JP2008090307A

JP2008090307A - 画像表示システム

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Publication number: JP2008090307A
Application number: JP2007257206A
Authority: JP
Inventors: Chun-Yen Liu; 俊彦劉
Original assignee: Toppoly Optoelectronics Corp
Current assignee: TPO Displays Corp
Priority date: 2006-10-02
Filing date: 2007-10-01
Publication date: 2008-04-17
Anticipated expiration: 2027-10-01
Also published as: CN101158762B; US20080079887A1; TW200818092A; CN101158762A; JP5178122B2; US7760313B2; TWI374420B

Abstract

【課題】ディスプレイパネルを駆動する配線構造を含む画像表示システムを提供する。
【解決手段】ディスプレイパネルを駆動する配線構造を含む画像表示システムであって、前記配線構造は、基板、前記基板上にあり、第１端子と前記第１端子と分かれた第２端子を有する相互接続線を有する第１導電層、前記第１導電層上にあり、前記第１端子を露出する第１開口と前記第２端子を露出する第２開口を有する誘電体層、および前記誘電体層上にあり、接続パッド、ガードリングと、トレースラインを有し、前記ガードリングが前記接続パッドを囲み、前記トレースラインが前記ガードリングの外側に位置する第２導電層を含む画像表示システム。
【選択図】図１

Description

本発明は、ディスプレイ技術に関し、特に、ディスプレイパネルを駆動する配線構造に関するものである。

露出された接続パッドは、通常、基板上のディスプレイパネルに設置され、ディスプレイパネルを駆動する能動素子、または能動素子を有するプリント回路板と電気的接続する。後に続くプロセスでは、レジスト層を直接、接続パッド上に形成する。フォトレジストを塗布するプロセスでは、静電気放電が度々発生する。この時、静電気の電流は、接続パッドを経由してディスプレイパネル内に流れ、例えば、薄膜トランジスタ素子などのその内部素子を破壊する。また、接続パッドを有する導電層が形成された後、通常、プラズマ化学気相堆積法を用いた堆積プロセスを行い、被覆層を形成する。プラズマ粒子が接続パッドに接触し、それに対して放電を始めた時、接続パッドを経由してディスプレイパネルの中に流れた電流もその内部の素子を破壊する。内部素子が破壊された時、ディスプレイパネルの性能に好ましくない影響を及ぼして、その品質を下げ、引いてはそれを廃物にさせる可能性がある。

これに鑑みて、本発明の主な目的は、従来技術の問題点を解決する画像表示システムを提供する。

上述の目的を達成するために、本発明は、ディスプレイパネルを駆動する配線構造を含む画像表示システムを提供する。前記配線構造は、基板、前記基板上にあり、第１端子と前記第１端子と分かれた第２端子を有する相互接続線を有する第１導電層、前記第１導電層上にあり、前記第１端子を露出する第１開口と前記第２端子を露出する第２開口を有する誘電体層と、前記誘電体層上にあり、接続パッド、ガードリングと、トレースラインを有し、前記ガードリングが前記接続パッドを囲み、前記トレースラインが前記ガードリングの外側に位置する第２導電層を含み、前記接続パッドは、前記第１開口によって前記トレースラインに電気的接続し、且つ、前記トレースラインは、前記第２開口によって前記相互接続線に電気的接続する。

本発明の配線構造を有する画像表示システムによれば、後に続くプロセスで静電電荷とプラズマ電荷を効果的に遮蔽して分担し、余分なフォトマスクとプロセスステップを必要とすることなく、その他の装置のプロセスと適用できるため、製品収率を改善することができる。

本発明についての目的、特徴、長所が一層明確に理解されるよう、以下に実施形態を例示し、図面を参照にしながら、詳細に説明する。

図１は、本発明の実施例の配線構造１０と２０を表している上面図である。配線構造１０と２０は、実質的に同じ上面図を有する。

図１と図２Ａ〜２Ｃでは、配線構造１０を表している。図２Ａは、図１の断面線ＡＡに沿った断面図である。図２Ｂは、図１の断面線ＢＢに沿った断面図である。図２Ｃは、図１の断面線ＣＣに沿った断面図である。図１の断面線ＤＤに沿った断面図は、素子「１４２」がない以外は、図２Ｂに表されているのと同じであるため、図１の断面線ＤＤに沿った断面図は、図２Ｂの中に合併される。配線構造１０は、基板１００、第１導電層、誘電体層１３０と、第２導電層を含む。第１導電層は、相互接続線１１０を含み、第２導電層は、接続パッド１４１、ガードリング（ｇｕａｒｄｒｉｎｇ）１４２と、トレースライン１４３を含む。ガードリング１４２は、接続パッド１４１を囲み、トレースライン１４３は、ガードリング１４２の外側に位置する。本発明の特徴を明確に表すために、図１では、第１導電層と第２導電層のみを表している。

基板１００は、透明基板、不透明基板、または半透明の基板であることができる。いくつかの実施例では、基板１００は、例えば、ガラス、セラミック、金属、または半導体などの剛体基板からなる。その他の実施例では、基板１００は、例えば、ポリマーの可撓性の基板からなる。本実施例では、画像を表示するために、基板１００は、例えば、ガラスの透明基板からなり、その表面は、ゲート絶縁層１０５を含む。基板１００は、通常、例えば、薄膜トランジスタ、その他の配線、または上述の組み合わせなどの被覆素子（ｏｖｅｒｌｙｉｎｇｄｅｖｉｃｅ）を含むが、本発明の特徴を明確に表すために、図では上記の被覆素子を表していない。

相互接続線１１０を含む第１導電層は、基板１００上のゲート絶縁層１０５上に位置される。図１と図２Ｂに示すように、相互接続線１１０は、第１端子１１１（断面線ＢＢが第１端子１１１を通過している）と第１端子１１１と分かれた第２端子１１２（断面線ＢＢが第２端子１１２を通過している）を含む。続いて説明されるように、相互接続線１１０は、接続パッド１４１とトレースライン１４３の間に電気的接続される。第１導電層は、好ましくは、アルミニウム、モリブデン、アルミニウム−ネオジム、タングステン、またはその他の導電材料を含む。例えば、基板１００が薄膜トランジスタを含む時、相互接続線１１０と薄膜トランジスタのゲート電極（図示しない）は、同じまたは異なる導電層の中に位置されることができる。本実施例では、相互接続線１１０と薄膜トランジスタのゲート電極は、同じ第１導電層の中に位置される。よって、同じフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィープロセス中に第１導電層から同時にパターン化されている時、相互接続線１１０と薄膜トランジスタのゲート電極を同時に形成することができる。よって、製造コストを減少し、且つ、薄膜トランジスタまたはその他の素子の製造と適合することができる。

誘電体層１３０は、第１導電層上に位置される。誘電体層１３０は、第１開口１３１（断面線ＢＢが第１開口１３１を通過している）と第２開口１３２（断面線ＤＤが第２開口１３２を通過している）を含む。第１開口１３１は、第１端子１１１を露出し、第２開口１３２は、第２端子１１２を露出している。誘電体層１３０は、好ましくは、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素／窒化ケイ素の二重層構造、またはその他の誘電体材料を含む。基板１００が前述の被覆素子を含む時、誘電体層１３０は、被覆素子を更に覆うことができ、被覆素子の接点を露出するその他の開口を含むことができる。

第２導電層は、誘電体層１３０上に位置され、接続パッド１４１、ガードリング１４２と、トレースライン１４３を含む。トレースライン１４３は、更に延伸され、その他の基板１００上の駆動回路、例えば、スキャンドライバまたはデータドライバなどと電気的接続する。いくつかの実施例では、第３導電層で第１開口１３１と第２開口１３２を充填する。よって、接続パッド１４１、相互接続線１１０と、トレースライン１４３は、同時に電気的接続される。本実施例では、第２導電層で第１開口１３１と第２開口１３２を充填する。接続パッド１４１は、第１開口１３１によって相互接続線１１０を電気的接続する。トレースライン１４３は、第２開口１３２によって相互接続線１１０を電気的接続する。よって、接続パッド１４１とトレースライン１４３が同時に電気的接続される。

例えば、基板１００が被覆の薄膜トランジスタを含む時、接続パッド１４１、ガードリング１４２、トレースライン１４３と、薄膜トランジスタのドレイン／ソース領域の金属導線は、同じまたは異なる導電層に位置されることができる。本実施例では、接続パッド１４１、ガードリング１４２、トレースライン１４３と、薄膜トランジスタの接点は、同じ本発明の第２導電層の中に位置される。よって、同じフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィープロセス中に第２導電層から同時にパターン化されている時、接続パッド１４１、ガードリング１４２、トレースライン１４３と、薄膜トランジスタの接点を同時に形成することができる。よって、製造コストを減少し、且つ、薄膜トランジスタまたはその他の素子の製造と適合することができる。

図２Ｃに示すように、誘電体層１３０は、ガードリング１４２と相互接続線１１０を隔絶し、両者間で短絡が発生するのを防ぐ。

図１では、接続パッド１４１は、ガードリング１４２によって囲まれる。よって、その下の導電層、即ち、第１導電層がパターン化されて相互接続線１１０を形成し、接続パッド１４１とトレースライン１４３間の電気的接続を助ける。誘電体層（図２Ａ〜２Ｃに表されている）１３０は、ガードリング１４２と相互接続線１１０を隔絶する。接続パッド１４１は、接触窓１８１によって相互接続線１１０と電気的接続される。接触窓１８１は、誘電体層１３０の第１開口１３１のところに形成される。トレースライン１４３は接触窓１８２によって、相互接続線１１０と電気的に接続される。接触窓１８２は、誘電体層１３０の第２開口１３２の所に形成される。よって、相互接続線１１０は、接続パッド１４１とトレースライン１４３と電気的接続する。

ガードリング１４２は、平坦化、カラーフィルターコーティング、またはその他のプロセス、または次のプラズマ化学気相堆積法からのプラズマ粒子の衝撃を受けて発生された静電電荷を遮蔽し、分担する。ガードリング１４２は、トレースライン１４３と電気的接続された駆動回路、例えば、スキャンドライバ、データドライバを保護することができ、それが受けた静電気放電、またはプラズマ放電の破損を防ぐ。よって、製造プロセスの収率を改善、製造コストの節約と装置の信頼度を上げることができる。ガードリング１４２の配置は、好ましくは閉ループであり、その電荷遮蔽の機能を強化する。ガードリング１４２の抵抗が１０ＫΩより大きい時、その電荷遮蔽の機能が低下する可能性がある。よって、ガードリング１４２の抵抗は、その電荷遮蔽の機能を強化するために、１０ＫΩより小さいことが好ましい。いくつかの実施例では、ガードリング１４２の幅は、その電荷遮蔽の機能に影響を及ぼす可能性がある。実施例では、図１に示すガードリング１４２の幅Ｗ_１、Ｗ_１の少なくともその中の１つは、その電荷遮蔽の機能を強化するために、５０μｍより大きいことが好ましい。その電荷遮蔽の機能をより強化するために、ガードリング１４２の幅Ｗ_１、Ｗ_１は、それぞれ５０μｍより大きいことがより好ましい。

配線構造１０は、液晶ディスプレイパネル、発光ダイオードディスプレイパネル、またはその他のディスプレイパネルに用いることができる。

図３は、液晶ディスプレイパネルに用いられる配線構造１０の断面図を表している。具体的に言えば、図３は、図１の断面線ＡＡに沿った断面図と適合している。図３では、例えば、有機樹脂膜、またはスピンオンガラス膜の平坦化層１５０が誘電体層１３０と第２導電体層上に形成される。続いて、平坦化層１５０がパターン化され、接続パッド１４１の少なくとも一部を露出する。実施例では、集積回路チップ（表示していない）を露出された接続パッド１４１に付着させ、図１に示す接続パッド１４１とトレースライン１４３によって液晶ディスプレイパネルを駆動させることができる。もう１つの実施例では、接続パッド１４１は、例えば、その上に集積回路チップ（表示していない）を有するフレキシブルプリント回路板のプリント回路板（表示していない）を電気的接続する。フレキシブルプリント回路板上に位置された集積回路チップは、図１に示す接続パッド１４１とトレースライン１４３によって液晶ディスプレイパネルを駆動させることができる。

図４Ａと４Ｂは、有機発光ダイオードディスプレイパネルに用いられる配線構造１０の断面図を表している。具体的に言えば、図４Ａは、図１の断面線ＡＡに沿った断面図と適合し、図４Ｂは、図１の断面線ＤＤに沿った断面図と適合している。図４Ａと４Ｂでは、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素／窒化ケイ素の二重層構造、またはその他の半導体材料の保護層１６０が誘電体層１３０と第２導電層上に形成される。続いて、保護層１６０がパターン化され、接続パッド１４１、ガードリング１４２と、トレースライン１４３の少なくとも一部を露出する。続いて、有機樹脂膜、またはスピンオンガラス膜の平坦化層１７０が保護層１６０と第２導電体層上に形成される。続いて、平坦化層１５０がパターン化され、接続パッド１４１の少なくとも一部を露出する。上述のように、露出された接続パッド１４１は、集積回路チップ、または集積回路チップ（表示していない）を有するフレキシブルプリント回路板を電気的接続することができ、図１に示す接続パッド１４１とトレースライン１４３によって発光ダイオードディスプレイパネルを駆動させることができる。

図１と図５Ａ〜５Ｃでは、本発明のもう１つの実施例の配線構造２０を表している。図５Ａは、図１の断面線ＡＡに沿った断面図であり、図５Ｂは、図１の断面線ＢＢに沿った断面図であり、図５Ｃは、図１の断面線ＣＣに沿った断面図である。図１の断面線ＤＤに沿った断面図は、素子「１４２」と「１２０」がない以外は、図５Ｂに表されているのとそれぞれ同じであるため、図１の断面線ＤＤに沿った断面図は、図５Ｂの中に合併される。配線構造２０は、基板１００、第１導電層、誘電体層１３０と、第２導電層を含む。第１導電層は、相互接続線１１０を含み、第２導電層は、接続パッド１４１、ガードリング（ｇｕａｒｄｒｉｎｇ）１４２と、トレースライン１４３を含む。ガードリング１４２は、接続パッド１４１を囲み、トレースライン１４３は、ガードリング１４２の外側に位置する。上述の素子に関するその他の詳細部分は、前述の配線回路１０についてされた叙述と同じであるため、その叙述を省略する。

配線構造１０と比較すると、図５Ａ〜５Ｃに示す配線構造２０は、第３導電層１２０を更に含む。第３導電層１２０は、その表面上にオーム接触インターフェース（ｏｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０ａを含む。第３導電層１２０は、ガードリング１４２の下方に設置される。本実施例では、第３導電層１２０は、ガードリング１４２に沿って延伸されるが、相互接続線１１０の付近で止まり、相互接続線１１０を越えて設置される。第３導電層１２０は、好ましくは誘電体層１３０の中に嵌め込まれ、誘電体層１３０は、第３導電層１２０と相互接続線１１０を隔絶する。第３導電層１２０は、導電材料を含むことができる。導電材料は、例えば、金属、ドープ多結晶半導体層、導電性ポリマー、導電性セラミック、導電性金属化合物、またはその他の周知の導電材料を含む。本実施例では、第３導電層１２０は、オーム接触インターフェース１２０ａ内でＮ型イオン、またはＰ型イオンをドープできる多結晶シリコンを含む。よって、第３導電層１２０の形成は、基板１００の被覆素子、例えば、薄膜トランジスタの形成と適合することができる。

例えば、基板１００が被覆の薄膜トランジスタを含む時、第３導電層１２０と薄膜トランジスタのソース、チャネルと、ドレイン領域を形成する活性層（表示していない）は、同じまたは異なる半導体（シリコン）層に位置されることができる。本実施例では、第３導電層１２０は、活性層と同じ多結晶シリコン層内に位置される。よって、同じフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィープロセス中にシリコン層から同時にパターン化されている時、第３導電層１２０と活性層を同時に形成することができる。よって、製造コストを減少し、且つ、薄膜トランジスタまたはその他の素子の製造と適合することができる。

配線構造１０と同じく、配線構造２０も図３、４Ａ、４Ｂに示すように、例えば、液晶ディスプレイパネル、有機発光ダイオードディスプレイパネルと、その他のディスプレイパネルに用いることができ、よって、その詳細についての詳述を省略する。

図６Ａ、６Ｂは、本発明のもう１つの実施例の画像表示システムを表している概略図である。本実施例では、ディスプレイパネル４００または電子装置６００である。前述に上げた配線構造は、例えば、液晶ディスプレイパネル、有機発光ダイオードディスプレイパネルと、その他のディスプレイパネルのディスプレイパネルに併入することができる。図６Ａに示すように、ディスプレイパネル４００は、例えば、図２Ａ〜２Ｃに示す配線構造１０、または図５Ａ〜５Ｃに示す配線構造２０の配線構造を含む。ディスプレイパネル４００は、各種様々な電子装置（本発明の実施例では電子装置６００）となることができる。電子装置６００は、通常、ディスプレイパネル４００と入力ユニット５００を含むことができる。また、入力ユニット５００は、効果的にディスプレイパネル４００に接続され、入力した信号（例えば、画像信号）をディスプレイパネル４００に送り、画像を発生する。電子装置６００は、例えば携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、ノート型パソコン、デスクトップ型パソコン、テレビ、カーディスプレイ、または携帯型ＤＶＤプレーヤーであることができる。

図６Ｂでは、ディスプレイパネル４００の模範的なレイアウトが表されている。本実施例では、ディスプレイパネル４００は、活性領域４１０、スキャンドライバ領域４２０、データドライバ領域４３０、選択的に付加可能な（ｏｐｔｉｏｎａｌ）回路領域４４０、接続パッド１４１と、選択的に付加可能な接続パッド１９１を含む。活性領域４１０は、スイッチの機能をする複数の薄膜トランジスタを含む。スキャンドライバ領域４２０とデータドライバ領域４３０は、活性領域４１０の側に設置される。スキャンドライバ領域４２０は、活性領域４１０の画素電極に電圧を供給し、データドライバ領域４３０は、活性領域４１０内の薄膜トランジスタのゲート電極に電圧を供給する。本発明の配線構造１０または２０は、データドライバ領域４３０に電気的接続する。接続パッド１４１が集積回路チップ（図示しない）に接触するように用いられる時、選択的に付加可能な接続パッド１９１は、フレキシブルプリント回路板（図示しない）に接触するように求められる。

図７は、本発明の配線構造１０が実験例として用いられた対照例が表されており、本発明の実施例の性能の改善程度を検証する。

図７は、従来の配線構造３０を表している上面図であり、対照例として用いられる。配線構造３０は、接続パッド４１を含み、トレースライン４３に電気的接続する。配線構造３０は、ガードリングを含まない。接続パッド４１とトレースライン４３間の電気的接続は、同じ導電体層で発生される。トレースライン４３は、更に延伸され、その基板のその他の駆動回路、例えば、薄膜トランジスタ電気的接続を発生する。図３に示す平坦化層１５０、または図４Ａと４Ｂに示す保護層１６０と平坦化層１７０は、配線回路１０と３０上に形成され、実験例の基板と対照例の基板を完成する。実験例の基板は、複数の本発明のディスプレイパネル４００を有し、本発明の配線回路１０を含む。対照例の基板は、複数の従来のディスプレイパネルを含み、従来の配線回路３０を含む。各パネル上で行った薄膜トランジスタのしきい電圧の抽出試験の結果は、標に表されている。

対照例では、従来の配線回路３０は、静電気放電と、またはプラズマ放電を受ける。放電された電流は、その薄膜トランジスタに伝導し、薄膜トランジスタの破損を招く。よって、そのしきい電圧値とその標準偏差は、明確に増加される。もう一方では、ガードリング１４２を有する本発明の配線構造１０は、それと電気的接続された薄膜トランジスタを効果的に保護し、前述の放電ダメージを受けるのを防ぐ。本発明のディスプレイパネル４００より測量されて得られたしきい電圧値とその標準偏差は、従来のディスプレイパネルより測量されて得られた値よりより小さい。

図８Ａ、８Ｂ、９Ａ、９Ｂは、本発明の配線構造１０の製造方法を表している断面図である。図８Ａと８Ｂに示すのは、図１の断面線ＢＢとＤＤに沿った断面図と適合し、図９Ａと９Ｂは、図１の断面線ＣＣに沿った断面図と適合している。

図８Ａと９Ａでは、基板１００を提供する。前述のように、本実施例では、基板１００は、ガラス基板であり、且つ、例えば薄膜トランジスタの被覆素子を含むことができる。本実施例では、基板１００は、被覆のゲート絶縁層１０５を含む。続いて、スパッタリング、蒸着、化学気相堆積法、またはその他の周知の堆積法によって第１導電体層を基板１００上に形成する。続いて、第１導電体層をパターン化して、第１端子１１１、第１端子１１１と分かれた第２端子１１２を有する相互接続線１１０を形成する。上述のように、基板１００の被覆素子の導電体部、例えば、薄膜トランジスタのゲートは、同じフォトマスクを用いることによって、第１導電体層をパターン化の時に同時に形成することができる。

図８Ｂと９Ｂでは、化学気相堆積法、スピンコーティング法、またはその他の周知の成膜法によって第１導電体層上に誘電体層１３０を形成する。続いて、誘電体層１３０をパターン化して、第１開口１３１と第２開口１３２を形成し、第１端子１１１と第２端子１１２をそれぞれ露出して、図１に示す接触窓１８１と１８２を形成する。また、基板１００の被覆素子の接触窓、例えば、薄膜トランジスタのドレイン領域は、好ましくは、同じフォトマスクからなり、同じパターン化のプロセスによってそれを露出する。

続いて、スパッタリング、蒸着、化学気相堆積法、またはその他の周知の堆積法によって第２導電体層を誘電体層１３０上に形成する。続いて、第２導電体層をパターン化して、接続パッド１４１、ガードリング１４２と、トレースライン１４３を形成する。接続パッド１４１は、第１開口１３１によって相互接続線１１０を電気的接続する。ガードリング１４２は、接続パッド１４１を囲む。トレースライン１４３は、ガードリング１４２の外側に設置され、第２開口１３２によって相互接続線１１０を電気的接続する。よって、図１と図２Ａ〜２Ｃに示す配線構造１０が完成される。いくつかの実施例では、第２導電体層を形成する前に、もう１つの導電材料を第１開口１３１と第２開口１３２に充填し、相互接続線１１０、接続パッド１４１と、トレースライン１４３を電気的接続することができる。本実施例では、第２導電層で第１開口１３１と第２開口１３２を充填し、プロセスステップを簡易化し、相互接続線１１０と接続パッド１４１／トレースライン１４３間の抵抗を減少する。基板１００の被覆装置に接触する接点、例えば、薄膜トランジスタのドレインの接点は、製造時間とコストを節約するために、同じフォトマスクを用いることによって形成され、同じ第２導電体層からパターン化されて得られることが好ましい。よって、本発明の配線構造１０の形成は、基板１００の被覆素子を形成するプロセスに適合することができる。

図１０Ａ〜１０Ｃ、１１Ａ〜１１Ｃは、本発明の配線構造２０の製造方法を表している断面図である。図１０Ａ〜１０Ｃに示すのは、図１の断面線ＢＢとＤＤに沿った断面図と適合し、１１Ａ〜１１Ｃは、図１の断面線ＣＣに沿った断面図と適合している。

図１０Ａと１１Ａでは、基板１００を提供する。前述のように、本実施例では、基板１００は、ガラス基板であり、且つ、例えば、薄膜トランジスタの被覆素子を含むことができる。第３導電体層１２０もスパッタリング、蒸着、化学気相堆積法、またはその他の周知の堆積法によって基板１００上に形成される。続いて、第３導電体層１２０をパターン化し、次のステップで形成されるガードリング１４２のパターンを延伸するが、相互接続線１１０以外の領域に設置して、第３導電体層１２０と相互接続線１１０が接触、橋絡（ｂｒｉｄｇｉｎｇ）、または電気的接続を生じるのを防ぐ必要がある。第３導電体層１２０は、好ましくは、例えば、多結晶シリコンの半導体層を含み、よって、薄膜トランジスタのソース領域、チャネル領域と、ドレイン領域を形成する半導体層と、第３導電体層１２０は、同じフォトマスクを用いることによって形成されることができ、同じ半導体層を同時にパターン化して得られることができる。

続いて、ゲート絶縁層１０５を基板と第３導電層１２０に形成する。続いて、ゲート絶縁層１０５をパターン化し、第３導電層１２０を露出する。次に、第１導電体層を基板１００上に形成し、８Ａと９Ａに叙述のように第１導電体層をパターン化する。

第３導電体層１２０が半導体層を含む時、図１０Ｂと１１Ｂに示すように、露出された第３導電体層１２０がイオン２００でドーピングされ、第３導電体層１２０の露出された表面にオーム接触インターフェース１２０ａを形成する。イオン２００は、Ｎ型イオン、またはＰ型イオンであることができる。

図１０Ｃと１１Ｃでは、相互接続線１１０と第３導電体層１２０のオーム接触インターフェース１２０ａ上に誘電体層１３０を形成する。続いて、８Ｂと９Ｂに叙述のように誘電体層１３０をパターン化し、第１端子１１１、第２端子１１２と、第３導電体層１２０のオーム接触インターフェース１２０ａを露出する。最後に、配線構造１０に叙述のように、第２導電体層を誘電体層１３０上に形成する。続いて、第２導電体層をパターン化し、図１に示すように接続パッド１４１、ガードリング１４２と、トレースライン１４３を形成する。ガードリング１４２は、図５Ａ〜５Ｃに詳述のように、第３導電体層１２０を更に電気的接続し、図１と図５Ａ〜５Ｃに示す本発明の配線構造２０を完成する。

以上、本発明の好適な実施例を例示したが、これは本発明を限定するものではなく、本発明の精神及び範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者であれば行い得る少々の変更や修飾を付加することは可能である。従って、本発明が保護を請求する範囲は、特許請求の範囲を基準とする。

本発明の実施例の配線構造を表している上面図である。本発明の実施例の配線構造を表している断面図である。本発明の実施例の配線構造を表している断面図である。本発明の実施例の配線構造を表している断面図である。本発明の実施例の配線構造の応用を表している断面図である。本発明の実施例の配線構造のもう１つの応用を表している断面図である。本発明の実施例の配線構造のもう１つの応用を表している断面図である。本発明のもう１つの実施例の配線構造を表している断面図である。本発明のもう１つの実施例の配線構造を表している断面図である。本発明のもう１つの実施例の配線構造を表している断面図である。本発明のもう１つの実施例の画像表示システムを表している概略図である。本発明のもう１つの実施例の画像表示システムを表している概略図である。従来の配線構造を表している上面図である。本発明の実施例の配線構造の製造方法を表している断面図である。本発明の実施例の配線構造の製造方法を表している断面図である。本発明の実施例の配線構造の製造方法を表している断面図である。本発明の実施例の配線構造の製造方法を表している断面図である。本発明の実施例の配線構造のもう１つの製造方法を表している断面図である。本発明の実施例の配線構造のもう１つの製造方法を表している断面図である。本発明の実施例の配線構造のもう１つの製造方法を表している断面図である。本発明の実施例の配線構造のもう１つの製造方法を表している断面図である。本発明の実施例の配線構造のもう１つの製造方法を表している断面図である。本発明の実施例の配線構造のもう１つの製造方法を表している断面図である。

符号の説明

１０配線構造
２０配線構造
３０配線構造
４１接続パッド
４３トレースライン
１００基板
１０５ゲート絶縁層
１１０相互接続線
１１１第１端子
１１２第２端子
１２０第３導電層
１２０ａオーム接触インターフェース
１３０誘電体層
１３１第１開口
１３２第１開口
１４１接続パッド
１４２ガードリング
１４３トレースライン
１５０平坦化層
１６０保護層
１７０平坦化層
１８１接触窓
１８２接触窓
１９１選択的に付加可能な接続パッド
２００イオン
４００ディスプレイパネル
４１０活性領域
４２０スキャンドライバ領域
４３０データドライバ領域
４４０選択的に付加可能な回路領域
５００入力ユニット
６００電子装置

Claims

ディスプレイパネルを駆動する配線構造を含む画像表示システムであって、前記配線構造は、
基板、
前記基板上にあり、第１端子と前記第１端子と離れた第２端子を有する相互接続線を有する第１導電層、
前記第１導電層上にあり、前記第１端子を露出する第１開口と前記第２端子を露出する第２開口を有する誘電体層、および
前記誘電体層上にあり、接続パッド、ガードリングと、トレースラインを有し、前記ガードリングが前記接続パッドを囲み、前記トレースラインが前記ガードリングの外側に位置する第２導電層を含み、
前記接続パッドは、前記第１開口によって前記トレースラインに電気的接続し、且つ、
前記トレースラインは、前記第２開口によって前記トレースラインに電気的接続する画像表示システム。
前記ガードリングの抵抗は、１０ＫΩより小さい、または前記ガードリングの幅は、５０μｍより大きい請求項１に記載の画像表示システム。
前記ガードリングの下方にあり、前記ガードリングに電気接続する第３導電層を更に含む請求項１に記載の画像表示システム。
前記第３導電層は、
前記ガードリングの一部を形成し、前記ガードリングの抵抗が１０ＫΩより小さく、且つ、
前記相互接続線を越えて位置され、且つ、
その表面にあり、前記ガードリングに接触するオーム接触インターフェースを更に含む請求項３に記載の画像表示システム。
ディスプレイパネル、および
前記ディスプレイパネルに接続され、信号を提供して前記ディスプレイパネルの経路に入力し、前記ディスプレイパネルに画像を表示させる入力ユニットを含む電子装置を更に含む請求項３に記載の画像表示システム。