JP2008059738A - 半導体メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基準クロックと、立ち上がりフィードバッククロック及び立ち下がりフィードバッククロックとの位相差にそれぞれ対応して制御信号を出力する位相比較部と、該制御信号に応答して前記基準クロックを遅延させ、立ち上がり遅延クロック及び立ち下がり遅延クロックとして出力する遅延ラインと、前記立ち上がりフィードバッククロックと前記立ち下がりフィードバッククロックとの位相が異なる場合、前記遅延ラインから出力される立ち上がり遅延クロックを反転して伝達するクロック伝達部と、該クロック伝達部から出力される立ち上がりクロック及び前記立ち下がり遅延クロックを用いて、デューティ比の補正された遅延固定クロックを出力するデューティ補正部と、遅延モデルとを備える。
【選択図】図4
Description
200 分配器
300A、300B 遅延ライン
400 位相比較器
500A、500B 遅延制御部
600 遅延モデル
710 第1の立ち上がりクロック伝達部
720 第1の立ち下がりクロック伝達部
730 第2の立ち上がりクロック伝達部
740 第2の立ち下がりクロック伝達部
800 信号選択部
900 デューティ補正部
Claims (16)
- 基準クロックと、立ち上がりフィードバッククロック及び立ち下がりフィードバッククロックとの位相差にそれぞれ対応して制御信号を出力する位相比較部と、
該制御信号に応答して前記基準クロックを遅延させ、立ち上がり遅延クロック及び立ち下がり遅延クロックとして出力する遅延ラインと、
前記立ち上がりフィードバッククロックと前記立ち下がりフィードバッククロックとの位相が実質的に異なる場合、前記遅延ラインから出力される立ち上がり遅延クロックを反転して伝達するクロック伝達部と、
該クロック伝達部から出力される立ち上がりクロック及び前記立ち下がり遅延クロックを用いて、デューティ比の補正された遅延固定クロックを出力するデューティ補正部と、
該デューティ補正部から出力される遅延固定クロック及びその反転されたクロックをモデル化した遅延値だけそれぞれ遅延させ、前記立ち上がりフィードバッククロック及び前記立ち下がりフィードバッククロックとして出力する遅延モデルと
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記クロック伝達部が、
前記立ち上がりフィードバッククロックと前記立ち下がりフィードバッククロックとの位相が等しい場合、前記立ち上がり遅延クロック及び前記立ち下がり遅延クロックを第1の立ち上がりクロック及び第1の立ち下がりクロックとして出力し、位相が異なる場合、第2の立ち上がりクロック及び第2の立ち下がりクロックとして出力する信号選択部と、
前記第1の立ち上がりクロックを受信し、バッファリングして出力する第1の立ち上がりクロック伝達部と、
前記第1の立ち下がりクロックを反転して出力する第1の立ち下がりクロック伝達部と、
前記第2の立ち上がりクロックを反転して出力する第2の立ち上がりクロック伝達部と、
前記第2の立ち下がりクロックを反転して出力する第2の立ち下がりクロック伝達部とを備え、
前記デューティ補正部が、前記第1の立ち上がりクロック及び第1の立ち下がりクロックを用いて遅延固定クロックのデューティ比を補正するか、若しくは前記第2の立ち上がりクロック及び第2の立ち下がりクロックを用いてデューティ比を補正することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記信号選択部が、
前記立ち上がりフィードバッククロックと前記立ち下がりフィードバッククロックとの位相が等しい場合、イネーブルされる伝達信号を生成する比較部と、
前記伝達信号の第1のレベルに応答して、前記立ち上がり遅延クロックを前記第1の立ち上がりクロックとして出力する第1のトランスファゲートと、
前記伝達信号の第1のレベルに応答して、前記立ち下がり遅延クロックを前記第1の立ち下がりクロックとして出力する第2のトランスファゲートと、
前記伝達信号の第2のレベルに応答して、前記立ち上がり遅延クロックを前記第2の立ち上がりクロックとして出力する第3のトランスファゲートと、
前記伝達信号の第2のレベルに応答して、前記立ち下がり遅延クロックを前記第2の立ち下がりクロックとして出力する第4のトランスファゲートと
を備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。 - 前記比較部が、
前記位相比較部から、前記基準クロックと、前記立ち上がりフィードバッククロック及び前記立ち下がりフィードバッククロックとの位相差に対応して出力する立ち上がり信号及び立ち下がり信号を受信し、排他的論理和演算を行う論理ゲートを備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。 - 前記クロック伝達部が、
前記基準クロックと前記立ち上がりフィードバッククロックとの位相差に対応する第1の制御信号と、前記基準クロックと前記立ち下がりフィードバッククロックとの位相差に対応する第2の制御信号とを受信し、排他的論理和演算を行う論理回路と、
該論理回路の出力に応答して、前記遅延ラインから出力される立ち上がり遅延クロックをバッファリングして出力するバッファ手段と、
前記論理回路の出力に応答して、前記遅延ラインから出力される立ち上がり遅延クロックを反転して出力する反転手段と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 基準クロックと、立ち上がりフィードバッククロック及び立ち下がりフィードバッククロックとの位相差にそれぞれ対応して、第1の制御信号及び第2の制御信号を出力する位相比較部と、
該第1の制御信号及び第2の制御信号に対応する遅延値だけ前記基準クロックを遅延させ、立ち上がり遅延クロック及び立ち下がり遅延クロックを出力する遅延ラインと、
前記立ち上がりフィードバッククロックと前記立ち下がりフィードバッククロックとの位相が実質的に等しい場合は、前記立ち上がりクロックの反転された信号及び前記立ち下がり遅延クロックを用いてデューティ比を補正し、位相が異なる場合は、前記立ち上がりクロック及び前記立ち下がり遅延クロックを用いてデューティ比を補正し、遅延固定された立ち上がりクロック及び遅延固定された立ち下がりクロックとして出力するデューティ補正部と、
該デューティ補正部から出力される立ち上がりクロック及び立ち下がりクロックをモデル化した遅延値だけそれぞれ遅延させ、前記立ち上がりフィードバッククロック及び前記立ち下がりフィードバッククロックとして出力する遅延モデルと
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記デューティ補正部が、
前記立ち上がりフィードバッククロックと前記立ち下がりフィードバッククロックとの位相が実質的に等しい場合は、前記立ち上がり遅延クロック及び立ち下がり遅延クロックの出力を第1のノード及び第2のノードに出力し、位相が異なる場合は、第3のノード及び第4のノードに出力する信号選択部と、
前記第1のノードを介して伝達される信号を受信し、第1の立ち上がりクロックとして出力する第1の立ち上がりクロック伝達部と、
前記第2のノードを介して伝達される信号を反転し、第1の立ち下がりクロックとして出力する第1の立ち下がりクロック伝達部と、
前記第3のノードを介して伝達される信号を反転し、第2の立ち上がりクロックとして出力する第2の立ち上がりクロック伝達部と、
前記第4のノードを介して伝達される信号を反転し、第2の立ち下がりクロックとして出力する第2の立ち下がりクロック伝達部と、
前記第1の立ち上がりクロック及び前記第1の立ち下がりクロックを用いて、デューティ比の補正された前記遅延固定された立ち上がりクロック及び遅延固定された立ち下がりクロックを出力するか、若しくは前記第2の立ち上がりクロック及び前記第2の立ち下がりクロックを用いて、デューティ比の補正された前記遅延固定された立ち上がりクロック及び遅延固定された立ち下がりクロックを出力するデューティ補正部と
を備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ装置。 - 前記信号選択部が、
前記立ち上がり遅延クロックを前記第1のノードに出力する第1のトランスファゲートと、
前記立ち下がり遅延クロックを前記第2のノードに出力する第2のトランスファゲートと、
前記立ち上がり遅延クロックを前記第3のノードに出力する第3のトランスファゲートと、
前記立ち下がり遅延クロックを前記第4のノードに出力する第4のトランスファゲートと、
前記立ち上がりフィードバッククロックと前記立ち下がりフィードバッククロックとの位相が実質的に等しいか否かを比較して、前記第1のトランスファゲート及び第2のトランスファゲート、又は前記第3のトランスファゲート及び第4のトランスファゲートを選択的にターンオンさせる比較部と
を備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置。 - 前記比較部が、
前記位相比較部から、前記基準クロックと、前記立ち上がりフィードバッククロック及び前記立ち下がりフィードバッククロックとの位相差に対応して出力する立ち上がり信号及び立ち下がり信号を受信し、排他的論理和演算を行う論理ゲートを備えることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置。 - 基準クロックと、立ち上がりフィードバッククロック及び立ち下がりフィードバッククロックとの位相差に対応する制御信号を出力するステップと、
該制御信号に対応する遅延値で前記基準クロックを遅延させ、立ち上がり遅延クロック及び立ち下がり遅延クロックを出力するステップと、
該立ち上がりフィードバッククロックと立ち下がりフィードバッククロックとの位相差に対応して、前記立ち上がり遅延クロック及び前記立ち下がり遅延クロックを用いて、デューティ比の補正された遅延固定された立ち上がりクロック及び遅延固定された立ち下がりクロックを出力するか、若しくは前記立ち上がり遅延クロックを反転したクロック及び前記立ち下がり遅延クロックを用いて、デューティ比の補正された遅延固定された立ち上がりクロック及び遅延固定された立ち下がりクロックを出力する信号選択ステップと、
前記遅延固定された立ち上がりクロック及び前記遅延固定された立ち下がりクロックをモデル化した遅延値だけ遅延させ、前記立ち上がりフィードバッククロック及び前記立ち下がりフィードバッククロックとして出力するステップと
を含むことを特徴とする半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記信号選択ステップが、
前記立ち上がりフィードバッククロックと立ち下がりフィードバッククロックとの位相差が実質的にないとき、前記立ち上がり遅延クロック及び前記立ち下がり遅延クロックを用いて、デューティ比の補正された遅延固定された立ち上がりクロック及び遅延固定された立ち下がりクロックを出力するステップと、
前記立ち上がりフィードバッククロックと立ち下がりフィードバッククロックとの位相差があるとき、前記立ち上がり遅延クロックを反転したクロック及び前記立ち下がり遅延クロックを用いて、デューティ比の補正された遅延固定された立ち上がりクロック及び遅延固定された立ち下がりクロックを出力するステップと
を含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。 - 基準クロックと、立ち上がりフィードバッククロック及び立ち下がりフィードバッククロックとの位相差に対応する制御信号を出力するステップと、
該制御信号に対応する遅延値で前記基準クロックを遅延させ、立ち上がり遅延クロック及び立ち下がり遅延クロックを出力するステップと、
前記立ち上がりフィードバッククロックと立ち下がりフィードバッククロックとの位相差に対応して、前記立ち上がり遅延クロック及び前記立ち下がり遅延クロックをモデル化した遅延値だけ遅延させ、前記立ち上がりフィードバッククロック及び前記立ち下がりフィードバッククロックとして出力するか、若しくは前記立ち上がり遅延クロックを反転したクロック及び前記立ち下がり遅延クロックを前記モデル化した遅延値だけ遅延させ、前記立ち上がりフィードバッククロック及び前記立ち下がりフィードバッククロックとして出力するモデル化ステップと
を含むことを特徴とする半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記モデル化ステップが、
前記立ち上がりフィードバッククロックと立ち下がりフィードバッククロックとの位相が実質的に等しいとき、前記立ち上がり遅延クロック及び前記立ち下がり遅延クロックをモデル化した遅延値だけ遅延させ、前記立ち上がりフィードバッククロック及び前記立ち下がりフィードバッククロックとして出力するステップと、
前記立ち上がりフィードバッククロックと立ち下がりフィードバッククロックとの位相が実質的に異なるとき、前記立ち上がり遅延クロックを反転したクロック及び前記立ち下がり遅延クロックを前記モデル化した遅延値だけ遅延させ、前記立ち上がりフィードバッククロック及び前記立ち下がりフィードバッククロックとして出力するステップと
を含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。 - 基準クロックと、立ち上がりフィードバッククロック及び立ち下がりフィードバッククロックとの位相差にそれぞれ対応して制御信号を出力する位相比較部と、
前記基準クロックを遅延させ、立ち上がり遅延クロック及び立ち下がり遅延クロックとして出力する遅延ラインと、
前記制御信号に対応して、前記遅延ラインで遅延される遅延値を制御する遅延制御部と、
前記立ち上がりフィードバッククロックと前記立ち下がりフィードバッククロックとの位相が実質的に異なる場合、前記遅延ラインから出力される立ち上がり遅延クロックを反転して伝達するクロック伝達部と、
該クロック伝達部から出力される立ち上がりクロック及び前記立ち下がり遅延クロックを用いてモデル化した遅延値だけそれぞれ遅延させ、前記立ち上がりフィードバッククロック及び前記立ち下がりフィードバッククロックとして出力する遅延モデルと
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記クロック伝達部が、
前記立ち上がりフィードバッククロックと前記立ち下がりフィードバッククロックとの位相が等しい場合、イネーブルされる伝達信号を生成する比較部と、
前記伝達信号に応答して、前記遅延ラインから出力される立ち上がり遅延クロックを反転して出力する反転手段と
を備えることを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置。 - 前記比較部が、
前記位相比較部から、前記基準クロックと、前記立ち上がりフィードバッククロック及び前記立ち下がりフィードバッククロックとの位相差に対応して出力する立ち上がり信号及び立ち下がり信号を受信し、排他的論理和演算を行う論理ゲートを備えることを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置。
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