JP2008045916A - プローブの表面処理方法及びプローブ - Google Patents
プローブの表面処理方法及びプローブ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008045916A JP2008045916A JP2006219821A JP2006219821A JP2008045916A JP 2008045916 A JP2008045916 A JP 2008045916A JP 2006219821 A JP2006219821 A JP 2006219821A JP 2006219821 A JP2006219821 A JP 2006219821A JP 2008045916 A JP2008045916 A JP 2008045916A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- contact end
- end portion
- contact
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
【目的】 本発明の目的は、プローブの接触端部に形成される金属層に不純物やガスが含まれないようにし且つ前記金属層の緻密性並びに当該金属層の前記接触端部に対する密着性を向上させることができるプローブの表面処理法方法を提供する。
【構成】 複数のプローブ10を、その接触端部11の接触面が同方向に向くように並べ、この状態で複数のプローブ10の接触端部11に対して、当該接触端部11の接触面に対向する方向からスパッタリングを行い、これにより複数のプローブ10の接触端部11に鍍金層12を形成するようにしている。
【選択図】 図2
【構成】 複数のプローブ10を、その接触端部11の接触面が同方向に向くように並べ、この状態で複数のプローブ10の接触端部11に対して、当該接触端部11の接触面に対向する方向からスパッタリングを行い、これにより複数のプローブ10の接触端部11に鍍金層12を形成するようにしている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、測定対象物(半導体チップ)の電気的諸特性を測定するのに使用されるプローブの表面処理方法に関し、またその方法によって処理されたプローブに関する。
この種のプローブは、測定対象物の電極と接触を繰り返す過程(即ち、測定過程)において、その接触端部に酸化アルミニウム等の異物が付着する。このため、前記プローブの測定対象物に対する電気抵抗値が高くなる。
前記異物は前記プローブの接触端部をクリーニングシートを用いてクリーニングすることにより除去することが可能であるが、そのクリーニングは作業時間が掛かるという問題と、当該クリーニングによりプローブの接触端部が磨耗するという問題とを有している。
そこで、前記プローブの本体金属としてレニウムタングステンを用い、当該本体金属の先端部(即ち、前記プローブの接触端部)の表面に、電気メッキ法により、ニッケル下地鍍金層、ロジウム等の白金属の鍍金層を順次形成して被覆することにより、当該接触端部の耐磨耗性を向上させ、前記クリーニングの頻度を低減したものがある(特許文献1参照)。
このように電気メッキ法を用いてプローブカード用のプローブの表面を被覆することは、数百本〜数千本のプローブの接触端部の表面を均一に被覆する必要性から一般的に行われているが、当該電気メッキ法は、水溶液の電気分解により水素と酸素が発生するため、この水素又は酸素が鍍金層に含まれるという問題と、水溶液の使用により鍍金層に不純物が含まれる可能性があるという問題とを有している。
また、前記電気メッキ法は、本体金属と鍍金層との相性に応じて下地鍍金層を選択しなければならず、面倒であるという別の問題も有している。
しかも、前記プローブを高温状況下(例えば、125℃)で使用した場合、本体金属と鍍金層との間に、膨張係数の違いにより熱応力の差が起こる。従って、両者の密着性が徐々に弱くなり、劣化していく。また、前記高温状況下では、鍍金層に含まれるガスが脱出する現象が起こり、鍍金層内部の組織構造に影響を及ぼす。更に、プローブと測定対象物の電極とを通電(パワーデバイスのような大電流が流れる。)させた状態では、鍍金層に含まれる不純物が電極の金属膜と反応して金属間化合物が形成される可能性もある。
本発明は、上記事情に鑑みて創案されたものであって、その目的とするところは、上記問題を解決し得るプローブの表面処理方法及びプローブを提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のプローブの表面処理方法は、プローブの接触端部に対して、当該接触端部の接触面に対向する方向からスパッタリングを行い、これにより前記プローブの接触端部に金属層を形成するようにしている。
前記スパッタリングを行う前に、前記プローブの接触端部に対して、逆スパッタリングを行うことが好ましい。
複数のプローブを、その接触端部の接触面が同方向に向くように並べ、この状態で前記プローブの接触端部に対して前記スパッタリングを行うようにすることができる。前記逆スパッタリングも、複数のプローブを上述のように並べた状態で行うことができる。
本発明のプローブは、その接触端部がスパッタリングにより形成された金属層で被覆されている。
本発明のプローブの表面処理方法による場合、プローブの接触端部に対して、当該接触端部の接触面に向する方向からスパッタリングを行い、金属層を形成するようにしている。従って、スパッタリングのターゲットとして純金属を用いることにより、前記金属層に不純物が含まれるのを防止することが可能になる。しかも、前記スパッタリングにより金属層が形成されるため、従来例の如く当該金属層にガスが含まれることがない。このため、前記金属層の緻密性及びプローブの接触端部に対する密着性を向上させることができる。よって、プローブの耐磨耗性を向上させることができ、当該プローブのクリーニングの頻度を低減することができる。また、電気メッキ法の如く本体金属と鍍金層との相性に応じて下地鍍金層を選択する必要もないので、簡単に前記プローブの接触端部に金属層を形成することができる。
プローブの接触端部に不純物が付着している場合には、前記スパッタリングの前に、逆スパッタリングにより、前記不純物を除去するようにすれば、高品質の金属層を形成することができる。
また、複数のプローブを、その接触端部の接触面が同方向に向くように並べた状態で前記スパッタリングを行うようにすれば、複数のプローブの接触端部に対して一度に金属層を各々形成することができる。よって、プローブの製造コストを低減することができる。
本発明のプローブによる場合、その接触端部がスパッタリングにより形成された金属層で被覆されているので、前記プローブの表面処理法方法と同様の効果を奏する。
以下、本発明の実施の形態に係るプローブについて図面を参照しながら説明する。図1は本発明の実施の形態に係るプローブの接触端部を示す図であって、(a)が正面図、(b)が底面図、(c)が(b)のA−A断面図、図2は同プローブの接触端部を被覆するためのスパッタリング装置の模式図、図3は図2のα部分の拡大図である。
図1に示すプローブ10は、炭素工具鋼を用いて構成されたものであって、その先端部が図示しない測定対象物(半導体チップ)の電極に接触する接触端部11となっている。このプローブ10の接触端部11に連続する後端部の形状は任意であるため、図示省略する。
接触端部11は、その接触面(即ち、先端面)がクラウン形状に加工されている。即ち、接触端部11の先端面のエッジ部11aが前記測定対象物の電極に接触する接触部位となる。この接触端部11は、図1(c)に示すように、耐磨耗性の向上、測定対象物の電極との導電性(即ち、測定対象物の電極との異種金属間の親和性)の向上、酸化防止及び測定対象物の電極との接触抵抗の低減を図るために、純金属であるロジウム(Rh)又はイリジウム(Ir)の金属層12でコーティングされ、強化される。
ここで、プローブ10の接触端部11に金属層12を形成するためのスパッタリング装置20について説明する。
このスパッタリング装置20は、図2に示すように、逆スパッタリング機能を有した周知のスパッタリング装置であって、チャンバー21と、このチャンバー21内の雰囲気を真空にするための真空ポンプ22と、チャンバー21内にアルゴンガス等の雰囲気ガスを供給するガス供給手段23と、チャンバー21内に設けられた基板電極24と、チャンバー21内に基板電極24に対向するように配設された電極25と、基板電極24及び電極25に接続された電源部26と、プローブ10を加熱するためのヒータとを有する。
電源部26は、スパッタリング時に基板電極24と電極25との間に直流電力を供給する第1の発振手段と、逆スパッタリング時に基板電極24と電極25との間に高周波
電力を供給する第2の発振手段と、第1、第2の発振手段を切り替えるためのスイッチ手段とを有している。
電力を供給する第2の発振手段と、第1、第2の発振手段を切り替えるためのスイッチ手段とを有している。
基板電極24には複数のプローブ10がセットされる。この基板電極24は、電源部26から電力が供給されることにより、陽極となる。
電極25には、スパッタリング時にターゲットTとして純金属であるロジウム(Rh)又はイリジウム(Ir)が取り付けられる。この電極25は電源部26から電力が供給されることにより、陰極となる。ターゲットTは電極25を通じて陰極となる。
以下、このようなスパッタリング装置20を用いてプローブ10の接触端部11の表面を処理する方法について説明する。まず、複数のプローブ10を、図3に示す治具に挿入し、その接触端部11の接触面を同一方向に向けて並べる。この状態の複数のプローブ10を、前記治具と共に、スパッタリング装置20のチャンバー21内の基板電極24上にセットする。
その後、ガス供給手段23を動作させ、チャンバー21内に雰囲気ガスの供給を開始すると共に、真空ポンプ22を動作させ、チャンバー21内の雰囲気を真空とする。そして、電源部26の第1の発振手段を動作させ、基板電極24と電極25との間に電圧を印加する。すると、基板電極24と電極25との間にプラズマが発生する。このプラズマにより複数のプローブ10の接触端部11に付着した自然酸化膜(即ち、不純物)が各々除去される。このときの逆スパッタリング条件は、RF100W/ガス流量15.0Sccm/時間25Minである。
その後、チャンバー21内にターゲットTをセットする。これにより、ターゲットTが基板電極24上のプローブ10に対向する。
その後、ガス供給手段23を動作させ、チャンバー21内に雰囲気ガス(アルゴンガス)を供給すると共に、真空ポンプ22を動作させ、チャンバー21内の雰囲気を真空とする。そして、前記ヒータを動作させ、プローブ10を180°で加熱すると共に、電源部26のスイッチ手段を切り替えて第2の発振手段を動作させ、基板電極24と電極25との間に電圧を印加する。すると、基板電極24と電極25との間に電界が生じる。この電界の作用により雰囲気ガスを放電させ、基板電極24と電極25の間に電離区域が形成される。これにより、図3に示すように、ターゲットTが叩き出され、プローブ10の接触端部11の接触面に向けてスパッタリングされる。これにより、複数のプローブ10の接触端部11にロジウム(Rh)又はイリジウム(Ir)の金属層12が形成される。このときのスパッタリング条件は、DC200W/ガス流量20.0Sccm/時間35Minである。
なお、前記ヒータによりプローブを加熱することにより、金属層12のプローブ10の接触端部11に対する密着性が向上する。
このようなプローブの表面処理方法による場合、スパッタリングのターゲットとして純金属であるロジウム(Rh)又はイリジウム(Ir)を用いているので、金属層12に不純物が含まれるのを防止することができる。しかも、前記スパッタリングにより金属層12が形成されるため、従来例の如く当該金属層12にガスが含まれることがない。このため、金属層12の緻密性及び金属層12の接触端部11に対する密着性を向上させることができる。よって、プローブ10の耐磨耗性を向上させることができでき、当該プローブ10のクリーニングの頻度を低減することができる。また、電気メッキ法の如く本体金属と鍍金層との相性に応じて下地鍍金層を選択する必要もないので、簡単にプローブ10の接触端部11に金属層12を形成することができる。
このように金属層12(ロジウム又はイリジウム)でコーティングされ強化されたプローブ10の接触端部11と、コーティングされていないプローブ10の接触端部11とを、クリーニングシートを用いてクリーニングすることにより、各接触端部11の耐磨耗性についての実験を行った。この実験で用いるプローブ10は下記の通りである。
1)Rhスパッタプローブ 5本
2)Irスパッタプローブ 5本
3)表面処理なしプローブ 3本
なお、Rhスパッタプローブ及びIrスパッタプローブの金属層については、上述したプローブの接触端部の被覆方法によりプローブ10の接触端部11に形成された金属層12と同一条件で形成されたものである。
2)Irスパッタプローブ 5本
3)表面処理なしプローブ 3本
なお、Rhスパッタプローブ及びIrスパッタプローブの金属層については、上述したプローブの接触端部の被覆方法によりプローブ10の接触端部11に形成された金属層12と同一条件で形成されたものである。
クリーニング条件は次の通りである。
・オーバードライブ量 150μm
(即ち、プローブの接触端部をクリーニングシートに押圧する量)
・温度は常温とする。
・オーバードライブ量 150μm
(即ち、プローブの接触端部をクリーニングシートに押圧する量)
・温度は常温とする。
この実験の結果を図4、図5及び図6に示す。図4は実験に用いたプローブの接触端部のレーザー顕微鏡写真、図5は(a)が実験に用いたプローブの接触端部のクリーニング回数に応じた磨耗量を示すグラフ、(b)が同プローブの接触端部のクリーニング回数に応じたクラウン長を示すグラフ、図6は(a)が実験に用いたRhスパッタプローブの接触端部のレーザー顕微鏡写真、(b)が実験に用いたIrスパッタプローブの接触端部のレーザー顕微鏡写真である。
即ち、図4及び図5に示すように、表面処理なしプローブは、クリーニング回数の上昇と共に、当該プローブの接触端部のエッジ部が磨耗するのに対し、Rhスパッタプローブ及びIrスパッタプローブは、クリーニング回数が5万回を越えても、当該プローブの接触端部のエッジ部が磨耗しないことが分かった。
また、図6(a)に示すRhスパッタプローブの接触端部のα部分及び図6(b)示すIrスパッタプローブの接触端部のβ部分を50000回クリーニングした後、SEM&EDAXを用いて定性及び定量分析を行ったところ、Rhスパッタプローブの接触端部のα部分からは検出元素Rhが主に検出され、Irスパッタプローブの接触端部のβ部分からは検出元素Irが主に検出され、各々プローブの母材(即ち、炭素工具鋼)の元素は検出されなかった。この分析結果からも、当該プローブの接触端部のエッジ部が磨耗していないことが明らかである。
このようにプローブ10は、その接触端部11に金属層12を形成されているので、耐磨耗性が向上し、測定対象物の電極に対する接触抵抗値の低減及び測定対象物の電極に対する導電性(即ち、前記電極との異種金属間の親和性)の向上を図ることができる。また、金属層12はロジウム又はイリジウムで構成されていることから、プローブ10の接触端部11の酸化を防止することができる。
しかも、プローブ10は安価な炭素工具鋼で構成されているので、上述したプローブの接触端部の被覆方法と共に用いることにより、プローブ10の製造コストを低減できる。即ち、安価で測定対象物の電極と安定した接触を図ることができるプローブ10とすることができる。
なお、上記プローブの表面処理方法としては、複数のプローブ10を、その接触端部11の接触面を同一方向にむけて並べた状態でスパッタリングを行うとしたが、一本のプローブ10にのみ行うことも可能である。また、接触端部11に不純物が付着していない場合には、逆スパッタリングを行わなくても良い。
また、プローブ10は、炭素工具鋼で構成されているとしたが、その他の素材で構成されていても良い。また、接触端部11をクラウン加工するか否かは任意である。
上記スパッタリング及び逆スパッタリングの条件については、一例を示したものであり、上記以外の条件で行うことが可能であることは言う迄もない。
10 プローブ
11 接触端部
11a エッジ部
20 スパッタリング装置
11 接触端部
11a エッジ部
20 スパッタリング装置
Claims (4)
- プローブの接触端部に対して、当該接触端部の接触面に対向する方向からスパッタリングを行い、これにより前記プローブの接触端部に金属層を形成するようにしたことを特徴とするプローブの表面処理方法。
- 請求項1記載のプローブの表面処理方法において、前記スパッタリングを行う前に、前記プローブの接触端部に対して、逆スパッタリングを行うことを特徴とするプローブの表面処理方法。
- 請求項1又は2記載のプローブの表面処理方法において、複数の前記プローブを、その接触端部の接触面が同方向に向くように並べ、この状態で前記プローブの接触端部に対して前記スパッタリングを行うようにしたことを特徴とするプローブの表面処理方法。
- 接触端部がスパッタリングにより形成された金属層で被覆されていることを特徴とするプローブ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006219821A JP2008045916A (ja) | 2006-08-11 | 2006-08-11 | プローブの表面処理方法及びプローブ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006219821A JP2008045916A (ja) | 2006-08-11 | 2006-08-11 | プローブの表面処理方法及びプローブ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008045916A true JP2008045916A (ja) | 2008-02-28 |
Family
ID=39179813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006219821A Pending JP2008045916A (ja) | 2006-08-11 | 2006-08-11 | プローブの表面処理方法及びプローブ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008045916A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020022085A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 日置電機株式会社 | 測定装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001289874A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Japan Electronic Materials Corp | プローブおよびこのプローブを用いたプローブカード |
WO2003005042A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Nhk Spring Co., Ltd. | Contact conducteur |
JP2006028562A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Shimadzu Corp | 成膜装置および逆スパッタリング方法 |
-
2006
- 2006-08-11 JP JP2006219821A patent/JP2008045916A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001289874A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Japan Electronic Materials Corp | プローブおよびこのプローブを用いたプローブカード |
WO2003005042A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Nhk Spring Co., Ltd. | Contact conducteur |
JP2006028562A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Shimadzu Corp | 成膜装置および逆スパッタリング方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020022085A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 日置電機株式会社 | 測定装置 |
TWI825133B (zh) * | 2018-07-27 | 2023-12-11 | 日商日置電機股份有限公司 | 測量裝置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102738044B (zh) | 半导体制造装置用部件 | |
JP2010236091A (ja) | 耐食性導電部材とその製造方法及び燃料電池 | |
TW200305189A (en) | Evaluation of chamber components having textured coatings | |
SG193823A1 (en) | Process kit shields and methods of use thereof | |
CN107604342B (zh) | 金属构件其制造方法及具有金属构件的处理室 | |
JP6836663B2 (ja) | 発熱部材 | |
JP6243796B2 (ja) | ダイヤモンドライクカーボン膜の成膜方法 | |
JP6257944B2 (ja) | アルミニウム合金部材およびアルミニウム合金の表面保護膜形成方法 | |
JP2008045916A (ja) | プローブの表面処理方法及びプローブ | |
US20100291320A1 (en) | Method for manufacturing a treated surface and vacuum plasma sources | |
JP3148878B2 (ja) | アルミニウム板、その製造方法及び該アルミニウム板を用いた防着カバー | |
JP2009191308A (ja) | 硬質皮膜および硬質皮膜形成方法、硬質皮膜評価方法 | |
JP2007201029A (ja) | 炭素材料が被着した被処理物の清浄方法 | |
JP2013256686A (ja) | 真空チャンバー構成部品 | |
JP5302814B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2005029891A (ja) | 表面処理アルミニウム材とその製造方法 | |
JPH04351968A (ja) | プローブ | |
JPWO2015114917A1 (ja) | X線管 | |
JP2005298894A (ja) | ターゲットのクリーニング方法及び物理的堆積装置 | |
JP4774014B2 (ja) | AlまたはAl合金 | |
US20100092799A1 (en) | Metal coating process and product | |
JP7383049B2 (ja) | Pvd処理のためのアノード | |
KR20210011167A (ko) | 반도체 제조공정의 스퍼터링 장치용 코팅방법 및 이에 의한 코팅층을 갖는 반도체 제조공정의 스퍼터링 장치 | |
JPH11207464A (ja) | ガスシールドアーク溶接用コンタクトチップ | |
US20100051594A1 (en) | Micro-arc alloy cleaning method and device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110419 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110809 |