JP2008066705A - レーザ光源装置及びそのレーザ光源装置を備えたプロジェクタ - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ光を良好に出射するとともに、低コスト化、小型化が可能なレーザ光源装置、およびそのレーザ光源装置を備えたプロジェクタを提供する。
【解決手段】プロジェクタユニットを構成するレーザ光源装置31は、所定波長のレーザ光を発振するレーザ光源311と、レーザ光源311から出射されたレーザ光の発振波長を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子312を備える。波長変換素子312は、入射面にレーザ光源311から出射された発振波長のレーザ光を選択的に透過するバンドパスフィルタ多層膜312Bと、出射面に変換波長を透過し発振波長のレーザ光を反射する誘電体多層膜312Cを有する。バンドパスフィルタ多層膜312Bにおいて、発振波長のレーザ光は狭帯域化される。そして、狭帯域化されたレーザ光が波長変換素子312で変換波長のレーザ光に変換され、変換波長のレーザ光がレーザ光源装置31から出射される。
【選択図】図3
【解決手段】プロジェクタユニットを構成するレーザ光源装置31は、所定波長のレーザ光を発振するレーザ光源311と、レーザ光源311から出射されたレーザ光の発振波長を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子312を備える。波長変換素子312は、入射面にレーザ光源311から出射された発振波長のレーザ光を選択的に透過するバンドパスフィルタ多層膜312Bと、出射面に変換波長を透過し発振波長のレーザ光を反射する誘電体多層膜312Cを有する。バンドパスフィルタ多層膜312Bにおいて、発振波長のレーザ光は狭帯域化される。そして、狭帯域化されたレーザ光が波長変換素子312で変換波長のレーザ光に変換され、変換波長のレーザ光がレーザ光源装置31から出射される。
【選択図】図3
Description
本発明は、レーザ光を出射するレーザ光源装置、及びこのレーザ光源装置を備えたプロジェクタに関する。
近年、光通信、光応用測定、光表示などのオプトエレクトロニクス分野において、半導体レーザ光源の発振光を波長変換して用いるレーザ光源装置が広く使用されている。こうしたレーザ光源装置として、片端面にミラー構造およびその対向面に無反射構造を形成してなる半導体レーザ光源と、その光発振面にミラー構造およびその対向面に無反射構造を形成してなる非線形光学部材を具備し、レーザ光源装置と非線形光学部材のミラー構造間で共振器構造を形成し、グリーン光やブルー光の発生が可能な第二次高調波光発生装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
また、波長幅の狭いレーザビームを安定して供給するために、所定の波長のレーザ光を出射する半導体レーザ発振器と、レーザ発振器から出射されたレーザ光を共振させる外部共振器とを備え、外部共振器内にフォトポリマ体積ホログラムを備え、フォトポリマ体積ホログラムがレーザ発振器から出射されたレーザ光を回折して共振器内の光学系に入射させるとともに、所定の波長のレーザ光を選択的に透過して外部に出射する外部共振型レーザが提案されている(例えば、特許文献2参照)。
しかしながら、特許文献1に記載のような従来の第二次高調波光発生装置は、レーザ光を狭帯域化していないため、温度変化により半導体レーザ光源の発振波長が変動する、あるいは波長変換素子(前記非線形光学部材と同じ)の変換波長の許容幅に対し、光源から発振されるレーザ光の発振波長幅が広く、波長変換されない波長域の光が多く、変換効率が低いという課題が残る。
一方、特許文献2に記載のような外部共振型レーザに用いられるフォトポリマ体積ホログラムは、例えば、樹脂中に屈折率の異なる干渉パターンが層状に多数形成され、発振波長のレーザ光を狭帯域化して反射する素子であり、外部共振型レーザを簡素に構成できるとはいえ、高価な素子である。これにより、製造コストが嵩むという課題を有する。
一方、特許文献2に記載のような外部共振型レーザに用いられるフォトポリマ体積ホログラムは、例えば、樹脂中に屈折率の異なる干渉パターンが層状に多数形成され、発振波長のレーザ光を狭帯域化して反射する素子であり、外部共振型レーザを簡素に構成できるとはいえ、高価な素子である。これにより、製造コストが嵩むという課題を有する。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、レーザ光を良好に出射するとともに、低コスト化および小型化が可能なレーザ光源装置、およびそのレーザ光源装置を備えたプロジェクタを提供することを目的とする。
本発明に係るレーザ光源装置は、所定の波長のレーザ光を発振するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を反射して共振器を形成するミラーと、前記レーザ光源と前記ミラーとの間に配設され、前記レーザ光源から出射された発振波長のレーザ光を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子と、を備えるレーザ光源装置であって、前記ミラーは、前記波長変換素子の出射側の表面に形成された、前記発振波長のレーザ光を反射し、前記変換波長のレーザ光を透過する特性を有する誘電体多層膜よりなり、前記波長変換素子の入射側の表面に、少なくとも前記発振波長近傍でバンドパス特性を有するバンドパスフィルタ多層膜が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、波長変換素子に形成されたバンドパスフィルタ多層膜においてレーザ光源から出射されたレーザ光の発振波長が半値幅1nm以下に狭帯域化される。これにより、波長変換素子における波長変換の変換効率が向上するとともに、使用環境の温度変化などによってレーザ光源の発振波長に変動が生じたとしても、常に一定波長のレーザ光を、レーザ光源装置から出射することができる。
また、ミラーは発振波長のレーザ光を反射し、変換波長のレーザ光を透過する特性を有することで、レーザ光源の発振光を共振器の内部に閉じ込めながら、波長変換素子によって波長変換されたレーザ光を効率良く取り出すことができる。さらに、バンドパスフィルタ多層膜およびミラーが、波長変換素子の入射側の表面および出射側の表面に形成されていることにより、構成部品点数を低減し、低コスト化および小型化したレーザ光源装置が得られる。
また、ミラーは発振波長のレーザ光を反射し、変換波長のレーザ光を透過する特性を有することで、レーザ光源の発振光を共振器の内部に閉じ込めながら、波長変換素子によって波長変換されたレーザ光を効率良く取り出すことができる。さらに、バンドパスフィルタ多層膜およびミラーが、波長変換素子の入射側の表面および出射側の表面に形成されていることにより、構成部品点数を低減し、低コスト化および小型化したレーザ光源装置が得られる。
また、本発明に係るレーザ光源装置は、所定の波長のレーザ光を発振するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を反射して共振器を形成するミラーと、前記レーザ光源と前記ミラーとの間に配設され、前記レーザ光源から出射された発振波長のレーザ光を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子と、を備えるレーザ光源装置であって、前記レーザ光源と前記波長変換素子との間に、少なくとも前記発振波長近傍でバンドパス特性を有するバンドパスフィルタ多層膜が形成されたバンドパスフィルタを、さらに備え、前記ミラーは、前記波長変換素子の出射側の表面に形成された、前記発振波長のレーザ光を反射し、前記変換波長のレーザ光を透過する特性を有する誘電体多層膜よりなることを特徴とする。
この構成によれば、所定の波長のレーザ光を発振するレーザ光源と、出射側の表面に発振波長のレーザ光を反射し、変換波長のレーザ光を透過する特性を有する誘電体多層膜よりなるミラーが形成され、レーザ光源から出射されたレーザ光の発振波長を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子との間に、前記発振波長近傍でバンドパス特性を有するバンドパスフィルタ多層膜が形成されたバンドパスフィルタを備えることで、波長変換素子とバンドパスフィルタとを独立に各種特性の調整をすることが可能となり、発振効率及び歩留まりの向上が期待できる。
さらに、ミラーは発振波長を反射し、変換波長を透過する特性を有することで、レーザ光源の発振光を共振器の内部に閉じ込めながら、波長変換素子によって波長変換されたレーザ光を効率良く取り出せるので、変換効率が向上したレーザ光源装置が得られる。
さらに、ミラーは発振波長を反射し、変換波長を透過する特性を有することで、レーザ光源の発振光を共振器の内部に閉じ込めながら、波長変換素子によって波長変換されたレーザ光を効率良く取り出せるので、変換効率が向上したレーザ光源装置が得られる。
また、本発明に係るレーザ光源装置は、所定の波長のレーザ光を発振するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を反射して共振器を形成するミラーと、前記レーザ光源と前記ミラーとの間に配設され、前記レーザ光源から出射された発振波長のレーザ光を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子と、を備えるレーザ光源装置であって、前記ミラーは、前記発振波長のレーザ光を反射し、前記変換波長のレーザ光を透過する特性を有する誘電体多層膜が形成された透明部材よりなり、前記波長変換素子の出射側に配設され、前記波長変換素子の入射側の表面に、少なくとも前記発振波長近傍でバンドパス特性を有するバンドパスフィルタ多層膜が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、所定の波長のレーザ光を発振するレーザ光源と、レーザ光源から出射された発振波長のレーザ光を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子との間に、バンドパスフィルタ多層膜が形成されたバンドパスフィルタを備えることで、波長変換素子とバンドパスフィルタとを独立に各種特性の調整をすることが可能となり、発振効率及び歩留まりの向上が期待できる。
さらに、ミラーは発振波長のレーザ光を反射し、変換波長のレーザ光を透過する特性を有することで、レーザ光源の発振光を共振器の内部に閉じ込めながら、波長変換素子によって波長変換されたレーザ光を効率良く取り出せるので、変換効率が向上したレーザ光源装置が得られる。
さらに、ミラーは発振波長のレーザ光を反射し、変換波長のレーザ光を透過する特性を有することで、レーザ光源の発振光を共振器の内部に閉じ込めながら、波長変換素子によって波長変換されたレーザ光を効率良く取り出せるので、変換効率が向上したレーザ光源装置が得られる。
また、本発明に係るレーザ光源装置は、所定の波長のレーザ光を発振するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を反射して共振器を形成するミラーと、前記レーザ光源と前記ミラーとの間に配設され、前記レーザ光源から出射された発振波長のレーザ光を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子と、を備えるレーザ光源装置であって、前記ミラーは、前記発振波長のレーザ光を反射し、前記変換波長のレーザ光を透過する特性を有する誘電体多層膜が形成された透明部材よりなり、前記波長変換素子の出射側に配設され、前記レーザ光源と前記波長変換素子との間に、少なくとも前記発振波長近傍でバンドパス特性を有するバンドパスフィルタ多層膜が形成されたバンドパスフィルタを、さらに備えたことを特徴とする。
この構成によれば、所定の波長のレーザ光を発振するレーザ光源と、レーザ光源から出射された発振波長のレーザ光を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子と、波長変換素子の出射側に配設された、発振波長のレーザ光を反射し変換波長のレーザ光を透過する特性を有する誘電体多層膜が形成された透明部材よりなるミラーと、レーザ光源と波長変換素子との間、又はミラーと波長変換素子との間にバンドパスフィルタ多層膜が形成されたバンドパスフィルタを備えることで、波長変換素子、ミラー、バンドパスフィルタを独立に各種特性の調整をすることが可能となり、発振効率及び歩留まりの向上が期待できる。
さらに、ミラーは発振波長のレーザ光を反射し、変換波長のレーザ光を透過する特性を有することで、レーザ光源の発振光を共振器の内部に閉じ込めながら、波長変換素子によって波長変換されたレーザ光を効率良く取り出せるので、変換効率が向上したレーザ光源装置が得られる。
さらに、ミラーは発振波長のレーザ光を反射し、変換波長のレーザ光を透過する特性を有することで、レーザ光源の発振光を共振器の内部に閉じ込めながら、波長変換素子によって波長変換されたレーザ光を効率良く取り出せるので、変換効率が向上したレーザ光源装置が得られる。
また、本発明に係るレーザ光源装置は、所定の波長のレーザ光を発振するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を反射して共振器を形成するミラーと、前記レーザ光源と前記ミラーとの間に配設され、前記レーザ光源から出射された発振波長のレーザ光を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子と、を備えるレーザ光源装置であって、前記ミラーは、前記発振波長を反射し、前記変換波長を透過する特性を有する誘電体多層膜が形成された透明部材よりなり、前記波長変換素子の出射側に配設され、前記ミラーと前記波長変換素子との間に、少なくとも前記発振波長近傍でバンドパス特性を有するバンドパスフィルタ多層膜が形成されたバンドパスフィルタを、さらに備えたことを特徴とする。
この構成によれば、所定の波長のレーザ光を発振するレーザ光源と、レーザ光源から出射された発振波長のレーザ光を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子と、波長変換素子の出射側に配設された、発振波長のレーザ光を反射し変換波長のレーザ光を透過する特性を有する誘電体多層膜が形成された透明部材よりなるミラーと、レーザ光源と波長変換素子との間、又はミラーと波長変換素子との間にバンドパスフィルタ多層膜が形成されたバンドパスフィルタを備えることで、波長変換素子、ミラー、バンドパスフィルタを独立に各種特性の調整をすることが可能となり、発振効率及び歩留まりの向上が期待できる。
さらに、ミラーは発振波長のレーザ光を反射し、変換波長のレーザ光を透過する特性を有することで、レーザ光源の発振光を共振器の内部に閉じ込めながら、波長変換素子によって波長変換されたレーザ光を効率良く取り出せるので、変換効率が向上したレーザ光源装置が得られる。
さらに、ミラーは発振波長のレーザ光を反射し、変換波長のレーザ光を透過する特性を有することで、レーザ光源の発振光を共振器の内部に閉じ込めながら、波長変換素子によって波長変換されたレーザ光を効率良く取り出せるので、変換効率が向上したレーザ光源装置が得られる。
また、本発明に係るレーザ光源装置は、バンドパスフィルタが、前記レーザ光源から出射されたレーザ光に対して傾斜可能であることが好ましい。
この構成によれば、発振波長のレーザ光を狭帯域化するバンドパスフィルタが、レーザ光源のレーザ光出射面に対して傾斜可能に構成されていることで、レーザ光とバンドパスフィルタの中心軸との角度、すなわちバンドパスフィルタに入射するレーザ光のバンドパスフィルタの中心軸に対する入射角度を変えることにより、バンドパスフィルタを透過するレーザ光の波長を変えることができる。これにより、バンドパスフィルタの製造誤差などにより透過光の波長にズレが生じても、微調整して、波長変換素子の変換波長に合わせることが可能となり、レーザ光の発振効率および波長変換効率をさらに向上させ、レーザ光源装置から、より良好なレーザ光を出射することができる。
この構成によれば、発振波長のレーザ光を狭帯域化するバンドパスフィルタが、レーザ光源のレーザ光出射面に対して傾斜可能に構成されていることで、レーザ光とバンドパスフィルタの中心軸との角度、すなわちバンドパスフィルタに入射するレーザ光のバンドパスフィルタの中心軸に対する入射角度を変えることにより、バンドパスフィルタを透過するレーザ光の波長を変えることができる。これにより、バンドパスフィルタの製造誤差などにより透過光の波長にズレが生じても、微調整して、波長変換素子の変換波長に合わせることが可能となり、レーザ光の発振効率および波長変換効率をさらに向上させ、レーザ光源装置から、より良好なレーザ光を出射することができる。
また、本発明に係るレーザ光源装置は、前記バンドパスフィルタ多層膜は、前記変換波長のレーザ光を反射する特性をさらに有することが好ましい。
この構成によれば、バンドパスフィルタ多層膜が、変換波長のレーザ光を反射する特性を有することで、ミラーの誘電体多層膜で反射され、波長変換素子に帰還入射した発振波長のレーザ光から波長変換素子によって生成された変換光が、バンドパスフィルタ多層膜において反射され、波長変換素子を通りレーザ光源装置から出射される。これにより、レーザ光源に戻る帰還光から生成された変換光も有効にレーザ光源装置から取り出すことができ、変換光の出力を向上させることが出来る。
この構成によれば、バンドパスフィルタ多層膜が、変換波長のレーザ光を反射する特性を有することで、ミラーの誘電体多層膜で反射され、波長変換素子に帰還入射した発振波長のレーザ光から波長変換素子によって生成された変換光が、バンドパスフィルタ多層膜において反射され、波長変換素子を通りレーザ光源装置から出射される。これにより、レーザ光源に戻る帰還光から生成された変換光も有効にレーザ光源装置から取り出すことができ、変換光の出力を向上させることが出来る。
また、本発明に係るレーザ光源装置は、前記バンドパスフィルタ多層膜は、前記変換波長のレーザ光を透過する特性をさらに有することが好ましい。
この構成によれば、バンドパスフィルタ多層膜が、変換波長のレーザ光を透過する特性を有することで、波長変換素子よって生成された変換光が、バンドパスフィルタ多層膜において透過され、レーザ光源装置から出射される。これにより、変換光を有効にレーザ光源装置から取り出すことができ、変換光の出力を向上させることが出来る。
この構成によれば、バンドパスフィルタ多層膜が、変換波長のレーザ光を透過する特性を有することで、波長変換素子よって生成された変換光が、バンドパスフィルタ多層膜において透過され、レーザ光源装置から出射される。これにより、変換光を有効にレーザ光源装置から取り出すことができ、変換光の出力を向上させることが出来る。
また、本発明に係るレーザ光源装置は、前記バンドパスフィルタ多層膜は、高屈折率層Hと低屈折率層Lが交互に積層され、前記発振波長をλとおいて、光学膜厚が前記波長変換素子側から順に、0.236λH、0.355λL、0.207λH、0.203λL、(0.25λH、0.25λL)n、0.5λH、(0.25λL、0.25λH)n、0.266λL、0.255λH、0.248λL、0.301λH、0.631λLであることが好ましい。但し、nは3から10の範囲の値であり、括弧内の層を繰り返し積層する繰り返し数を示す。
この構成によれば、バンドパスフィルタ多層膜は、前記のように高屈折率層Hと低屈折率層Lが交互に積層されて形成されることにより、発振波長近傍でバンドパス特性を有し、レーザ光源から出射されたレーザ光の発振波長が半値幅1nm以下に狭帯域化することができる。これにより、波長変換素子における波長変換の変換効率が向上するとともに、使用環境の温度変化などによってレーザ光源の発振波長に変動が生じたとしても、常に一定波長のレーザ光を、レーザ光源装置から出射することができる。なお、バンドパスフィルタ多層膜が形成されたバンドパスフィルタは、バンドパスフィルタを構成する透明基板の透過波長に対する透過率が高いほど透過波長のロスが少なくなり、レーザ光源装置の変換効率が向上する。
また、本発明に係るレーザ光源装置は、前記ミラーが形成されている透明部材が、前記変換波長に対して80%以上の透過率を有し、前記発振波長に対しては20%以下の透過率を有する素材よりなることが好ましい。
この構成によれば、誘電体多層膜が形成されたミラーは、ミラーを構成する透明部材が、変換波長に対して80%以上の透過率を有し、発振波長に対しては20%以下の透過率を有する素材よりなることにより、ミラー部で反射し切れなかった発振光を部材内部で吸収することにより、レーザ光源装置から外部に発振光を出射することを防止できる。これにより、安全性がより向上したレーザ光源装置が得られる。
この構成によれば、誘電体多層膜が形成されたミラーは、ミラーを構成する透明部材が、変換波長に対して80%以上の透過率を有し、発振波長に対しては20%以下の透過率を有する素材よりなることにより、ミラー部で反射し切れなかった発振光を部材内部で吸収することにより、レーザ光源装置から外部に発振光を出射することを防止できる。これにより、安全性がより向上したレーザ光源装置が得られる。
また、本発明に係るレーザ光源装置は、前記波長変換素子の入射側表面に、前記発振波長のレーザ光を透過し、前記変換波長のレーザ光を反射する特性の誘電体多層膜を有することが好ましい。
この構成によれば、波長変換素子のレーザ光源側の入射面に形成された誘電体多層膜が、変換波長のレーザ光を反射する特性を有することで、ミラーの誘電体多層膜で反射され、波長変換素子に帰還入射した変換波長のレーザ光から波長変換素子によって生成された変換光が、波長変換素子の誘電体多層膜において反射され、波長変換素子を通りレーザ光源装置から出射される。これにより、レーザ光源に戻る帰還光から生成された変換光も有効にレーザ光源装置から取り出すことができ、変換光の出力を向上させることが出来る。
この構成によれば、波長変換素子のレーザ光源側の入射面に形成された誘電体多層膜が、変換波長のレーザ光を反射する特性を有することで、ミラーの誘電体多層膜で反射され、波長変換素子に帰還入射した変換波長のレーザ光から波長変換素子によって生成された変換光が、波長変換素子の誘電体多層膜において反射され、波長変換素子を通りレーザ光源装置から出射される。これにより、レーザ光源に戻る帰還光から生成された変換光も有効にレーザ光源装置から取り出すことができ、変換光の出力を向上させることが出来る。
また,本発明に係るレーザ光源装置は、前記レーザ光源が、端面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ又は半導体励起固体レーザの内の何れかであることが好ましい。
この構成によれば、レーザ光源が、端面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ又は半導体励起固体レーザの内の何れかであることによって、小型で高効率なレーザ光源装置が得られる。
この構成によれば、レーザ光源が、端面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ又は半導体励起固体レーザの内の何れかであることによって、小型で高効率なレーザ光源装置が得られる。
また、本発明に係るレーザ光源装置は,前記波長変換素子が、周期的分極反転構造を有する第二次高調波発生素子であることが好ましい。
この構成によれば、レーザ光源装置を構成する波長変換素子が第二次高調波発生素子であることにより、レーザ光源から出射された近赤外領域のレーザ光から挟帯域化されたレーザ光(単色可視光)を生成することができる。特に、レーザダイオードでは得られ難い緑色レーザ光を容易に得ることができる。
この構成によれば、レーザ光源装置を構成する波長変換素子が第二次高調波発生素子であることにより、レーザ光源から出射された近赤外領域のレーザ光から挟帯域化されたレーザ光(単色可視光)を生成することができる。特に、レーザダイオードでは得られ難い緑色レーザ光を容易に得ることができる。
本発明に係るプロジェクタは、レーザ光を出射するレーザ光源装置と、前記レーザ光源装置から出射されたレーザ光を画像情報に応じて変調する光変調素子と、前記変調されたレーザ光を出射する投射光学系と、を備えたプロジェクタであって、前記レーザ光源装置は、上述したようなレーザ光源装置であることが好ましい。
この構成によれば、上述したようなレーザ光源装置を用いたプロジェクタは、赤青緑の三原色のレーザ光源装置が独立しているため、色分離などのフィルターや、レーザ光源装置から出射されるレーザ光が直線偏光であることから偏光変換素子が不要となり、簡易化した光学機構が得られる。これにより、低コスト化および小型化が可能なプロジェクタが得られる。また、レーザ光源装置から発振効率および波長変換効率が向上したレーザ光が出射されるので、広い色再現領域を有するプロジェクタを提供することができる。
以下、本発明における実施形態を図面に基づいて説明する。
[第1実施形態]
(リアプロジェクタの主な構成)
図1は、本発明に係わるプロジェクタとしてのリアプロジェクタの側断面図である。
図1において、リアプロジェクタ1は、キャビネット2、プロジェクタユニット3、制御ユニット4、反射鏡5、透過型スクリーン9を含み構成されている。
(リアプロジェクタの主な構成)
図1は、本発明に係わるプロジェクタとしてのリアプロジェクタの側断面図である。
図1において、リアプロジェクタ1は、キャビネット2、プロジェクタユニット3、制御ユニット4、反射鏡5、透過型スクリーン9を含み構成されている。
キャビネット2は、背面側(図1中、右側)が傾斜した箱形に構成され、内部にプロジェクタユニット3、制御ユニット4および反射鏡5が収納配置されている。なお、具体的な図示は省略するが、キャビネット2内部には、プロジェクタユニット3、制御ユニット4、および反射鏡5の他、リアプロジェクタ1の各構成部材に電力を供給する電源ユニット、およびリアプロジェクタ1内部を冷却する冷却ユニット、音声を出力する音声出力部等が配設されている。
また、このキャビネット2の前面側(図1中、左側)には、平面視矩形状の開口部21が形成され、開口部21周縁に透過型スクリーン9が支持固定されている。
プロジェクタユニット3は、キャビネット2内の底面に配設され、制御ユニット4から出力された画像信号に基づいて画像光Lを形成して反射鏡5に向けて出射し、反射鏡5の鏡面上に拡大投射する。このプロジェクタユニット3の具体的な構成は後述する。
制御ユニット4は、具体的な図示は省略するが、例えばチューナ、IF回路、音声検波回路、映像検波回路、増幅回路、CPU(Central Processing Unit)等を備えて構成され、プロジェクタユニット3を統括的に制御する。また、制御ユニット4は、例えば、リモートコントローラ(図示せず)の操作によって選択されたチャンネルに対応する周波数の放送信号を抽出して、その画像信号をプロジェクタユニット3に出力するとともに音声信号を音声出力部(図示せず)に出力する。
反射鏡5は、キャビネット2内の上部の背面側に配設され、プロジェクタユニット3から出射された画像光Lを透過型スクリーン9の背面側に向かって反射する。
透過型スクリーン9は、矩形形状を有し、キャビネット2の開口部21周縁に支持固定される。この透過型スクリーン9は、背面側に配設されるフレネルレンズシート91と、前面側に配設されるレンチキュラーレンズシート92とにより構成されている。そして、透過型スクリーン9は、反射鏡5を介して入射した画像光Lをフレネルレンズシート91にて平行光に変換し、その平行光をレンチキュラーレンズシート92にて拡大(拡散)光に変換して、画像光を背面側から前面側に投影して投影画像を表示する。
(プロジェクタユニットの構成)
次にプロジェクタユニット3の構成について説明する。図2は、プロジェクタユニットの内部に構成される光学系の概略を示す模式図である。
図2において、プロジェクタユニット3は、レーザ光源装置31、液晶パネル32、偏光板33、クロスダイクロイックプリズム34、投射レンズ35などを備えている。なお、液晶パネル32、偏光板33、およびクロスダイクロイックプリズム34にて光変調素子が構成される。
次にプロジェクタユニット3の構成について説明する。図2は、プロジェクタユニットの内部に構成される光学系の概略を示す模式図である。
図2において、プロジェクタユニット3は、レーザ光源装置31、液晶パネル32、偏光板33、クロスダイクロイックプリズム34、投射レンズ35などを備えている。なお、液晶パネル32、偏光板33、およびクロスダイクロイックプリズム34にて光変調素子が構成される。
レーザ光源装置31は、赤色レーザ光を出射する赤色光用光源装置31Rと、青色レーザ光を出射する青色光用光源装置31Bと、緑色レーザ光を出射する緑色光用光源装置31Gを備え、制御ユニット4から入力される制御信号に基づいて点灯し、液晶パネル32に向けてレーザ光を出射する。これらのレーザ光源装置31は、それぞれクロスダイクロイックプリズム34の側面三方にそれぞれ対向するように配設される。この時、クロスダイクロイックプリズム34を挟んで、赤色光用光源装置31Rと青色光用光源装置31Bが互いに対向し、投射レンズ35と緑色光用光源装置31Gが互いに対向するように、各レーザ光源装置31(31R,31B,31G)が配設される。なお、これらのレーザ光源装置31の詳細な説明は後述する。
液晶パネル32は、例えば、ポリシリコンTFT(Thin Film Transistor)をスイッチング素子として用いたものであり、各レーザ光源装置31から出射された色光は、これら3枚の液晶パネル32と、これらの光束入射側および出射側にある偏光板33によって、画像情報に応じて変調されて光学像を形成する。
偏光板33は、液晶パネル32の光路前段側に配置される入射側偏光板331と、光路後段側に配置される出射側偏光板332を備える。
入射側偏光板331は、水晶またはサファイア等からなる基板に偏光膜が設けられたものであり、各レーザ光源装置31から出射された色光のうち、一定方向の偏光光のみ透過させ、その他の光束を吸収する。出射側偏光板332も、入射側偏光板331と略同様に構成され、液晶パネル32から出射された光束のうち、所定方向の偏光光のみ透過させ、その他の光束を吸収する。これらの入射側偏光板331および出射側偏光板332は、互いの偏光軸の方向が直交するように設定されている。
なお、入射側偏光板331および出射側偏光板332は、基板を用いずに、偏光膜をクロスダイクロイックプリズム34の入射面に設けてもよいし、基板をクロスダイクロイックプリズム34に貼着してもよい。
入射側偏光板331は、水晶またはサファイア等からなる基板に偏光膜が設けられたものであり、各レーザ光源装置31から出射された色光のうち、一定方向の偏光光のみ透過させ、その他の光束を吸収する。出射側偏光板332も、入射側偏光板331と略同様に構成され、液晶パネル32から出射された光束のうち、所定方向の偏光光のみ透過させ、その他の光束を吸収する。これらの入射側偏光板331および出射側偏光板332は、互いの偏光軸の方向が直交するように設定されている。
なお、入射側偏光板331および出射側偏光板332は、基板を用いずに、偏光膜をクロスダイクロイックプリズム34の入射面に設けてもよいし、基板をクロスダイクロイックプリズム34に貼着してもよい。
クロスダイクロイックプリズム34は、各液晶パネル32から出射された色光毎に変調された光学像を合成してカラー画像を形成する光学素子である。このクロスダイクロイックプリズム34は、4つの直角プリズムを貼り合わせた平面視略正方形状をなし、直角プリズム同士を貼り合わせた界面には、2つの誘電体多層膜が形成されている。これら誘電体多層膜は、互いに対向する各液晶パネル32から出射された各色光を反射し、投射レンズ35に対向する液晶パネル32から出射された色光を透過する。このようにして、各液晶パネル32にて変調された各色光が合成されてカラー画像が形成される。
投射光学系としての投射レンズ35は、複数のレンズが組み合わされた組レンズとして構成される。そして、この投射レンズ35は、クロスダイクロイックプリズム34にて形成されたカラー画像に基づいた画像光Lを形成して反射鏡5に向けて拡大投射する(図1参照)。
(レーザ光源装置の構成)
次に、レーザ光源装置31の構成について説明する。なお、レーザ光源装置31はレーザ光源装置31の赤色光用光源装置31R、青色光用光源装置31B、緑色光用光源装置31Gは、何れも同様な基本構造を有している。
次に、レーザ光源装置31の構成について説明する。なお、レーザ光源装置31はレーザ光源装置31の赤色光用光源装置31R、青色光用光源装置31B、緑色光用光源装置31Gは、何れも同様な基本構造を有している。
図3は、第1実施形態に係わるレーザ光源装置の概略構成を示す模式図である。図4はレーザ光源の概略を模式的に示す断面図であり、図5は波長変換素子の概略を模式的に示す断面図である。
図3において、レーザ光源装置31は、レーザ光を発振するレーザ光源311、波長変換素子312を備えている。
図3において、レーザ光源装置31は、レーザ光を発振するレーザ光源311、波長変換素子312を備えている。
レーザ光源311は、いわゆる面発光半導体レーザであり、図4に示すように、半導体ウエハである基板400上に形成され、反射ミラーとしての機能を有するミラー層311A、ミラー層311Aの表面に積層されるレーザ媒体311Bを有する。
ミラー層311Aは、基板400上に直接形成される。すなわち、ミラー層311Aは、基板400のウエハ製造段階において、CVD(Chemical Vapor Deposition)などの方法により高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層が層状に積層して形成されている。それぞれの層の厚さは、レーザ光の波長とそれぞれの層の屈折率から、反射光が干渉し強め合う条件に設定されている。
ミラー層311Aは、基板400上に直接形成される。すなわち、ミラー層311Aは、基板400のウエハ製造段階において、CVD(Chemical Vapor Deposition)などの方法により高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層が層状に積層して形成されている。それぞれの層の厚さは、レーザ光の波長とそれぞれの層の屈折率から、反射光が干渉し強め合う条件に設定されている。
レーザ媒体311Bは、ミラー層311Aの上面に形成されている。このレーザ媒体311Bは、図示しない電通手段が接続されており、電通手段から所定量の電流が流されると、所定波長のレーザ光を発振する。また、レーザ媒体311Bは、通過する発振波長のレーザ光を増幅させる。すなわち、ミラー層311Aや、後述する波長変換素子312により反射されたレーザ光は、レーザ媒体311Bにより新たに発振されるレーザ光と共振して増幅され、レーザ媒体311B(レーザ光出射面)からミラー層311A(基板400)に略直交する方向に出射される。
以後、レーザ媒体311Bから出射されるレーザ光の波長を、発振波長と表す。この発振波長の概状態を、図3中に二点鎖線で示し、これ以後の各実施形態における図中においても、同様に二点鎖線で示す。
以後、レーザ媒体311Bから出射されるレーザ光の波長を、発振波長と表す。この発振波長の概状態を、図3中に二点鎖線で示し、これ以後の各実施形態における図中においても、同様に二点鎖線で示す。
波長変換素子312は、レーザ光源311から出射されたレーザ光の光路上に、レーザ光源311のレーザ光出射面(レーザ媒体311B)に対向するように配設されている。 この波長変換素子312は、図5に示すように、波長変換素子部312Aと、波長変換素子312(波長変換素子部312A)のレーザ光源311側の面(以後、入射面と表す)に形成されたバンドパスフィルタ多層膜312Bと、波長変換素子312(波長変換素子部312A)の入射面に対向する面(以後、出射面と表す)に形成されたミラーとしての誘電体多層膜312Cとを備えている。
バンドパスフィルタ多層膜312Bの膜構成は、高屈折率層Hと低屈折率層Lが交互に積層され、発振波長をλとおいて、光学膜厚が前記波長変換素子側から順に、0.236λH、0.355λL、0.207λH、0.203λL、(0.25λH、0.25λL)n、0.5λH、(0.25λL、0.25λH)n、0.266λL、0.255λH、0.248λL、0.301λH、0.631λLとしたものである。但し、nは3から10の範囲の値であり、括弧内の層を繰り返し積層する繰り返し数を示す。
高屈折率層Hの材料としては、使用波長領域において透明で、環境にやさしいTa205、Nb205、Ti02、Zr02などの物質の内から1種類が選択され、低屈折率層Lの材料としては、同様に、環境にやさしいSiO2、MgF2などの物質の内から1種類が選択される。
図6は、このように形成されたバンドパスフィルタ多層膜312Bの分光透過率特性の一例を示すグラフである。グラフの横軸は波長(nm)を示し、縦軸は透過率(%)を示す。
図6は、このように形成されたバンドパスフィルタ多層膜312Bの分光透過率特性の一例を示すグラフである。グラフの横軸は波長(nm)を示し、縦軸は透過率(%)を示す。
こうしたバンドパスフィルタ多層膜312Bは、発振波長近傍でバンドパス特性を有する。それは、形成された薄膜による光の干渉現象により、レーザ光源311から出射される発振波長のレーザ光の内、設定された特定波長のレーザ光のみを選択的に透過し、それ以外の発振波長のレーザ光を反射する。すなわち、発振波長のレーザ光を狭帯域化する機能を有する。バンドパスフィルタ多層膜312Bを選択的に透過するレーザ光の特定波長は、設定波長における半値幅が略0.5nmのレーザ光である。
また、バンドパスフィルタ多層膜312Bは、後述する波長変換素子312(波長変換素子部312A)において変換された変換波長の光を反射する特性を有する。ここで、変換光を有効にレーザ光源装置から取り出すには、バンドパスフィルタ多層膜312Bは、変換波長に対して高い反射率を有することが望ましく、80%以上の反射率が必要である。
また、バンドパスフィルタ多層膜312Bは、後述する波長変換素子312(波長変換素子部312A)において変換された変換波長の光を反射する特性を有する。ここで、変換光を有効にレーザ光源装置から取り出すには、バンドパスフィルタ多層膜312Bは、変換波長に対して高い反射率を有することが望ましく、80%以上の反射率が必要である。
波長変換素子部312Aは、発振波長のレーザ光の第二高調波(SHG:Second Harmonic Generation)を生成する第二次高調波発生素子であり、周期的な分極反転構造を形成して擬似位相整合(QMF:Quasi Phase Matching)による波長変換を行い、発振波長の半分の波長の第二高調波を生成するバルクチップである。
波長変換素子部312Aは、例えばニオブ酸リチウム(LN:LiNbO3)あるいはタンタル酸リチウム(LT:LiTaO3)などの無機非線形光学材料の結晶基板内部に、レーザ光源311から出射されたレーザ光の光軸に対して略直交する方向に、相互に分極方向が反転した2つの領域312Aaおよび領域312Abを、所定間隔おきに交互に多数形成することによって、分極反転構造が形成されている。この交互に形成される2つの領域312Aaと領域312Abとの所定間隔は、レーザ光源311にて発振されるレーザ光の発振波長と波長変換素子部312Aの屈折率分散とにより適宜決定される。
波長変換素子部312Aは、例えばニオブ酸リチウム(LN:LiNbO3)あるいはタンタル酸リチウム(LT:LiTaO3)などの無機非線形光学材料の結晶基板内部に、レーザ光源311から出射されたレーザ光の光軸に対して略直交する方向に、相互に分極方向が反転した2つの領域312Aaおよび領域312Abを、所定間隔おきに交互に多数形成することによって、分極反転構造が形成されている。この交互に形成される2つの領域312Aaと領域312Abとの所定間隔は、レーザ光源311にて発振されるレーザ光の発振波長と波長変換素子部312Aの屈折率分散とにより適宜決定される。
この波長変換素子部312Aは、バンドパスフィルタ多層膜312Bを透過して狭帯域化された発振波長のレーザ光を波長変換し、発振波長の半分の波長の第二高調波を生成する。以後、波長変換素子312にて変換された波長を、変換波長と表す。この変換波長の概状態を、図3中に実線で示し、これ以後の各実施形態における図中においても、同様に実線で示す。
第二高調波の生成は、例えば、レーザ光源311から発振される発振波長が1064nmの近赤外レーザ光から、半分の波長532nmの緑色レーザ光(可視光)を生成する。なお、波長変換素子部312Aにおいて波長変換される発振波長は、波長許容幅が0.3nm程度であり、使用環境温度の変化に対して、0.1nm/℃程度変動する。
第二高調波の生成は、例えば、レーザ光源311から発振される発振波長が1064nmの近赤外レーザ光から、半分の波長532nmの緑色レーザ光(可視光)を生成する。なお、波長変換素子部312Aにおいて波長変換される発振波長は、波長許容幅が0.3nm程度であり、使用環境温度の変化に対して、0.1nm/℃程度変動する。
誘電体多層膜312Cは、波長変換素子部312Aにおいて半分の波長に変換された変換波長のレーザ光(第二高調波)を選択的に透過するとともに、それ以外の変換波長のレーザ光を反射する機能を有する。例えば、緑色光用光源装置31Gでは、変換波長である532nmの緑色レーザ光を透過し、緑色レーザ光以外の発振波長のレーザ光を反射する。この時、発振効率を向上させるためには、誘電体多層膜312Cは、発振波長のレーザ光に対して高い反射率を有することが望ましく、80%以上の反射率が必要である。一方、変換光を有効にレーザ光源装置から取り出すには、誘電体多層膜312Cは、変換波長のレーザ光に対して高い透過率を有することが望ましく、80%以上の透過率が必要である。なお、誘電体多層膜312Cにおいて反射されるレーザ光は、波長変換素子部312Aにおいて変換されなかった発振波長のレーザ光、あるいは誘電体多層膜312Cを透過すべき一部の変換波長のレーザ光が含まれる。
(レーザ光源装置の動作)
レーザ光源装置31の動作について、図3〜図6を参照して説明する。
レーザ光源装置31の動作について、図3〜図6を参照して説明する。
レーザ光源装置31は、制御ユニット4(図1参照)の制御により、レーザ光源311のレーザ媒体311Bに電流が流されると、所定波長のレーザ光を発振する。例えば、緑色光用光源装置31Gでは、波長が1064nmの近赤外レーザ光を発振する。ここで、発振されたレーザ光のうち、基板400に対して略直交する方向に進行するレーザ光は、レーザ媒体311Bの波長変換素子312側の端面(レーザ光出射面)から出射する。また、基板400側に進行するレーザ光も、ミラー層311Aにて反射され、再びレーザ媒体311Bを通って、波長変換素子312側に出射する。
そして、レーザ光源装置31から出射された発振波長のレーザ光は、波長変換素子312に入射する。
波長変換素子312に入射した発振波長のレーザ光は、先ず、波長変換素子部312Aの入射面に形成されたバンドパスフィルタ多層膜312Bに入射し、発振波長における半値幅が略0.5nmのレーザ光を透過するとともに、それ以外の発振波長のレーザ光を反射する。すなわち、発振波長の狭帯域化が行われる。
波長変換素子312に入射した発振波長のレーザ光は、先ず、波長変換素子部312Aの入射面に形成されたバンドパスフィルタ多層膜312Bに入射し、発振波長における半値幅が略0.5nmのレーザ光を透過するとともに、それ以外の発振波長のレーザ光を反射する。すなわち、発振波長の狭帯域化が行われる。
一方、波長変換素子312のバンドパスフィルタ多層膜312Bを透過した発振波長のレーザ光は、波長変換素子部312Aに入射する。
波長変換素子部312Aに入射した発振波長のレーザ光の一部は波長変換され、半分の波長に変換された第二高調波(変換波長)のレーザ光が生成される。
波長変換素子部312Aに入射した発振波長のレーザ光の一部は波長変換され、半分の波長に変換された第二高調波(変換波長)のレーザ光が生成される。
そして、波長変換素子部312Aにおいて波長変換された変換波長と波長変換されなかった発振波長とのレーザ光は、波長変換素子部312Aの出射面に形成された誘電体多層膜312Cに入射する。
誘電体多層膜312Cでは、波長変換素子部312Aにおいて半分の波長に変換された変換波長のレーザ光が透過されるとともに、それ以外のレーザ光(波長変換素子部312Aにおいて変換されなかった発振波長のレーザ光、および一部の変換波長のレーザ光)が反射される。
誘電体多層膜312Cでは、波長変換素子部312Aにおいて半分の波長に変換された変換波長のレーザ光が透過されるとともに、それ以外のレーザ光(波長変換素子部312Aにおいて変換されなかった発振波長のレーザ光、および一部の変換波長のレーザ光)が反射される。
誘電体多層膜312Cを透過した変換波長のレーザ光は、単色光の可視光であり、波長変換素子312(レーザ光源装置31)から液晶パネル32に向かって出射される。
誘電体多層膜312Cで反射された、波長変換素子部312Aにおいて変換されなかった発振波長のレーザ光、および一部の変換波長のレーザ光は、波長変換素子部312Aに帰還入射して波長変換される。このとき、波長変換素子部312Aに入射した発振波長のレーザ光は、既に波長が狭帯域化されているため、波長変換素子部312Aにおける変換効率が向上する。
誘電体多層膜312Cで反射された、波長変換素子部312Aにおいて変換されなかった発振波長のレーザ光、および一部の変換波長のレーザ光は、波長変換素子部312Aに帰還入射して波長変換される。このとき、波長変換素子部312Aに入射した発振波長のレーザ光は、既に波長が狭帯域化されているため、波長変換素子部312Aにおける変換効率が向上する。
そして波長変換素子部312Aを透過したレーザ光は、バンドパスフィルタ多層膜312Bに入射する。
バンドパスフィルタ多層膜312Bでは、誘電体多層膜312Cで反射され、波長変換素子部312Aに帰還入射したレーザ光のうち、変換波長のレーザ光が反射され、それ以外のレーザ光が透過される。バンドパスフィルタ多層膜312Bで反射された変換波長のレーザ光は、再び波長変換素子部312Aに入射し、誘電体多層膜312C(レーザ光源装置31)から出射される。
バンドパスフィルタ多層膜312Bでは、誘電体多層膜312Cで反射され、波長変換素子部312Aに帰還入射したレーザ光のうち、変換波長のレーザ光が反射され、それ以外のレーザ光が透過される。バンドパスフィルタ多層膜312Bで反射された変換波長のレーザ光は、再び波長変換素子部312Aに入射し、誘電体多層膜312C(レーザ光源装置31)から出射される。
そして、レーザ光源311に入射した発振波長のレーザ光は、レーザ媒体311Bにて新たに発振されるレーザ光と共振する。
レーザ光源装置31から出射される画像光L(発振波長のレーザ光)の強度は、レーザ光源311から波長変換素子312に入射した発振波長のレーザ光の強度の2乗に略比例する。そのため、変換効率を向上させるには、レーザ光源311における発振波長のレーザ光の強度を大きくすることが重要である。
そのための一つの手段として、レーザ光源311は、一つの半導体ウエハの基板400内に複数のレーザ素子(ミラー層311Aおよびレーザ媒体311B)を近接して形成することが可能であり、この時、出射されるレーザ光は互いに平行に出射される。これにより、形成するレーザ素子の個数を増やすことでレーザ光源装置31を大型化させることなく、出力されるレーザ光の出力を増すことができる。また、その際には、複数のレーザ素子に対して一個の波長変換素子312を共通して使用することができる。
以上に説明した、レーザ光源装置31は、波長変換素子312(波長変換素子部312Aの入射面)に形成されたバンドパスフィルタ多層膜312Bで、レーザ光源311から出射されたレーザ光を狭帯域化する。これにより、レーザ光の出力がより増幅され、レーザ光源311の発振効率を向上させることができるとともに、波長変換素子312の波長変換効率を向上させることができる。
また、バンドパスフィルタ多層膜312Bで狭帯域化されたレーザ光が、波長変換素子部312Aに入射し、波長変換素子部312Aにおいて第二高調波が生成されることから、使用環境温度の変動などによってレーザ光の発振波長にばらつきが生じたとしても、常に一定波長のレーザ光を、レーザ光源装置31から出射することができる。
また、バンドパスフィルタ多層膜312Bは、変換波長の光を反射する特性を有することで、ミラーとしての誘電体多層膜312Cで反射され、波長変換素子部312Aに帰還入射した変換波長のレーザ光が、バンドパスフィルタ多層膜312Bにおいて反射され、レーザ光源装置31から出射される。これにより、変換波長のレーザ光が無駄な光路上を進行することなく、レーザ光源装置31から出射されるレーザ光の出力低下を抑えることができる。ここで、変換光を有効にレーザ光源装置から取り出すには、バンドパスフィルタ多層膜312Bは、変換波長に対して高い反射率を有することが望ましく、80%以上が必要である。
また、レーザ光源装置31は、第二高調波を生成する波長変換素子部312Aの入射面にバンドパスフィルタ機能を有するバンドパスフィルタ多層膜312Bが形成され、反射側の面にダイクロイックフィルタ機能を有する誘電体多層膜312Cが形成されることによって、構成部品点数が低減し、その結果、低コストおよび小型化を図ることができる。
また、レーザ光源装置31を用いたリアプロジェクタ1は、赤青緑の三原色のレーザ光源装置(31R,31B,31G)が独立しているため、色分離などのフィルターや、レーザ光源装置31から出射されるレーザ光が直線偏光であることから偏光変換素子が不要となり、簡易化した構成のプロジェクタユニット3が得られる。これにより、低コスト化および小型化(薄型化)が可能なリアプロジェクタ1が得られる。また、レーザ光源装置31から挟帯域化した発振効率および波長変換効率が向上したレーザ光が出射されるので、広い色再現領域を有するリアプロジェクタ1を提供することができる。
[第2実施形態]
図7は、第2実施形態に係わるレーザ光源装置の概略構成を示す模式図である。
第2実施形態は、第1実施形態におけるレーザ光源装置31の構成が異なり、波長変換素子312の入射面に形成されたバンドパスフィルタ多層膜312Bに代えて、バンドパスフィルタ412を配設したことを除いては、前記第1実施形態と同様の基本構成を有する。したがって、第1実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。また、各構成要素の動作についても同様であり、その詳細説明も省略または簡略化する。
図7は、第2実施形態に係わるレーザ光源装置の概略構成を示す模式図である。
第2実施形態は、第1実施形態におけるレーザ光源装置31の構成が異なり、波長変換素子312の入射面に形成されたバンドパスフィルタ多層膜312Bに代えて、バンドパスフィルタ412を配設したことを除いては、前記第1実施形態と同様の基本構成を有する。したがって、第1実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。また、各構成要素の動作についても同様であり、その詳細説明も省略または簡略化する。
(光源装置の構成)
図7において、レーザ光源装置41は、レーザ光を発振するレーザ光源311と、バンドパスフィルタ412と、波長変換素子414を備えている。これらの構成要素は、レーザ光源311から出射されるレーザ光の光路上に、レーザ光源311側から順に、バンドパスフィルタ412、波長変換素子414が配設されている。
図7において、レーザ光源装置41は、レーザ光を発振するレーザ光源311と、バンドパスフィルタ412と、波長変換素子414を備えている。これらの構成要素は、レーザ光源311から出射されるレーザ光の光路上に、レーザ光源311側から順に、バンドパスフィルタ412、波長変換素子414が配設されている。
バンドパスフィルタ412は、ガラス基板412Aの一方の面にバンドパスフィルタ多層膜412Bが形成され、他方の面に光の反射を防止するための反射防止(AR:anti-reflective)膜412Cが形成され、レーザ光源311から出射されたレーザ光の光路上のレーザ光源311と波長変換素子414との間に、バンドパスフィルタ多層膜412Bが形成された面をレーザ光源311側にして、レーザ光源311のレーザ光出射面(レーザ光源311から出射されるレーザ光の光軸に略直行する面)に対して略5°の角度、傾斜して配設されている。
なお、バンドパスフィルタ412に形成されたバンドパスフィルタ多層膜412Bあるいは反射防止膜412Cが形成された面は、レーザ光源311あるいは波長変換素子414のどちら側に向けて配設する場合であってもよい。また、レーザ光源311のレーザ光出射面に対して傾いて配設されているバンドパスフィルタ412は、レーザ光出射面に対して右傾斜あるいは左傾斜のどちらの場合であってもよい。
バンドパスフィルタ多層膜412Bの膜構成は、ガラス基板412A側から順に高屈折率層Hと低屈折率層Lが交互に積層されている。詳細な膜構成は、前記第1実施形態における波長変換素子312の入射面に形成されたバンドパスフィルタ多層膜312Bと同じである。したがって膜構成の説明は省略する。
このように構成されたバンドパスフィルタ412は、レーザ光源311から出射される発振波長のレーザ光の内、設定された特定波長のレーザ光のみを選択的に透過し、それ以外の発振波長のレーザ光を反射する。すなわち、発振波長のレーザ光を狭帯域化する機能を有する。また、バンドパスフィルタ412は、レーザ光源311のレーザ光出射面に対する傾斜角度を調節することでバンドパスフィルタ412を透過するレーザ光の設定波長を微調整することができる。なお、バンドパスフィルタ412を透過するレーザ光の特定波長は、設定波長における波長幅が略0.5nm程度のレーザ光である。
波長変換素子414は、波長変換素子部414Aと、波長変換素子414(波長変換素子部414A)の入射面に形成された反射防止膜414Bと、波長変換素子414(波長変換素子部414A)の出射面に形成された誘電体多層膜414Cを備えている。この波長変換素子414は、バンドパスフィルタ412において狭帯域化された発振波長のレーザ光の第二高調波を生成する機能を有する。
波長変換素子部414Aおよび誘電体多層膜414Cは、前記第1実施形態における波長変換素子部312Aおよび誘電体多層膜312Cと同一の構成および機能を有する。
波長変換素子部414Aは、波長変換素子414に入射した発振波長のレーザ光を波長変換し、半分の波長の第二高調波を生成する。誘電体多層膜414Cは、波長変換素子部414Aにおいて半分の波長に変換された変換波長のレーザ光(第二高調波)を選択的に透過するとともに、それ以外の変換波長のレーザ光を反射する。
波長変換素子部414Aは、波長変換素子414に入射した発振波長のレーザ光を波長変換し、半分の波長の第二高調波を生成する。誘電体多層膜414Cは、波長変換素子部414Aにおいて半分の波長に変換された変換波長のレーザ光(第二高調波)を選択的に透過するとともに、それ以外の変換波長のレーザ光を反射する。
(光源装置の動作)
以上のように構成されたレーザ光源装置41の動作を、図7を参照して説明する。
以上のように構成されたレーザ光源装置41の動作を、図7を参照して説明する。
レーザ光源装置41は、制御ユニット4の制御により、レーザ光源311のレーザ媒体311Bに電流が流されると、所定波長のレーザ光を発振する。
そして、レーザ光源311から出射された発振波長のレーザ光は、バンドパスフィルタ412に入射する。バンドパスフィルタ412に入射した発振波長のレーザ光は、バンドパスフィルタ多層膜412Bで発振波長の狭帯域化が行われ、発振波長の波長幅が略0.5nm程度のレーザ光が透過されるとともに、それ以外の発振波長のレーザ光が反射される。
ここで、バンドパスフィルタ412が、レーザ光源311のレーザ光出射面に対して傾斜し、かつバンドパスフィルタ多層膜412Bが形成された面をレーザ光源311側にして配設されている場合、バンドパスフィルタ多層膜412Bで反射されたレーザ光はレーザ光源311には入射しない。これにより、バンドパスフィルタ412とレーザ光源311との間で不要な共振構造が生ずるのを防ぐことが可能となる。
そして、レーザ光源311から出射された発振波長のレーザ光は、バンドパスフィルタ412に入射する。バンドパスフィルタ412に入射した発振波長のレーザ光は、バンドパスフィルタ多層膜412Bで発振波長の狭帯域化が行われ、発振波長の波長幅が略0.5nm程度のレーザ光が透過されるとともに、それ以外の発振波長のレーザ光が反射される。
ここで、バンドパスフィルタ412が、レーザ光源311のレーザ光出射面に対して傾斜し、かつバンドパスフィルタ多層膜412Bが形成された面をレーザ光源311側にして配設されている場合、バンドパスフィルタ多層膜412Bで反射されたレーザ光はレーザ光源311には入射しない。これにより、バンドパスフィルタ412とレーザ光源311との間で不要な共振構造が生ずるのを防ぐことが可能となる。
バンドパスフィルタ412(バンドパスフィルタ多層膜412B、ガラス基板412Aおよび反射防止膜412C)を透過した発振波長のレーザ光は、波長変換素子414に入射する。
波長変換素子414に入射した発振波長のレーザ光は、反射防止膜414Bを透過した後、波長変換素子部414Aにおいて一部が波長変換され、半分の波長に変換された第二高調波(変換波長)のレーザ光が生成される。
波長変換素子414に入射した発振波長のレーザ光は、反射防止膜414Bを透過した後、波長変換素子部414Aにおいて一部が波長変換され、半分の波長に変換された第二高調波(変換波長)のレーザ光が生成される。
そして、波長変換素子部414Aで波長変換された変換波長のレーザ光と波長変換されなかった発振波長のレーザ光とは、波長変換素子414の出射面に形成された誘電体多層膜414Cに入射する。
誘電体多層膜414Cでは、発振波長の半分の波長に変換された変換波長のレーザ光(第二高調波)が選択的に透過されるとともに、それ以外の変換波長のレーザ光が反射される。
誘電体多層膜414Cでは、発振波長の半分の波長に変換された変換波長のレーザ光(第二高調波)が選択的に透過されるとともに、それ以外の変換波長のレーザ光が反射される。
誘電体多層膜414Cを透過した変換波長のレーザ光は、波長変換素子414(レーザ光源装置41)から液晶パネル32に向かって出射される。
誘電体多層膜414Cで反射された、波長変換素子部414Aにおいて変換されなかった発振波長のレーザ光は、波長変換素子部414Aに帰還入射して波長変換される。
そして、波長変換素子部414Aで波長変換されたレーザ光は、バンドパスフィルタ412に入射する。
誘電体多層膜414Cで反射された、波長変換素子部414Aにおいて変換されなかった発振波長のレーザ光は、波長変換素子部414Aに帰還入射して波長変換される。
そして、波長変換素子部414Aで波長変換されたレーザ光は、バンドパスフィルタ412に入射する。
そして、バンドパスフィルタ412では、ガラス基板412Aに形成されたバンドパスフィルタ多層膜412Bにおいて、波長変換された変換波長のレーザ光が反射され、それ以外のレーザ光が透過される。バンドパスフィルタ多層膜412Bで反射された変換波長のレーザ光は、再び波長変換素子414に入射し、レーザ光源装置41(誘電体多層膜414C)から出射される。
そして、レーザ光源311に入射した発振波長のレーザ光は、レーザ媒体311Bにて新たに発振されるレーザ光と共振する(図4参照)。
次に、バンドパスフィルタ412を透過するレーザ光の波長の調整について説明する。 バンドパスフィルタ412を透過するレーザ光の波長は、レーザ光の光路上に配設され、レーザ光源311のレーザ光出射面に対して傾斜可能に構成されたバンドパスフィルタ412の傾斜角度を調節する、すなわちバンドパスフィルタ412に入射するレーザ光のバンドパスフィルタ412に対する入射角度を変えることで微調整することができる。
図8は、バンドパスフィルタの傾斜角度による透過波長のシフト特性を表すグラフである。グラフの横軸は透過波長(nm)を示し、縦軸に透過率(%)を示す。なお、レーザ光源311から出射されるレーザ光の設定波長は1064nmである。
図8中に示す曲線aは、レーザ光源311のレーザ光出射面に対するバンドパスフィルタ412の傾斜角度が0°における透過率曲線であり、同様に曲線bは傾斜角度が1°、曲線cは傾斜角度が2°、曲線dは傾斜角度が3°、曲線eは傾斜角度が4°、曲線fは傾斜角度が5°における透過率曲線である。
図8中に示す曲線aは、レーザ光源311のレーザ光出射面に対するバンドパスフィルタ412の傾斜角度が0°における透過率曲線であり、同様に曲線bは傾斜角度が1°、曲線cは傾斜角度が2°、曲線dは傾斜角度が3°、曲線eは傾斜角度が4°、曲線fは傾斜角度が5°における透過率曲線である。
図8において、レーザ光源311のレーザ光出射面に対するバンドパスフィルタ412の傾斜角度が0°から5°に向かって大きくなるに従って、バンドパスフィルタ412を透過するレーザ光の波長が小さく(周波数を大きく)なる方向にシフト(移行)する。これにより、バンドパスフィルタ412の製造誤差などにより透過光の波長にズレが生じても、バンドパスフィルタ412の傾斜角度を調節して、透過するレーザ光の波長を微調整し、波長変換素子414の変換波長に合わせることができる。
また、バンドパスフィルタ412は、予め傾斜角度が5°程度傾いて配設されていることから、傾斜角度が略0°〜略5°の範囲において、透過するレーザ光の波長を大きくする調整が可能である。
また、バンドパスフィルタ412は、予め傾斜角度が5°程度傾いて配設されていることから、傾斜角度が略0°〜略5°の範囲において、透過するレーザ光の波長を大きくする調整が可能である。
以上の第2実施形態のレーザ光源装置によれば、第1実施形態の効果に加え、以下の効果を奏することができる。
バンドパスフィルタ多層膜412Bが形成されたバンドパスフィルタ412が、レーザ光源311のレーザ光出射面に対して傾斜可能に構成されていることにより、レーザ光源311から出射されるレーザ光とバンドパスフィルタ412の中心軸との角度を変えることで、バンドパスフィルタ多層膜412Bを透過するレーザ光の波長を変えることができる。
バンドパスフィルタ多層膜412Bが形成されたバンドパスフィルタ412が、レーザ光源311のレーザ光出射面に対して傾斜可能に構成されていることにより、レーザ光源311から出射されるレーザ光とバンドパスフィルタ412の中心軸との角度を変えることで、バンドパスフィルタ多層膜412Bを透過するレーザ光の波長を変えることができる。
これにより、バンドパスフィルタ412の製造誤差などにより透過光の波長にズレが生じても、微調整して、波長変換素子414の変換波長に合わせることが可能となり、レーザ光の発振効率および波長変換効率をさらに向上させ、レーザ光源装置41から、より良好なレーザ光を出射することができる。
さらに、波長変換素子414とバンドパスフィルタ412とを独立に各種特性の調整をすることが可能となり、発振効率及び歩留まりの向上が期待できる。
さらに、波長変換素子414とバンドパスフィルタ412とを独立に各種特性の調整をすることが可能となり、発振効率及び歩留まりの向上が期待できる。
[第3実施形態]
図9は、第3実施形態に係わるレーザ光源装置の概略構成を示す模式図である。
第3実施形態のレーザ光源装置51は、第2実施形態におけるレーザ光源装置41と構成が異なり、波長変換素子414に形成された誘電体多層膜414Cに代えて多層膜ミラー515を配設したことを除いては、前記第1実施形態および第2実施形態と同様の基本構成を有する。したがって、第1実施形態および第2実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。また、各構成要素の動作についても同様であり、その詳細説明も省略または簡略化する。
図9は、第3実施形態に係わるレーザ光源装置の概略構成を示す模式図である。
第3実施形態のレーザ光源装置51は、第2実施形態におけるレーザ光源装置41と構成が異なり、波長変換素子414に形成された誘電体多層膜414Cに代えて多層膜ミラー515を配設したことを除いては、前記第1実施形態および第2実施形態と同様の基本構成を有する。したがって、第1実施形態および第2実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。また、各構成要素の動作についても同様であり、その詳細説明も省略または簡略化する。
図9において、レーザ光源装置51は、レーザ光を発振するレーザ光源311と、波長変換素子514と、バンドパスフィルタ412と、ミラーとしての多層膜ミラー515を備えている。これらの構成要素は、レーザ光源311から出射されるレーザ光の光路上に、レーザ光源311側から順に、バンドパスフィルタ412、波長変換素子514、多層膜ミラー515が配設されている。
バンドパスフィルタ412は、第2実施形態におけるバンドパスフィルタ412と同じであり、同一の構成、機能を有し、同様の動作を行う。したがって説明を省略する。
波長変換素子514は、波長変換素子部514Aと、波長変換素子部514Aの入射面および出射面に形成された反射防止膜514B,514Cを備え、レーザ光源311から出射された発振波長のレーザ光を波長変換し、半分の波長の第二高調波を生成する機能を有する。
波長変換素子部514Aは、前記第1実施形態における波長変換素子部312A、および第2実施形態における波長変換素子部414Aと同一の構成および機能を有する。
波長変換素子514は、波長変換素子部514Aと、波長変換素子部514Aの入射面および出射面に形成された反射防止膜514B,514Cを備え、レーザ光源311から出射された発振波長のレーザ光を波長変換し、半分の波長の第二高調波を生成する機能を有する。
波長変換素子部514Aは、前記第1実施形態における波長変換素子部312A、および第2実施形態における波長変換素子部414Aと同一の構成および機能を有する。
多層膜ミラー515は、透明部材としてのガラス基板515Aの一方の面に誘電体多層膜515Bが形成され、他方の面に光の反射を防止するための反射防止膜515Cが形成され、誘電体多層膜515Bを波長変換素子514側に向けて配設されている。この多層膜ミラー515の誘電体多層膜515Bは、波長変換素子部414Aにおいて半分の波長に変換された変換波長のレーザ光(第二高調波)を透過し、それ以外の変換波長のレーザ光を反射する。この時、発振効率を向上させるためには、誘電体多層膜515Bは、発振波長のレーザ光に対して高い反射率を有することが望ましく、80%以上の反射率が必要である。一方、変換光を有効にレーザ光源装置から取り出すには、誘電体多層膜312Bは、変換波長のレーザ光に対して高い透過率を有することが望ましく、80%以上の透過率が必要である。
また、透明部材としてのガラス基板515Aは、変換光を有効にレーザ光源装置から取り出すには、ガラス基板515Aを透過する変換波長に対して高い透過率を有することが望ましく、本実施形態では80%以上の透過率を有する。一方、透明部材としてのガラス基板515Aは、発振効率を向上させるためには、発振波長に対しては高い反射率を有することが望ましく、本実施形態では20%以下の透過率を有する素材よりなる。これにより、多層膜ミラー515を透過する変換波長のレーザ光のロスが少なくなり、変換効率がより向上したレーザ光源装置51が得られる。
(光源装置の動作)
以上のように構成されたレーザ光源装置51の動作は、第2実施形態における波長変換素子414に形成された誘電体多層膜414Cに代えて、波長変換素子414の出射側に配設された多層膜ミラー515の誘電体多層膜515Bが同様に機能することを除いては、第2実施形態と同じであり、説明を省略する。
以上のように構成されたレーザ光源装置51の動作は、第2実施形態における波長変換素子414に形成された誘電体多層膜414Cに代えて、波長変換素子414の出射側に配設された多層膜ミラー515の誘電体多層膜515Bが同様に機能することを除いては、第2実施形態と同じであり、説明を省略する。
以上の第3実施形態のレーザ光源装置によれば、第2実施形態の効果に加え、以下の効果を奏することができる。
レーザ光源装置51は、誘電体多層膜515Bが形成された多層膜ミラー515を配設することにより、波長変換素子514、バンドパスフィルタ412および多層膜ミラー515を独立に各種特性の調整をすることが可能となり、発振効率及び歩留まりの向上がより期待できる。
レーザ光源装置51は、誘電体多層膜515Bが形成された多層膜ミラー515を配設することにより、波長変換素子514、バンドパスフィルタ412および多層膜ミラー515を独立に各種特性の調整をすることが可能となり、発振効率及び歩留まりの向上がより期待できる。
[第4実施形態]
図10は、第4実施形態に係わるレーザ光源装置の概略構成を示す模式図である。
第4実施形態のレーザ光源装置61は、第3実施形態におけるレーザ光源装置51と一部の構成が異なり、レーザ光源装置51のレーザ光源311と波長変換素子514との間に配設されたバンドパスフィルタ412に代えて、発振波長近傍でバンドパス特性を有するバンドパスフィルタ多層膜614Bが入射面に形成された波長変換素子614を配設したことを除いては、第3実施形態と同様の基本構成を有する。
図10は、第4実施形態に係わるレーザ光源装置の概略構成を示す模式図である。
第4実施形態のレーザ光源装置61は、第3実施形態におけるレーザ光源装置51と一部の構成が異なり、レーザ光源装置51のレーザ光源311と波長変換素子514との間に配設されたバンドパスフィルタ412に代えて、発振波長近傍でバンドパス特性を有するバンドパスフィルタ多層膜614Bが入射面に形成された波長変換素子614を配設したことを除いては、第3実施形態と同様の基本構成を有する。
なお、波長変換素子614の波長変換素子部614Aの出射面には、反射防止膜614Cを有する。また、バンドパスフィルタ多層膜614Bの膜構成は、第1実施形態における波長変換素子312の波長変換素子部312Aの入射面に形成されたバンドパスフィルタ多層膜312Bと同じである。
したがって、レーザ光源装置61の動作については、第3実施形態におけるレーザ光源装置51と同様であり、その説明を省略する。
したがって、レーザ光源装置61の動作については、第3実施形態におけるレーザ光源装置51と同様であり、その説明を省略する。
[第5実施形態]
図11は、第5実施形態に係わるレーザ光源装置の概略構成を示す模式図である。
第5実施形態のレーザ光源装置71は、第3実施形態におけるレーザ光源装置51と構成が異なり、レーザ光源311と波長変換素子514との間に配設されたバンドパスフィルタ512が、波長変換素子514と多層膜ミラー515との間に配設されたことを除いては、第3実施形態と同様の基本構成を有する。したがって、第3実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。また、各構成要素の動作についても同様であり、その詳細説明も省略または簡略化する。
図11は、第5実施形態に係わるレーザ光源装置の概略構成を示す模式図である。
第5実施形態のレーザ光源装置71は、第3実施形態におけるレーザ光源装置51と構成が異なり、レーザ光源311と波長変換素子514との間に配設されたバンドパスフィルタ512が、波長変換素子514と多層膜ミラー515との間に配設されたことを除いては、第3実施形態と同様の基本構成を有する。したがって、第3実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。また、各構成要素の動作についても同様であり、その詳細説明も省略または簡略化する。
図11において、レーザ光源装置71は、レーザ光源311から出射されるレーザ光の光路上に、レーザ光源311側から順に、波長変換素子514、バンドパスフィルタ512、多層膜ミラー515が配設されている。なお、波長変換素子514と多層膜ミラー515との間に配設されたバンドパスフィルタ512は、第3実施形態におけるレーザ光源装置51と同様に、ガラス基板512Aの一方の面にバンドパスフィルタ多層膜512Bが形成され、他方の面に光の反射を防止するための反射防止膜512Cが形成されたもので、レーザ光源311のレーザ光出射面に対して略5°の角度、傾斜して配設されている。
(光源装置の動作)
レーザ光源装置71のレーザ光源311から出射された発振波長のレーザ光は、波長変換素子514に入射する。
波長変換素子514に入射した発振波長のレーザ光は、先ず、波長変換素子部514Aにおいて一部が波長変換され、発振波長の半分の波長に変換された第二高調波(変換波長)のレーザ光が生成される。
レーザ光源装置71のレーザ光源311から出射された発振波長のレーザ光は、波長変換素子514に入射する。
波長変換素子514に入射した発振波長のレーザ光は、先ず、波長変換素子部514Aにおいて一部が波長変換され、発振波長の半分の波長に変換された第二高調波(変換波長)のレーザ光が生成される。
そして、波長変換素子部514Aで波長変換された変換波長のレーザ光と波長変換されなかった発振波長の光とは、バンドパスフィルタ512に入射する。
バンドパスフィルタ512では、ガラス基板の一方の面に形成されたバンドパスフィルタ多層膜512Bにおいて、入射した発振波長のレーザ光のうち、波長幅が略0.5nm程度のレーザ光が透過され、発振波長のレーザ光の狭帯域化が行われる。ここで、本実施形態のバンドパスフィルタ多層膜512Bは、変換波長の光を透過する特性を有している。変換光を有効にレーザ光源装置から取り出すには、バンドパスフィルタ多層膜512Bは、変換波長に対して高い反射率を有することが望ましく、80%以上の反射率が必要である。
バンドパスフィルタ512では、ガラス基板の一方の面に形成されたバンドパスフィルタ多層膜512Bにおいて、入射した発振波長のレーザ光のうち、波長幅が略0.5nm程度のレーザ光が透過され、発振波長のレーザ光の狭帯域化が行われる。ここで、本実施形態のバンドパスフィルタ多層膜512Bは、変換波長の光を透過する特性を有している。変換光を有効にレーザ光源装置から取り出すには、バンドパスフィルタ多層膜512Bは、変換波長に対して高い反射率を有することが望ましく、80%以上の反射率が必要である。
バンドパスフィルタ512で狭帯域化され、バンドパスフィルタ512を透過した発振波長のレーザ光は、多層膜ミラー515に入射する。多層膜ミラー515では、ガラス基板の一方の面に形成された誘電体多層膜515Bにおいて、変換波長のレーザ光を選択的に透過するとともに、それ以外のレーザ光が反射される。この時、発振効率を向上させるためには、誘電体多層膜515Bは、発振波長のレーザ光に対して高い反射率を有することが望ましく、本実施形態では80%以上の反射率を有する。一方、変換光を有効にレーザ光源装置から取り出すには、誘電体多層膜515Bは、変換波長のレーザ光に対して高い透過率を有することが望ましく、80%以上の透過率が必要である。
そして、多層膜ミラー515を透過した変換波長のレーザ光は、液晶パネル32に向かって出射される。
一方、多層膜ミラー515で反射された発振波長のレーザ光は、再び波長変換素子514に入射する。波長変換素子514で波長変換された変換波長のレーザ光はレーザ光源311(ミラー層311A)で反射されて再び多層膜ミラー515に入射し、レーザ光源装置71から出射される。
以上の第5実施形態のレーザ光源装置によれば、第3実施形態と同様の効果を奏することができる。
以上の第5実施形態のレーザ光源装置によれば、第3実施形態と同様の効果を奏することができる。
[実施形態の変形例]
本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。以下に変形例として挙げられているような形態であっても、前述の実施形態と同様な効果を得ることができる。
本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。以下に変形例として挙げられているような形態であっても、前述の実施形態と同様な効果を得ることができる。
(変形例1)
第1実施形態から第5実施形態において、プロジェクタユニット3内部に収納されるレーザ光源装置31,41,51,61,71として、面発光型半導体レーザのレーザ光源311を用いた場合で説明したが、面発光型半導体レーザに代えて、いわゆる端面発光型半導体レーザまたは半導体励起固体レーザを用いることができる。
図11は、変形例として別のレーザ光源装置の部分構成を示す模式図であり、レーザ光源として端面発光型半導体レーザを用いたレーザ光源装置の部分構成を示す。なお、図11中に示す構成部分は、第1実施形態から第5実施形態におけるレーザ光源311に代えて配設される。
第1実施形態から第5実施形態において、プロジェクタユニット3内部に収納されるレーザ光源装置31,41,51,61,71として、面発光型半導体レーザのレーザ光源311を用いた場合で説明したが、面発光型半導体レーザに代えて、いわゆる端面発光型半導体レーザまたは半導体励起固体レーザを用いることができる。
図11は、変形例として別のレーザ光源装置の部分構成を示す模式図であり、レーザ光源として端面発光型半導体レーザを用いたレーザ光源装置の部分構成を示す。なお、図11中に示す構成部分は、第1実施形態から第5実施形態におけるレーザ光源311に代えて配設される。
図12において、レーザ光源装置81は、長手状のレーザ光源811と、平行レンズ812を備えている。レーザ光源811から出射されたレーザ光は、平行レンズ812を透過した後に、第1実施形態から第5実施形態におけるレーザ光源311の出射側に配設された各構成部品に入射する(図示せず)。
レーザ光源811は、長手状のレーザ媒体811Aがクラッド層811B間に挟層された、いわゆる端面発光型半導体レーザである。
レーザ媒体811Aの長手方向の両端面には、反射ミラーとしての機能を有するミラー層811Cが形成されている。このレーザ媒体811Aには、図示しない電通手段が設けられており、制御ユニット4の制御により電通手段から所定量の電流が通電されると、所定の発振波長のレーザ光が発振される。そして、発振されたレーザ光は、レーザ媒体811Aの両端面に形成されたミラー層811C間で反射させることで、レーザ光を共振させて出力を増幅させている。
レーザ媒体811Aの長手方向の両端面には、反射ミラーとしての機能を有するミラー層811Cが形成されている。このレーザ媒体811Aには、図示しない電通手段が設けられており、制御ユニット4の制御により電通手段から所定量の電流が通電されると、所定の発振波長のレーザ光が発振される。そして、発振されたレーザ光は、レーザ媒体811Aの両端面に形成されたミラー層811C間で反射させることで、レーザ光を共振させて出力を増幅させている。
ミラー層811Cには、光平行化手段としての平行レンズ812に対向して出射部811Dが形成されており、この出射部811Dから発振されたレーザ光が出射される。平行レンズ812は、レーザ光源811の出射部811Dから出射された発振波長のレーザ光を平行光束に変換する。
そして、平行レンズ812において平行光束に変換された発振波長のレーザ光は、波長変換素子側に向かって進み、各構成部品を介した後に、変換波長のレーザ光が、レーザ光源装置81から液晶パネル32に向かって出射される。
そして、平行レンズ812において平行光束に変換された発振波長のレーザ光は、波長変換素子側に向かって進み、各構成部品を介した後に、変換波長のレーザ光が、レーザ光源装置81から液晶パネル32に向かって出射される。
(変形例2)
第1実施形態から第5実施形態において、プロジェクタユニット3を構成するレーザ光源装置31は、赤色光用光源装置31R、青色光用光源装置31Bおよび緑色光用光源装置31Gが、ともに同様な基本構造を有している場合で説明したが、これに限らない。すなわち、赤色レーザ光および青色レーザ光は、レーザ媒体である半導体レーザ素子として適切なものを選択することにより、レーザ光源から直接、発振させることができる。したがって、赤色光用光源装置31Rおよび青色光用光源装置31Bには、従来の面発光型半導体レーザ発振器または端面発光型半導体レーザ発振器を配設し、緑色光用光源装置31Gのみに、各実施形態に示すレーザ光源装置を利用する構成としてもよい。
第1実施形態から第5実施形態において、プロジェクタユニット3を構成するレーザ光源装置31は、赤色光用光源装置31R、青色光用光源装置31Bおよび緑色光用光源装置31Gが、ともに同様な基本構造を有している場合で説明したが、これに限らない。すなわち、赤色レーザ光および青色レーザ光は、レーザ媒体である半導体レーザ素子として適切なものを選択することにより、レーザ光源から直接、発振させることができる。したがって、赤色光用光源装置31Rおよび青色光用光源装置31Bには、従来の面発光型半導体レーザ発振器または端面発光型半導体レーザ発振器を配設し、緑色光用光源装置31Gのみに、各実施形態に示すレーザ光源装置を利用する構成としてもよい。
(変形例3)
第1実施形態から第5実施形態において、波長変換素子312,414,514,614を構成する非線形光学材料として、LN(LiNbO3)や、LT(LiTaO3)を例示したが、これ以外にもKNbO3、BNN(Ba2NaNb5O15)、KTP(KTiOPO4)、KTA(KTiOAsO4)、BBO(β−BaB2O4)、LBO(LiB3O7)などの無機非線形光学材料を利用してもよい。また、メタニトロアニリン、2−メチル−4−ニトロアニリン、カルコン、ジシアノビニルアニソール、3,5−ジメチル−1−(4−ニトロフェニル)ピラゾール、N−メトキシメチル−4−ニトロアニリンなどの低分子有機材料や、ポールドポリマなどの有機非線形光学材料を用いてもよい。
第1実施形態から第5実施形態において、波長変換素子312,414,514,614を構成する非線形光学材料として、LN(LiNbO3)や、LT(LiTaO3)を例示したが、これ以外にもKNbO3、BNN(Ba2NaNb5O15)、KTP(KTiOPO4)、KTA(KTiOAsO4)、BBO(β−BaB2O4)、LBO(LiB3O7)などの無機非線形光学材料を利用してもよい。また、メタニトロアニリン、2−メチル−4−ニトロアニリン、カルコン、ジシアノビニルアニソール、3,5−ジメチル−1−(4−ニトロフェニル)ピラゾール、N−メトキシメチル−4−ニトロアニリンなどの低分子有機材料や、ポールドポリマなどの有機非線形光学材料を用いてもよい。
(変形例4)
第2、第3、第5の各実施形態において、波長変換素子の入射側表面の反射防止膜414B,514Bを、発振波長のレーザ光は透過し、変換波長のレーザ光は反射する特性を有する誘電体多層膜に置き換えてもよい。その場合は、多層膜ミラーで反射された変換波長のレーザ光および多層膜ミラーで反射された発振波長のレーザ光が波長変換素子で変換されて生成した変換波長のレーザ光は、波長変換素子の入射側表面の誘電体多層膜で反射されて、多層膜ミラーから液晶パネルに向かって出射される。なお、この誘電体多層膜は、発振波長のレーザ光に対して高い透過率を有することが望ましく、80%以上の透過率が望ましい。一方、この誘電体多層膜は、変換波長のレーザ光に対して高い反射率を有することが望ましく、80%以上の反射率が望ましい。
第2、第3、第5の各実施形態において、波長変換素子の入射側表面の反射防止膜414B,514Bを、発振波長のレーザ光は透過し、変換波長のレーザ光は反射する特性を有する誘電体多層膜に置き換えてもよい。その場合は、多層膜ミラーで反射された変換波長のレーザ光および多層膜ミラーで反射された発振波長のレーザ光が波長変換素子で変換されて生成した変換波長のレーザ光は、波長変換素子の入射側表面の誘電体多層膜で反射されて、多層膜ミラーから液晶パネルに向かって出射される。なお、この誘電体多層膜は、発振波長のレーザ光に対して高い透過率を有することが望ましく、80%以上の透過率が望ましい。一方、この誘電体多層膜は、変換波長のレーザ光に対して高い反射率を有することが望ましく、80%以上の反射率が望ましい。
(変形例5)
第1実施形態から第5実施形態において、波長変換素子(312,414,514)は、レーザ光源311で発振するレーザ光の発振波長の半分の波長の第二高調波を生成する第二次高調波発生素子を用いた場合で説明したが、第二次高調波発生素子に代えて、第三次高調波発生素子を用いる場合であってもよい。
第1実施形態から第5実施形態において、波長変換素子(312,414,514)は、レーザ光源311で発振するレーザ光の発振波長の半分の波長の第二高調波を生成する第二次高調波発生素子を用いた場合で説明したが、第二次高調波発生素子に代えて、第三次高調波発生素子を用いる場合であってもよい。
(変形例6)
第1実施形態から第5実施形態、および変形例1において、プロジェクタユニット3を構成するレーザ光源装置31,41,51,61,71,81がリアプロジェクタ1に搭載される場合を例示したが、これに限定されず、フロントプロジェクタなど、その他のタイプのプロジェクタに利用することができる。また、プロジェクタユニット3を構成する光変調素子としては、例えば、透過型の液晶ライトバルブや反射型の液晶ライトバルブの他、ディジタル・マイクロミラー・デバイスを採用してもよい。
第1実施形態から第5実施形態、および変形例1において、プロジェクタユニット3を構成するレーザ光源装置31,41,51,61,71,81がリアプロジェクタ1に搭載される場合を例示したが、これに限定されず、フロントプロジェクタなど、その他のタイプのプロジェクタに利用することができる。また、プロジェクタユニット3を構成する光変調素子としては、例えば、透過型の液晶ライトバルブや反射型の液晶ライトバルブの他、ディジタル・マイクロミラー・デバイスを採用してもよい。
1…プロジェクタとしてのリアプロジェクタ、2…キャビネット、3…プロジェクタユニット、4…制御ユニット、5…反射鏡、9…透過型スクリーン、31,41,51,61,71,81…レーザ光源装置、31B…青色光用光源装置、31G…緑色光用光源装置、31R…赤色光用光源装置、32…液晶パネル、33…偏光板、34…クロスダイクロイックプリズム、35…投射光学系としての投射レンズ、311,811…レーザ光源、311A…ミラー層、311B…レーザ光出射面としてのレーザ媒体、400…基板、312,414,514,614…波長変換素子、312A,414A,514A,614A…波長変換素子部、412,512…バンドパスフィルタ、312B,412B,512B,614B…バンドパスフィルタ多層膜、312C,414C,515B…誘電体多層膜、412C,414B,512C,514B,514C,515C,614C…反射防止膜、515…多層膜ミラー、812…平行レンズ。
Claims (14)
- 所定の波長のレーザ光を発振するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたレーザ光を反射して共振器を形成するミラーと、
前記レーザ光源と前記ミラーとの間に配設され、前記レーザ光源から出射された発振波長のレーザ光を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子と、を備えるレーザ光源装置であって、
前記ミラーは、前記波長変換素子の出射側の表面に形成された、前記発振波長のレーザ光を反射し、前記変換波長のレーザ光を透過する特性を有する誘電体多層膜よりなり、
前記波長変換素子の入射側の表面に、少なくとも前記発振波長近傍でバンドパス特性を有するバンドパスフィルタ多層膜が形成されていることを特徴とするレーザ光源装置。 - 所定の波長のレーザ光を発振するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたレーザ光を反射して共振器を形成するミラーと、
前記レーザ光源と前記ミラーとの間に配設され、前記レーザ光源から出射された発振波長のレーザ光を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子と、を備えるレーザ光源装置であって、
前記レーザ光源と前記波長変換素子との間に、少なくとも前記発振波長近傍でバンドパス特性を有するバンドパスフィルタ多層膜が形成されたバンドパスフィルタを、さらに備え、
前記ミラーは、前記波長変換素子の出射側の表面に形成された、前記発振波長のレーザ光を反射し、前記変換波長のレーザ光を透過する特性を有する誘電体多層膜よりなることを特徴とするレーザ光源装置。 - 所定の波長のレーザ光を発振するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたレーザ光を反射して共振器を形成するミラーと、
前記レーザ光源と前記ミラーとの間に配設され、前記レーザ光源から出射された発振波長のレーザ光を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子と、を備えるレーザ光源装置であって、
前記ミラーは、前記発振波長のレーザ光を反射し、前記変換波長のレーザ光を透過する特性を有する誘電体多層膜が形成された透明部材よりなり、前記波長変換素子の出射側に配設され、
前記波長変換素子の入射側の表面に、少なくとも前記発振波長近傍でバンドパス特性を有するバンドパスフィルタ多層膜が形成されていることを特徴とするレーザ光源装置。 - 所定の波長のレーザ光を発振するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたレーザ光を反射して共振器を形成するミラーと、
前記レーザ光源と前記ミラーとの間に配設され、前記レーザ光源から出射された発振波長のレーザ光を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子と、を備えるレーザ光源装置であって、
前記ミラーは、前記発振波長のレーザ光を反射し、前記変換波長のレーザ光を透過する特性を有する誘電体多層膜が形成された透明部材よりなり、前記波長変換素子の出射側に配設され、
前記レーザ光源と前記波長変換素子との間に、少なくとも前記発振波長近傍でバンドパス特性を有するバンドパスフィルタ多層膜が形成されたバンドパスフィルタを、さらに備えたことを特徴とするレーザ光源装置。 - 所定の波長のレーザ光を発振するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたレーザ光を反射して共振器を形成するミラーと、
前記レーザ光源と前記ミラーとの間に配設され、前記レーザ光源から出射された発振波長のレーザ光を変換して変換波長のレーザ光を出射する波長変換素子と、を備えるレーザ光源装置であって、
前記ミラーは、前記発振波長のレーザ光を反射し、前記変換波長のレーザ光を透過する特性を有する誘電体多層膜が形成された透明部材よりなり、前記波長変換素子の出射側に配設され、
前記ミラーと前記波長変換素子との間に、少なくとも前記発振波長近傍でバンドパス特性を有するバンドパスフィルタ多層膜が形成されたバンドパスフィルタを、さらに備えたことを特徴とするレーザ光源装置。 - 請求項2、請求項4、請求項5の何れか一項に記載のレーザ光源装置において、
バンドパスフィルタは、前記レーザ光源から出射されたレーザ光に対して傾斜可能であることを特徴とするレーザ光源装置。 - 請求項1乃至4の何れか一項に記載のレーザ光源装置において、
前記バンドパスフィルタ多層膜は、前記変換波長のレーザ光を反射する特性をさらに有することを特徴とするレーザ光源装置。 - 請求項5に記載のレーザ光源装置において、
前記バンドパスフィルタ多層膜は、前記変換波長のレーザ光を透過する特性をさらに有することを特徴とするレーザ光源装置。 - 請求項1乃至8の何れか一項に記載のレーザ光源装置において、
前記バンドパスフィルタ多層膜は、高屈折率層Hと低屈折率層Lが交互に積層され、前記発振波長をλとおいて、光学膜厚が前記波長変換素子側から順に、0.236λH、0.355λL、0.207λH、0.203λL、(0.25λH、0.25λL)n、0.5λH、(0.25λL、0.25λH)n、0.266λL、0.255λH、0.248λL、0.301λH、0.631λLであることを特徴とするレーザ光源装置。
但し、nは3から10の範囲の値であり、括弧内の層を繰り返し積層する繰り返し数を示す。 - 請求項3、請求項4、請求項5の何れか一項に記載のレーザ光源装置において、
前記透明部材は、前記変換波長に対して80%以上の透過率を有し、前記発振波長に対しては20%以下の透過率を有する素材よりなることを特徴とするレーザ光源装置。 - 請求項2、請求項4、請求項5の何れか一項に記載のレーザ光源装置において、前記波長変換素子の入射側表面に、前記発振波長のレーザ光を透過し、前記変換波長のレーザ光を反射する特性の誘電体多層膜を有することを特徴とするレーザ光源装置。
- 請求項1乃至11の何れか一項に記載の光源装置において、
前記レーザ光源が、端面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ又は半導体励起固体レーザの内の何れかであることを特徴とするレーザ光源装置。 - 請求項1乃至12の何れか一項に記載の光源装置において、
前記波長変換素子が、周期的分極反転構造を有する第二次高調波発生素子であることを特徴とするレーザ光源装置。 - レーザ光を出射するレーザ光源装置と、
前記レーザ光源装置から出射されたレーザ光を画像情報に応じて変調する光変調素子と、
前記変調されたレーザ光を出射する投射光学系と、を備えたプロジェクタであって、
前記レーザ光源装置は、請求項1乃至13の何れか一項に記載のレーザ光源装置であることを特徴とするプロジェクタ。
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WO2006015133A2 (en) | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Novalux, Inc. | Projection display apparatus, system, and method |
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