JP2017162906A - 圧電素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板11上に、下部電極12、圧電膜13、および上部電極15をこの順に備える圧電素子10であって、圧電膜13の下部電極12側および上部電極15側の少なくとも一方に絶縁膜14を備え、
圧電膜13が、少なくともPb、Zr、Ti、およびO元素を含む材料からなり、
圧電膜13の膜厚が、400nm以上10μm以下であり、
絶縁膜14が、6.0eV以上のバンドギャップを有し、圧電膜13と異なる材料からなり、
絶縁膜14の少なくとも一方の膜厚が2nm以上であり、かつ、圧電膜13の膜厚に対する絶縁膜14の総膜厚の比が0.5%以下である圧電素子10とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高い絶縁耐性および良好な圧電特性を両立させることが可能な圧電素子を提供することを目的とするものである。
圧電膜の下部電極側および上部電極側の少なくとも一方に絶縁膜を備え、
圧電膜は、少なくともPb、Zr、Ti、およびO元素を含む材料からなり、
圧電膜の膜厚は、400nm以上10μm以下であり、
絶縁膜は、6.0eV以上のバンドギャップを有し、圧電膜と異なる材料からなり、
絶縁膜の少なくとも一方の膜厚は2nm以上であり、かつ、圧電膜の膜厚に対する絶縁膜の総膜厚の比は0.5%以下である。
ここで、圧電膜の膜厚に対する絶縁膜の総膜厚の比は、(絶縁膜の総膜厚/圧電膜の膜厚)×100で表される値である。
本発明の圧電素子について、図1を参照しながら説明する。図1は本発明の圧電素子の一実施形態の概略断面図である。
圧電素子10は、基板11、下部電極12、圧電膜13、絶縁膜14、および上部電極15を備える。下部電極12と上部電極15とにより膜厚方向に電界が印加されて、圧電膜13が伸縮する。本実施形態の基板11には、空間17が設けられている。このような圧電素子は、基板11の下部に空間17と連通する小孔を備えた薄板をさらに備え、空間17が圧力室を構成し、小孔が圧力室内の液体を外部に吐出する液体吐出口を構成してなる液体吐出装置のアクチュエータとして用いることができる。
また、絶縁膜14は、上部電極が配線部分として機能する領域にあっても、もちろんよい。
(基板11)
基板11としては特に制限なく、シリコン、ガラス、ステンレス、イットリウム安定化ジルコニア(YSZ)、SrTiO3、アルミナ、サファイヤ、およびシリコンカーバイド等の基板が挙げられる。基板11としては、シリコン基板上にSiO2膜とSi活性層とが順次積層されたSOI(Silicon on Insulator)基板等の積層基板を用いてもよい。また、基板と下部電極との間に、格子整合性を良好にするためのバッファ層や、電極と基板との密着性を良好にするための密着層等を設けてもよい。
下部電極12は、圧電膜13に電圧を加えるための電極である。下部電極12の主成分としては、特に制限がなくAu、Pt、Ir、IrO2、RuO2、LaNiO3、SrRuO3、ITO(Indium Tin Oxide)、TiN等の金属、金属酸化物、または透明導電性材料で構成されている。例えば、Pt電極またはIr電極のような貴金属電極を用いると、良質な圧電膜を作製することができるため好ましい。下部電極12は、隣接する層との密着性を維持するために、Ni、Cr、Ti、またはTiW(チタンタングステン)などの金属層を、下部電極12の基板11側あるいはその反対側、または両方に設けてもよい。密着性を維持できる場合には、必ずしも必要としない。
上部電極15は、圧電膜13に電圧を加えるための電極である。上部電極15の主成分としては特に制限がなく、下部電極12で例示した材料、Al、Ta、Cr、Cu、Ir、およびPt等の一般的な半導体プロセスで用いられる電極材料、または、これらの組み合わせが挙げられる。また、上部電極15は、圧電膜13または絶縁膜14との密着性を維持するために、Ni、Cr、Ti、またはTiW(チタンタングステン)などの金属層を設けてもよい。
下部電極12と上部電極15の厚みには特に制限はないが、電極での電圧降下を防ぎ、かつ膜応力による素子破壊を防ぐ観点から、50〜500nmであることが好ましい。
圧電膜13の材料としては、バンドギャップ(以下、Egとも記載する)が6.0eV未満である材料が好ましく一般的なペロブスカイト構造の圧電膜を挙げることができる。
ABO3・・・(一般式1)
AはAサイトの元素であり、Pb、Ba、Sr、Bi、Li、Na、Ca、Cd、Mg、K、およびランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む。
BはBサイトの元素であり、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Mg、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe、Ni、Hf、およびAlからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む。Oは酸素元素である。
なお、AlN(Eg=6.3eV)およびランガサイト系化合物(Eg=6.6eV)などのバンドギャップが6.0eV以上の材料は、材料自身で高耐圧を実現することができるため、本発明による効果は小さいと考えられる。
絶縁膜14は、6.0eV以上のバンドギャップを有し、圧電膜13と異なる材料からなるものである。絶縁膜14の材料としては、SiO2(Eg=9eV)、Al2O3(Eg=8.6eV)、MgO(Eg=7.5eV)、ZrO2(Eg=6.1eV)、およびHfO2(Eg=6.1eV)から選ばれる少なくとも一つを含むことが好ましい。なかでも、絶縁膜14はAl2O3からなることが最も好ましい。
各々の材料がバンドギャップ6.0eV以上である場合は、これらの混合物でもよい。また、材料のバンドギャップが6.0eV以上であれば、上記材料の一部が別の元素で置換されたもの、パラキシリレン系ポリマーなどからなる有機絶縁膜を用いてもよい。
このような層構成では、上部電極15にマイナス電圧を印加すると、電子が注入されて下部電極12に向かって走ろうとするが、電子の動きは下の絶縁膜14に制約されて電子が抜けていかないため電流が流れにくく、絶縁破壊に達しにくいと考えられる。
また、印加する電圧は、上部電極および下部電極の極性を問わず、最適な圧電変位が得られる電圧を印加することができる。
絶縁膜がない圧電素子100(図5参照)では、上部電極104にマイナス電圧を印加した場合、上部電極104付近から絶縁破壊に至らしめる電子が発生し、他の電子と衝突しながらプラス電界である下部電極102に向かって圧電膜103を電子が走り、電子なだれが発生すると考えられる。
次に、圧電素子の製造方法の一実施形態について図4を参照しながら説明する。図4に、スパッタ装置の一例の概略構成図を示す。
スパッタ装置(高周波スパッタリング装置)200は、基板Bが装着可能である。装着された基板Bを所定温度に加熱することが可能な基板ホルダ211と、ターゲットTが装着可能なターゲットホルダ212とが備えられた真空容器210から概略構成されている。図4における装置では、真空容器210が成膜チャンバとなっている。基板Bは、下部電極が成膜された基板である。
厚み625μmおよび直径150mmのSiウエハ基板上に、スパッタ法により下部電極として20nm厚のTiW膜と150nm厚の(111)Ir膜とを順次成膜した。Ir膜上に、スパッタ法により、Nbが含有されたPZT膜(圧電膜)を約3μm成膜した。蛍光X線法による組成分析の結果、圧電膜中のNb含有比およびZr含有比は、Nb/(Zr+Ti+Nb)=0.12、および、Zr/(Zr+Ti)=0.52であった。
圧電膜上に、スパッタ法によりAl2O3膜(絶縁膜,Eg=8.6eV)を成膜し、さらにその上に上部電極としてIr膜を150nm成膜し、積層体を作製した。ここで、Al2O3膜の膜厚を変化させた積層体から下記の手順により圧電素子を作製し、これらを実施例および比較例として評価した。なお、以下の各表において、絶縁膜が0nmと記載した膜は、成膜しなかった場合を意味する。
圧電素子の圧電定数を以下の方法で測定した。
圧電定数の測定は、上記のように作製された積層体を2mm×25mmの短冊状に切断してカンチレバーを作製し、I.Kanno et. al. Sensor and Actuator A 107(2003)68.に記載の方法に従い、−10V±10Vの正弦波の印加電圧で行った。
ここで、以下の製造例1〜5の表において、絶縁膜がない場合(比較例1−1)の圧電定数d31は250pm/Vであり、この値を100%として表記した。
圧電素子の耐圧を以下の方法で測定した。
上記のように作製した積層体の上部電極であるIr膜をリフトオフ法により直径400μm円形状にパターニングした。下部電極を接地し、上部電極にマイナスの電圧を印加し、1mA以上の電流が流れた電圧の絶対値を10回測定し、その平均値を耐圧と定義した。
圧電定数×耐圧を圧電素子の圧電性能として、基準の圧電素子から相対的に評価した。以下の各表において、圧電膜の膜厚に対する絶縁膜の総膜厚の比は、単に、絶縁膜/圧電膜と記載する。
絶縁膜をZrO2(Eg=6.1eV)とした以外は製造例1と同様に圧電素子を作製し、同様に圧電定数および耐圧を測定した。表2に評価結果を示す。
絶縁膜をTiO2(Eg=3.0〜3.2eV)とした以外は製造例1と同様に圧電素子を作製し、同様に圧電定数および耐圧を測定した。表3に評価結果を示す。
圧電膜の下部電極側に絶縁膜を形成した以外は、製造例1と同様に圧電素子を作製し、同様に圧電定数および耐圧を測定した。
圧電膜を、蛍光X線法による組成分析した結果、Nb含有比およびZr含有比は、Nb/(Zr+Ti+Nb)=0.12、および、Zr/(Zr+Ti)=0.52であった。表4に評価結果を示す。
下部電極側および上部電極側の両方に絶縁膜を形成した以外は、製造例1と同様に圧電素子を作製し、圧電定数および耐圧を測定した。表5に評価結果を示す。
圧電膜を、Pb(Zr,Ti)O3とした以外は製造例1と同様に圧電素子を作製し、圧電定数および耐圧を測定した。蛍光X線法による組成分析の結果、圧電膜のZrとTiの含有比は、Zr/(Zr+Ti)=0.52であった。
絶縁膜を積層しない圧電素子(比較例6−1)を作製し、圧電定数d31を測定したところ、d31=150pm/Vであった。これを基準として評価した。表6に評価結果を示す。
11,101 基板
12,102 下部電極
13,103 圧電膜
14,14a,14b 絶縁膜
15,104 上部電極
16 デバイス機能有効領域
17 空間
200 スパッタ装置
210 真空容器
211 基板ホルダ
212 ターゲットホルダ
213 高周波電源
214 プラズマ発生手段
217 ガス導入管
218 ガス排出管
220 フローティング壁
G ガス
V 排気
B 基板
Claims (4)
- 基板上に、下部電極、圧電膜、および上部電極をこの順に備える圧電素子であって、
前記圧電膜の前記下部電極側および前記上部電極側の少なくとも一方に絶縁膜を備え、
前記圧電膜が、少なくともPb、Zr、Ti、およびO元素を含む材料からなり、
前記圧電膜の膜厚が、400nm以上10μm以下であり、
前記絶縁膜が、6.0eV以上のバンドギャップを有し、前記圧電膜と異なる材料からなり、
前記絶縁膜の少なくとも一方の膜厚が2nm以上であり、かつ、前記圧電膜の膜厚に対する前記絶縁膜の総膜厚の比が0.5%以下である圧電素子。 - 前記絶縁膜が、SiO2、Al2O3、MgO、ZrO2、およびHfO2から選ばれる少なくとも一つを含む請求項1記載の圧電素子。
- 前記絶縁膜が、Al2O3からなる請求項2記載の圧電素子。
- 前記圧電膜の膜厚が、1μm以上10μm以下である請求項1から3いずれか1項記載の圧電素子。
Priority Applications (1)
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JP2016044407A JP6698383B2 (ja) | 2016-03-08 | 2016-03-08 | 圧電素子 |
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