JP2001289874A

JP2001289874A - プローブおよびこのプローブを用いたプローブカード

Info

Publication number: JP2001289874A
Application number: JP2000106974A
Authority: JP
Inventors: Shojiro Miyake; 正二郎三宅; Masao Okubo; 昌男大久保; Yasuo Miura; 康男三浦; Tetsuji Ueno; 哲司上野
Original assignee: Japan Electronic Materials Corp
Current assignee: Japan Electronic Materials Corp
Priority date: 2000-04-07
Filing date: 2000-04-07
Publication date: 2001-10-19

Abstract

(57)【要約】【目的】クリーニング作業を頻繁にしなくても接触抵
抗を低く安定化させられるプローブおよびこのプローブ
を用いたプローブカードを提供する。【構成】プローブカード１０は、垂直作動式のもので
あって、プローバー９００にセットされた測定対象物で
あるウエハ８００上の半導体集積回路８１０の電極パッ
ド８１１に対して垂直に接触するプローブ２００と、こ
のプローブ２００を支持する支持体３００とからなるプ
ローブユニット１００と、プローブ２００が接続される
配線パターン５１１が形成されており、プローブユニッ
ト１００が取り付けられる基板５００とを備えている。
プローブ２００は、タングステンまたはレニウムタング
ステンからなるプローブにおいて、先端側の接触部２１
０の少なくとも先端部２１１に金属を含むＤＬＣ膜２０
５を形成したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ等の半導体
集積回路の電気的諸特性を測定する際に用いられるプロ
ーブカードと、これに用いられるプローブとに関する。

【０００２】

【従来の技術】プローブカードの測定対象物であるＬＳ
Ｉ等の半導体集積回路の電極パッドは、アルミニウムや
わずかにシリコンや銅等が配合されたアルミニウムから
なることが多い。また、バンプにあっては金や半田が素
材として用いられる。

【０００３】これらの電極パッドに接触されるプローブ
としては、適当な硬さ、撓み弾性を要求されるので、タ
ングステン、レニウムタングステン（例えばレニウムを
３％程度含むもの）、銅ベリリウム、パラジウム銀系合
金が素材として用いられる。

【０００４】かかるプローブが銅等を含むアルミニウム
からなる電極パッドに接触して、両者の間に電流が流れ
ると、接触点が加熱される。また、半導体集積回路を加
熱状態でテストするバーンインテストであれば、前記接
触点の温度は更に上昇する。電極パッドから剥がれてプ
ローブの接触部の先端部に付着したアルミニウム屑は、
このプローブの温度上昇によって酸化し、接触抵抗の増
大をもたらす。この接触抵抗の増大は電気的諸特性の測
定不能という状態を引き起こすこともある。このためア
ルミニウム屑が付着しにくい、パラジウム銀系合金から
なるプローブや、接触部にロジウムがメタライズされた
プローブが用いられることが多くなっている。なお、銅
ベリリウムからなるプローブは、タングステンまたはレ
ニウムタングステン（以下、「タングステン類」とも呼
ぶ。）からなるプローブと比較して接触抵抗が増大しに
くい傾向を示す。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
集積回路の微細化、高密度化の進行によって電極パッド
の面積も小さくなっている。これに伴って、より細いプ
ローブが求められている。従来から使用されているプロ
ーブの直径は、０．１５〜０．２５ｍｍであるが、直径
が０．０４〜０．０７ｍｍのプローブが要求されてい
る。

【０００６】このように細いプローブであると、銅ベリ
リウムやパラジウム銀系合金では、抗張力が不足するた
め、撓みが大きくなるので使用することが困難である。

【０００７】これに対して、タングステン類からなるプ
ローブであれば、直径が０．０４〜０．０７ｍｍという
細いものであっても、抗張力が不足することはないので
使用することができる。例えば、オーバードライブ（プ
ローブの接触部が電極パッドに接触してから更にプロー
ブカードと半導体集積回路との間の間隔を狭めること）
を７５μｍ加えると、プローブの接触部が電極パッドに
加える圧力として５〜１５ｇを確保することができる。
このため、タングステン類からなるプローブであれば、
要求されている細いものでも、電極パッドの表面に形成
されるアルミニウム酸化物を破って接触抵抗を十分低く
することができる。

【０００８】しかしながら、タングステン類からなるプ
ローブの場合、材料自体の性質としてアルミニウム屑が
付着し易い。更に、タングステン類からなるプローブ
は、上述したように細くできるので、プローブを高密度
に設けるのに適したいわゆる垂直作動式プローブカード
（垂下されているプローブが電極パッドに垂直に接触す
るタイプ）に用いられることが多い。この垂直作動式プ
ローブカードでは、スクラブ（接触部が電極パッドの表
面を引っ掻きながら横方向に滑ること）が殆ど起きない
ので、付着したアルミニウム屑が取れにくい。なお、横
向きのプローブを使用するいわゆる横型タイプのプロー
ブカードの場合は、タングステン類からなるプローブを
用いてもスクラブが起きるので付着したアルミニウム屑
が取れやすく、接触抵抗が増大しにくい。即ち、タング
ステン類からなるプローブが垂直作動式プローブカード
に用いられると、アルミニウム屑が付着し易く取れにく
いのである。

【０００９】よって、タングステン類からなるプローブ
の場合、高密度に設けるのに適しているものの、接触部
に付着したアルミニウム屑の温度上昇による酸化で接触
抵抗が増大しやすいという問題がある。タングステン類
からなるプローブを垂直作動式プローブカードに用いた
場合、前記問題のために、接触抵抗の適正値（一般的に
３Ω以下と言われ、小さい程よい。）を、少ない接触回
数で超えてしまうので、接触部に付着したアルミニウム
屑を除去するクリーニング作業を頻繁にする必要があ
る。タングステン類からなるプローブを用いた垂直作動
式プローブカードの場合、接触回数が百回程度で前記適
正値を超える場合がある。そのため、安全を見て極端な
場合、１枚のウエハで１回、プローブの接触部の先端部
を研磨するクリーニング作業を行うこともある。

【００１０】電気的諸特性の測定とこれに伴うクリーニ
ング作業とは全自動で行われるようになっているもの
の、このように頻繁にクリーニング作業という別作業を
行うことは問題である。

【００１１】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、クリーニング作業を頻繁にしなくても接触抵抗を低
く安定化させられるプローブおよびこのプローブを用い
たプローブカードを提供することを目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明の請求項１に係るプローブは、タングステン
またはレニウムタングステンからなるプローブにおい
て、先端側の接触部の少なくとも先端部に金属を含むＤ
ＬＣ膜を形成する。

【００１３】本発明の請求項２に係るプローブは、請求
項１記載のプローブにおいて、前記金属を含むＤＬＣ膜
の厚み寸法は、０．００１μｍ以上０．５μｍ以下とす
る。

【００１４】本発明の請求項３に係るプローブは、請求
項１または２記載のプローブにおいて、前記ＤＬＣ膜中
の前記金属の含有量は、１重量％以上５０重量％以下と
する。

【００１５】本発明の請求項４に係るプローブは、請求
項１、２または３記載のプローブにおいて、前記金属
は、タングステン、モリブデン、金、銀、ニッケル、コ
バルト、クロム、パラジウム、ロジウム、鉄、インジウ
ム、スズ、鉛、アルミニウム、タンタル、チタン、銅、
マンガン、白金、ビスマス、亜鉛、カドミウムのうちの
少なくとも１種類の元素を含むようにする。

【００１６】本発明の請求項５に係るプローブカード
は、請求項１、２、３または４のいずれかに記載のプロ
ーブを用いる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
プローブを用いた本発明の実施の形態に係るプローブカ
ードを図１〜図４を参照しつつ説明する。図１は本発明
の実施の形態に係るプローブカードとその周囲の状況と
を示す概略図、図２は本発明の実施の形態に係るプロー
ブとその周囲の状況とを示す概略図、図３は本発明の実
施の形態に係るプローブカードの製造方法の一部を示す
概略図、図４は本発明の実施の形態に係るプローブを用
いたプローブカードと従来のプローブを用いたプローブ
カードとで、接触抵抗と接触回数との関係を比較したグ
ラフであって、同図（Ａ）は従来のプローブを用いたプ
ローブカードの場合のグラフ、同図（Ｂ）はプローブが
本発明の実施の形態に係るプローブを用いたプローブカ
ードの場合のグラフである。

【００１８】本発明の実施の形態に係るプローブカード
１０は、垂直作動式のものである。プローブカード１０
は、プローバー９００にセットされた測定対象物である
ウエハ８００上の半導体集積回路８１０の電極パッド８
１１に対して垂直に接触するプローブ２００と、このプ
ローブ２００を支持する支持体３００とからなるプロー
ブユニット１００と、プローブ２００が接続される配線
パターン５１１が形成されており、プローブユニット１
００が取り付けられる基板５００とを備えている。

【００１９】プローブ２００は、途中に横向きの略Ｕ字
状の座屈部２５０を有するいわゆる垂直作動型のプロー
ブである。このプローブ２００は、タングステンまたは
レニウムタングステンからなるプローブにおいて、先端
側の接触部２１０の少なくとも先端部２１１に金属を含
むＤＬＣ膜２０５を形成したことを特徴とする。

【００２０】なお、金属を含むＤＬＣ膜２０５は、プロ
ーブ２００単独の状態で形成されるのではなく、後述の
ようにプローブユニット１００の状態で形成されるた
め、支持体３００の下側から突出するプローブ２００の
接触部２１０に重点的に形成される一方、支持体３００
の上側から突出するプローブ２００の基端側の接続部２
９０にも極めて薄く形成される可能性がある。金属を含
むＤＬＣ膜２０５は、プローブ２００の表面全体に形成
しても支障がないので、接続部２９０に対して極めて薄
く形成されていても問題ない。

【００２１】なお、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon ）膜
とは、例えば、社団法人日本トライポロジー学会が発行
している「トライポロジスト」誌第３７巻第９号別冊や
トライポロジー辞典（社団法人日本トライポロジー学会
編集：養賢堂）に記載されているように、通常、ダイア
モンド状の結晶構造を有する平滑なカーボン膜を指す。
ただし、本発明で言うＤＬＣ膜は、上記の膜以外に、優
れた低摩擦・耐磨耗特性を有する、スパッタリング法等
で形成したアモルファスカーボン膜、スパッタリング
法、ＣＶＤ（化学蒸着）法等で形成した水素を含有する
カーボン膜、イオンプレーティング法等のＰＶＤ（物理
蒸着）法等で形成した水素フリーのカーボン膜やシリコ
ン・酸素・窒素のうちの少なくとも１種類の元素を含有
するカーボン膜をも包含した広義のものである。

【００２２】支持体３００は、垂下されるプローブ２０
０を支持する２枚の平行な支持板３１０、３２０と、こ
の支持板３１０、３２０を基板５００の下面から垂下さ
せる垂下部材３３０と、支持板３１０の上面側でプロー
ブ２００を固定する固定樹脂３４０とを有している。プ
ローブ２００の座屈部２５０は、２枚の平行な支持板３
１０、３２０間に位置するようになっている。支持板３
１０、３２０と固定樹脂３４０とは、少なくとも各プロ
ーブ２００が短絡しないように絶縁性を有するものとな
っている。例えば支持板３１０、３２０は、セラミック
スである。

【００２３】支持板３１０、３２０には、それぞれ半導
体集積回路８１０の電極パッド８１１の配置に対応した
貫通孔３１１、３２１が開設されている。貫通孔３１
１、３２１は、プローブ２００を挿入して支持するため
のものであるから、プローブ２００の径よりも僅かに大
きく形成されている。プローブ２００の基端部側が支持
板３１０の上面から突出する一方、プローブ２００の接
触部２１０が支持板３２０の下面から突出するように、
貫通孔３１１、３２１にプローブ２００が挿入され、固
定樹脂３４０で支持板３１０とプローブ２００との間が
固定されるのである。

【００２４】ただし、プローブ２００の基端部は、基板
５００の後述する貫通孔５０１に挿入される部分となる
ので、固定樹脂３４０で固定されるのは前記基端部より
もやや下側の部分である。即ち、プローブ２００の基端
部は固定樹脂３４０の上面から突出する。

【００２５】一方、上述したようにプローブ２００の接
触部２１０は、貫通孔３２１を介して支持板３２０の下
面から突出されている。貫通孔３２１とプローブ２００
との間の隙間は５μｍ程度と極めて小さい。５μｍ程度
と極めて小さくしているのは、貫通孔３２１が隣接する
プローブ２００の接触を防止するとともに、接触部２１
０を電極パッド８１１に位置決めするように水平方向の
規制をしているためである。

【００２６】垂下部材３３０は支持板３１０、３２０間
の空間を取り囲むように形成されている。したがって、
前記空間は支持板３１０、３２０と、垂下部材３３０
と、貫通孔３１１、３２１に挿入されたプローブ２００
と、固定樹脂３４０とでほぼ完全に閉塞されている。

【００２７】基板５００は、前記配線パターン５１１が
形成されている他、プローブ２００の基端部が挿入され
る貫通孔５０１と、基板５００の固定先となる固定台１
０００（図示しないテストコンピュータの先端側に設け
られている。）にボルト７００とナット７０１とを介し
て固定するための貫通孔５２１とが開設されている。貫
通孔５０１に挿入されたプローブ２００の基端部は、ワ
イヤー５１０を介して配線パターン５１１に接続され
る。

【００２８】このように構成されたプローブカード１０
は、次のようにして製造される。

【００２９】先ず、金属を含むＤＬＣ膜２０５が形成さ
れていないプローブ（即ち、従来のプローブと同じも
の）を形成する。即ち、前記プローブは、棒状のタング
ステンまたはレニウムタングステンの先端側を尖らせる
ように磨いて接触部２１０を形成した後、曲げて座屈部
２５０を形成する。余分な部分をカットすると、前記プ
ローブとなる。

【００３０】このプローブを、支持板３２０と、垂下部
材３３０に固定した支持板３１０と間にセットする。支
持板３２０を垂下部材３３０に固定する。前記プローブ
の上下方向の位置を合わせた状態で、前記プローブを支
持板３１０に対して固定樹脂３４０で固定する。これに
より、金属を含むＤＬＣ膜２０５が形成されていないプ
ローブを有するプローブユニットが完成する。

【００３１】次に、前記プローブユニットをスパッタリ
ング装置に入れて金属を含むＤＬＣ膜２０５を前記プロ
ーブの接触部２１０の少なくとも先端部２１１に形成す
る。この際、支持体３００に金属を含むＤＬＣ膜が形成
されると、プローブ間が短絡してしまうので、スパッタ
リング装置に入れる前に、支持体３００に耐熱フィルム
をマスクする。この耐熱フィルムは前記プローブを通す
貫通孔をレーザ等で予め開設したものである。前記耐熱
フィルムは、少なくとも支持板３２０の下面と固定樹脂
３４０の上面とに、耐熱テープ等の固定手段を介して接
着する。もちろん支持体３００の周囲全体を前記耐熱フ
ィルムで覆ってもよい。

【００３２】前記耐熱フィルムを貼った状態の前記プロ
ーブユニットをスパッタリング装置の回動装置（図示省
略）に取り付ける。また、スパッタリング装置の陰極と
なるカーボンターゲットＣＴ（図３参照）および金属タ
ーゲットＫＴをセットする。この際、カーボンターゲッ
トＣＴよりも小さい金属ターゲットＫＴは、カーボンタ
ーゲットＣＴの上に取り付けられている。金属ターゲッ
トＫＴの大きさは、カーボンに対する金属の量に応じて
決められる。前記プローブユニットの取り付け方向は、
前記プローブユニットの下側をカーボンターゲットＣＴ
および金属ターゲットＫＴ側に向ける。前記プローブユ
ニットの上方に陽極ＡＤがくることになる。

【００３３】なお、前記ＤＬＣ膜中の前記金属の含有量
は、１重量％以上５０重量％以下とすると好ましい。カ
ーボンだけのＤＬＣ膜では後述のように抵抗値が高くな
るので、金属を含ませて抵抗値を下げるのである。１重
量％未満の場合には、抵抗値を下げる効果が小さいの
で、１重量％以上金属を含ませるのが好ましいのであ
る。また、５０重量％を超えると、アルミニウム屑等が
付着しにくいというＤＬＣ膜の効果が低減されるので、
５０重量％以下とするのが好ましいのである。

【００３４】また、前記金属は、タングステン、モリブ
デン、金、銀、ニッケル、コバルト、クロム、パラジウ
ム、ロジウム、鉄、インジウム、スズ、鉛、アルミニウ
ム、タンタル、チタン、銅、マンガン、白金、ビスマ
ス、亜鉛、カドミウムのうちの少なくとも１種類の元素
を含むようにする。２つ以上の場合には、カーボンター
ゲットＣＴの上に取り付けられる金属ターゲットの数が
増えるだけである。

【００３５】スパッタリング装置を稼働させると、前記
プローブユニットが回動させられる。一方、放電ガス
（アルゴン等）が前記プローブユニットの下側と、陰極
であるカーボンターゲットＣＴおよび金属ターゲットＫ
Ｔとの間に導入され、前記陰極ＣＴ、ＫＴと陽極ＡＤと
の間に印加された電圧でグロー放電が発生する。このと
きプラズマ中の正イオンが陰極ＣＴ、ＫＴに衝突して、
２種類のターゲット原子を弾き出し、回動させられてい
る前記プローブユニットの主として下面側に、前記２種
類のターゲット原子からなる金属を含むＤＬＣ膜が形成
されるのである。

【００３６】前記金属を含むＤＬＣ膜の厚み寸法は、
０．００１μｍ以上０．５μｍ以下とすると好ましい。
０．００１μｍ未満では、磨耗によって金属を含むＤＬ
Ｃ膜の効果が得られなくなりやすいからである。０．５
μｍを超えると前記膜の内部応力が増大してプローブか
ら前記膜が剥離しやすくなるからである。

【００３７】スパッタリングが終了したら、スパッタリ
ング装置から、前記プローブユニットを取り出して、前
記耐熱フィルムと耐熱テープ等の固定手段とを外す。こ
れにより、金属を含むＤＬＣ膜が形成されると短絡防止
上問題となる領域には金属を含むＤＬＣ膜が残らない。
一方、金属を含むＤＬＣ膜２０５が前記プローブの接触
部２１０の少なくとも先端部２１１に形成されている。
即ち、金属を含むＤＬＣ膜２０５が形成された本発明の
実施の形態に係るプローブ２００を有するプローブユニ
ット１００が完成する。このプローブユニット１００を
基板５００に固定し、プローブ２００の基端部と配線パ
ターン５１１との間をワイヤー５１０を介してに接続す
るとプローブカード１０が完成する。

【００３８】このようにして製造可能なプローブカード
１０について、以下のように性能テストを行った。

【００３９】製造時のスパッタリングの条件は、例え
ば、日電アネルバ製のマグネトロンスパッタリング装置
において、放電ガスとしてアルゴンガスを使用した。前
記アルゴンガスの流量は３０ｍｌ／分とし、スパッタリ
ング時の真空度は２〜８Ｐａとした。前記金属として
は、モリブデンを用いた。一方、比較する従来のプロー
ブはタングステンからなるものである。

【００４０】なお、前記装置でＤＬＣ膜等をガラス基板
上に形成して、ＤＬＣ膜等の固有抵抗値を４探針法で測
定したところ、次のようになった。カーボンだけからな
るＤＬＣ膜の抵抗値は２５１．６Ω・ｍ、タングステン
を１２．５重量％含むＤＬＣ膜の抵抗値は３４．１１Ω
・ｍ、モリブデンを１２．５重量％含むＤＬＣ膜の抵抗
値は５．８２Ω・ｍであった。一方、タングステンだけ
からなるプローブの抵抗値は１０^-6Ω・ｍ程度と極めて
小さい。

【００４１】テスト条件としては、プローバーとして本
願出願人の製造販売するプローバーＪ−１５０を使用
し、プローブカードとして本願出願人の製造販売するプ
ローブカードＶＣＰＣ−１型（ピン数２０ピン）を使用
した。また、各ピン（各プローブ）に流した電流は３０
ｍＡである。オーバードライブ量は７０μｍにして、各
ピンの針圧を２５グラムとした。従来のプローブの場
合、前記２０ピンの内の５ピンを使用してテストした。
本発明の実施の形態に係るプローブの場合、前記２０ピ
ンの内の６ピンを使用してテストした。

【００４２】従来のプローブを用いた場合には、図４
（Ａ）に示されるように、１００回の接触回数で既に接
触抵抗の適正値（一般的に３Ω以下）の範囲を超えてい
るプローブがあり、接触回数を更に増やしてテストする
とバラツキが広がった。接触回数が６００回を超えたと
きのテストは、これ以上のバラツキを測定しても無駄な
ため行っていない。

【００４３】一方、モリブデンを１２．５重量％含むＤ
ＬＣ膜を形成した本発明の実施の形態に係るプローブの
場合には、図４（Ｂ）に示されるように、接触回数が３
０００回となるまでテストしたが、各プローブの接触抵
抗値は、安定して接触抵抗の適正値（一般的に３Ω以
下）の範囲内に納まっている。

【００４４】なお、本発明の実施の形態に係るプローブ
カードは、垂直作動式のものであるとして説明した。プ
ローブに金属を含むＤＬＣ膜を形成した場合、特に、ス
クラブの殆ど起きない垂直作動式プローブカードで効果
的であるが、もちろん、スクラブの起きる横型プローブ
カードでも効果はある。

【００４５】本発明の実施の形態に係るプローブにおい
ては、タングステン類からなるプローブに金属を含むＤ
ＬＣ膜を形成したが、他の金属からなるプローブに金属
を含むＤＬＣ膜を形成してもよい。

【００４６】本発明の実施の形態に係るプローブカード
は、陰極が１つであるスパッタリング装置で製造される
場合で説明した。このスパッタリング装置の代わりに、
同時スパッタリング装置を用いてもよい。同時スパッタ
リング装置においては、２つ以上の陰極を設けることが
できるので、カーボンターゲットと金属ターゲットとは
異なる陰極とすればよい。

【００４７】本発明の実施の形態に係るプローブカード
は、スパッタリング法で製造される場合で説明したが、
これ以外のイオンプレーティング法等のＰＶＤ（物理蒸
着）法やＣＶＤ（化学蒸着）法等で製造してもよい。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
に係るプローブは、タングステンまたはレニウムタング
ステンからなるプローブにおいて、先端側の接触部の少
なくとも先端部に金属を含むＤＬＣ膜を形成する。

【００４９】よって、本発明の請求項１に係るプローブ
の場合には、接触部の少なくとも先端部に形成された金
属を含むＤＬＣ膜は電極パッドから剥がれたアルミニウ
ム屑が付着しにくいので、接触抵抗を低く安定化させら
れる。したがって、接触部に対するクリーニングの頻度
を減らすことができる。

【００５０】本発明の請求項２に係るプローブは、請求
項１記載のプローブにおいて、前記金属を含むＤＬＣ膜
の厚み寸法は、０．００１μｍ以上０．５μｍ以下とす
る。

【００５１】よって、本発明の請求項２に係るプローブ
の場合には、前記金属を含むＤＬＣ膜が剥離しにくく、
接触抵抗を低く安定化させられる。

【００５２】本発明の請求項３に係るプローブは、請求
項１または２記載のプローブにおいて、前記ＤＬＣ膜中
の前記金属の含有量は、１重量％以上５０重量％以下と
する。

【００５３】よって、本発明の請求項３に係るプローブ
の場合には、電極パッドから剥がれたアルミニウム屑が
付着しにくいＤＬＣ膜の性質を維持しつつ、金属含有に
よる低抵抗化で、接触抵抗を低く安定化させられる。

【００５４】本発明の請求項４に係るプローブは、請求
項１、２または３記載のプローブにおいて、前記金属
は、タングステン、モリブデン、金、銀、ニッケル、コ
バルト、クロム、パラジウム、ロジウム、鉄、インジウ
ム、スズ、鉛、アルミニウム、タンタル、チタン、銅、
マンガン、白金、ビスマス、亜鉛、カドミウムのうちの
少なくとも１種類の元素を含む。

【００５５】よって、本発明の請求項４に係るプローブ
の場合には、前記金属は、上述したように一般に金属と
呼ばれるものを使用できる。したがって、製造上多様性
がある。

【００５６】本発明の請求項５に係るプローブカード
は、請求項１、２、３または４のいずれかに記載のプロ
ーブを用いる。

【００５７】よって、本発明の請求項５に係るプローブ
カードの場合には、前記プローブを用いているので、電
極パッドから剥がれたアルミニウム屑が付着しにくく、
測定上問題となる接触抵抗を低く安定化させられる。し
たがって、プローブの接触部に対するクリーニングの頻
度を減らすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るプローブカードとそ
の周囲の状況とを示す概略図である。

【図２】本発明の実施の形態に係るプローブとその周囲
の状況とを示す概略図である。

【図３】本発明の実施の形態に係るプローブカードの製
造方法の一部を示す概略図である。

【図４】本発明の実施の形態に係るプローブを用いたプ
ローブカードと従来のプローブを用いたプローブカード
とで、接触抵抗と接触回数との関係を比較したグラフで
あって、同図（Ａ）は従来のプローブを用いたプローブ
カードの場合のグラフ、同図（Ｂ）はプローブが本発明
の実施の形態に係るプローブを用いたプローブカードの
場合のグラフである。

【符号の説明】

１０プローブカード１００プローブユニット２００プローブ３００支持体５００基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者三浦康男兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号日本電子材料株式会社内 (72)発明者上野哲司兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号日本電子材料株式会社内Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AB01 AG03 AG12 2G011 AA02 AA16 AB06 AC14 AF07 4M106 AA01 AD01 BA01 CA15 CA56 DD10 DD18 DD30 DJ32

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】タングステンまたはレニウムタングステ
ンからなるプローブにおいて、先端側の接触部の少なく
とも先端部に金属を含むＤＬＣ（Diamond Like Carbon)
膜を形成したことを特徴とするプローブ。
【請求項２】前記金属を含むＤＬＣ膜の厚み寸法は、
０．００１μｍ以上０．５μｍ以下としたことを特徴と
する請求項１記載のプローブ。
【請求項３】前記ＤＬＣ膜中の前記金属の含有量は、
１重量％以上５０重量％以下としたことを特徴とする請
求項１または２記載のプローブ。
【請求項４】前記金属は、タングステン、モリブデ
ン、金、銀、ニッケル、コバルト、クロム、パラジウ
ム、ロジウム、鉄、インジウム、スズ、鉛、アルミニウ
ム、タンタル、チタン、銅、マンガン、白金、ビスマ
ス、亜鉛、カドミウムのうちの少なくとも１種類の元素
を含むことを特徴とする請求項１、２または３記載のプ
ローブ。
【請求項５】請求項１、２、３または４のいずれかに
記載のプローブを用いたことを特徴とするプローブカー
ド。