JP2008087471A - 液体吐出ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インク吐出口112に連通し液体を加圧するための複数のインク圧力室111を有する。複数のインク圧力室111の各々に対応して設けられ、インク圧力室111の側から順に積層された下電極105、圧電体層107及び上電極108を有する複数の圧電素子109を有する。インク圧力室111同士の間に対応する領域にまで下電極105が設けられている。少なくとも複数の圧力室111同士の間に対応する領域に設けられた下電極105をすべて覆う絶縁体層106が形成されている。
【選択図】図1
Description
図1は本実施形態の液体吐出ヘッドとしてのインクジェット記録ヘッドの断面模式図である。基板としてはSiウエハが用いられる。Si基板101上に、SiO2層(ボックス層)102、振動板としてSi単結晶層(SOI層)103、SiO2層104、圧電素子として下電極105、絶縁体層(以下、「絶縁層」とも称す)106、圧電体層109、上電極108が順次形成されている。
(1)SOI層103を有するシリコン基板101に、熱酸化処理により熱酸化膜(SiO2層)104を形成する。
(2)この熱酸化膜104の上に、下電極105としてPt/Tiをスパッタ法などで成膜し、さらにその上にLPCVD法、スパッタ法などにより、絶縁膜106を堆積する。下電極105の厚さは、300〜1000Å、絶縁層106の厚さは1000Å〜1μm程度である。
(3)絶縁膜106の上に、スパッタやCVD等の方法でチタン酸ジルコン酸鉛系またはチタン酸バリウム系を主成分とした薄膜を堆積し、600〜800℃で焼成し圧電体層107の材料層とする。圧電体層107上に、Pt/Tiなどの金属を堆積し、パターニングして上層電極108を形成する。
(4)圧電体層107をエッチングして圧電体素子109を形成する。この際に、ドライエッチング法で絶縁層106をエッチングストップ層に用いる。絶縁層106をエッチングストップ層に用いることによって、下電極105のPt/Tiなどがオーバーエッチされてしまい圧電体素子109の端面に付着してしまう、といったことが防止できる。このドライエッチングによって少なくとも圧電素子同士の間の部分の絶縁体層が露出する。
(5)レジストパターニング後に、ICP(Inductively Coupled Plasma)エッチング法を用いて、圧電素子部の下部にインク圧力室111を形成する。
(6)別のシリコン基板に、同じくICP法を用いてインク吐出口112を形成し、オリフィスプレート113とする。
(7)前述したパーツを接合し、インクジェット記録ヘッド114が完成する。
[実施例1−1]
図1は本実施例を示すインクジェット記録ヘッドの断面模式図である。基板としてはシリコンSOIウエハが用いられる。200μm厚のSi基板101上に、SiO2層(ボックス層)102が1μm、振動板としてSi単結晶層(SOI層)103が5μm、SiO2層104が3000Åを形成した。また、圧電素子として、下電極105、絶縁膜106、圧電体層109、上電極108を以下の厚みで順次形成した。下電極105はPt/Ti=3000/300Å、絶縁膜106はAl2O3=4000Åとした。また、圧電体層109はPb(Zr、Ti)O3ペロブスカイト型酸化物(PZT)=2.7μm、上電極108はPt/Ti=3000/300Åとした。
[比較例1−1]
図4は、本発明との比較のために作製したインクジェット記録ヘッドの模式的な断面図である。絶縁膜106を設けない点以外は実施例1と同様の素子を作製した。このヘッドを使い、粘度2cpの水性インクを用いて、30KHzで3plの液滴、幅12.5mmで印字テストを行ったところ、5×109回で不吐出の部分が発生した。
[実施例1−2]
図5のように、絶縁層106をオーバーエッチングして、圧電体層107下以外の部分の膜厚114を2000Åと薄くした。他の構造は、実施例1−1と同様にした。アクチュエータ部の変形を測定したところ、30Vの電圧を印可したときの変位が、実施例1のものに比べて、8%大きくなっていた。印字テストでは、2×1010回まで不吐出のない高品位な印字物が得られた。
[実施例1−3]
次に、本発明によるインクジェット記録ヘッドのプロセスを再び図3A、図3Bを用いて順を追って説明する。
(1)1μmのボックス層102、5μmのSOI層103を持った、厚さ200μmのシリコン基板101に、熱酸化で3000Åの熱酸化膜(SiO2層)104を形成した。
(2)この上に、下電極105としてPt/Ti=3000/300Åをスパッタ法で成膜し、さらにその上にスパッタ法により、絶縁膜106としてTa2O5を3000Å堆積した。
(3)この絶縁膜106に、スパッタ法でPZTを3μm堆積し、700℃で5時間焼成し圧電体層107とした。圧電体層107上に電極として、Pt/Ti=3000/300Åをスパッタ法で成膜し、パターニングして上電極108を形成した。
(4)圧電体層107をC4F8とCl2を使ってドライエッチングして圧電体素子109を形成した。この際に、Ta2O5層がエッチングストップ層として機能した。
(5)レジストパターニング後に、SF6とC4F8を交互に導入しICP(Inductively Coupled Plasma)エッチング法を用いて、Siをボックス層まで掘り込み、圧電素子部の下部にインク圧力室111を形成した。
(6)厚さ150μmの別のシリコン基板に、同じくICP法を用いて直径40μmのインク吐出口112を形成し、オリフィスプレート113とする。
(7)前述したパーツにAu/Ti=1000/300Åスパッタで成膜し、真空接合機にて300℃で3MPaの圧力を掛け接合した。これで、インクジェット記録ヘッド114が完成する。
[第2の実施形態]
図6(A)は本実施形態のインクジェット記録ヘッドの断面模式図であり、図6(B)のA−A'部における断面を示している。基板としてはSiウエハが用いられる。Si基板101上に、SiO2層(ボックス層)102、振動板としてSi単結晶層(SOI層)103、圧電素子として下電極105、絶縁層106、圧電体層107、上電極108が順次形成されている。
(A)SOI層である振動板層103、ボックス層である酸化膜102を持ったシリコン基板101に、下電極105としてPt/Tiを形成し、さらにその上に絶縁層106を形成する。絶縁層としては、Al2O3、AlN、Si3N4、SiO2、MgO、Ta2O5、SiCなどが適用可能である。
(B)形成した絶縁層106をパターニングし、非形成領域106dを形成する。
(C)パターニングした絶縁層106上に、チタン酸ジルコン酸鉛系またはチタン酸バリウム系を主成分とした薄膜を堆積し、600〜800℃で焼成し圧電体層107とする。圧電体層107上に下電極106として、Pt/Tiなどの金属を形成する。
(D)上電極108のパターニングを行う。
(E)圧電体層107をエッチングして素子分離を行い、圧電素子109を形成する。この際に、ドライエッチング法で絶縁層106をエッチングストップ層に用いる。絶縁層106をエッチングストップ層に用いることによって、下電極105のPt/Tiなどがスパッタされて、圧電体素子端面に付着することが防止できる。
(F)レジストパターニング後に、シリコン基板101を、圧電素子109が形成された面と対向する側からエッチングを行い、圧電素子109の下部にインク圧力室111を形成する。
(G)別のシリコン基板に、インク連通部115及びインク吐出口112を形成し、オリフィスプレート113とする。
(H)前述したパーツを接合し、インクジェット記録ヘッド114が完成する。
[実施例2−1]
図6は本発明による実施例を示すインクジェット記録ヘッドの断面模式図である。基板としてはシリコンSOIウエハを用いた。200μm厚のSi基板101上に、SiO2層(ボックス層)102が1μm、振動板としてSi単結晶層(SOI層)103が5μmである。このSOI層103の上に熱酸化膜SiO2層を300nm形成している(不図示)。その上に下電極105としてPt300nm/Ti30nm、絶縁層106としてSiO2を300nmを形成し、絶縁層106の一部をエッチングによって除去し、非形成領域を形成した。その後、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)2.7μmの圧電体層107、Pt/Ti=300/30nmの上電極108を順次形成し、上電極108、圧電体層107を順次エッチングして圧電素子109を形成した。本実施例に上げた振動板やPZT、電極、絶縁膜などの厚さは一例を示したのみであり、用途に応じて適宜変更することが可能である。絶縁層106は変位の阻害、エッチングストップ層としての機能を考えるとSiO2を用いた場合には10nm〜1000nmあたりが適当である。
[比較例2−1]
絶縁層106を形成しない以外は実施例2−1と同様の素子を作製し、このヘッドを使って、粘度2cpの水性インクを用いて、30KHzで3plの液滴、幅12.5mmで印字テストを行った。その結果、5×109回で上下電極間でショートが発生し、不吐出となった。
[実施例2−2]
図10のように、絶縁層106をオーバーエッチングして、圧電体層107下以外の部分の絶縁層106bを200nmと薄くした。他の構造は、実施例2−1と同様にした。圧電素子部の変形を測定したところ、30Vの電圧を印可したときの変位が、実施例2−1のものに比べて、8%大きくなっていた。印字テストでは、2×1010回まで不吐出のない高品位な印字物が得られた。
[実施例2−3]
次に、本発明によるインクジェット記録ヘッドの製造方法を図9A、図9Bを使って順を追って説明する。
(A)1μmのSiO2層であるボックス層102、5μmのSOI層103を持った、厚さ200μmのシリコン基板101に下電極105としてPt/Ti=300/30nmをスパッタ法で成膜した。さらにその上にスパッタ法により、絶縁層106としてTa2O5を300nm堆積した。
(B)次に形成した絶縁層106の一部をエッチングによって除去し、非形成領域109を形成した。
(C)非形成領域109を形成した絶縁層106上にスパッタ法でPZTを3μm堆積し、酸素雰囲気中にて700℃で5時間焼成し圧電体層107とした。さらに圧電体層上に電極として、Pt/Ti=300/30nmをスパッタ法で成膜した。
(D)形成したPt/Ti=300/30nmをパターニングして上電極108を形成した。
(E)圧電体層107をC4F8とCl2をエッチングガスとして用いたドライエッチングを行い、圧電体素子109を形成した。この際に、Ta2O5層がエッチングストップ層として機能した。
(F)レジストパターニング後に、シリコン基板101を、圧電素子が形成された面と対向する面からボックス層102をストップエッチング層として用い、エッチングを行った。エッチング方法としては垂直深堀りが可能な方法が好適である。本実施例においてはプラズマ源として高密度プラズマを生成できるICP(Inductively Coupled Plasma)を用い、エッチングガスとしてSF6及びC4F8を用いた、いわゆるボッシュプロセスを用いてエッチングを行った。ボックス層102が露出するまでエッチングを行った後、バッファードフッ酸を用いて露出したボックス層を除去し、インク圧力室111を形成した。
(G)厚さ150μmの別のシリコン基板に、同じくICP法を用いてインク連通部115と直径30μmのインク吐出口112を形成し、オリフィスプレート113とする。
(H)前述したパーツにAu/Ti=100/30nmスパッタ法で成膜し、真空接合機にて300℃で3MPaの圧力を掛け接合した。これで、インクジェット記録ヘッドが完成する。
106 絶縁膜
107 圧電体層
108 上電極
109 圧電素子
111 インク圧力室
112 インク吐出口
114 インクジェット記録ヘッド
Claims (7)
- 液体を吐出する吐出口に連通し液体を加圧するための複数の圧力室と、該複数の圧力室の各々に対応して設けられ、該圧力室の側から順に積層された下電極、圧電体層及び上電極を有する複数の圧電素子と、を有し、前記複数の圧力室同士の間に対応する領域にまで前記下電極が設けられた液体吐出ヘッドであって、
少なくとも前記複数の圧力室同士の間に対応する領域に設けられた前記下電極をすべて覆う絶縁体層が形成されていることを特徴とする液体吐出ヘッド。 - 前記圧電体層の少なくとも一端は前記圧力室に対応する領域外へ延設されており、前記圧電体層は幅が前記上電極より広く前記下電極より狭く、前記絶縁体層は少なくとも前記圧電素子の長手方向の外縁に沿って形成されており、前記下電極と前記圧電体層とを電気的に接触させるための、前記絶縁体層が形成されていない部分が設けられている請求項1に記載の液体吐出ヘッド。
- 前記絶縁体層は少なくとも前記圧電素子のすべての外周に沿って形成されている請求項2に記載の液体吐出ヘッド。
- 前記絶縁体層は前記圧電体層より厚さが薄い請求項1ないし4のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド。
- 前記絶縁体層は、前記圧電体層に対応する部分以外の部分が、前記圧電体層に対応する部分より厚さが薄い請求項1ないし4のいずれか1項にに記載のインクジェット記録ヘッド。
- 液体を吐出する吐出口に連通し液体を加圧するための圧力室の複数と、該複数の圧力室の各々に対応して設けられ、該圧力室の側から順に積層された下電極、圧電体層及び上電極を有する圧電素子の複数と、を有し、前記複数の圧力室同士の間に対応する領域にまで前記下電極が設けられ、少なくとも前記領域に設けられた前記下電極を絶縁体層がすべて覆う液体吐出ヘッドの製造方法であって、
前記下電極の上に絶縁体層を形成する工程と、
前記絶縁体層の上に前記圧電体層の材料層を形成する工程と、
前記圧電体層の材料層の、前記複数の圧電素子同士の間の部分をエッチングして前記絶縁体層を露出させる工程と、
を含むことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。 - 前記エッチングはドライエッチングであり、前記下電極はPtを含む請求項6に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
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