JPH0833532B2 - アクテイブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

アクテイブマトリクス型液晶表示装置

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JPH0833532B2
JPH0833532B2 JP2965787A JP2965787A JPH0833532B2 JP H0833532 B2 JPH0833532 B2 JP H0833532B2 JP 2965787 A JP2965787 A JP 2965787A JP 2965787 A JP2965787 A JP 2965787A JP H0833532 B2 JPH0833532 B2 JP H0833532B2
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慎太郎 木栖
隆之 星屋
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 データ電圧をフレーム周期等の所定の周期毎に反転し
てデータバスラインに印加するアクティブマトリクス型
液晶表示装置に於いて、スキャンバスラインに順次印加
するスキャンパルスの立下りをなまらせることにより、
ドライバからの遠近に拘わらず、液晶セル電圧の変化分
をほぼ同じくして、表示輝度むらの発生を防止したもの
である。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表示品質を改善したアクティブマトリクス
型液晶表示装置に関するものである。
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、スキャンバ
スラインとデータバスラインとを直交して配置し、その
交点に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子を介して
液晶セルを接続し、そのスイッチング素子のオン,オフ
を制御して、データ電圧を液晶セルに印加するものであ
り、表示容量を増大しても、駆動デューティ比の問題が
生じない利点がある。又液晶セル対応に色フィルタを設
けることにより、フルカラー表示が可能となり、携帯用
のテレビジョン受像機等に適用することができる。この
ようなアクティブマトリクス型液晶表示装置の表示品質
を一層向上することが要望されている。
〔従来の技術〕
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、直交配置し
たスキャンバスラインとデータバスラインとの交点に、
スイッチング素子として薄膜トランジスタ(以下TFTと
略称する)を設け、このTFTを介して液晶セルを接続し
た構成が一般的であり、データバスラインに印加するデ
ータ電圧は、フレーム毎に極性を反転し、又スキャンバ
スラインにTFTをオンとする為のパルス電圧を順次印加
するものである。
第6図は従来例の動作説明図であり、スキャンバスラ
インに印加するパルス電圧は、(a)に示すように、TF
Tをオンとする電圧Vgonと、オフとする電圧Vgoffとから
なり、又データ電圧は、(b)に示すように、フレーム
周期F等の所定の周期毎に極性が反転される。
例えば、正極性のデータ電圧+vdがデータバスライン
に印加された時に、スキャンバスラインに電圧Vgonが印
加されると、そのスキャンバスラインに接続されたTFT
がオンとなり、そのTFTを介して液晶セルにデータ電圧
+Vdが印加される。次にスキャンバスラインに電圧Vgof
fが印加されると、TFTはオフとなり、そのTFTのゲート
容量との容量結合によって液晶セル電圧がΔVだけ低下
する。そして、この液晶セル電圧は次の周期まで液晶セ
ルの静電容量によって保持される。そして、次に周期で
は、データ電圧の極性が反転され、そして、スキャンバ
スラインに電圧Vgonが印加されると、液晶セルには負極
性のデータ電圧−Vdが印加される。従って、液晶セル電
圧は、第6図の(c)に示すように、周期的に極性が反
転する。
第7図は液晶セルの接続構成説明図であり、TFT23の
ドレインがデータバスライン21に接続され、ゲートがス
キャンバスライン22に接続され、ソースが液晶セル24に
接続されている。又液晶セル24の接地側は、共通バスラ
インに接続されている。なお、CgはTFT23のゲート容
量、Ccは液晶セル容量、Rはスキャンバスライン22の等
価抵抗、Cは等価容量を示す。
第8図はTFTのオン、オフによる動作説明図であり、
(A)はTFT23をオン状態とした場合を示し、液晶セル
容量Ccには、TFT23のゲート容量Cgを介してパルス電圧V
gonが印加され、且つオン状態のTFT23を介してデータ電
圧Vdが印加される。
又(B)はTFT23をオン状態からオフ状態に移行させ
る場合を示し、パルス電圧をVgonからVgoffに変化させ
る過程に於けるTFT23の等価抵抗をRtで示す。
又(C)は、パルス電圧がVgoffとなって、TFT23が完
全にオフ状態となった状態を、オフ状態のスイッチで示
す。
TFT23がオンからオフに移行することにより、液晶セ
ル電圧は、 だけ変化する。これは、第6図の(c)に於けるΔVに
相当する。この変化分ΔVについて予めコモン電圧Vc
(第6図の(c)参照)を共通バスラインに印加するこ
とにより補正して、液晶セル電圧の正極性電圧と負極性
電圧とが対称的となるように設定されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
スキャンバスライン22の等価抵抗Rと等価容量Cとに
より、ドライバから出力されてスキャンバスライン22に
印加されたパルス電圧は、次第に波形がなまることにな
る。ドライバから近い位置に於いては、パルス電圧がVg
onからVgoffへ急峻に立下るので、第8図の(A)のTFT
オン状態から、(C)のTFTオフ状態へ瞬時に移行する
ことになる。
しかし、ドライバから遠い位置に於いては、波形のな
まりにより立下りが緩やかとなるから、第8図の(B)
の過程を経由し、データ電圧Vdが抵抗Rtを介して液晶セ
ル容量Ccに継続して加えられることになり、液晶セル電
圧の変化分は小さくなる。即ち、パルス電圧の立下りの
時定数が、TFT23のゲート容量Cgを充電する時定数Rt・C
gより大きい場合、パルス電圧がVgonからVgoffへ立下る
過程に於いて、TFT23の閾値電圧Vthにパルス電圧が低下
するまで、TFT23はオン状態を継続することになり、そ
の場合の液晶セル電圧の変化分ΔV′は、 となる。Vgon>Vthであるから、液晶セル電圧の変化分
ΔV>ΔV′となり、近点の液晶セルに対して遠点の液
晶セルに於ける液晶セル電圧の変化分は小さくなる。
第6図の(c)に於ける実線は、ドライバから近い位
置の液晶セル電圧、点線はドライバから遠い位置の液晶
セル電圧を示す。従って、共通バスラインに加えるコモ
ン電圧Vcにより近点液晶セル電圧を補正しても、遠点液
晶セル電圧を補正することができなくなり、スキャンバ
スライン方向に沿った表示輝度むらが生じると共に、正
負極性の液晶セル電圧が異なることによるちらつきが生
じる欠点がある。
又TFT23の閾値電圧Vthは、データ電圧Vdに依存して変
化するものであり、 Vth=Vd+Vth0 …(3) で表すことができる。なおVth0は、データ電圧に依存し
ない閾値電圧である。
従って、正極性データ電圧を印加した場合よりも、負
極性データ電圧を印加した時の閾値電圧が低くなり、液
晶セル電圧の変化分ΔV′は、第6図の(c)点線で示
すように、負極性データ電圧印加期間に於いて特に小さ
くなり、これによっても表示輝度むらが生じる。
第9図の(A),(B)は輝度むら発生の説明図であ
り、横軸は液晶セル電圧V、縦軸は透過光又は反射光の
強度Bを示す。又(A)は2値表示の場合を示し、
(B)はフルカラー(階調)表示の場合を示す。2値表
示の場合は、(A)に示すように、黒は閾値以下の液晶
セル電圧に選定し、白は飽和閾値以上の液晶セル電圧に
選定することにより、近点(点線の丸で示す)も遠点
(実線の丸又は黒丸で示す)もほぼ同じ輝度で表示でき
るように設定することができる。
これに対して、階調表示を行う場合は、(B)に示す
ように、黒の閾値と白の飽和閾値との間の液晶セル電圧
を用いるものであり、遠点(実線の丸)を白表示とする
場合に、飽和閾値近傍の液晶セル電圧の実効値より大き
い実効値となる近点(点線の丸)の輝度は遠点とほぼ同
じになる。しかし、遠点(黒丸)を黒表示とする場合、
その遠点の液晶セル電圧の実効値より大きい実効値とな
る近点(点線の丸)の輝度は白に近いものとなる。従っ
て、黒表示を行う場合に、ドライバに近い側の輝度が大
きくなる輝度むらが生じ、表示品質を劣化させることに
なる。
本発明は、前述のような輝度むらの発生を防止して、
表示品質を改善することを目的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、第
1図を参照して説明すると、データバスラインD1〜Dmと
スキャンバスラインG1〜Gnとの交点に、それぞれTFT等
のスイッチング素子2を介して液晶セル3を接続し、デ
ータバスラインD1〜Dmにはドライバ5から表示情報に対
応したデータ電圧を印加し、スキャンバスラインG1〜Gn
にはドライバ6から順次スキャンパルスを印加するアク
ティブマトリクス型液晶表示装置に於いて、スキャンバ
スラインのスキャンパルス印加側の最近点のスイッチン
グ素子のオンからオフへの移行時間を、当該スイッチン
グ素子の回路時定数で定まる移行時間よりも遅らせるよ
うな立下り波形のスキャンパルスを当該スキャンバスラ
インに印加する構成を設けたたものである。
〔作用〕
スキャンバスラインG1〜Gnに印加するスキャンパルス
の立下りを、時定数手段1によってなまらせることによ
り、ドライバ6に近い液晶セル3に接続されたスイッチ
ング素子2も、オンからオフに移行する時に、第8図の
(B)の状態を経由することになり、近点の液晶セル電
圧と遠点の液晶セル電圧との変化分をほぼ同じくするこ
とができる。
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説
明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図であり、前述
のように、データバスラインD1〜Dmとスキャンバスライ
ンG1〜Gnとの交点に、TFT等のスイッチング素子2を介
して液晶セル3を接続し、データバスラインD1〜Dmにド
ライバ5からデータ電圧を印加し、スキャンバスライン
G1〜Gnにドライバ6からスキャンパルスの少なくとも立
下りをなまらせる時定数手段1を介してスキャンパルス
を印加するもので、その手段として、ドライバ6とスキ
ャンバスラインG1〜Gnとの間に抵抗を接続した場合を示
す。又抵抗と共に点線で示すようにコンデンサを接続す
ることもできる。
この実施例の場合は、スキャンパルスの立上りと立下
りとの波形がなまることになるが、立下りがなまること
により、ドライバ6に対して近点の液晶セルに於いて
も、スイッチング素子2がオンからオフに移行する時
に、第8図の(B)の状態を経由することになり、その
電圧の変化分が遠点の液晶セルと同様になる。
又個別素子としての抵抗の代わりに、ドライバ6から
近点のスイッチング素子2に至るまでのスキャンバスラ
インG1〜Gnの幅や厚さを小さくして、抵抗成分を大きく
した時定数手段1を用いることもできる。
第2図は本発明の他の実施例のドライバの要部回路図
であり、pチャネルMOSトランジスタQ1とnチャネルMOS
トランジスタQ2とを、時定数手段としての抵抗R1を介し
て直列に接続し、トランジスタQ1のソースをスキャンバ
スラインGiに接続する。
従って、トランジスタQ1がオンとなって電圧Vgonがス
キャンバスラインGiに印加された時の立上りは急峻とな
るが、このトランジスタQ1がオフとなって、トランジス
タQ2がオンとなり、電圧Vgoffが抵抗R1を介してスキャ
ンバスラインGiに印加された時に、抵抗R1により立下り
がなまることになる。
第3図は本発明の実施例の動作説明図であり、(a)
はデータ電圧で、フレーム周期等の所定の周期毎に+Vd
と−Vdとに極性が反転される。又(b)はスキャンパル
スを示し、第1図に示すように抵抗やコンデンサ等をド
ライバ6とスキャンバスラインG1〜Gnとの間に接続した
ことにより、立上りと立下りとの波形がなまった場合を
示す。又(c)は液晶セル電圧を示し、ΔV1は正極性の
データ電圧+Vdを印加した時の液晶セル電圧の変化分、
ΔV2は負極性のデータ電圧−Vdを印加した時の液晶セル
電圧の変化分を示す。又(d),(e)は近点と遠点と
を対比してデータ電圧,スキャンパルス、液晶セル電圧
を示し、ΔV11,ΔV21は近点の液晶セル電圧の正極性デ
ータ電圧と負極性データ電圧とを印加した時に於ける変
化分、ΔV12,ΔV22は遠点の液晶セル電圧の正極性デー
タ電圧と負極性データ電圧との印加した時に於ける変化
分を示す。
スキャンパルスの立上り及び立下りは、スキャンバス
ラインを伝搬するに従って一層なまることになるが、遠
点の液晶セルのスイッチング素子2も確実にオンできる
ように、そのパルス幅を選定すれば良いことになる。そ
して、ドライバ6から近い液晶セルのスイッチング素子
2に対して、立下りのなまったパルスが印加されるか
ら、前述のように、第8図の(B)の状態を移行してス
イッチング素子2は完全なオフ状態となる。従って、液
晶セル電圧の変化分は小さくなり、負極性データ電圧を
印加した場合に於いても、近点及び遠点に於ける液晶セ
ル電圧の変化分ΔV21,ΔV22はほぼ同じく小さいものと
なる。
このように、近点と遠点とに於ける液晶セル電圧の変
化分が小さくなると共に、ほぼ同じくなるから、輝度む
らの発生を防止し、表示品質を向上することができる。
第4図は波形のなまりを説明する為のスキャンバスラ
インの等価回路であり、抵抗R1〜R8をそれぞれ10KΩと
し、分布容量C1C8をそれぞれ10pFとして、出力インピ
ーダンス50Ωのパルス発生器PGから5Vのパルスを印加し
た時、各点〜に於ける時定数τ(63.2%に達する時
間)を求めたところ、第5図に示す結果が得られた。即
ち、時定数τは、測定位置では0.5μS、では1.5μ
S、では2.5μS、では3.5μS、では4.3μS、
では4.7μS、では5,2μS、では5.5μSとなっ
た。
又TFTがオンからオフに移行する時の等価抵抗Rtは約1
06Ω、ゲート容量Cgは約1pFであるから、その時定数Rt
・Cgは約1μSとなる。従って、TFTをオンからオフに
移行させる時の時定数が1μS以上あれば、液晶セル電
圧の変化分は近点も遠点もほぼ同じくなる。
第4図に於いては、測定位置,間で1μS以上と
なるから、R1,C1をドライバ6とスキャンバスラインG1
〜Gnとの間に接続した抵抗及びコンデンサとからなる時
定数手段とすれば、それ以後の各点〜では時定数τ
が1μS以上であるので、液晶セル電圧の変化分はほぼ
同じくなり、輝度むらの発生を防止することができる。
この場合に測定点に於いては、立上りの時定数も5.5
μSとなるから、それ以上のパルス幅に選定する必要が
ある。実際にはそれ以上のパルス幅が用いられるから問
題はない。又第2図に示す実施例のように、立上りは急
峻、立下りはなまった波形のパルス電圧を用いる場合
は、狭いパルス幅でも遠点の液晶セルに対する書込みを
行うことが可能となる。
アクティブマトリクス型液晶表示装置に於けるTFT等
のスイッチング素子のゲート容量Cgやオンからオフに移
行する時の等価抵抗Rtは、スイッチング素子の構成に応
じて異なるものであるが、その時定数Rt・Cgよりも、ド
ライバ6から最も近い液晶セルのスイッチング素子のオ
ンからオフに移行させるパルス電圧の立下りの時定数τ
を大きくするもので、その為の手段1としては、前述の
実施例以外に各種の構成を採用することができるもので
ある。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、スキャンバスライン
G1〜Gnに印加するスキャンパルスの少なくとも立下り時
定数τを、TFT等のスイッチング素子2のオンからオフ
に移行する過程の時定数Rt・Cg以上に設定する抵抗や容
量等による時定数手段1を設けたものであり、近点の液
晶セル電圧と遠点の液晶セル電圧との変化分をほぼ同じ
くすることができることにより、輝度むらの発生を防止
して、表示品質を向上することができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は本発
明の他の実施例のドライバの要部回路図、第3図は本発
明の実施例の動作説明図、第4図はスキャンバスライン
の等価回路、第5図は時定数曲線図、第6図は従来例の
動作説明図、第7図は液晶セルの接続構成説明図、第8
図(A),(B),(C)はTFTのオン、オフによる動
作説明図、第9図(A),(B)は輝度むら発生の説明
図である。 1は時定数手段、2はスイッチング素子、3は液晶セ
ル、5,6はドライバ、D1〜Dmはデータバスライン、G1〜G
nはスキャンバスラインである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】データバスライン(D1〜Dm)とスキャンバ
    スライン(G1〜Gn)との交点に、スイッチング素子
    (2)を介して液晶セル(3)を接続したアクティブマ
    トリクス型液晶表示装置に於いて、 前記スキャンバスラインのスキャンパルス印加側の最近
    点のスイッチング素子のオンからオフへの移行時間を、
    当該スイッチング素子の回路時定数で定まる移行時間よ
    りも遅らせるような立下り波形のスキャンパルスを当該
    スキャンバスラインに印加する構成を設けた ことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
JP2965787A 1987-02-13 1987-02-13 アクテイブマトリクス型液晶表示装置 Expired - Lifetime JPH0833532B2 (ja)

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