JP2010152989A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、NAND型フラッシュメモリにおいて、ブロック選択ゲートトランジスタに隣接するWL端セルのビットエラーをより多く救済できるようにする。
【解決手段】たとえば、メモリセルアレイ11において、ECCコード格納エリア11bを、メモリ領域11b-1,11b-3とメモリ領域11b-2とに分ける。メモリ領域11b-1,11b-3をメモリ領域11b-2よりも大きくし、メモリ領域11b-1,11b-3には、ブロック選択ゲートトランジスタに隣接するセルMC0,MC31の集合であるページP0,P31の通常データに対し、より高いエラー検出訂正能力を可能にするためのECCコードを格納させる。メモリ領域11b-2には、それ以外のセルMC1〜MC30の集合であるページP1〜P30の通常データを、ページP0,P31の通常データよりも低いエラー検出訂正能力によって救済するためのECCコードを格納させる。
【選択図】 図3
【解決手段】たとえば、メモリセルアレイ11において、ECCコード格納エリア11bを、メモリ領域11b-1,11b-3とメモリ領域11b-2とに分ける。メモリ領域11b-1,11b-3をメモリ領域11b-2よりも大きくし、メモリ領域11b-1,11b-3には、ブロック選択ゲートトランジスタに隣接するセルMC0,MC31の集合であるページP0,P31の通常データに対し、より高いエラー検出訂正能力を可能にするためのECCコードを格納させる。メモリ領域11b-2には、それ以外のセルMC1〜MC30の集合であるページP1〜P30の通常データを、ページP0,P31の通常データよりも低いエラー検出訂正能力によって救済するためのECCコードを格納させる。
【選択図】 図3
Description
本発明は、不揮発性半導体記憶装置に関するもので、たとえば、データの電気的書き換え(書き込みおよび消去)が可能なNAND型フラッシュメモリ(たとえば、EEPROM)に関するものである。
従来、データの電気的書き換えが可能な不揮発性の半導体記憶装置として、NAND型フラッシュメモリが知られている。NAND型フラッシュメモリは、複数の不揮発性メモリセルが直列に接続されたNANDセルユニット(NANDストリングス)をマトリクス状に配列して、メモリセルアレイが構成される。このため、たとえばNOR型フラッシュメモリと比べて単位セル面積が小さく、したがって大容量化(高集積化)が容易であるという特長を持つ。
さて、NAND型フラッシュメモリは非破壊読み出し方式であり、データを破壊することなく、繰り返し読み出すことが可能である。しかし、書き込み動作および消去動作を繰り返しているうちに、トンネル絶縁膜の劣化による電荷保持特性の悪化、および、電荷がトンネル絶縁膜にトラップされることによるセルのしきい値変動などにより、データが破壊され、ビットエラー(不良ビット)を引き起こす。これを対策するために、エラー検出・訂正ユニット(ECC回路)を用い、ビットエラーを検出、訂正することで、不良率を低減するようにしている。
一方、NAND型フラッシュメモリにおいては、高集積化、大容量化にともなって、単位セル面積の縮小化が進んでいるが、近年、ブロック選択トランジスタに最も近いセルでのビットエラーが増加している。これは、プロセス的バラツキ、たとえば、リソグラフィーによるパターンのバラツキ(パターンの周期性が変化することに起因)、および、拡散層形成時のイオン注入のバラツキなどにより、NANDセルユニットの端部付近のセル(端のワード線WLにつながるWL端セル)と、NANDセルユニットの中央付近のセルとで、特性が変わることが原因と考えられている。
上記したエラー検出・訂正ユニットによって、これら全てのビットエラーを検出、訂正するためには、より多くのECCコード(エラー検出訂正データ)が必要となる。しかしながら、多くのECCコードを格納するためには大きな領域が必要となるため、チップサイズの増大およびコストの増加を招くという問題があった。
なお、ページデータ内のデータ品質に応じて誤り訂正能力の設定を変え、データの信頼性を向上させる提案がすでになされている(たとえば、特許文献1参照)。ただし、この提案は、単に、データ品質の良し悪しにしたがってページデータをいくつかの領域に分割し、領域ごとに最適となる誤り訂正能力を設定するものであった。
特開2006−260619号公報
本発明は、チップサイズの増大およびコストの増加を招くことなしに、より多くの不良ビットを救済することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的としている。
本願発明の一態様によれば、データを記憶するための複数の不揮発性メモリセルを有するメモリセル部と、前記複数の不揮発性メモリセルに記憶されたデータのエラー検出を行うためのエラー検出用コードを記憶するコード記憶部と、データの書き込み時に、所定の不揮発性メモリセルに記憶される書き込みデータをもとに前記エラー検出用コードを生成するとともに、データの読み出し時に、前記コード記憶部に記憶されている前記エラー検出用コードをもとに、前記所定の不揮発性メモリセルより読み出された読み出しデータのエラーを検出して訂正するエラー検出訂正部と、データの書き込み時に、前記書き込みデータを前記所定の不揮発性メモリセルに格納するとともに、前記エラー検出訂正部によって生成された前記エラー検出用コードを前記コード記憶部に格納する制御部と、を具備し、前記コード記憶部は、1ページ当たりの、前記メモリセル部内のブロック選択トランジスタに最も近いページに対応する前記エラー検出用コードを記憶するための第1のメモリ領域が、それ以外のページに対応する前記エラー検出用コードを記憶するための第2のメモリ領域よりも大きく確保されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
また、本願発明の一態様によれば、ワード線がゲートにそれぞれ接続され、データを記憶するための所定個の不揮発性メモリセルを直列に接続してなるメモリセル列と、選択ゲート線がゲートにそれぞれ接続され、前記メモリセル列の一端をビット線に、他端をソース線に接続するブロック選択トランジスタと、を含む、複数のメモリセルユニットを、前記ワード線方向に配置してなるブロックを有し、前記ワード線を共有する複数の不揮発性メモリセルによってページが構成されてなるメモリセル部、および、前記複数の不揮発性メモリセルに記憶されたデータのエラー検出を行うためのエラー検出用コードを記憶するコード記憶部、を含むメモリセルアレイと、データの書き込み時に、所定の不揮発性メモリセルに記憶される書き込みデータをもとに前記エラー検出用コードを生成するとともに、データの読み出し時に、前記コード記憶部に記憶されている前記エラー検出用コードをもとに、前記所定の不揮発性メモリセルより読み出された読み出しデータのエラーを検出して訂正するエラー検出訂正部と、データの書き込み時に、前記書き込みデータを前記所定の不揮発性メモリセルに格納するとともに、前記エラー検出訂正部によって生成された前記エラー検出用コードを前記コード記憶部に格納する制御部と、を具備し、前記コード記憶部は、前記ブロック選択トランジスタに最も近いページに対応する前記エラー検出用コードを記憶するための第1のメモリ領域と、それ以外のページに対応する前記エラー検出用コードを記憶するための第2のメモリ領域と、を有し、1ページ当たりの、前記第1のメモリ領域が前記第2のメモリ領域よりも大きく確保されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
本発明によれば、チップサイズの増大およびコストの増加を招くことなしに、より多くの不良ビットを救済することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供できる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的なものであり、各図面の寸法および比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面の相互間においても、互いの寸法の関係および/または比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。特に、以下に示すいくつかの実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置などによって、本発明の技術思想が特定されるものではない。この発明の技術思想は、その要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更を加えることができる。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態にしたがった、不揮発性半導体記憶装置の構成例(機能ブロック)を示すものである。なお、本実施形態では、不揮発性半導体記憶装置として、EEPROMのようなNAND型フラッシュメモリ(メモリチップ)を例に説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態にしたがった、不揮発性半導体記憶装置の構成例(機能ブロック)を示すものである。なお、本実施形態では、不揮発性半導体記憶装置として、EEPROMのようなNAND型フラッシュメモリ(メモリチップ)を例に説明する。
すなわち、メモリセルアレイ11は、入出力(書き込み/読み出し)されるデータを格納する通常データ格納エリア11aと、エラー検出訂正データ(ECCコード)を格納するECCコード格納エリア11bと、を有する。通常データ格納エリア11aは、たとえば図2に示すように、複数のNANDセルユニット(NANDストリングス)NUを配列して構成される。各NANDセルユニットNUは、データの電気的書き換えが可能な複数個(図2の場合、32個)の不揮発性メモリセルMC0〜MC31と、その両端をそれぞれビット線BLとソース線CELSRCとに接続するためのブロック選択ゲートトランジスタS1,S2と、を有する。
不揮発性メモリセルMC0〜MC31としては、電荷蓄積層(たとえば、浮遊ゲート)と制御ゲートとが積層されたMOS型トランジスタが用いられる。通常、浮遊ゲートに電子が注入されたしきい値電圧の高い状態(正のしきい値電圧状態)を“0”データとし、浮遊ゲートの電子を放出させたしきい値電圧の低い状態(負のしきい値電圧状態)を“1”データとして、2値データの記憶が行われる。
なお、データ記憶容量をさらに大きいものとする場合、一つのメモリセルが多ビットデータを記憶する多値データ記憶方式が用いられる。たとえば、4値データ記憶方式の場合、次のようなデータビット割り付け法が提案されている(たとえば、特開2001−93288号公報参照)。すなわち、上位ページデータ(上位ビットデータ)“x”と下位ページデータ(下位ビットデータ)“y”との組み合わせにより定義される2ビットデータ(xy)を用いて、しきい値電圧の順に、4値データをA=11,B=10,C=00,D=01のように設定する。このデータ割り付け法を用いると、下位ページ読み出し回数を減らすことができ、また、高速書き込みを行うことができるという利点がある。
図2において、メモリセルMC0〜MC31の制御ゲートは、それぞれ、異なるワード線WL0〜WL31に接続される。ブロック選択ゲートトランジスタS1,S2の各ゲートは、ワード線WL0〜WL31と並行する選択ゲート線SGD,SGSに接続される。
ワード線WL0〜WL31を共有するNANDセルユニットNUの集合は、データ消去の単位となるブロックBLKjを構成する。図2では、代表的に一つのブロックBLKjを例示しているが、通常、ビット線BLの方向に複数のブロックが配列される。
ここで、セルのシュリンクが進むと、各NANDセルユニットNUにおいては、プロセス的バラツキによる、ブロック選択ゲートトランジスタS1,S2に最も近い不揮発性メモリセル(端のワード線WLにつながるWL端セル)MC0,MC31での不良(ビットエラー)が、特に目立ってくる。なお、ブロック選択ゲートトランジスタS1,S2に隣接する不揮発性メモリセルMC0,MC31がデータを記憶しないダミーセルの場合には、ダミーセルMC0,MC31に隣接する不揮発性メモリセルMC1,MC30が、ブロック選択ゲートトランジスタS1,S2に最も近い不揮発性メモリセル(WL端セル)となる。
以下では、ブロック選択ゲートトランジスタS1,S2に隣接する不揮発性メモリセルMC0,MC31を、データが記憶されるWL端セルとした場合について説明する。
図1に示すように、ロウデコーダ12は、メモリセルアレイ11のワード線選択を行い、カラムデコーダ13は、メモリセルアレイ11のビット線選択を行う。データラッチを含むセンスアンプ回路14は、メモリセルアレイ11のビット線BLに接続されて、データ読み出しを行い、あるいは、書き込みデータを保持する。
データ読み出し動作時、センスアンプ回路14に読み出されたデータ(通常データ)は、データバス15を介し、I/Oバッファ16を経て、外部入出力端子I/Oから外部メモリコントローラ1に出力される。その際、通常データ格納エリア11a内より読み出された通常データは、I/Oバッファ16から内部制御回路(コントロールユニット)17に送られ、エラー検出訂正ユニット(ECC回路)21による誤り訂正(ビットエラーの検出、訂正)処理が施される。すなわち、外部メモリコントローラ1には、必要に応じて誤り訂正処理が施された、ビットエラー検出訂正後のデータが出力される。
データ書き込み動作時、外部メモリコントローラ1から外部入出力端子I/Oに供給される書き込みデータは、I/Oバッファ16を介し、データバス15を経て、センスアンプ回路14にロードされる。その際、I/Oバッファ16に供給された書き込みデータは、内部制御回路17に送られ、エラー検出訂正ユニット21によるECCコードの生成処理に供される。そして、書き込みデータは、メモリセルアレイ11の通常データ格納エリア11a内に格納され、ECCコードは、メモリセルアレイ11のECCコード格納エリア11b内に格納される。
外部入出力端子I/OからI/Oバッファ16に供給されるコマンドは、内部制御回路17でデコードされ、アドレスは、アドレスレジスタ18を介して、ロウデコーダ12およびカラムデコーダ13に転送される。内部制御回路17は、たとえば、ページごとに異なるエラー検出訂正能力(誤り訂正能力)を有するエラー検出訂正ユニット21を備えるとともに、動作モードに応じて供給される外部制御信号およびコマンドにもとづいて、データ書き込みおよび消去のためのシーケンス制御、および、データ読み出しのための制御などを行う。
ステータスレジスタ19は、チップがレディ状態(Ready)にあるか、ビジー状態(Busy)にあるかを示すレディ/ビジー信号R/Bがセットされ、これをチップの外部に出力するようになっている。
動作モードに応じて、電源電圧よりも高い種々の高電圧を発生するために、高電圧発生回路(HV GEN)20が設けられている。高電圧発生回路20は、内部制御回路17によって制御される。
図2に示したメモリセルアレイ11の構成では、ビット線BLごとにセンスアンプSAが配置されている。この場合、2値データ記憶方式では、1ワード線に沿って配列されるメモリセルの集合が、データ読み出しおよび書き込みの単位である1ページとなる。1メモリセルが2ビットを記憶する4値データ記憶方式の場合には、1ワード線に沿って配列されるメモリセルの集合は、2ページになる。
ビットエラーがなければ、通常データ格納エリア11a内より読み出された通常データは書き込みデータと“同じ”である。エラー検出訂正ユニット21は、書き込みデータにもとづいて演算によりECCコードを生成するとともに、そのECCコードをもとに、対応する通常データに含まれるビットエラーを検出し、ビットエラーが検出された場合に、ECCコードを用いてビットエラーの訂正を行う。ビットエラーが検出されない場合は、訂正せずに、読み出された通常データをそのまま出力する。本実施形態の場合、ECCコードは、通常データ格納エリア11a内に格納される書き込みデータ(通常データ)に対応させて、ECCコード格納エリア11b内に格納され、対応する通常データの読み出しに応じて、ECCコード格納エリア11b内より読み出される。
ここで、通常の誤り訂正処理では、たとえば、1ページデータ当たり、「1ビット訂正、2ビット検出」のエラー検出訂正能力を備えたリードソロモン符号などが用いられる。つまり、1ページ分の通常データ(たとえば、1024バイト)のビットエラーが1ビットの場合は訂正と検出の両方を行うことができるが、2ビットのビットエラーがある場合には検出のみが可能で、訂正することはできない。したがって、一般的に単ビットエラーのような1ページデータ当たりのビットエラー数が少ない場合ではビットエラーを正しく訂正することが可能だが、ビットエラー数が多くなると全てのビットエラーを訂正することができなくなる。
すなわち、NANDセルユニットNUの端部の不揮発性メモリセル(WL端セル)MC0,MC31は、中央付近のセルMC1〜MC30に比べて、ビットエラーを起こしやすい。そのため、エラー検出訂正ユニット21によって、ブロック選択ゲートトランジスタS1,S2に隣接するページの全てのビットエラーを検出、訂正できるようにするためには、より多くのECCコードが必要となる。
図3は、メモリセルアレイ11の構成例を示すものである。ここでは、ブロックBLKjに対応する、通常データ格納エリア11aとECCコード格納エリア11bとを例示している。なお、ブロック選択ゲートトランジスタS1,S2については、記載を省略している。
本実施形態の場合、ブロックBLKj内の通常データに対するエラー検出訂正能力(ECCコードの割合)をページごとに変え、その能力に応じたECCコードを、ECCコード格納エリア11b内にページ単位で格納するようになっている。すなわち、メモリセルアレイ11の構造は従来と変わらないが、ブロックBLKjに対応する、ECCコード格納エリア11bが複数(図3の場合、4個)のメモリ領域11b-1,11b-2,11b-3,11b-4に分割されている。たとえば、ECCコード格納エリア11bのメモリ領域11b-1はページP0に対応するECCコードを格納するために必要な規模(容量)を有し、メモリ領域11b-2は各ページP1〜P30に対応するECCコードを格納するために必要な規模を有し、メモリ領域11b-3はページP31に対応するECCコードを格納するために必要な規模を有する。なお、メモリ領域11b-4は残りの領域であって、たとえば、ページP0,P31に対応するECCコードを格納するための領域として割り当ててもよいが、スペア領域、または、その他のコードなどを格納するための領域として使用してもよい。
本実施形態においては、たとえば、NANDセルユニットNUの中央付近のそれぞれのセルMC1〜MC30の集合である各ページP1〜P30のエラー検出訂正能力を「1ビット訂正、2ビット検出」とし、その能力に応じたECCコードをメモリ領域11b-2に、NANDセルユニットNUの各端部のセルMC0,MC31の集合であるページP0,P31のエラー検出訂正能力を「4ビット訂正、5ビット検出」とし、その能力に応じたECCコードをメモリ領域11b-1,11b-3に、それぞれ格納させる。これにより、ビットエラーを起こしやすい、ブロック選択ゲートトランジスタS1,S2に近接するページP0,P31の全てのビットエラーをも検出、訂正できるようになる。
しかも、ページP0,P31の全てのビットエラーを検出、訂正できるようにするためのECCコードはメモリ領域11b-1,11b-3に、各ページP1〜P30のビットエラーを検出、訂正できるようにするためのECCコードはメモリ領域11b-2に、それぞれ格納するようにしたことによって、1ページデータ当たりの、メモリ領域11b-1,11b-3の規模がメモリ領域11b-2の規模よりも大きくなる。この場合、ページP1〜P30に対するエラー検出訂正能力を逆に低く抑えることによって、ページP0,P1〜P30,P31間で、メモリ領域11b-1,11b-2,11b-3に容量の差をもたせることが可能となる。つまり、ECCコード格納エリア11bを削減(増加を抑制)することが可能となる。その結果、多くのECCコードを格納するために大きなメモリ領域が必要となる場合にも、メモリセルアレイ11の容量の拡大と、それにともなう、チップサイズの増大およびコストの増加を防止できる。
上記した構成において、たとえば、メモリセルアレイ11の通常データ格納エリア11a内に格納されているページP0の通常データを読み出す場合、エラー検出訂正ユニット21は、その通常データにビットエラーが含まれているかを、ECCコード格納エリア11bのメモリ領域11b-1より読み出されたECCコードをもとに検出する。同様に、たとえば、通常データ格納エリア11a内に格納されている各ページP1〜P30の通常データを読み出す場合、エラー検出訂正ユニット21は、その通常データにビットエラーが含まれているかを、メモリ領域11b-2より読み出されたECCコードをもとに検出する。同様に、たとえば、通常データ格納エリア11a内に格納されているページP31の通常データを読み出す場合、エラー検出訂正ユニット21は、その通常データにビットエラーが含まれているかを、メモリ領域11b-3より読み出されたECCコードをもとに検出する。
そして、ビットエラーが検出された場合には、それぞれのECCコードを用いてビットエラーの訂正を行った後に、通常データとして外部に出力される。ビットエラーが検出されない場合は、訂正せずに、通常データをそのまま出力させる。
この場合、ページP0,P31の通常データに対しては、「4ビット訂正、5ビット検出」のエラー検出訂正能力により、各ページP1〜P30の通常データに対しては、「1ビット訂正、2ビット検出」のエラー検出訂正能力により、それぞれビットエラーの検出と訂正とが行われる。よって、ブロック選択ゲートトランジスタS1,S2に隣接するセルMC0,MC31で多く発生するビットエラーをより多く救済することが可能となり、不良率を大幅に低減できる。
上記したように、ページごとに異なるエラー検出訂正能力を設定できるようにするとともに、その能力に応じたECCコードをページ単位で格納させるようにしている。すなわち、ブロック選択ゲートトランジスタS1,S2に隣接するセルMC0,MC31に対するエラー検出訂正能力を高くする一方で、ブロック選択ゲートトランジスタS1,S2に隣接しないセルMC1〜MC30に対するエラー検出訂正能力は低く抑えるようにしている。これに応じて、ECCコードを格納するためのメモリ領域の規模をエラー検出訂正能力に応じて変えることによって、多くのECCコードを格納するために大きなメモリ領域が必要となる場合にも、メモリセルアレイ11のECCコード格納エリア11bが拡大するのを防止できるようになる。したがって、チップサイズの増大およびコストの増加を招くことなしに、ブロック選択ゲートトランジスタS1,S2に隣接するセルMC0,MC31のECC対策を強化できるようになるなど、より多くの不良ビットを救済することが可能となるものである。
なお、上記した実施形態においては、内部制御回路がエラー検出訂正ユニットを備える構成とした場合を例に説明したが、これに限らず、たとえば内部制御回路とは別にエラー検出訂正ユニットが設けられた構成とすることもできる。
また、ECCコードは、メモリセルアレイに割り当てられた領域(ECCコード格納エリア)に格納する場合に限らず、たとえば、メモリセルアレイとは別に設けられる記憶回路に格納するように構成することも可能である。
[第2の実施形態]
図4は、本発明の第2の実施形態にしたがった、不揮発性半導体記憶装置(たとえば、EEPROMのようなNAND型フラッシュメモリ(メモリチップ))におけるメモリセルアレイの構成例を示すものである。なお、上記した第1の実施形態と同一部分には同一符号を付し、詳しい説明は割愛する。
図4は、本発明の第2の実施形態にしたがった、不揮発性半導体記憶装置(たとえば、EEPROMのようなNAND型フラッシュメモリ(メモリチップ))におけるメモリセルアレイの構成例を示すものである。なお、上記した第1の実施形態と同一部分には同一符号を付し、詳しい説明は割愛する。
本実施形態は、ブロックBLKj内のブロック選択ゲートトランジスタS1,S2に隣接するページP0,P31の通常データに対するビットエラーの救済の単位を、たとえば、1/2ページとした場合の例である。すなわち、ページP0に対応するECCコードを格納するためのメモリ領域11b-1およびページP31に対応するECCコードを格納するためのメモリ領域11b-3を、それぞれ2分割する。そして、ページP0の通常データの一方(たとえば、通常データの上位ビットD0a)に対応するECCコードはメモリ領域11b-1a に、ページP0の通常データの他方(たとえば、通常データの下位ビットD0b)に対応するECCコードはメモリ領域11b-1b に、それぞれ格納させるようにする。同様に、ページP31の通常データの一方(たとえば、通常データの上位ビットD31a)に対応するECCコードはメモリ領域11b-3a に、ページP31の通常データの他方(たとえば、通常データの下位ビットD31b)に対応するECCコードはメモリ領域11b-3b に、それぞれ格納させるようにする。なお、ページP1〜P30の通常データ(D1〜D30)に対応するECCコードは、それぞれ、メモリ領域11b-2に格納される。
この場合も、ブロックBLKjの端部の、ブロック選択ゲートトランジスタS1,S2に隣接するページP0,P31の各セル(WL端セル)MC0,MC31に対するエラー検出訂正能力が、それ以外のページP1〜P30の各セルMC1〜MC30に対するエラー訂正能力よりも高くなるように、ECCコードの割合を変える。たとえば、ページP1〜P30の通常データ(仮に、1ページ当たり1024バイトとする)に対して、4ビットのエラー訂正が可能であるとすると、ページP0,P31の場合は、512バイトの通常データに対して、4ビットのエラー訂正が可能となるような構成にする。
このような構成とすれば、ブロックBLKjの端部のページP0,P31において、小単位でビットエラーを訂正することが可能になり、メモリセルアレイ11の構造を大きく変えることなしに、ブロックBLKjの端部のページP0,P31に発生する多くのビットエラーを訂正することが可能になる。
その他、本願発明は、上記(各)実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。さらに、上記(各)実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。たとえば、(各)実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題(の少なくとも1つ)が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果(の少なくとも1つ)が得られる場合には、その構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
11…メモリセルアレイ、11a…通常データ格納エリア、11b…ECCコード格納エリア、17…内部制御回路、21…エラー検出訂正ユニット、BLKj…ブロック、NU…NANDセルユニット、MC0〜MC31…不揮発性メモリセル、S1,S2…ブロック選択ゲートトランジスタ、P0〜P31…ページ。
Claims (5)
- データを記憶するための複数の不揮発性メモリセルを有するメモリセル部と、
前記複数の不揮発性メモリセルに記憶されたデータのエラー検出を行うためのエラー検出用コードを記憶するコード記憶部と、
データの書き込み時に、所定の不揮発性メモリセルに記憶される書き込みデータをもとに前記エラー検出用コードを生成するとともに、データの読み出し時に、前記コード記憶部に記憶されている前記エラー検出用コードをもとに、前記所定の不揮発性メモリセルより読み出された読み出しデータのエラーを検出して訂正するエラー検出訂正部と、
データの書き込み時に、前記書き込みデータを前記所定の不揮発性メモリセルに格納するとともに、前記エラー検出訂正部によって生成された前記エラー検出用コードを前記コード記憶部に格納する制御部と、
を具備し、
前記コード記憶部は、1ページ当たりの、前記メモリセル部内のブロック選択トランジスタに最も近いページに対応する前記エラー検出用コードを記憶するための第1のメモリ領域が、それ以外のページに対応する前記エラー検出用コードを記憶するための第2のメモリ領域よりも大きく確保されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリセル部は、ワード線がゲートにそれぞれ接続された、所定個の不揮発性メモリセルを直列に接続してなるメモリセル列と、選択ゲート線がゲートにそれぞれ接続され、前記メモリセル列の一端をビット線に、他端をソース線に接続する前記ブロック選択トランジスタと、を含む、複数のメモリセルユニットを前記ワード方向に配置してなり、前記ビット線方向に配置された複数のブロックを有し、
前記複数のブロックは、それぞれ、前記ワード線を共有する複数の不揮発性メモリセルによって、前記ページが構成されてなることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - ワード線がゲートにそれぞれ接続され、データを記憶するための所定個の不揮発性メモリセルを直列に接続してなるメモリセル列と、選択ゲート線がゲートにそれぞれ接続され、前記メモリセル列の一端をビット線に、他端をソース線に接続するブロック選択トランジスタと、を含む、複数のメモリセルユニットを、前記ワード線方向に配置してなるブロックを有し、前記ワード線を共有する複数の不揮発性メモリセルによってページが構成されてなるメモリセル部、および、前記複数の不揮発性メモリセルに記憶されたデータのエラー検出を行うためのエラー検出用コードを記憶するコード記憶部、を含むメモリセルアレイと、
データの書き込み時に、所定の不揮発性メモリセルに記憶される書き込みデータをもとに前記エラー検出用コードを生成するとともに、データの読み出し時に、前記コード記憶部に記憶されている前記エラー検出用コードをもとに、前記所定の不揮発性メモリセルより読み出された読み出しデータのエラーを検出して訂正するエラー検出訂正部と、
データの書き込み時に、前記書き込みデータを前記所定の不揮発性メモリセルに格納するとともに、前記エラー検出訂正部によって生成された前記エラー検出用コードを前記コード記憶部に格納する制御部と、
を具備し、
前記コード記憶部は、前記ブロック選択トランジスタに最も近いページに対応する前記エラー検出用コードを記憶するための第1のメモリ領域と、それ以外のページに対応する前記エラー検出用コードを記憶するための第2のメモリ領域と、を有し、
1ページ当たりの、前記第1のメモリ領域が前記第2のメモリ領域よりも大きく確保されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記ブロック選択トランジスタに最も近いページは、当該ページがデータを記憶しないダミーの不揮発性メモリからなるダミーページの場合、そのダミーページに隣接するページとなることを特徴とする請求項1または3に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1のメモリ領域に記憶される前記エラー検出用コードは、前記第2のメモリ領域に記憶される前記エラー検出用コードよりも高いエラー検出訂正能力を可能にするためのものであることを特徴とする請求項1または3に記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
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