JP2008085312A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体膜を成膜し、レーザビームを遮蔽する遮蔽物を有するフォトマスクを通してレーザビームを照射し、半導体膜中の、フォトマスク中の遮蔽物が形成されない領域を介してレーザビームが照射された領域は昇華し、フォトマスク中の遮蔽物が形成された領域によりレーザビームが照射されなかった領域は昇華せずに島状半導体膜が形成され、ソース電極またはドレイン電極の一方である第1の電極と、ソース電極またはドレイン電極の他方である第2の電極が形成され、ゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にゲート電極が形成される半導体装置の作製方法に関する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態を、図1(A)〜図1(B)、図2(A)〜図2(D)、図3(A)〜図3(C)、図4(A)〜図4(E)、図13(A)〜図13(B)、図14を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明を用いてボトムゲート型TFTを作製した例について、図15(A)〜図15(C)、図16(A)〜図16(B)、図17(A)〜図17(C)、図18(A)〜図18(B)を用いて説明する。
本実施の形態では、トップゲートZnO−TFTを使った液晶表示装置の例を、図5、図6(A)〜図6(C)を用いて説明する。なお実施の形態1と同じものは同じ符号で表している。
本実施の形態では、本発明を用いて作製した発光表示パネルについて、図7(A)〜図7(C)、図8(A)〜図8(E)、図9(A)〜図9(C)、図10(A)〜図10(C)を用いて以下説明する。
本実施の形態では、実施の形態2とは別の方法でボトムゲート型TFT及び画素電極を形成する方法について、図19(A)〜図19(B)、図20(A)〜図20(C)を用いて説明する。
上記実施の形態に示される半導体装置を有する電子機器として、テレビジョン装置(単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ)、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置(単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ)、PDA等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図11(A)〜図11(F)及び図12を参照して説明する。
102 酸化亜鉛膜
103 石英基板
104 紫外線遮蔽材料
105 フォトマスク
106 島状酸化亜鉛膜
111 基板
112 酸化亜鉛膜
113 金属膜
114 基板
115 石英基板
116 紫外線遮蔽材料
117 フォトマスク
118 島状配線領域
119 島状酸化亜鉛膜
201 TFT
202 ゲート線
203 データ線
204 液晶素子
205 容量素子
206 電極
207 ゲート電極
211 基板
212 下地膜
213 島状半導体膜
214 電極
215 ゲート絶縁膜
216 絶縁膜
217 画素電極
218 配向膜
221 対向基板
222 着色層
223 画素電極
224 配向膜
225 液晶層
231 絶縁膜
232 発光物質を有する層
233 画素電極
234 発光素子
301 基板
302 酸化亜鉛膜
303 島状酸化亜鉛膜
304a 電極
304b 電極
305 電極
306 ゲート絶縁膜
307 ゲート配線
308 画素電極
309 TFT
311 基板
312 遮蔽物
313 フォトマスク
315 基板
316 遮蔽物
317 フォトマスク
321 容量素子
331 基板
341 正孔注入層
342 正孔輸送層
343 発光層
344 電子輸送層
345 電子注入層
346 正孔輸送層
347 電子輸送層
348 絶縁層
349 発光層
350 絶縁層
351 バインダ
352 発光材料
355 基板
356 酸化亜鉛膜
357 積層膜
361 基板
362 遮蔽物
363 フォトマスク
371 基板
372 酸化亜鉛膜
373 ITO膜
381 基板
382 遮蔽物
383 フォトマスク
391 石英基板
392 酸化亜鉛膜
393 金属膜
401 基板
402 ゲート電極
403 ゲート絶縁膜
404 島状半導体膜
405a 領域
405b 領域
406 画素電極
411 TFT
412 電極
421 容量素子
431 酸化亜鉛膜
441 基板
442 遮光層
443 フォトマスク
445 基板
446 遮光層
447 フォトマスク
448 基板
449 酸化亜鉛膜
451 基板
452 遮光層
453 フォトマスク
454 基板
455 酸化亜鉛膜
456 半導体膜
461 基板
462 遮光層
463 フォトマスク
464 基板
465 酸化亜鉛膜
466 導電膜
471 基板
472 遮光層
473 フォトマスク
474 基板
475 酸化亜鉛膜
476 金属膜
501 基板
502 ゲート電極
503 ゲート絶縁膜
504 島状半導体膜
505 絶縁膜
506 電極
507 電極
508 画素電極
509 領域
511 TFT
521 溝
531 半導体膜
535 基板
536 遮光層
537 フォトマスク
3701 スイッチング用TFT
3702 容量素子
3703 駆動用TFT
3704 電流制御用TFT
3705 発光素子
3706 TFT
3710 信号線
3711 電源線
3712 電源線
3714 走査線
3715 走査線
9101 本体
9102 表示部
9201 本体
9202 表示部
9301 本体
9302 表示部
9401 本体
9402 表示部
9511 チューナ
9512 映像検波回路
9513 映像信号処理回路
9514 コントロール回路
9515 表示パネル
9516 走査線駆動回路
9517 信号線駆動回路
9518 信号分割回路
9521 音声検波回路
9522 音声信号処理回路
9523 スピーカ
9524 制御回路
9525 入力部
9601 本体
9602 表示部
9701 表示部
9702 表示部
Claims (10)
- 基板上に、第1の半導体膜を成膜し、
レーザビームを遮蔽する遮蔽物を有するフォトマスクを通して、前記第1の半導体膜にレーザビームを照射し、
前記フォトマスク中の遮蔽物が形成されない領域を通って、前記レーザビームが照射された前記第1の半導体膜中の第1の領域は昇華し、
前記フォトマスク中の遮蔽物が形成された領域がマスクとなり、前記レーザビームが照射されなかった前記第1の半導体膜中の第2の領域は昇華せずに残存することにより、島状半導体膜が形成され、
前記島状半導体膜上に、ソース電極またはドレイン電極の一方である第1の電極と、ソース電極またはドレイン電極の他方である第2の電極が形成され、
前記島状半導体膜、前記第1の電極及び前記第2の電極上に、ゲート絶縁膜が形成され、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極が形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記ソース電極またはドレイン電極は、
透光性を有する基板上に、レーザビームを遮蔽する遮蔽物が形成されたものをフォトマスクとし、
透光性を有する基板上に、第2の半導体膜を第1の層として形成し、及び金属膜を第2の層として形成されたものをソース基板として、
前記フォトマスクを介して前記レーザビームを前記ソース基板に照射させることにより、前記第2の半導体膜を昇華させることにより、前記金属膜を前記ソース電極またはドレイン電極として前記島状半導体膜上に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1の半導体膜は、亜鉛化合物半導体膜あるいは酸化物半導体膜のいずれか1つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項2または請求項3において、
前記第2の半導体膜は、亜鉛化合物半導体膜あるいは酸化物半導体膜のいずれか1つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項3または請求項4において、
前記亜鉛化合物半導体膜は、酸化亜鉛、酸化亜鉛を含む混晶半導体、硫化亜鉛のいずれか1つを含むことを特徴とする半導体膜の作製方法。 - 基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、第1の半導体膜を形成し、
レーザビームを遮蔽する遮蔽物を有するフォトマスクを通して、前記第1の半導体膜にレーザビームを照射し、
前記遮蔽物が形成されなかった領域を通って、前記レーザビームが照射された前記第1の半導体膜の一部の領域が昇華されて溝を形成し、前記溝によって前記第1の半導体膜が、活性層となる島状半導体膜と活性層として機能しない領域に分断され、
前記島状半導体膜及び前記活性層として機能しない領域上に、絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、前記島状半導体膜と電気的に接続されるソース電極またはドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項6において、
前記ゲート電極は、
透光性を有する基板上に、レーザビームを遮蔽する遮蔽物が形成されたものをフォトマスクとし、
透光性を有する基板上に、第2の半導体膜を第1の層として形成し、及び金属膜を第2の層として形成されたものをソース基板として、
前記フォトマスクを介して前記レーザビームを前記ソース基板に照射させることにより、前記第2の半導体膜を昇華させることにより、前記金属膜を前記ゲート電極として前記基板上に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項6または請求項7において、
前記第1の半導体膜は、亜鉛化合物半導体膜あるいは酸化物半導体膜のいずれか1つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項7または請求項8において、
前記第2の半導体膜は、亜鉛化合物半導体膜あるいは酸化物半導体膜のいずれか1つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項8または請求項9において、
前記亜鉛化合物半導体膜は、酸化亜鉛、酸化亜鉛を含む混晶半導体、硫化亜鉛のいずれか1つを含むことを特徴とする半導体膜の作製方法。
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Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011009719A (ja) * | 2009-05-29 | 2011-01-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
WO2011104938A1 (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-01 | シャープ株式会社 | 回路基板の製造方法、回路基板及び表示装置 |
JP2011228690A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
WO2011145633A1 (en) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2012053463A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2014115658A (ja) * | 2008-09-12 | 2014-06-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2015046629A (ja) * | 2000-04-27 | 2015-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015173296A (ja) * | 2015-06-24 | 2015-10-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2015173277A (ja) * | 2009-12-25 | 2015-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016189475A (ja) * | 2011-04-06 | 2016-11-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017208551A (ja) * | 2008-09-19 | 2017-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018125536A (ja) * | 2009-09-04 | 2018-08-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2020038991A (ja) * | 2009-09-04 | 2020-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020060782A (ja) * | 2008-10-03 | 2020-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2020127012A (ja) * | 2009-07-10 | 2020-08-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022109270A (ja) * | 2009-11-28 | 2022-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH063544A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Japan Steel Works Ltd:The | 光導波路の製造方法 |
JPH11163356A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2001168061A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-06-22 | Toshiba Corp | レーザ照射により半導体基板上に成膜を形成するためのターゲット及びその製造方法 |
JP2003081692A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Sharp Corp | 酸化物絶縁体材料およびその形成方法並びに半導体素子 |
WO2004087434A1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-14 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Processes and donor elements for transferring thermally sensitive materials to substrates |
WO2005020343A1 (en) * | 2003-08-18 | 2005-03-03 | 3M Innovative Properties Company | Method for sealing thin film transistors |
JP2005268196A (ja) * | 2004-03-21 | 2005-09-29 | Japan Fine Ceramics Center | 酸化亜鉛多結晶膜及びこれを用いた機能素子 |
JP2006502597A (ja) * | 2002-05-21 | 2006-01-19 | ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ | トランジスタ構造及びその製作方法 |
-
2007
- 2007-08-22 JP JP2007215514A patent/JP5216276B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH063544A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Japan Steel Works Ltd:The | 光導波路の製造方法 |
JPH11163356A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2001168061A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-06-22 | Toshiba Corp | レーザ照射により半導体基板上に成膜を形成するためのターゲット及びその製造方法 |
JP2003081692A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Sharp Corp | 酸化物絶縁体材料およびその形成方法並びに半導体素子 |
JP2006502597A (ja) * | 2002-05-21 | 2006-01-19 | ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ | トランジスタ構造及びその製作方法 |
WO2004087434A1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-14 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Processes and donor elements for transferring thermally sensitive materials to substrates |
JP2006524916A (ja) * | 2003-03-27 | 2006-11-02 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 感熱性材料を基材に転写するための方法およびドナー要素 |
WO2005020343A1 (en) * | 2003-08-18 | 2005-03-03 | 3M Innovative Properties Company | Method for sealing thin film transistors |
JP2005268196A (ja) * | 2004-03-21 | 2005-09-29 | Japan Fine Ceramics Center | 酸化亜鉛多結晶膜及びこれを用いた機能素子 |
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9419026B2 (en) | 2000-04-27 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US9780124B2 (en) | 2000-04-27 | 2017-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including pixel comprising first transistor second transistor and light-emitting element |
JP2015046629A (ja) * | 2000-04-27 | 2015-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10074646B2 (en) | 2008-09-12 | 2018-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2014115658A (ja) * | 2008-09-12 | 2014-06-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US10229904B2 (en) | 2008-09-19 | 2019-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including oxide semiconductor layer |
US10756080B2 (en) | 2008-09-19 | 2020-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including protection circuit |
JP2017208551A (ja) * | 2008-09-19 | 2017-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020060782A (ja) * | 2008-10-03 | 2020-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US8872171B2 (en) | 2009-05-29 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2011009719A (ja) * | 2009-05-29 | 2011-01-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
US9947797B2 (en) | 2009-05-29 | 2018-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US11152493B2 (en) | 2009-07-10 | 2021-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US11855194B2 (en) | 2009-07-10 | 2023-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2020127012A (ja) * | 2009-07-10 | 2020-08-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11024747B2 (en) | 2009-09-04 | 2021-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
US11094717B2 (en) | 2009-09-04 | 2021-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
JP2020109861A (ja) * | 2009-09-04 | 2020-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2018125536A (ja) * | 2009-09-04 | 2018-08-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US11626521B2 (en) | 2009-09-04 | 2023-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
US10665615B2 (en) | 2009-09-04 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
US11862643B2 (en) | 2009-09-04 | 2024-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
US10418384B2 (en) | 2009-09-04 | 2019-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
JP2020003798A (ja) * | 2009-09-04 | 2020-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2020038991A (ja) * | 2009-09-04 | 2020-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022109270A (ja) * | 2009-11-28 | 2022-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015173277A (ja) * | 2009-12-25 | 2015-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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