JP2008060350A - 光透過性電磁波シールド材の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シランカップリング剤とアゾール系化合物との混合物または反応生成物、および、貴金属化合物を含む無電解めっき前処理剤を、透明基板11上に塗布、乾燥させ、前記透明基板11上に前処理層12を形成する工程(A1)、前記前処理層12上にドット状のめっき保護層13を形成する工程(A2)、前記前処理層12を、還元処理する工程(A3)、及び前記めっき保護層13が形成されずに露出した前記前処理層12上に、無電解めっきすることによりメッシュ状の金属導電層14を形成する工程(A4)、を含む光透過性電磁波シールド材の製造方法。
【選択図】図1
Description
前記前処理層上にドット状のめっき保護層を形成する工程、
前記前処理層を還元処理する工程、及び
前記めっき保護層が形成されずに露出した前記前処理層上に、無電解めっきすることによりメッシュ状の金属導電層を形成する工程、
を含む光透過性電磁波シールド材の製造方法により上記課題を解決する。
所定の無電解めっき前処理剤を用いて透明基板上に前処理層を形成する工程、
前記前処理層上にドット状のめっき保護層を形成する工程、
前記前処理層を還元処理する工程、及び
露出している前記前処理層上に、無電解めっきすることにより金属導電層を形成する工程、を含む。
1.前処理層の形成
イミダゾールに、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを、モル比で1:1となるように混合し、1時間、100℃で、反応させることにより得られた反応生成物を5wt%含む水溶液に、25℃で撹拌しながら塩化パラジウムを添加し、塩化パラジウム濃度が10g/Lの溶液を調製した。これをn−ブタノールで100体積倍に希釈し、塩化パラジウム濃度が100mg/Lの前処理剤を調製した。これにより得られた溶液を、ガラス板(厚さ5mm)上に、塗布量が2g/m2となるように塗布し、160℃、5分間で乾燥させた。これにより、ガラス板上に前処理層(厚さ0.1μm)を形成した。
次に、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、およびシクロヘキサノンを、質量比で20:60:20で含む溶剤に、ポリメチルメタクリレート樹脂を30wt%含むレジストインクを、グラビアオフセット印刷により、前記前処理層上にドット状に印刷し、前記前処理層上に多数の微小凸部からなるめっき保護層を形成した。ドット一個の大きさは一辺が234μmの正方形であり、ドット同士の間隔は20μmであり、ドット配列は正方格子状である。印刷厚さは、乾燥後で3μmとした。
次に、上記で得られためっき保護層および前処理層が形成されたガラス板を、60℃の次亜リン酸ナトリウム溶液(NaH2PO2濃度:30g/L)に、3分間浸漬させ、前処理層の還元処理を行った。
上記で得られためっき保護層および還元処理された前処理層が形成されたガラス板を、無電解銅めっき液(メルテックス株式会社製 メルプレートCU−5100)に浸漬し、50℃、20分間で、無電解銅めっき処理して、メッシュ状の金属導電層を得た。前記金属導電層は、厚さは2.0μm、線幅は20μm、開口率は85%、線間隔は234μmであった。
さらに、上記で得られた金属導電層が形成されたガラス板に対して、下記組成の黒化処理を行った。
亜塩素酸ナトリウム: 10質量%
水酸化ナトリウム: 4質量%
黒化処理条件
浴温: 約60℃
時間: 5分間
1.前処理層の形成
ガラス板の代わりに、ポリエステルフィルム(厚さ150μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして、ポリエステルフィルム上に前処理層(厚さ0.1μm)を形成した。
次に、キシレン、酢酸ブチル及びメチルエチルケトンを、質量比で5:3:5で含む溶剤に、アクリル樹脂及び繊維素系樹脂を25wt%含むレジストインク(藤倉化成株式会社製 SM−1798JR−1)を、グラビア印刷により、前記前処理層上にドット状に印刷し、前記前処理層上に多数の微小凸部からなるめっき保護層を形成した。ドット一個の大きさは一辺が234μmの正方形であり、ドット同士の間隔は20μmであり、ドット配列は正方格子状である。印刷厚さは、乾燥後で3μmとした。
次に、上記で得られためっき保護層および前処理層が形成されたポリエステルフィルムを、70℃のジメチルアミンボラン溶液((CH3)2NH・BH3濃度:10g/L)に、3分間浸漬させ、前処理層の還元処理を行った。
上記で得られためっき保護層および還元処理された前処理層が形成されたポリエステルフィルムを、無電解銅めっき液(メルテックス株式会社製 メルプレートCU−5100)に浸漬し、50℃、5分間で、無電解銅めっき処理した後、さらに電解めっき用の硫酸銅水溶液に浸漬させ、整流器により発生させた2A/dm2の電流を5分間かけることによりメッシュ状の金属導電層を得た。前記金属導電層は、厚さは3μm、線幅は20μm、開口率は85%、線間隔は234μmであった。
さらに、上記で得られた金属導電層が形成されたポリエステルフィルムに対して、実施例1と同様にして黒化処理を行った。この黒化処理により、金属導電層の表面が黒化処理された光透過性電磁波シールド材2を得た。得られた光透過性電磁波シールド材の表面の黒化処理された厚みは、平均0.5μmであった。
上記で作製した光透過性電磁波シールド材について金属導電層について、表面抵抗値を測定したところ、光透過性電磁波シールド材1および2とも均一な厚さのめっき皮膜が形成されていた。
12 前処理層、
13 めっき保護層、
14 金属導電層、
15 黒化処理層、
21 透明基板、
22 水溶性インキ、
23 銅の薄膜、
24 金属導電層、
25 銅の薄膜。
Claims (14)
- シランカップリング剤とアゾール系化合物との混合物または反応生成物、及び貴金属化合物を含む無電解めっき前処理剤を、透明基板上に塗布、乾燥させ、前記透明基板上に前処理層を形成する工程、
前記前処理層上にドット状のめっき保護層を形成する工程、
前記前処理層を還元処理する工程、及び
前記めっき保護層が形成されずに露出した前記前処理層上に、無電解めっきすることによりメッシュ状の金属導電層を形成する工程、
を含む光透過性電磁波シールド材の製造方法。 - 前記シランカップリング剤が、エポキシ基含有シラン化合物である請求項1に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記シランカップリング剤が、γ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシランである請求項1または2に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記アゾール系化合物が、イミダゾールである請求項1〜3のいずれか1項に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記貴金属化合物が、パラジウム、銀、白金、および金よりなる群から選択される少なくとも一種の金属原子を含む化合物である請求項1〜4のいずれか1項に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記透明基板上に前記前処理層を形成する工程において、前記乾燥を80〜160℃の温度で行う請求項1〜5のいずれか1項に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記めっき保護層が、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、およびポリスチレン樹脂よりなる群から選択される少なくとも1種を含む請求項1〜6のいずれか1項に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記還元処理を、前記前処理層及びめっき保護層が形成された透明基板を、還元剤を含む溶液に浸漬させることにより行う請求項1〜7のいずれか1項に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記還元剤が、アミノボラン、ジメチルアミンボラン、次亜リン酸ナトリウム、硫酸ヒドロキシルアミン、ハイドロサルファイト、及びホルマリンよりなる群から選択される少なくとも1種である請求項8に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記還元剤を含む溶液における前記還元剤の濃度が、0.01〜200g/Lである請求項8または9のいずれか1項に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記無電解めっきによるめっき金属が、銀、銅、またはアルミニウムである請求項1〜10のいずれか1項に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記無電解めっきを行った後、さらに電解めっきを行う請求項1〜11のいずれか1項に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記金属導電層を黒化処理し、前記金属導電層の表面の少なくとも一部に黒化処理層を形成する工程をさらに有する請求項1〜12のいずれか1項に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
- 前記黒化処理が、前記金属導電層を酸化処理または硫化処理することによって行われる請求項13に記載の光透過性電磁波シールド材の製造方法。
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