JP2008035038A - Δς型d/a変換器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ΔΣ型D/A変換器は、多ビットのデジタル入力信号を1ビットのデジタル出力信号に変換するΔΣ変調器1aと、ΔΣ変調器1aの出力信号の高周波成分を除去してアナログ出力信号を出力するアナログフィルタ2aと、ΔΣ変調器1aとアナログフィルタ2aとの間に設けられ、ΔΣ変調器1aの出力信号を非電気信号に変換した後に電気信号に戻してアナログフィルタ2aに入力する絶縁素子3aとを有する。ΔΣ変調器1aを含むデジタルモジュール100のグランドとアナログフィルタ2aを含むアナログモジュール101のグランドとは分離されている。
【選択図】 図1
Description
図4に従来のΔΣ型D/A変換器の構成を示す。ΔΣ型D/A変換器は、多ビットのデジタル入力信号を1ビットのデジタル信号に変換するΔΣ変調器1と、ΔΣ変調器1の出力信号の高周波成分を除去して、アナログ出力信号を出力するアナログフィルタ(LPF)2とを有する。ΔΣ変調器1はデジタル回路で構成され、アナログフィルタ2はアナログ回路で構成される。
また、本発明のΔΣ型D/A変換器の1構成例において、前記絶縁素子は、フォトカプラ又はトランスである。
本実施の形態のΔΣ型D/A変換器は、多ビットのデジタル入力信号を1ビットのデジタル出力信号に変換するΔΣ変調器1aと、ΔΣ変調器1aの出力信号の高周波成分を除去してアナログ出力信号を出力するアナログフィルタ(LPF)2aと、ΔΣ変調器1aとアナログフィルタ2aとの間を電気的に絶縁すると共に、ΔΣ変調器1aの出力信号を非電気信号に変換した後に再び電気信号に変換してアナログフィルタ2aに入力する絶縁素子3aとを有する。
アナログフィルタ2aは、アナログ回路で構成され、アナログモジュール101に搭載されている。
パルストランスは、入力信号を1次側で磁気変化に変換し、この磁気変化を2次側で電気信号に変換する、電気→磁気変化→電気の変換を行う絶縁素子である。
なお、図1の例では、絶縁素子3aをアナログモジュール101に搭載しているが、デジタルモジュール100に搭載してもよい。
デジタルモジュール100のA/D変換器4は、温度センサ102の出力信号をデジタル信号に変換する。デジタルモジュール100のCPU5は、A/D変換器4のデジタル出力信号を温度に換算した後に、この温度(制御量)が所定の設定値と一致するように例えばPID制御アルゴリズムにより操作量を算出して、この操作量をデジタル信号で出力する。ΔΣ変調器1aと絶縁素子3aとアナログフィルタ2aの動作は上記で説明したとおりである。アナログフィルタ2aから出力されるアナログ出力信号(操作量)はヒータ103に与えられる。こうして、温調計により、測定点の温度が所定の設定値になるように制御される。
Claims (2)
- 多ビットのデジタル入力信号を1ビットのデジタル出力信号に変換するΔΣ変調器と、
このΔΣ変調器の出力信号の高周波成分を除去してアナログ出力信号を出力するアナログフィルタと、
前記ΔΣ変調器と前記アナログフィルタとの間に設けられ、前記ΔΣ変調器の出力信号を非電気信号に変換した後に電気信号に戻して前記アナログフィルタに入力する絶縁素子とを有し、
前記ΔΣ変調器を含むデジタルモジュールのグランドと前記アナログフィルタを含むアナログモジュールのグランドとを分離したことを特徴とするΔΣ型D/A変換器。 - 請求項1記載のΔΣ型D/A変換器において、
前記絶縁素子は、フォトカプラ又はトランスであることを特徴とするΔΣ型D/A変換器。
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