晶ドライバ３に入力するための入力用配線である。上記フィルム上配線５・６上には、該配線の絶縁と保護を行うソルダーレジスト７が形成されている。

また、上記液晶ドライバ３は、図２に示されているように、フィルム基材２に設けられたデバイスホール８に挿入されるように配設されている。液晶ドライバ３は、液晶表示体を駆動するために設けられているため、複数の液晶駆動用回路（不図示）が設けられている。液晶駆動用回路には、図２に示すように、駆動信号を出力するための駆動信号出力用端子３ａ（出入力端子群）と、画像データ信号等を入力するための信号入力用端子３ｂ（出入力端子群）とが設けられている。駆動信号出力用端子３ａ及び信号入力用端子３ｂの上には、第３のバンプ１０が形成されている。

尚、液晶ドライバ３は、多出力で、第３のバンプ１０がファインピッチ化を実現したピッチとなっている。具体的には、０μｍを超え、２０μｍ以下のピッチとなるように構成されている。

上記ドライバソケット４ａは、図２に示すように、一表面上において、液晶ドライバ３とフィルム基材２と導通している。具体的には、ドライバソケット４ａには、該一表面上に、第１のバンプ９と、第２のバンプ１１と、ソケット上配線（配線、メタル配線）（不図示）、液晶ドライバ接続用端子（ＩＣチップ側接続端子群、液晶ドライバ側接続端子群）（不図示）と、フィルム基材接続用端子（パッケージ基材側接続端子群）（不図示）とが設けられている。そして、図２に示すように、フィルム基材２とドライバソケット４ａとが、第１のバンプ９によって導通している。また、液晶ドライバ３とドライバソケット４ａとが、第２のバンプ１１と第３のバンプ１０とを接続することによって導通している。

ドライバソケット４ａの材料としては、半導体材料を用いることができ、シリコンを用いることが好ましい。ドライバソケット４ａのサイズとしては、特に限定されるものではないが、例えば、２ｍｍ×２０ｍｍで、厚さ４００μｍとすることができる。

さらに、ドライバソケット４ａの第１のバンプ９と第２のバンプ１１との間と、ドライバソケット４ａの側面と、液晶ドライバ３を実装する面とは反対側の面とには、図２に示すように、金属薄膜３０が形成されている。

図３は、液晶ドライバ３が実装された状態のドライバソケット４ａを示した平面図である。上記金属薄膜３０は、図３に示すように、ドライバソケット４ａにおける第１のバンプ９と第２のバンプ１１とが形成されている面における、第１のバンプ９と第２のバンプ１１との間にあって、且つ実装された液晶ドライバ３が重畳する部分を除く領域に形成されている。そして、金属薄膜３０は、ドライバソケット４ａにおける第１のバンプ９及び第２のバンプ１１が形成されていない辺から、ドライバソケット４ａの側面に沿って、液晶ドライバ３を実装する面とは反対側の面に至るまで形成されている。金属薄膜３０は、後述する放熱効果を実現する際に、放熱を補助する機能を有する。尚、金属薄膜３０の具体的な作用については後述する。金属薄膜３０は、伝熱性の高い銅やアルミから構成することができ、例えば、厚さ１００μｍとすることができる。尚、この材料や厚さに限定されるものではない。

そして、液晶ドライバ実装パッケージ１ａは、図２に示すように、フィルム基材２のデバイスホール８と、フィルム上配線５・６と、ドライバソケット４ａの第１及び第２のバンプと、金属薄膜３０とが設けられている一面を被覆するように、接続部を外部環境から保護する充填材１５が設けられている。

次に、ドライバソケット４ａの詳細な構成について説明する。

本実施形態における液晶ドライバ実装パッケージ１ａは、ドライバソケット４ａに特徴的な構成を有している。具体的には、まず１つ目として、ドライバソケット４ａ上において、フィルム基材と接続するための端子のピッチが、液晶ドライバと接続するための端子のピッチよりも広く構成されている点である。そして、２つ目として、ドライバソケット４ａの液晶ドライバ３実装側の表面に液晶ドライバ３から発生した熱を放熱させる放熱機能が形成されている点である。そこで、以下の説明では、まず、１つ目の構成について説明する。

図４は、図３に示した液晶ドライバ３及びドライバソケット４ａの構成から、液晶ドライバ３を除いた後の状態を示した平面図である。また、図５は、図４に示したドライバソケット４ａから金属薄膜３０を除いた後の状態を示した平面図である。

図４に示すように、実装されていた液晶ドライバ３をドライバソケット４ａ上から取り払うと、液晶ドライバ３が実装されていた部分に、液晶ドライバ３の駆動信号出力用端子３ａ及び信号入力用端子３ｂに接続する液晶ドライバ接続用端子１２が形成されている。さらにドライバソケット４ａ上には、図４に示すように、フィルム基材２のフィルム上配線５・６の端子と接続するフィルム基材接続用端子１３と、当該液晶ドライバ接続用端子１２とフィルム基材接続用端子１３とを接続するソケット上配線１４とが設けられている。すなわち、ドライバソケット４ａには、その中心付近に液晶ドライバ接続用端子１２が設けられており、ドライバソケット４ａの外周付近にフィルム基材接続用端子１３が設けられている。

液晶ドライバ接続用端子１２上には、図４及び図５に示すように第２のバンプ１１が設けられている。また、フィルム基材接続用端子１３上には第１のバンプ９が設けられている。第２のバンプ１１は、液晶ドライバ３の駆動信号出力用端子３ａ及び信号入力用端子３ｂに設けられた第３のバンプ１０と合致するように構成されている。言い換えれば、第２のバンプ１１のピッチは、液晶ドライバ３における駆動信号出力用端子３ａ及び信号入力用端子３ｂに設けられた第３のバンプ１０と同ピッチとなっている。そのため、上記したように、液晶ドライバ３の第３のバンプ１０は、０μｍを超え、２０μｍ以下のファインピッチ化を実現したピッチとなっていることから、第２のバンプ１１のピッチも図４に示すように、２０μｍ以下のファインピッチとなるように構成されている。

一方、ドライバソケット４ａの外周付近に設けられた第１のバンプ９のピッチは、第２のバンプ１１のピッチよりも広く構成されている。具体的には、図４に示すように、５０μｍ以上のピッチを有している。

すなわち、ドライバソケット４ａにおけるフィルム基材２側の接続端子（フィルム基材接続用端子１３）は、液晶ドライバ３側の接続端子（液晶ドライバ接続用端子１２）よりもピッチが大きく形成されている。これにより、ドライバソケット４ａの第１のバンプ９によって接続されるフィルム基材２のフィルム上配線５・６の端子のピッチを、第１のバンプ９のピッチに合わせて５０μｍ以上のピッチで形成することができる。

このように、本実施形態の液晶ドライバ実装パッケージ１ａの構成によれば、ドライバソケット４ａにおいて、液晶ドライバ３側の接続端子を、液晶ドライバ３の端子のピッチに合わせて形成し、フィルム基材２側の接続端子を、液晶ドライバ３側の接続端子よりもピッチを拡大させている。従って、液晶ドライバ３が多出力であり、液晶ドライバ３の端子がファインピッチで形成されている場合であっても、フィルム基材２のフィルム上配線５・６のピッチを当該多出力のピッチに合わせてファインピッチで構成する必要がない。すなわち、フィルム基材２のフィルム上配線５・６（インナーリード）は、ファインピッチで構成する必要がなく、既存の技術を用いて５０μｍ以上のピッチで形成することができる。そのため、銅箔厚を薄くする等の技術革新やそれに対応するための新規加工機器等の設備を備える必要はなく、技術面やコスト面の増加を著しく抑えた液晶ドライバ実装パッケージを提供することができる。

また、ドライバソケット４ａの配線の最小ピッチは２０μｍでよく、古い設備で作成可能である。このような古い設備での製造は最新の設備を使用して作成したものと比較して製造コストを抑えることができる。そのため、ドライバソケット４ａ及びフィルム基材２の双方を低コストで製造することができる。よって、本発明の液晶ドライバ実装パッケージの構成とすれば、多出力の液晶ドライバを実装した液晶ドライバ実装パッケージを安価で提供することができる。

また、ドライバソケット４ａを備えることによって、液晶ドライバ３の端子のピッチを、フィルム基材２の端子ピッチを考慮することなく、可能な限りファインピッチ化することができる。これにより、液晶ドライバ３のチップサイズを縮小することができる。従って、コストの低減を実現することができる。以上のことから、本発明の構成とすることにより、技術革新を必要とすることなく、既存の技術を用いて、ファインピッチの液晶ドライバを実装した液晶ドライバ実装パッケージを提供することができる。

ところで、上記液晶ドライバ３のように微細化、高集積化が進められた集積回路は、内部回路の発生する熱が多大となり、パッケージ化における放熱設計が課題となる。すなわち、動作時に放熱が円滑にされないと回路動作に異常をきたしたり、装置そのものを故障させたりする。そのため、従来公知の半導体装置のパッケージは、パッケージ基材に熱伝導率の高い材料を用いる等して効率の良い放熱を図っている。また、表示装置を駆動するためのドライバを実装したパッケージは、ドライバを封じる樹脂も少なく、パッケージの放熱性は悪くは無いが、上記したように、ドライバチップの縮小化を行った場合、ドライバチップの表面積も同時に縮小されるため、ドライバ表面からの放熱量も必然的に少なくなり、放熱効率が悪くなるという問題が生じる。この問題は、例えば、本実施形態のドライバソケット４ａにおいて後述する放熱素子が設けられてないものであっても、縮小化されたドライバチップからドライバソケットに放熱される放熱量は放熱効率を改善するほどではない。そのため、ドライバソケットを使用してドライバチップを縮小する手法を用いた場合、ドライバチップの発熱を効率的にドライバソケットに伝達し、より放熱面積の多いドライバソケットにて効率よく放熱を行うことが必要となる。

そこで、次に、本実施形態のドライバソケット４ａの２つ目の特徴である放熱機能について説明する。

図６は、図５に示した構成のうちのソケット上配線を、説明の便宜上、表面に現した構造である。また、図７は、図５に示したドライバソケット４ａから、液晶ドライバ接続用端子１２、第２のバンプ１１、フィルム基材接続用端子１３、第１のバンプ９、ソケット上配線１４とを取り除いた状態を示している。

図７に示すように、ドライバソケット４ａの表面には、複数のＰ型拡散領域（図中のＰ）及びＮ型拡散領域（図中のＮ）が形成されている。１つのＰ型拡散領域と１つのＮ型拡散領域との間には、第１の導電部材３１（吸熱部）が配設されており、該第１の導電部材３１は、コンタクト部を介して該Ｐ型拡散領域（図中のＰ）及び該Ｎ型拡散領域と接続している。

そして、「１つのＰ型拡散領域」と「第１の導電部材」と「１つのＮ型拡散領域」とが１つの構造体を形成している。本実施形態における上記構造体は、Ｐ型拡散領域と第１の導電部材とＮ型拡散領域とが各々細長い形状を有しており、第１の導電部材３１の長手方向の両方の端部と、Ｐ型拡散領域及びＮ型拡散領域の長手方向の端部とがコンタクト部３３を介して接続された細長い構造となっている。そして、この細長い上記構造体は、第１の導電部材３１をドライバソケット４ａの表面の中心部分に配置して、長手方向を互いに平行して複数形成されている。この際、隣り合う２つの構造体は、一方の構造体のＰ型拡散領域が、他方の構造体のＮ型拡散領域と隣り合うように設けられている。

上記構造体同士の接続は、次の通りである。例えば、平行に配列した複数の構造体の最も左側に位置する構造体を第１の構造体３４−１として、第１の構造体３４−１に隣り合う構造体を第２の構造体３４−２、続いて、第３、第４と続き、最後、すなわち最も右側に位置する構造体を第ｎの構造体３４−ｎとすると、第１の構造体３４−１のＮ型拡散領域には、図示しない電源と接続する第２の導電部材３２（放熱部）が、コンタクト部３３を介して形成されている。そして、第１の構造体３４−１のＰ型拡散領域における第１の導電部材３１と接続されていない側にも第２の導電部材３２が形成されていて、コンタクト部を介して電気的に導通しているが、この第２の導電部材３２は、隣り合う第２の構造体３４−２のＮ型拡散領域における第１の導電部材３１と接続されていない側とも、コンタクト部を介して電気的に導通している。また、第２の構造体３４−２のＰ型拡散領域における第１の導電部材３１と接続されていない側には、隣り合う第３の構造体３４−３のＮ型拡散領域における第１の導電部材３１と接続されていない側と共通の第２の導電部材３２が、コンタクト部３３を介して電気的に導通している。また、第３の構造体３４−３のＰ型拡散領域における第１の導電部材３１と接続されていない側には、隣り合う第４の構造体３４−４のＮ型拡散領域における第１の導電部材３１と接続されていない側と共通の第２の導電部材３２が、コンタクト部３３を介して電気的に導通している。このように、構造体同士が第２の導電部材３２によって接続され、第ｎの構造体３４−ｎのＰ型拡散領域における第１の導電部材３１と接続されていない側には、接地するように構成された第２の導電部材３２、すなわち接地（ＧＮＤ）電極が、コンタクト部３３を介して形成されている。

すなわち、上記構造体同士は、第２の導電部材３２によって直列に接続され、ドライバソケット４ａの表面にて、１つの蛇行形状の電流経路を形成する「ペルチェ素子」を形成している。そのため、図示しない電源と接地電極との間に電位差をかけることによって、ドライバソケット４ａの表面において、第１の導電部材３１から、拡散領域（Ｐ型拡散領域及びＮ型拡散領域）を通じて第２の導電部材３２まで、熱を移行する機構が形成される。言い換えれば、第１の導電部材３１は、吸熱効果を奏する吸熱部として機能し、第２の導電部材３２は、第１の導電部材３１によって吸収され拡散領域を移行した熱を外部へ放熱する放熱効果を奏する放熱部として機能する。

そこで、本実施形態では、図６に示すように、ドライバソケット４ａの液晶ドライバ接続用端子１２を、上記構造体と構造体の間の拡散領域によって挟まれた領域に形成する。これにより、図３に示すように実装された液晶ドライバ３から発生した熱は、吸熱部である第１の導電部材３１から、拡散領域（Ｐ型拡散領域及びＮ型拡散領域）を介して、放熱部である第２の導電部材３２まで移行し、第２の導電部材３２から外部に放熱される。尚、本実施形態では液晶ドライバ接続用端子１２を上記構造体と構造体の間の拡散領域によって挟まれた領域に形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、吸熱部に配置してもよい。

本実施形態における電源の配線は、まず外部電源（不図示）が、図６に示すように、ドライバソケット４ａのソケット上配線１４の或る端子（フィルム基材接続用端子１３）の第１のバンプ９’と接続しており、第１のバンプ９’からドライバソケット４ａ上のソケット上配線１４により、液晶ドライバ３の端子３ａ及び３ｂへつながっている。そして、ドライバソケット４ａ上の、図示しない液晶ドライバ３のＧＮＤパッドと接続する液晶ドライバ用ＧＮＤパッド１１’は、ペルチェ素子の電源接続用の第２の導電部材３２へつながるように構成され、さらに、ペルチェ素子の接地電極（第２の導電部材３２’）は、ドライバソケット４ａの接地電極（第１のバンプ９”）に接続されている。すなわち、ペルチェ素子とドライバソケット４ａとのＧＮＤを共通にしている。

このような配線構造を形成することによって、本実施形態の液晶ドライバ実装パッケージ１ａは、液晶ドライバ３で消費される消費電流量が、ペルチェ素子に流れる電流の電流量と同じになり、液晶ドライバ３での消費電流量に見合った放熱効果を実現することができる。すなわち、液晶ドライバ３の発熱量は、液晶ドライバ３の消費電流が多くなればなるほど多くなる。そこで、液晶ドライバ３で消費される消費電流量が、ペルチェ素子に流れる電流の電流量と同じにすることよって、発熱量が多くなった時に放熱量が多くなるので、液晶ドライバ３に残存する熱量を常に一定に保つことができる。

さらに、本実施形態のドライバソケット４ａには、図２に示したように、金属薄膜３０が形成されている。金属薄膜３０は、第２の導電部材３２と接触していて、第１の導電部材３１及び第２の導電部材３２を覆うように形成されている。このように形成されることによって、第２の導電部材３２から放熱しようとする熱を、金属薄膜３０に移行させることができるので、効率よく放熱させることが可能となる。すなわち、金属薄膜３０は、放熱効果を奏する放熱補助膜と言える。そして、この金属薄膜３０が、上記したように、ドライバソケット４ａの側面に沿って、液晶ドライバ３を実装する面とは反対側の面に至るまで形成されている。

ここで、本実施形態のドライバソケット４ａの、液晶ドライバ３を実装する面とは反対側の面（対面）は、外部環境に露出している。すなわち、該対面に形成された金属薄膜３０は、外気と接触していることになる。そのため、対面に形成された金属薄膜３０からさらに効率的な放熱を行うことができる。このとき、外気が流動していれば、放熱効果はより高められる。

尚、上記対面を他の放熱体に接続することにより、放熱の効率を上げることが可能となる。他の放熱体として、ヒートシンクを接続することも考えられるが、液晶表示装置への実装を考えた場合、現実的ではない。液晶表示装置の場合、筐体への接続を行うことにより放熱の効率化が可能である。

次に、以上のような特徴を有するドライバソケット４ａの製造方法を図８を用いて説明する。図８は、図５に示すドライバソケット４ａを切断線Ａ−Ａによって切断した上体を示した矢視断面図である。

まず、拡散領域形成工程として、ドライバソケット４ａの大きさに分断される前のウエハの状態で、ウエハにイオン注入を行ってＰ型の拡散領域とＮ型の拡散領域とを形成する。そして、Ｐ型拡散領域とＮ型拡散領域を形成したウエハ表面に保護膜３５を形成する（図８の（ａ））。形成したＰ型の拡散領域とＮ型の拡散領域とは、個々のドライバソケット４ａに分断された際のＰ型拡散領域とＮ型拡散領域とに相当する。

尚、ウエハがＰ型の場合、Ｐ型の拡散は、ウエハと電気的に絶縁するため、Ｎ型拡散のウエルを作成しておく必要があるが、図面が複雑になるため、図示を省略する。

次にソケット上配線形成工程として、上記保護膜にコンタクト（穴）を形成した後、図７に示すソケット上配線１４となる下層メタル３６を形成する。さらに、下層メタル３６上に保護膜３５を形成した後、平坦化処理を行う（図８の（ｂ））。

そして、図８の（ｃ）に示すように下層メタル３６上に形成された保護膜３５にコンタクト部（穴）をした後、ペルチェ素子形成工程として、第１の導電部材３１と第２の導電部材３２とコンタクト部３３となる上層メタルと、上層メタル３７上に保護膜３５を形成する（図８の（ｄ））。

このようにコンタクト部３３を介して、第１のＮ型拡散領域及びＰ型拡散領域から、第ｎの構造体３４−ｎのＮ型拡散領域及びＰ型拡散領域（第ｎのＮ型拡散領域及びＰ型拡散領域と記載する）までを、第１の導電部材３１と第２の導電部材３２で直列に接続した後に、第ｎのＰ型拡散領域を、接地電極となる第２の導電部材３２に、コンタクト部を介して接続する。

そして最後に、図８の（ｅ）に示すように、上層メタル３７上に形成した保護膜３５にコンタクト部（穴）を形成して、下層メタル３６（ソケット上配線１４）と電気的に導通するバンプ９・１１を形成する。

ここまでの工程を経たウエハは、個々のドライバソケット４ａの大きさにダイシングされ（ダイシング工程）。

上記ダイシング工程によって得られた個々のドライバソケット４ａに対して、金属薄膜形成工程では、第１の導電部材３１及び第２の導電部材３２の上層に、第２の導電部材３２と接触させるように、金属薄膜３０を形成する。具体的には、蒸着によって形成することができる。さらに、この工程では、ドライバソケット４ａの側面（つまり、ダイシング面）と、液晶ドライバ３を実装する面とは反対側の面とにも金属薄膜３０を形成し、液晶ドライバ３を実装する面から、該反対側の面に、連続した金属薄膜３０を形成する。

以上の各工程を経て、図４に示すドライバソケット４ａ製造を製造することができる。

以上のように、本実施形態の構成によれば、第１の導電部材３１、第２の導電部材３２、及び、第１の導電部材３１と第２の導電部材３２との間に位置するＰ型拡散領域（もしくは上記Ｎ型拡散領域）によって、ペルチェ素子を構成することができ、電流が流れることによって、ペルチェ効果を実現することができる。これにより、第１の導電部材３１が、液晶ドライバ３から発生する熱を吸収する吸熱部として機能し、Ｐ型拡散領域及びＮ型拡散領域が、その熱を移行し、第２の導電部材３２が、移行した熱を放熱する放熱部として機能する。

すなわち、本実施形態の液晶ドライバ実装パッケージ１ａは、吸熱部と、拡散領域と、放熱部とが、積層された状態ではなく、ドライバソケット４ａの表面の上で、該表面に沿って並んで設けられている。これに対して、従来の場合は、吸熱部と、拡散部と、放熱部とに相当する構成が、ドライバソケット４ａに相当する半導体基板の表面に積層されて設けられているため、吸熱部の厚さと、拡散領域の厚さと、放熱部の厚さとの３つの構成要素の厚さ分、パッケージの厚さが増すことになる。しかしながら、本実施形態の構成によれば、拡散領域はドライバソケット４ａの表面に埋設されているので厚さは増加せず、よって、吸熱部の厚さのみ、もしくは放熱部のみの１つの構成要素の厚さ分、パッケージの厚さが増すだけで放熱機能を実現することができる。

従って、本実施形態の構成によれば、従来のパッケージほどその厚さを増加させることなく、放熱機能を実現することができる。

尚、本実施形態では、金属薄膜３０を備えた構成について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、金属薄膜３０を備えない構成であってもよい。そこで、以下に、金属薄膜３０を備えない構成について図９を用いて説明する。

図９は、他の構成ドライバソケットを備えた本発明の液晶ドライバ実装パッケージ１ｂの断面図であり、図３及び図４に示したドライバソケット４ａとの違いは、金属薄膜３０を備えない点と、ドライバソケット４ｂにおける液晶ドライバ３実装面とは反対側の面にも樹脂からなる充填材１５が形成されているという点にある。

このような構成の液晶ドライバ実装パッケージ１ｂは、ペルチェ素子で吸熱された熱が第２の導電部材３２から充填材１５に伝わり、液晶ドライバ３実装面とは反対側の面へ伝わって外部へ放熱される。

また、液晶ドライバ実装パッケージ１ａのドライバソケット４ａのように、その周囲を金属薄膜３０によって被覆しないまでも、ドライバソケットの側面、及びドライバソケットの液晶ドライバ３実装面とは反対側の面にのみ、金属薄膜３０を形成した構成であってもよい。この構成を、図１０を用いて説明する。

図１０は、他の構成ドライバソケットを備えた本発明の液晶ドライバ実装パッケージ１ｃの断面図であり、ドライバソケットの液晶ドライバ３実装面には金属薄膜は無く、ドライバソケットの側面、及びドライバソケットの液晶ドライバ３実装面とは反対側の面に金属薄膜３０を形成した構成である。この場合、充填材１５は、ドライバソケットの液晶ドライバ３実装面のみならず、ドライバソケット１ｃの側面に形成された金属薄膜３０に接触している。そのため、この液晶ドライバ実装パッケージ１ｃでは、放熱素子（ペルチェ素子）で吸熱された熱が、第２の導電部材３２により、樹脂からなる充填材１５へ伝わり、樹脂に伝わった熱が、ドライバソケットの側面の金属薄膜３０に伝わり、さらに、ドライバソケットの液晶ドライバ３実装面とは反対側の面の金属薄膜３０に伝わって、外部に放熱される。

また、上記以外でも、図１１に示す構成を備えた液晶ドライバ実装パッケージ１ｄであっても良い。図１１は、ドライバソケット１ｄの液晶ドライバ３実装面に対向する面のみ、金属薄膜３０が形成された構成となっている。この液晶ドライバ実装パッケージ１ｄの場合、充填材１５は、ドライバソケットの液晶ドライバ３実装面とは反対側の面に形成された金属薄膜３０に接触するように設けられている。よって、放熱素子（ペルチェ素子）で吸熱された熱が、第２の導電部材３２から、充填材１５内を液晶ドライバ３実装面とは反対側の面の端部まで伝わり、該面に形成された金属薄膜３０に伝わって、外部へ放熱される。

尚、本発明のＩＣチップ実装パッケージは、以下の構成を特徴としていると換言することができる。
すなわち、ＩＣチップ実装パッケージは、実装ＩＣが発する熱を吸熱する吸熱部分と、前記吸熱部分の熱が移動する放熱部分とを、表面に備えた半導体基板を備えたことを特徴としていると換言することができる。
また、この構成について、吸熱部分と放熱部分とをペルチェ効果により作成することが好ましく、半導体基板表層にＮ型拡散領域とＰ型拡散領域を作成し第1の接続用メタル、第１のＮ型拡散領域、第１の吸熱メタル、第１のＰ型拡散領域、第１の放熱メタル、第２のＮ型拡散領域、第２の吸熱メタル、第２のＰ型拡散領域、第２の放熱メタル・・・第ｎ−１の放熱メタル、第ｎ−１のＮ型拡散領域、第ｎ−１の吸熱メタル、第ｎ−１のＰ型拡散領域、第ｎの放熱熱メタル、第ｎのＮ型拡散領域、第ｎの吸熱メタル、第ｎのＰ型拡散領域、第２の接続用メタルの順に接続し、第１吸熱メタルから第ｎ吸熱メタルに部にＩＣを実装することが好ましく、上記半導体基板の第１の接続用メタルから第２の接続用メタルへ電流を流すことにより、ペルチェ効果を発生させることが好ましく、また、上記電流が表示用駆動ＩＣの消費電流と同等であることが好ましい。
そして、さらに上記の構成において、出入力端子群を有するＩＣチップと、上記ＩＣチップを実装するための、接続端子群を有するパッケージ基材とを備えたＩＣチップ実装パッケージで、上記ＩＣチップとパッケージ基材とは、上記接続端子群と接続するように構成されたパッケージ基材側接続端子群と、上記出入力端子群と接続するように構成されたＩＣチップ側接続端子群と、当該パッケージ基材側接続端子群及びＩＣチップ側接続端子群を接続する配線とを有した半導体基板を用いて接続されており、上記ＩＣチップ側接続端子群のピッチは、上記出入力端子群のピッチと合致するように構成されており、上記パッケージ基材側接続端子群は、上記ＩＣチップ側接続端子群の最小ピッチを下回ることのないピッチを有していることを特徴とするＩＣチップ実装パッケージであり、上記半導体基板が、上記の構成を有するものであることが好ましい。
さらには、上記半導体基板が、流動体に触れる面に、熱を伝える構造をもつことが好ましく、上記半導体基板が、流動体に触れる面に、熱をメタルにより伝える構造をもつことが好ましく、上記半導体基板が、流動体に触れる面に、熱を樹脂により伝える構造をもつことが好ましい。
また、本発明は、上記した実装用パッケージに表示用駆動ＩＣを実装したことを特徴とした表示駆動装置と換言することもできる。

〔実施の形態２〕
本発明にかかる他の実施の形態について、図１２に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本実施の形態では、上記実施の形態１との相違点について説明するため、説明の便宜上、実施の形態１で説明した部材と同一の機能を有する部材には同一の部材番号を付し、その説明を省略する。また、説明の便宜上、図１２では、実施の形態１において説明した放熱素子を省略する。

図１２は、本実施形態の液晶ドライバ実装パッケージ１ｅのドライバソケット（半導体基板）４ｂの構成を示した斜視図である。図１２に示す液晶ドライバ実装パッケージ１ｂのドライバソケット４ｂは、上記実施の形態１にて説明した液晶ドライバ実装パッケージ１ｅのドライバソケット４ａに代えて、多層構造のソケット上配線１４’を有したドライバソケット４ｂを備えている。

フィルム基材接続用端子１３と、液晶ドライバ接続用端子１２を接続する配線１４が単層の場合、フィルム基材接続用端子１３の端子順と、液晶ドライバ接続用端子１２の端子順は同一の順番でしか構成できないが、配線を多層にすることにより、図１２のように配線を交差することが可能になるため、フィルム基材接続用端子１３の端子順と、液晶ドライバ接続用端子１２の端子順を入れ替えることが可能となる。

例えば、液晶ドライバ実装パッケージを液晶表示体に実装する際に、液晶ドライバの入力側端子は、液晶表示体のタイプに応じて、変更が必要となる場合がある。このような場合、液晶ドライバがフィルム基材に直接接続されている構成の場合、液晶ドライバ自体の変更が必要となる。しかしながら、図１２に示した液晶ドライバ実装パッケージ１ｅであれば、ドライバソケット４ｂを備えていることによって、ドライバソケット４ｂ上で配線を入れ替えることができる。ドライバソケット４ｂは、上記したように、半導体プロセスによって製造することができ、液晶ドライバ３のように微細プロセスを必要としないことから、液晶ドライバ自体を変更する場合と比較して、コストを抑えて対応することができる。

〔実施の形態３〕
本発明にかかる他の実施の形態について、図１３ないし図１６に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本実施の形態では、上記実施の形態１との相違点について説明するため、説明の便宜上、実施の形態１で説明した部材と同一の機能を有する部材には同一の部材番号を付し、その説明を省略する。また、説明の便宜上、図１３ないし図１６では、実施の形態１において説明した放熱素子を省略する。

上記実施形態１の液晶ドライバ実装パッケージ１ａのドライバソケット４ａは、図４に示したように、液晶ドライバ接続用端子１２と、フィルム基材接続用端子１３と、当該液晶ドライバ接続用端子１２とフィルム基材接続用端子１３とを接続するソケット上配線１４とが設けられている。これに対して、図１３ないし図１６に示す本実施形態における液晶ドライバ実装パッケージ１ｃ〜１ｆは、上記の構成に加えて、ドライバソケットに他の素子を配設している。以下に、液晶ドライバ実装パッケージ１ｆ〜１ｉについてそれぞれ説明する。

図１３は、液晶ドライバ実装パッケージ１ｆのドライバソケット４ｃの構成を示す斜視図である。液晶ドライバ実装パッケージ１ｆでは、液晶ドライバ接続用端子１２と、フィルム基材接続用端子１３と、ソケット上配線１４とに加えて、電源回路（電源素子）１６及び出力駆動バッファー（出力バッファー素子）１７を備えている。

液晶ドライバ３とドライバソケット４ｃとは、別のプロセスで製造されるため、ドライバソケット４ｃを例えば電源回路１６が作成しやすいプロセスで作成し、ドライバソケット４ｃ上の電源回路１６で作成した電圧を液晶ドライバ３に供給することが可能となる。

液晶ドライバの液晶パネルの駆動能力は、実装される液晶表示体の大きさ等により決定される負荷容量を十分駆動できる能力が必要であるが、必要以上に大きくすると液晶ドライバが大きくなるという問題が生じる。そこで、図１３のドライバソケット４ｃに示すように、出力駆動バッファー１７を搭載することにより、液晶ドライバ３の駆動能力を小さく作成しておき、ドライバソケットの出力駆動バッファーのサイズを液晶表示体に合わせて変更することにより、種々の液晶表示体に対応可能であると共に、液晶ドライバ３のコストダウンを実現することができる。

なお、図１３のように出力駆動バッファー１７をドライバソケット４ｃに搭載する際、出力駆動バッファー１７は出力数に相当する数あるため、全出力分に相当する出力駆動バッファー１７をドライバソケット４ｃに搭載してもよく、一部の出力に相当する出力駆動バッファー１７をドライバソケット４ｃに搭載してもよい。また、液晶ドライバ３の出力部のオペアンプをドライバソケット４ｃ上に設けることによって、全出力分に相当する出力駆動バッファー１７を含む液晶駆動電圧の出力回路を全てドライバソケット４ｃ上で製造してもよい。オペアンプ等のアナログ回路がすべてドライバソケット４ｃ上で構成でき、液晶ドライバ３はロジック回路のみになり、液晶ドライバ３のチップ面積を飛躍的に小さくできる。このように構成することによって、ドライバソケット４ｃのコストは上がるが、ドライバソケット４ｃを安価なプロセスで作成することで、液晶ドライバ３でのコストダウンより少ないコストアップに抑え、全体としてコストダウンを実現することが可能となる。

また、図１３では、出力駆動バッファー１７を備えたドライバソケット４ｃについて説明したが、本発明のドライバソケットは、入力バッファーを備えるものであってもよい。これにより、液晶ドライバのコストダウンを実現することができる。また、液晶ドライバへの信号入力は、差動信号を使用したＲＳＤＳやＬＶＤＳ等のディスプレイ・インターフェース技術を使用した信号が入力されることが多い。これらの技術は規格に合わせたレシーバーを液晶ドライバに内蔵する必要がある。半導体基板に入力バッファーやレシーバーを構成することにより、規格の異なったインターフェースにも容易に対応可能になる。

図１４は、液晶ドライバ実装パッケージ１ｇのドライバソケット４ｄの構成を示す斜視図である。液晶ドライバ実装パッケージ１ｇでは、液晶ドライバ接続用端子１２と、フィルム基材接続用端子１３と、ソケット上配線１４とに加えて、冗長バッファー（冗長バッファー素子）１８を備えている。

液晶表示体の画素を結ぶ配線が途中で切断された場合、切断後のラインは表示不良となる。これを回避するため、切断ラインの反対側から駆動信号を入力して救済を行うことが知られている。この時、信号ラインの接続等により負荷が増えるため、通常の駆動バッファーより大きな駆動能力が必要になる。しかしながら、このような大きな冗長用バッファーを、微細プロセスで作成する液晶ドライバに搭載するのは、コストアップになる。そこで、本実施形態の液晶ドライバ実装パッケージ１ｇでは、冗長用バッファー１８をドライバソケット４ｄに搭載する。これにより、ドライバソケット４ｄでのコストアップを最小限にし、なお且つ、液晶ドライバ３のコストアップを防止することができる。

図１５は、液晶ドライバ実装パッケージ１ｈのドライバソケット４ｅの構成を示す斜視図である。液晶ドライバ実装パッケージ１ｈでは、液晶ドライバ接続用端子１２と、フィルム基材接続用端子１３と、ソケット上配線１４とに加えて、共通電源配線１９と、共通ＧＮＤ配線（共通接地配線）２０とを備えている。

液晶ドライバ３の場合、出力回路が多く、またアナログ回路が使用されているため、出力間で電源のインピーダンスが異なると出力電圧の差（出力間偏差）が発生する。この差を少なくするため、通常は、液晶ドライバで多層配線を使用し、幅広い電源配線を設ける必要がある。しかしながら、電源配線を配設することによって、配線層が１層多くなり、コストアップにつながる虞がある。そこで、本実施形態の液晶ドライバ実装パッケージ１ｈでは、ドライバソケット４ｅに共通配線（共通電源配線１９及び共通ＧＮＤ配線２０）を設け、液晶ドライバ３の各出力とドライバソケット４ｅの共通配線と接続するパッド及び電極を設けることによって、液晶ドライバ３での電源配線を省略すると共に、液晶ドライバ３の各出力間での電源インピーダンスの差を少なくすることができ、液晶ドライバ３の出力間偏差の低減が行われ、表示品位の向上を実現することが可能となる。

図１６は、液晶ドライバ実装パッケージ１ｉのドライバソケット４ｆの構成を示す斜視図である。液晶ドライバ実装パッケージ１ｉでは、液晶ドライバ接続用端子１２と、フィルム基材接続用端子１３と、ソケット上配線１４とに加えて、保護素子２１を備えている。

保護素子２１は、静電放電（ＥＳＤ：Electrostatic discharge）に対する保護回路である。静電放電は、組み立てラインの機械や人に帯電して、帯電した物から集積回路へ放電するモードや、集積回路のパッケージが帯電して、パッケージから外部へ放電するモードが考えられており、何れも数千ボルトに及ぶ静電放電を生じるため、集積回路の破壊を招く。特に、ドライバ実装パッケージ１ｉを液晶パネルへ実装する工程で、前者のモードによる帯電が生じてＥＳＤ破壊を生じる虞がある。そこで、この静電放電から液晶ドライバを保護するために、液晶ドライバ実装パッケージ１ｉでは、保護素子２１を備えている。

ＥＳＤでの破壊を防止するためには、保護素子２１自体の耐圧も必要になる。そのため、保護素子２１の内部回路の集積度が上がり微細化されても、保護素子２１自体は微細化できない傾向にある。液晶ドライバ実装パッケージ１ｉでは、保護素子２１を液晶ドライバ３ではなく、ドライバソケット４ｆに搭載している。液晶ドライバ３は微細プロセスにて製造するため、保護素子２１がないと液晶ドライバ３の集積度が上がり、チップサイズが小さくなってコストダウンを図ることができる。一方、ドライバソケット１は、液晶ドライバ３のような微細なプロセスを使用せずに製造することができるので、保護素子２１を搭載しても、保護素子を液晶ドライバに搭載する構成と比較して、コストアップを抑えることができる。

なお、本実施形態の液晶ドライバ実装パッケージは、ドライバソケット上に集積回路プロセスを使用した、素子を含むことを特徴としていると換言することができる。

また、本実施形態では、出力駆動バッファー及び電源回路、入力バッファー、電源回路、冗長バッファー、共通電源配線、共通ＧＮＤ配線、保護素子の何れかを備えた構成について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。

〔実施の形態４〕
本発明にかかる他の実施の形態について、図１７に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本実施の形態では、上記実施の形態１との相違点について説明するため、説明の便宜上、実施の形態１で説明した部材と同一の機能を有する部材には同一の部材番号を付し、その説明を省略する。また、説明の便宜上、図１７では、実施の形態１において説明した放熱素子を省略する。

上記実施形態１の液晶ドライバ実装パッケージ１ａの液晶ドライバ３は、図４に示したように、液晶ドライバ３の端子パッドが、液晶ドライバ３の対向する２辺に沿って、それぞれ一直線上に配列した構成である。そのため、ドライバソケット４ａの液晶ドライバ接続用端子１２は、液晶ドライバ３の端子パッドに対応して、図４に示したように、ドライバソケット４ａの対向する２辺に沿って、それぞれ一直線上に配列した構成となっている。これに対して、本実施形態の液晶ドライバ実装パッケージ１ｊは、端子パッドが液晶ドライバの全面に設けられた液晶ドライバ３’と、この端子パッドに対応するように、液晶ドライバ接続用端子及び第２のバンプ１１が設けられているドライバソケット４ｇとを備えている。

これにより、液晶ドライバ３’での出力回路（不図示）の配置の制約が少なくなり、液晶ドライバ３’の形状を、図４に示した長方形から正方形へ近い形状にすることができる。

液晶ドライバをはじめとする集積回路は、円形のウエハ上に複数作成される。そのため、ウエハ上に乗るチップの個数（乗り数）を多くするためにはチップ形状を正方形にするほうが良いことになる。そこで、本実施形態の液晶ドライバ実装パッケージ１ｇの構成とすることによって、液晶ドライバ３’形状を正方形に近い形状にできるため、液晶ドライバ３’の製造に伴うコストダウンが可能となる。

また、液晶ドライバ３’形状を正方形に近い形状にするために、ドライバソケット４ｇのソケット上配線１４を上記実施形態２のように多層構造とすることも可能である。

なお、本発明は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明のＩＣチップ（液晶ドライバ）実装パッケージは、ドライバＩＣで発生した熱を効果的にドライバＩＣ外部に放熱させる機能を備えた半導体基板に、多出力で、且つパッドがファインピッチ（例えば２０μｍ以下）で形成されているドライバＩＣを実装した場合であっても、従来技術の構成と比較してパッケージの厚さを薄く実現することができる。

従って、液晶表示体を駆動すべく構成された液晶ドライバ実装パッケージとして適用できるほか、ＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示体の駆動素子や、各種携帯用電子機器などの装置内部に搭載される素子の実装用パッケージとして適用することが可能である。

本発明の第１の実施形態に係る液晶ドライバ実装パッケージの構成を示す平面図である。 図１に示した液晶ドライバ実装パッケージを切断線Ａ−Ａ’において切断した状態を示した矢視断面図である。 図１に示した液晶ドライバ実装パッケージに設けられた液晶ドライバ及びドライバソケットの構成を示した斜視図。 図３に示した液晶ドライバ及びドライバソケットの構成から、液晶ドライバを除いた状態を示した平面図である。 図４に示したドライバソケットから金属薄膜を除いた状態を示した平面図である。 図５に示した構成において、説明の便宜上、ソケット上配線を上層に示した平面図である。 本実施形態の液晶ドライバ実装パッケージに設けられた放熱素子の構成について示した平面図である。 図５に示したドライバソケットの製造工程を説明した図である。 図１に示した液晶ドライバ実装パッケージにおける他の構造を示す断面図である。 図１に示した液晶ドライバ実装パッケージにおける他の構造を示す断面図である。 図１に示した液晶ドライバ実装パッケージにおける他の構造を示す断面図である。 本発明にかかる液晶ドライバ実装パッケージの他の実施形態を示しており、液晶ドライバ実装パッケージに設けられたドライバソケットの構成を示した斜視図である。 本発明にかかる液晶ドライバ実装パッケージの他の実施形態を示しおり、液晶ドライバ実装パッケージに設けられたドライバソケットの構成を示した斜視図である。 本発明にかかる液晶ドライバ実装パッケージの他の実施形態を示しおり、液晶ドライバ実装パッケージに設けられたドライバソケットの構成を示した斜視図である。 本発明にかかる液晶ドライバ実装パッケージの他の実施形態を示しおり、液晶ドライバ実装パッケージに設けられたドライバソケットの構成を示した斜視図である。 本発明にかかる液晶ドライバ実装パッケージの他の実施形態を示しおり、液晶ドライバ実装パッケージに設けられたドライバソケットの構成を示した斜視図である。 本発明にかかる液晶ドライバ実装パッケージの他の実施形態を示しおり、液晶ドライバ実装パッケージに設けられたドライバソケットと液晶ドライバの構成を示した斜視図である。 従来技術を示すものであり、ＴＣＰの構成を示す平面図である。 図１８の構成を、切断線Ｂ−Ｂ’において切断した状態を示した矢視断面図である。 従来技術を示すものであり、ＳＯＦの構成を示す平面図である。 図２０の構成を、切断線Ｂ−Ｂ’において切断した状態を示した矢視断面図である。 従来技術を示すものであり、ＢＧＡの構成（ワイヤーボンディング接続タイプ）を示す平面図である。 図２２の構成を、切断線Ｂ−Ｂ’において切断した状態を示した矢視断面図である。 従来技術を示すものであり、ＢＧＡの構成（フィリップチップ接続タイプ）を示す平面図である。 図２４の構成を、切断線Ｂ−Ｂ’において切断した状態を示した矢視断面図である。 従来技術を示すものであり、ペルチェ素子を備えた半導体装置の構成を示す断面図である。 図２６に示されたペルチェ素子の構成を模式的に示した図である。

符号の説明

１ａ〜ｊ 液晶ドライバ実装パッケージ（ＩＣチップ実装パッケージ）
２ フィルム基材（パッケージ基材）
３，３’ 液晶ドライバ（ＩＣチップ）
３ａ 駆動信号出力用端子（出入力端子群）
３ｂ 信号入力用端子（出入力端子群）
４ａ〜４ｇ ドライバソケット（半導体基板）
５ フィルム上配線
６ フィルム上配線
７ ソルダーレジスト
８ デバイスホール
９ 第１のバンプ
１０ 第３のバンプ
１１ 第２のバンプ
１２ 液晶ドライバ接続用端子（ＩＣチップ側接続端子群）
１３ フィルム基材接続用端子（パッケージ基材側接続端子群）
１４ ソケット上配線（配線、メタル配線）
１４’ ソケット上配線（多層配線、配線、メタル配線）
１５ 充填材
１６ 電源回路（電源素子）
１７ 出力駆動バッファー（出力バッファー素子）
１８ 冗長用バッファー（冗長バッファー素子）
１９ 共通電源配線
２０ 共通接地配線
２１ 保護素子
２２ 貫通電極
２３ 第４のバンプ
２４ 第２の充填材
２５ シリコン部材
３０ 金属薄膜（放熱補助膜）
３１ 第１の導電部材（吸熱部）
３２ 第２の導電部材（放熱部）
３３ コンタクト部
３４ 構造体
Ｎ Ｎ型拡散領域
Ｐ Ｐ型拡散領域

Claims (12)

1. 半導体基板と、出入力端子群を有するＩＣチップとを備えており、
   上記ＩＣチップから発生する熱を吸収する吸熱部と、該吸熱部で吸収した熱を放熱する放熱部と、該吸熱部で吸収した熱を該放熱部に移行させる拡散部とを有する放熱素子を、上記半導体基板における上記ＩＣチップが搭載される側の表面に設けているＩＣチップ実装パッケージであって、
   上記拡散部は、上記表面と面一になるように半導体基板に埋設されており、
   半導体基板の上記表面側に、上記吸熱部と放熱部とが互いに並設されており、
   上記ＩＣチップは、上記吸熱部の上に設けられていることを特徴とするＩＣチップ実装パッケージ。
2. 上記放熱素子は、ペルチェ素子であることを特徴とする請求項１に記載のＩＣチップ実装パッケージ。
3. 上記半導体基板の上記表面側には、上記拡散部としてＰ型拡散領域及びＮ型拡散領域が形成されており、
   上記吸熱部と放熱部とは、各々複数個が交互に配設されていて、吸熱部と放熱部との間に上記Ｐ型拡散領域もしくはＮ型拡散領域が、Ｐ型拡散領域とＮ型拡散領域とが交互になるように形成されており、
   上記吸熱部と放熱部とＰ型拡散領域とＮ型拡散領域とが、全ての上記吸熱部を上記表面の中央に配置させるとともに、全ての上記放熱部を該吸熱部を挟むように上記表面の該中央よりも外周側に配置させるように、１つの蛇行形状の電流経路を形成していることを特徴とする請求項１または２に記載のＩＣチップ実装パッケージ。
4. 上記ＩＣチップには、外部電源から該ＩＣチップに電流が供給されるための電源接続用パッドと、接地用パッドとが設けられており、
   上記放熱素子には、外部から上記電流経路に電流が供給されるための供給用電極と、接地電極とが設けられており、
   上記接地用パッドと、上記供給用電極とが接続されており、上記接地電極が接地していることを特徴とする請求項３に記載のＩＣチップ実装パッケージ。
5. さらに、上記半導体基板を実装するための、接続端子群を有するパッケージ基材を備えており、
   上記半導体基板は、
   上記出入力端子群と接続するように構成されたＩＣチップ側接続端子群と、
   上記接続端子群と接続するように構成されたパッケージ基材側接続端子群と、
   上記ＩＣチップ側接続端子群及びパッケージ基材側接続端子群を接続する配線とを有しており、
   上記ＩＣチップ側接続端子群のピッチは、上記出入力端子群のピッチと合致するように構成されており、
   上記パッケージ基材側接続端子群は、上記ＩＣチップ側接続端子群の最小ピッチを下回ることのないピッチを有していることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載のＩＣチップ実装パッケージ。
6. 上記放熱部から放熱されようとする熱を伝える放熱補助膜が、上記半導体基板における上記放熱部の上層に設けられていることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載のＩＣチップ実装パッケージ。
7. 上記放熱補助膜の上層に樹脂層が設けられており、
   上記樹脂層は、上記半導体基板における上記ＩＣチップを実装する面とは反対側の面にも形成されていることを特徴とする請求項６に記載のＩＣチップ実装パッケージ。
8. 上記半導体基板における上記ＩＣチップを実装する面に形成された上記樹脂層が、外部環境に露出していることを特徴とする請求項７に記載のＩＣチップ実装パッケージ。
9. 上記放熱部から放熱されようとする熱を伝える放熱補助膜が、上記半導体基板における上記放熱部の上層、該半導体基板の側面、及び該半導体基板における上記ＩＣチップを実装する面とは反対側の面に設けられていることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載のＩＣチップ実装パッケージ。
10. 上記放熱補助膜が形成された、上記半導体基板における上記ＩＣチップを実装する面とは反対側の面は、外部環境に露出していることを特徴とする請求項９に記載のＩＣチップ実装パッケージ。
11. ＩＣチップを搭載した半導体基板を有するＩＣチップ実装パッケージであって、
    上記半導体基板の一表面側には、複数のＰ型拡散領域及びＮ型拡散領域が形成されており、
    上記一表面側には、１つの上記Ｐ型拡散領域と１つの上記Ｎ型拡散領域との間に位置し、該Ｐ型拡散領域とＮ型拡散領域とを電気的に接続するための第１の導電部材が設けられており、
    上記１つのＰ型拡散領域と、上記１つのＮ型拡散領域と、Ｐ型拡散領域とＮ型拡散領域との間の第１の導電部とは、１つの列を構成しており、
    上記列は、互いに平行になるように、且つ隣り合う２つの上記列における一方の列のＰ型拡散領域と他方の列のＮ型拡散領域とが隣り合うように、複数設けられており、
    上記一表面側には、全ての上記列によって１つの蛇行形状の電流経路が形成されるように隣り合う上記列同士を電気的に接続する第２の導電部材が設けられており、
    上記第１の導電部材の上に、上記ＩＣチップを配設していることを特徴とするＩＣチップ実装パッケージ。
12. 請求項１から１１の何れか１項に記載のＩＣチップ実装パッケージに、表示用駆動ＩＣを実装していることを特徴とする表示駆動装置。

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