JP2008047635A - 欠陥検査方法および欠陥検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に形成された形状の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、前記基板上の分割された複数の領域にそれぞれ形成される所定のパターンに対して、光学式方法で順次1次検査を行って当該複数の領域から2次検査を行う該領域を選択する第1の工程と、前記第1の工程で選択された前記領域に対して、電子線を用いた前記2次検査を行って前記欠陥を検出する第2の工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法。
【選択図】図1
Description
請求項1に記載したように、
前記基板上の分割された複数の領域にそれぞれ形成される所定のパターンに対して、光学式方法で順次1次検査を行って当該複数の領域から2次検査を行う該領域を選択する第1の工程と、
前記第1の工程で選択された前記領域に対して、電子線を用いた前記2次検査を行って前記欠陥を検出する第2の工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法により、また、
請求項2に記載したように、
1つの前記領域は、前記基板に半導体チップを形成する場合の1つのダイに対応する領域であることを特徴とする請求項1記載の欠陥検査方法により、また、
請求項3に記載したように、
1つの前記領域は、前記基板に半導体チップを形成する場合の1つの半導体チップに対応する領域であることを特徴とする請求項1記載の欠陥検査方法により、また、
請求項4に記載したように、
前記所定のパターンは、前記複数の領域にそれぞれ形成されたテストパターンであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の欠陥検査方法により、また、
請求項5に記載したように、
前記所定のパターンは、前記複数の領域にそれぞれ形成されたメモリセルであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の欠陥検査方法により、また、
請求項6に記載したように、
前記第1の工程では、前記所定のパターンに光線を照射し、前記所定のパターンによる前記光線の反射光のスペクトルを分析することで、前記所定のパターンの分析を行うことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の欠陥検査方法により、また、
請求項7に記載したように、
基板上に形成された形状の欠陥を検査する欠陥検査装置であって、
前記基板上の分割された複数の領域にそれぞれ形成される所定のパターンに対して、光学式方法で順次1次検査を行って当該複数の領域から2次検査を行う当該領域を選択する光学式検査装置と、
前記光学式検査装置で選択された前記領域に対して、電子線を用いた前記2次検査を行って前記欠陥を検出する電子線式検査装置と、を有することを特徴とする欠陥検査装置により、また、
請求項8に記載したように、
前記光学式検査装置は、前記所定のパターンに光線を照射し、前記所定のパターンによる前記光線の反射光のスペクトルを分析することで前記所定のパターンの分析を行うことを特徴とする請求項7記載の欠陥検査装置により、解決する。
100A 光学式検査部
100B 制御部
100C コンピュータ
101 照射手段
102 検出手段
103 光線
104 反射光
200 電子線式検査装置
200A 電子線式検査部
200B 制御部
200C 信号処理部
200D 表示部
200E 画像記憶部
200F パターンマッチングユニット
200G 記憶部
201 真空容器
202 電子放出部
203 集束レンズ
204 走査コイル
205 基板保持台
206 電子検出部
207 電源
Claims (8)
- 基板上に形成された形状の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、
前記基板上の分割された複数の領域にそれぞれ形成される所定のパターンに対して、光学式方法で順次1次検査を行って当該複数の領域から2次検査を行う該領域を選択する第1の工程と、
前記第1の工程で選択された前記領域に対して、電子線を用いた前記2次検査を行って前記欠陥を検出する第2の工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法。 - 1つの前記領域は、前記基板に半導体チップを形成する場合の1つのダイに対応する領域であることを特徴とする請求項1記載の欠陥検査方法。
- 1つの前記領域は、前記基板に半導体チップを形成する場合の1つの半導体チップに対応する領域であることを特徴とする請求項1記載の欠陥検査方法。
- 前記所定のパターンは、前記複数の領域にそれぞれ形成されたテストパターンであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の欠陥検査方法。
- 前記所定のパターンは、前記複数の領域にそれぞれ形成されたメモリセルであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の欠陥検査方法。
- 前記第1の工程では、前記所定のパターンに光線を照射し、前記所定のパターンによる前記光線の反射光のスペクトルを分析することで、前記所定のパターンの分析を行うことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の欠陥検査方法。
- 基板上に形成された形状の欠陥を検査する欠陥検査装置であって、
前記基板上の分割された複数の領域にそれぞれ形成される所定のパターンに対して、光学式方法で順次1次検査を行って当該複数の領域から2次検査を行う当該領域を選択する光学式検査装置と、
前記光学式検査装置で選択された前記領域に対して、電子線を用いた前記2次検査を行って前記欠陥を検出する電子線式検査装置と、を有することを特徴とする欠陥検査装置。 - 前記光学式検査装置は、前記所定のパターンに光線を照射し、前記所定のパターンによる前記光線の反射光のスペクトルを分析することで前記所定のパターンの分析を行うことを特徴とする請求項7記載の欠陥検査装置。
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