JP2008083662A - 薄膜トランジスタ基板及びこの製造方法、並びに薄膜トランジスタ基板これを備えた液晶表示パネル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と、基板の上に一方向に延設されたゲートラインと、基板の上にゲートラインと所定の間隔を隔てて形成された共通電圧ラインと、ゲートラインと共通電圧ラインの上に形成され、共通電圧ラインの一部を露出させる第1のコンタクトホールが形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に形成され、第1のコンタクトホールを介して共通電圧ラインと接続された共通電極と、ゲート絶縁膜の上にゲートラインと交差する方向に延設されたデータラインと、ゲートラインとデータラインとの交差領域に形成され、ゲートライン及びデータラインと接続されると共に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと接続された画素電極とを備える薄膜トランジスタ基板。
【選択図】図2
Description
110 ゲート電極
120 共通電極ライン
130 ゲート絶縁膜
160 共通電極
170 ソース−ドレイン電極
180 保護膜
190 画素電極
200 カラーフィルター基板
210 ブラックマトリックス
220 カラーフィルター
230 オーバーコート膜
240 スペーサー
300 液晶
Claims (20)
- 基板と、
前記基板の上に一方向に延設されたゲートラインと、
前記基板の上に前記ゲートラインと所定の間隔を隔てて形成された共通電圧ラインと、
前記ゲートラインと前記共通電圧ラインの上に形成され、前記共通電圧ラインの一部を露出させる第1のコンタクトホールが形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に形成され、前記第1のコンタクトホールを介して前記共通電圧ラインと接続された共通電極と、
前記ゲート絶縁膜の上に前記ゲートラインと交差する方向に延設されたデータラインと、
前記ゲートラインと前記データラインとの交差領域に形成され、前記ゲートライン及びデータラインと接続されると共に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと接続された画素電極とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。 - 前記薄膜トランジスタと前記共通電極の上に形成され、前記ドレイン電極の一部を露出させる第2のコンタクトホールが形成された保護膜をさらに備え、前記画素電極は、前記第2のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレイン電極と接続されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記共通電極は、面状に形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記共通電極は、前記ゲートラインと前記データラインとの交差領域内に形成されることを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記画素電極は、ライン状に形成された複数の画素電極パターンを含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記複数の画素電極パターンは、互いに離隔されるように形成され、かつ、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項5に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記複数の画素電極パターンの各々の一端は、互いに接続されることを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記複数の画素電極パターンは、前記データラインと平行な方向に延設されることを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記共通電極及び前記画素電極は、インジウム・スズ・オキサイド(ITO)またはインジウム・亜鉛・オキサイド(IZO)からなることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 基板の上に一方向に延設され、ゲート電極を含むゲートラインと、前記ゲートラインとは所定の間隔だけ離隔された共通電圧ラインを形成し、
前記ゲートラインと共通電圧ラインの上にゲート絶縁膜、活性層及びオーミックコンタクト層を順次に形成した後、薄膜トランジスタの活性領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に前記共通電圧ラインの一部を露出させる第1のコンタクトホールを形成し、
前記ゲートラインと交差する方向に延設され、ソース電極及びドレイン電極を含むデータラインと、前記第1のコンタクトホールを介して前記共通電圧ラインと接続される共通電極を形成し、
前記データラインと前記共通電圧ラインの上に保護膜を形成し、前記保護膜の上に前記ドレイン電極の一部を露出させる第2のコンタクトホールを形成し、
前記第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続される画素電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記共通電極の形成は、
前記共通電極を面状に形成することを含むことを特徴とする請求項10に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記共通電極の形成は、
前記共通電極を前記ゲートラインと前記データラインとの交差領域内に形成することを含むことを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記画素電極の形成は、
複数の画素電極パターンを形成することを含み、前記複数の画素電極パターンはライン状に、且つ、互いに離隔されるように形成され、電気的に接続されていることを特徴とする請求項10に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記複数の画素電極パターンの形成は、
前記複数の画素電極パターンの各々の一端が互いに接続されるように、前記複数の画素電極パターンを形成することを特徴とする請求項13に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記複数の画素電極パターンの形成は、
前記複数の画素電極パターンが前記データラインと平行な方向に延設されるように、前記複数の画素電極パターンを形成することを含むことを特徴とする請求項13に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記ソース電極及びドレイン電極を含むデータラインと共通電極の形成は、
共通電極用の導電性膜及びデータライン用の導電性膜を順次に積層し、
前記データライン用の導電性膜の上に所定の領域別に厚さの異なる感光膜マスクパターンを形成し、
前記感光膜マスクパターンを用いて前記共通電極用の導電性膜及びデータライン用の導電性膜を選択的にエッチングすることを特徴とする請求項10に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記所定の領域別に厚さの異なる感光膜マスクパターンを形成し、
前記共通電極に対応する領域の感光膜マスクパターンの厚さを前記ソース電極及びドレイン電極を含むデータラインに対応する領域の感光膜マスクパターンの厚さよりも薄く形成しすることを特徴とする請求項16に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記所定の領域別に厚さの異なる感光膜マスクパターンの形成は、
ハーフトーンマスクまたはスリットパターンを含むマスクを用いて、所定の領域別に厚さの異なる感光膜マスクパターンを形成することを特徴とする請求項16に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 第1の基板と、前記第1の基板の上に一方向に延設されたゲートラインと、前記第1の基板の上に前記ゲートラインと所定の間隔を隔てて形成された共通電圧ラインと、前記ゲートラインと前記共通電圧ラインの上に形成され、前記共通電圧ラインの一部を露出させる第1のコンタクトホールが形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成され、前記第1のコンタクトホールを介して前記共通電圧ラインと接続された共通電極と、前記ゲート絶縁膜の上に前記ゲートラインと交差する方向に延設されたデータラインと、前記ゲートラインと前記データラインとの交差領域に形成され、前記ゲートライン及びデータラインと接続され、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと接続された画素電極とを備える薄膜トランジスタ基板と、
前記薄膜トランジスタ基板と相対するように配置され、第2の基板と、前記第2の基板の上に形成されたブラックマトリックスと、前記第2の基板とブラックマトリックスの上に形成された多数のカラーフィルターと、前記多数のカラーフィルターの上に形成されたオーバーコート膜とを備えるカラーフィルター基板と、
前記薄膜トランジスタ基板と前記カラーフィルター基板との間に注入された液晶とを備えることを特徴とする液晶表示パネル。 - 前記薄膜トランジスタ基板と前記カラーフィルター基板との間のセルギャップを維持するためのスペーサーをさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の液晶表示パネル。
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