JP2008108297A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置100は、ECCフレームに含まれるデータを、第1のワード線により選択される複数の第1のメモリセルで構成される第1のメモリセル群に格納される第1のデータ群と、第2のワード線により選択される複数の第2のメモリセルで構成される第2のメモリセル群に格納される第2のデータ群とに割り付ける。
【選択図】図3
Description
選択行方向のワード線と選択列方向のビット線とに接続され、異なるx(xは2以上の整数)ビットの情報が2x個のしきい値電圧に対応して格納され、読み出し電圧を前記ワード線に印可することにより各xビットの情報を読み出し可能な複数のメモリセルを有し、このメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、
前記ワード線に接続され、前記ワード線に電圧を供給し前記メモリセルを動作させるためのロウデコーダと、
前記ビット線に接続され、前記メモリセルに格納されたデータを読み出し、この読み出されたデータ及び前記メモリセルに書き込んだデータを保持するセンスアンプ装置と、
前記メモリセルに格納する、外部より入力された情報データと、前記情報データに基づいて生成される冗長データを組にしたECCフレームを生成する符号語生成回路と、前記ECCフレームの前記情報データと前記冗長データに基づいて、前記情報データを訂正する誤り訂正回路と、を備え、
前記ECCフレームに含まれるデータを、第1のワード線により選択される複数の第1のメモリセルで構成される第1のメモリセル群に格納される第1のデータ群と、第2のワード線により選択される複数の第2のメモリセルで構成される第2のメモリセル群に格納される第2のデータ群と、に割り付ける
ことを特徴とする。
1a メモリセル
1b、1c 選択ゲートトランジスタ
1d カラム選択ゲート
1e ブロック
1f セクタ
2 ロウデコーダ
3 センスアンプ装置
3a センスアンプ回路
4 カラムデコーダ
5 データ入出力バッファ
6 第1の入出力制御回路
7 制御信号発生回路
8 アドレスデコーダ
9 データレジスタ
10 符号語生成回路
11 誤り訂正回路
12 第2の入出力制御回路
13 バス
14 第1のワード線のページ
14a 第1のECCフレーム用領域
14b 第2のECCフレーム用領域
14c 第3のECCフレーム用領域
15 第2のワード線のページ
15a 第1のECCフレーム用領域
15b 第2のECCフレーム用領域
15c 第3のECCフレーム用領域
16 第3のワード線のページ
16a 第1のECCフレーム用領域
16b 第2のECCフレーム用領域
16c 第3のECCフレーム用領域
100 不揮発性半導体記憶装置
100a メモリ回路
100b コントローラ回路
Claims (5)
- 選択行方向のワード線と選択列方向のビット線とに接続され、異なるx(xは2以上の整数)ビットの情報が2x個のしきい値電圧に対応して格納され、読み出し電圧を前記ワード線に印可することにより各xビットの情報を読み出し可能な複数のメモリセルを有し、このメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、
前記ワード線に接続され、前記ワード線に電圧を供給し前記メモリセルを動作させるためのロウデコーダと、
前記ビット線に接続され、前記メモリセルに格納されたデータを読み出し、この読み出されたデータ及び前記メモリセルに書き込んだデータを保持するセンスアンプ装置と、
前記メモリセルに格納する、外部より入力された情報データと、前記情報データに基づいて生成される冗長データを組にしたECCフレームを生成する符号語生成回路と、
前記ECCフレームの前記情報データと前記冗長データに基づいて、前記情報データを訂正する誤り訂正回路と、を備え、
前記ECCフレームに含まれるデータを、第1のワード線により選択される複数の第1のメモリセルで構成される第1のメモリセル群に格納される第1のデータ群と、第2のワード線により選択される複数の第2のメモリセルで構成される第2のメモリセル群に格納される第2のデータ群と、に割り付ける
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第2のメモリセルは、前記第1のメモリセルよりしきい値電圧の個数が少なく設定されている
ことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記ECCフレームの前記情報データを前記第1のデータ群に割り付けるとともに、前記ECCフレームの前記冗長データを前記第2のデータ群に割り付ける
ことを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記ECCフレームの前記情報データの一部を前記第1のデータ群に割り付けるとともに、前記ECCフレームの前記情報データの残りの部分および前記ECCフレームの前記冗長データを前記第2のデータ群に割り付ける
ことを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記ECCフレームの前記情報データを前記第1のデータ群に割り付けるとともに、前記ECCフレームの前記冗長データおよび前記メモリセルを管理するための、前記メモリセルの書き込み回数の情報、前記メモリセルの位置する場所、または、前記メモリセルの経時劣化の情報のうち少なくとも1つが含まれている管理データを前記第2のデータ群に割り付ける
ことを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
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