JP2008052258A5

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Publication number: JP2008052258A5
Application number: JP2007179002A
Authority: JP
Filing date: 2007-07-06
Publication date: 2011-07-21
Anticipated expiration: 2027-07-06

Claims

表示領域を有する第１基板と、前記第１基板と対面する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に位置する液晶層とを含む液晶表示装置において、
前記第１基板は、
前記表示領域内に位置するゲート線と、
前記表示領域の外部に位置するゲートパッドと、
前記ゲート線と前記ゲートパッドとを電気的に接続し、前記ゲート線より抵抗の高い物質で形成される抵抗部とを含むことを特徴とする液晶表示装置。
前記第１基板は、
前記ゲート線に接続されている薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続されている画素電極と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記抵抗部は前記画素電極と同一の材質で形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
前記抵抗部はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
接続する前記ゲート線と前記ゲートパッドとの距離が長いほど前記抵抗部の抵抗値が小さく形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記ゲートパッドと前記抵抗部との間に位置するファン−アウト部をさらに含むことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記ゲート線、前記ゲートパッドおよび前記ファン−アウト部は同一層で形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
前記第１基板は、
前記抵抗部の外郭に位置し前記ゲートパッドと前記ゲートファンアウト部を含むゲート外郭部を横切る静電バーと、
前記ゲート外郭部および前記静電バーと電気的に接続されている静電ダイオードと、
をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
前記第１基板は、
前記表示領域内に位置し前記ゲート線と平行して延長されている保持電極線と、
前記表示領域の外部に位置し前記ゲート外郭部を横切り、前記保持電極線に共通電圧を供給する共通電圧線と、をさらに含み、
前記静電バーは前記共通電圧線を含むことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
前記静電ダイオードは、
前記ゲート外郭部を制御端および入力端とし前記静電バーを出力端とする第１静電ダイオードと、
前記ゲート外郭部を出力端とし前記静電バーを制御端および入力端とする第２静電ダイオードと、
を含むことを特徴とする請求項８または９に記載の液晶表示装置。
前記ファン−アウト部上に形成されており、前記第１基板と前記第２基板とを結合させるシーラントをさらに含むことを特徴とする請求項７から１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記ゲートパッドと前記抵抗部との間に位置するファン−アウト部をさらに含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記ゲートパッド、前記ファン−アウト部および前記抵抗部は同一層で形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
前記抵抗部の少なくとも一部はジグザグに形成されていることを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記液晶層はＶＡ（ｖｅｒｔｉｃａｌａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードであることを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載の液晶表示装置。
画素電極は画素電極切開パターンが形成されており、
前記第２基板は共通電極切開パターンが形成されている共通電極を含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
前記画素電極は互いに分離されている第１画素電極および第２画素電極を含み、前記第１画素電極と前記第２画素電極には互いに異なる画素電圧が印加されることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
前記薄膜トランジスタはドレイン電極を含み、
前記ドレイン電極は、前記第１画素電極に直接にデータ電圧を印加する第１ドレイン電極と、前記第２画素電極と結合容量を形成する第２画素電極とを含むことを特徴とする、請求項１７に記載の液晶表示装置。
前記薄膜トランジスタは、前記第１画素電極に接続されている第１薄膜トランジスタと、前記第２画素電極に接続されている第２薄膜トランジスタとを含むことを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置。
前記抵抗部の総抵抗は前記ゲート線の総抵抗の１０％〜５０％であることを特徴とする請求項１から１９のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記ゲート線のゲート信号のゲート遅延変化は１００％内で行われることを特徴とする請求項１から２０のいずれかに記載の液晶表示装置。
表示領域を有する第１基板と、前記第１基板と対面する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に位置する液晶層とを含む液晶表示装置において、
前記第１基板は、
前記表示領域内に位置するゲート線と、
前記表示領域の外部に位置するゲートパッドと、
前記ゲート線と前記ゲートパッドを電気的に接続し、前記ゲート線より抵抗の高い物質で形成される抵抗部と、
前記ゲート線に接続されている薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続されており前記抵抗部と同一の材質で形成されている画素電極とを含み、
前記液晶層はＶＡモードであることを特徴とする液晶表示装置。
表示領域と非表示領域を有する絶縁基板、
前記表示領域内に位置するゲート線と、
前記表示領域の外部に位置するゲートパッドと、
前記ゲート線と前記ゲートパッドを電気的に接続し、前記ゲート線より抵抗の高い物質で形成される抵抗部と、
前記ゲート線に接続されている薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続されており前記抵抗部と同一の材質で形成されている画素電極とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板。