JP2008041949A - 半導体装置及びその製造方法、並びに半導体装置の製造装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 82
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 82
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造装置は、パッケージ3と、複数のリード2b及び複数のリード2b間を連結するタイバー2aを備えるリードフレーム2と、樹脂バリ4と、を有する半導体装置の中間製品から、タイバー2aを切断除去して半導体装置を製造する装置であって、タイバー2aを切断するためのタイバーカットパンチ5を有し、タイバーカットパンチ5の切断部分の平面投影形状は、タイバー2aを横断し、かつパッケージ3側の端部が樹脂バリ4上にある2つの第2輪郭線5bと、2つの第2輪郭線5bのパッケージ側の端部を結ぶ第1輪郭線5aとを有し、第1輪郭線5aの一部はタイバー2a切断時にタイバー2a上に位置する。
【選択図】図4
Description
2 リードフレーム
2a タイバー
2b リード
2c 切断線
3 パッケージ
4 樹脂バリ
4a 切欠き部
5 タイバーカットパンチ
5a 第1輪郭線
5b 第2輪郭線
5c 凸部
5d 凹部
10 半導体装置の中間製品
11 半導体装置
12 リードフレーム
12a タイバー
12b リード
13 パッケージ
14 樹脂バリ
14a 切断線
15 タイバーカットパンチ
Claims (6)
- 半導体チップを樹脂封止したパッケージと、
前記パッケージから外方へ延在する複数のリードと、
前記リード間に前記パッケージの樹脂と連続して形成された樹脂バリと、を有し、
前記樹脂バリは、前記パッケージ及び前記リードに接していない開放端に、切欠き部を少なくとも2つ有することを特徴とする半導体装置。 - 前記樹脂バリは、2つの切欠き部を有し、
前記切欠き部の輪郭線は、前記リードにおけるタイバーの切断線と連続していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 複数のリード及び前記リード間を連結するタイバーを備えるリードフレーム上に半導体チップを搭載する搭載工程と、
前記半導体チップを樹脂封止してパッケージを作製する封止工程と、
タイバーカットパンチを用いて前記リードフレームの前記タイバーを切断除去する切断工程と、を含み、
前記タイバーカットパンチの前記パッケージに面する部分のうち、両側部分は、前記封止工程において形成された樹脂バリ上に掛かり、前記両側部分間の中間部分は、前記樹脂バリ上に掛からないようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記切断工程後に、前記樹脂バリを除去する工程を含まないことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体チップを樹脂封止したパッケージと、複数のリード及び前記複数のリード間を連結するタイバーを備えるリードフレームと、前記リード及び前記タイバーによって囲まれた領域に形成された樹脂バリと、を有する半導体装置の中間製品から、前記タイバーを切断除去して半導体装置を製造する装置であって、
前記タイバーを切断するためのタイバーカットパンチを有し、
前記タイバーカットパンチの切断部分の平面投影形状は、前記タイバーを横断し、かつ前記パッケージ側の端部が前記樹脂バリ上にある2つの第2輪郭線と、前記2つの第2輪郭線の前記パッケージ側の端部を結ぶ第1輪郭線と、を有し、
前記第1輪郭線の一部は、タイバー切断時に前記タイバー上に位置することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記平面投影形状は、前記第1輪郭線と前記第2輪郭線とが連続することによって形成された凸部及び前記凸部に挟まれることによって形成された凹部を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006214636A JP4800141B2 (ja) | 2006-08-07 | 2006-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
US11/882,415 US8048718B2 (en) | 2006-08-07 | 2007-08-01 | Semiconductor device comprising an excess resin portion, manufacturing method thereof, and apparatus for manufacturing semiconductor device comprising a excess resin portion |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006214636A JP4800141B2 (ja) | 2006-08-07 | 2006-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008041949A true JP2008041949A (ja) | 2008-02-21 |
JP4800141B2 JP4800141B2 (ja) | 2011-10-26 |
Family
ID=39028337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006214636A Active JP4800141B2 (ja) | 2006-08-07 | 2006-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8048718B2 (ja) |
JP (1) | JP4800141B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5247626B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2013-07-24 | 住友化学株式会社 | リードフレーム、樹脂パッケージ、半導体装置及び樹脂パッケージの製造方法 |
JP5873998B2 (ja) * | 2011-02-15 | 2016-03-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US20140377915A1 (en) * | 2013-06-20 | 2014-12-25 | Infineon Technologies Ag | Pre-mold for a magnet semiconductor assembly group and method of producing the same |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0622266B2 (ja) | 1986-09-17 | 1994-03-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2603814B2 (ja) | 1995-04-10 | 1997-04-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR0148203B1 (ko) * | 1995-06-05 | 1998-08-01 | 이대원 | 리드 프레임의 내부 리드 설계 방법 |
KR100244966B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2000-03-02 | 윤종용 | 공기 유입구가 형성된 절단 펀치를 포함하는 게이트 잔여물절단 장치 |
JP2938038B1 (ja) | 1998-06-11 | 1999-08-23 | 大分日本電気株式会社 | タイバー切断金型 |
-
2006
- 2006-08-07 JP JP2006214636A patent/JP4800141B2/ja active Active
-
2007
- 2007-08-01 US US11/882,415 patent/US8048718B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8048718B2 (en) | 2011-11-01 |
JP4800141B2 (ja) | 2011-10-26 |
US20080029857A1 (en) | 2008-02-07 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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