JP2008034095A - プロセッサ間のホストインターフェイシング機能を有するマルチパスアクセス可能な半導体メモリ装置 - Google Patents
プロセッサ間のホストインターフェイシング機能を有するマルチパスアクセス可能な半導体メモリ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008034095A JP2008034095A JP2007197758A JP2007197758A JP2008034095A JP 2008034095 A JP2008034095 A JP 2008034095A JP 2007197758 A JP2007197758 A JP 2007197758A JP 2007197758 A JP2007197758 A JP 2007197758A JP 2008034095 A JP2008034095 A JP 2008034095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- area
- mailbox
- semiconductor memory
- processors
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1075—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for multiport memories each having random access ports and serial ports, e.g. video RAM
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4096—Input/output [I/O] data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers or bit-line switches
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
- G11C7/1012—Data reordering during input/output, e.g. crossbars, layers of multiplexers, shifting or rotating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Databases & Information Systems (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Dram (AREA)
- Multi Processors (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
【課題】プロセッサ間のホストインターフェイシング機能を有するマルチパスアクセス可能な半導体メモリ装置を提供すること。
【解決手段】半導体メモリ装置は、複数のプロセッサの数に対応して互いに独立して設けられたポートと動作可能に接続されて前記複数のプロセッサにより選択的にアクセスされ、メモリセルアレイ内に少なくとも一つ以上割り当てられた共有メモリ領域と、前記プロセッサから印加される外部信号に応じて前記ポートのうち選択された一つのポートと前記共有メモリ領域間のデータアクセスパスが形成されるようにするアクセスパス形成部と、前記複数のプロセッサ間の通信の際にインターフェイシング機能の提供のために前記共有メモリ領域の特定アドレスに対応して対置的にアクセスされるセマフォ領域及びメールボックス領域を有するインターフェイス部と、を備える。
【選択図】図4
【解決手段】半導体メモリ装置は、複数のプロセッサの数に対応して互いに独立して設けられたポートと動作可能に接続されて前記複数のプロセッサにより選択的にアクセスされ、メモリセルアレイ内に少なくとも一つ以上割り当てられた共有メモリ領域と、前記プロセッサから印加される外部信号に応じて前記ポートのうち選択された一つのポートと前記共有メモリ領域間のデータアクセスパスが形成されるようにするアクセスパス形成部と、前記複数のプロセッサ間の通信の際にインターフェイシング機能の提供のために前記共有メモリ領域の特定アドレスに対応して対置的にアクセスされるセマフォ領域及びメールボックス領域を有するインターフェイス部と、を備える。
【選択図】図4
Description
本発明は、半導体メモリ装置に係るもので、特にプロセッサ間のホストインターフェイシング機能を有するマルチパスアクセス可能な半導体メモリ装置に関する。
一般に、複数のアクセスポートを有する半導体メモリ素子はマルチポートメモリといわれ、特に二つのアクセスポートを有するメモリ素子はデュアルポートメモリと言われている。典型的なデュアルポートメモリは本分野に広く知られたものであり、ランダムシーケンスでアクセス可能なRAMポートとシリアルシーケンスだけでアクセス可能なSAMポートをもつイメージプロセッシング用ビデオメモリである。
一方、後述される本発明の詳細な説明においてより明確に区別されるが、そのようなビデオメモリの構成とは異なり、SAMポートを有することなくDRAMセルで構成されたメモリセルアレイのうち共有メモリ領域を複数のアクセスポートを通じてリードまたはライトするためのダイナミックランダムアクセスメモリを、我々は前記マルチポートメモリと明確に区別するために、本発明ではマルチパスアクセス可能な半導体メモリ装置と称する。
近年の我々の生活におけるユビキタス志向の趨勢に従い、人間が取り扱う電子システムもそれに応じて著しく発展してきている。最近では携帯用電子システム、例えば携帯用マルチメディアプレーヤ及び携帯フォンまたはPDAなどの電子機器においては機能及び動作処理の高速化と円滑化を図るために、製造メーカーは、図15に示すように、複数のプロセッサを採用したマルチプロセッサシステムを具現してきた。
図15を参照すると、第1プロセッサ10と第2プロセッサ12は接続ラインL10を通じて互いに接続され、NORメモリ14とDRAM16は設定されたバスB1−B3を通じて第1プロセッサ10に接続され、DRAM18とNANDメモリ20は設定されたバスB4−B6を通じて第2プロセッサ12に接続されている。ここで、第1プロセッサ10は通信信号の変調及び復調を行うモデム機能を有し、第2プロセッサ12は通信データの処理及びゲーム、娯楽などの実行のためのアプリケーション機能を有し得る。セルアレイの構成がNOR型のNORメモリ14とセルアレイの構成がNAND型のNANDメモリ20のすべてはフローティングゲートをもつトランジスタメモリセルを備えた不揮発性メモリとして、電源がオフされても消去されてはならないデータ、例えば携帯用機器の固有コード及び保存データの記憶のために搭載され、DRAM16,18はプロセッサのデータ処理のためのメインメモリとして機能する。
しかし、図15のようなマルチプロセッサシステムにおいては各プロセッサごとにDRAMがそれぞれに対応して割り当てられ、相対的に低速のUART、SPI、SRAMインターフェイスが使用されるため、データ伝送速度が十分に確保され難く、サイズの複雑化し、メモリ構成の費用も負担となる。そこで、占有サイズを減らすとともにデータ伝送速度を高め、さらにDRAMメモリの使用個数を減らすための構成が図16に図示される。
図16を参照すると、図15のシステムに比べて、一つのDRAM17が第1及び第2プロセッサ12にバスB1,B2を通じて接続されている点が相違する。図16のマルチプロセッサシステムの構造のように二つのパスを通じて一つのDRAM17をそれぞれのプロセッサがアクセスできるようにしようとすれば、二つのポートがバスB1,B2に対応して接続されることが求められる。ところが、通常のDRAMは図17に示したように単一ポートP0を有するメモリ1である。
通常のDRAM構造を示す図17を参照すると、メモリセルアレイはローデコーダー8とコラムデコーダー7にそれぞれ対応して接続された第1−4バンク3,4,5,6で構成される。上部入出力センスアンプ及びドライバ13はマルチプレクサ11,12を通じて第1バンク3または第3バンク5と動作可能に接続され、下部入出力センスアンプ及びドライバ13はマルチプレクサ14,15を通じて第2バンク4または第4バンク6と動作可能に接続される。例えば、第1バンク3内のメモリセルが選択され、その選択されたメモリセルに記憶されたデータがリードされる場合には、リードされるデータの出力過程は以下のようである。まず、選択されたワードラインが活性化されてからビットラインセンスアンプにより感知及び増幅されたメモリセルのデータは該当コラム選択ラインの活性化に従いローカル入出力ライン9に伝達される。ローカル入出力ライン9に伝達されたデータは第1マルチプレクサ21のスイッチング動作によりグローバル入出力ラインGI0に伝達され、グローバル入出力ラインGI0に接続された第2マルチプレクサ11はグローバル入出力ラインGI0のデータを上部入出力センスアンプ及びドライバ13に伝達する。入出力センスアンプ及びドライバ13により再度感知及び増幅されたデータはパス部16を通じてデータ出力ラインL5に出力される。一方、第4バンク6内のメモリセルに記憶されたデータがリードされる場合にマルチプレクサ24−マルチプレクサ14−下部入出力センスアンプ及びドライバ13−パス部16−データ出力ラインL5を順次経てデータが出力端DQに出力される。このように、図17のDRAM1は二つのバンクが一つの入出力センスアンプ及びドライバを共有する構造を有し、データの入出力が一つのポートP0を通じて行われる単一ポートメモリであることがわかる。つまり、図17のDRAM1は図15のシステムに適用するのが可能であるだけであり、図16のようなマルチプロセッサシステムにはメモリバンクの構造及びポートの構造によって適用するのが難しくなる。
図16のようなマルチプロセッサシステムに適合したメモリを基本的に具現しようとするために、共有メモリ領域が複数のプロセッサによりアクセスされる図18の構成を有する先行技術がEugeneP. Matterらにより発明されて2003年5月15日付で米国で公開された米国特許出願公開第US2003/0093628号に開示されている。
図18を参照すると、メモリアレイ35は第1,2,3部分を有し、メモリアレイ35の第1部分33はポート37を通じて第1プロセッサ70のみによりアクセスされ、第2部分31はポート38を通じて第2プロセッサ80のみによりアクセスされ、第3部分32は第1,2プロセッサ70,80のすべてによりアクセスされるマルチプロセッサシステム50が示される。ここで、メモリアレイ35の第1,2部分33,31のサイズは第1,2プロセッサ70,80の動作負荷によって自由に変更でき、メモリアレイ35のタイプはメモリタイプまたはディスク記憶タイプに具現されたものが図示されている。
DRAM構造において第1,2プロセッサ70,80により共有される第3部分32をメモリアレイ35内に具現するためにはいくつかの課題が解決されなければならない。このような解決課題のうち一つとして、メモリアレイ35内のメモリ領域及び入出力センスアンプの配置と各ポートに対する適切なリード/ライトパス(経路)制御技術は非常に重要な課題である。
また、従来のプロセッサにおいて、モデムとアプリケーションプロセッサ(或いはマルチメディアコプロセッサ)間の通信のためにはUART、SPI或いはSAMインターフェイスが使用されてきたが、そのようなインターフェイスは速度の制限、ピン個数の増加などの問題点がある。特に、3次元ゲーム及び画像通信、HDPDA、ワイブロ(Wibro)などの円滑な具現を提供するためにはモデムとプロセッサ間のデータトラフィックを増大しなければならないため、プロセッサ間の高速のインターフェイスの必要性が増している。
そこで、二つ以上のプロセッサを有するマルチプロセッサシステムにおいてDRAMメモリセルアレイ内に割り当てられた共有メモリ領域を共有しながら、メモリ外部の低速インターフェイシングに起因する問題を解決することが求められている。
米国特許出願公開第2003/0093628号明細書
本発明の目的は、DRAMメモリセルアレイ内に割り当てられた共有メモリ領域を円滑にアクセスできるマルチプロセッサシステムを提供することにある。
本発明の他の目的は、一つ以上のプロセッサにより共有されるメモリ領域を有し、メモリ外部のインターフェイスに代わってDRAMインターフェイスをプロセッサに提供できるマルチパスアクセス可能な半導体メモリ装置を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、共有メモリ領域と、共有メモリ領域の一部領域をさす特定アドレスに応答するインターフェイシング部を活用して、プロセッサ間のデータ通信が高速に実行できるマルチパスアクセス可能な半導体メモリ装置を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、共有メモリ領域の設定されたワードラインをイネーブルさせるローアドレスをDRAMチップ内部に具備されたレジスタに可変的に割り当て、これを通じてホストインターフェイシング機能のための共有メモリ領域の占有権、占有権の獲得のための占有要請、データ伝達メッセージが相対プロセッサに認識されるようにするマルチプロセッサシステムまたはDRAMを提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、共有メモリ領域を二つ以上のプロセッサで共有する場合にもメモリ外部のホストインターフェイスを使用せずにもインターフェイシングを行い得るマルチパスアクセス可能な半導体メモリ装置及びプロセッサ間のインターフェイシング方法を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明の好適な一実施形態に係る半導体メモリ装置は、メモリセルアレイ内に少なくとも一つ以上割り当てられた共有メモリ領域と、前記プロセッサから印加される外部信号に応じて前記ポートのうち選択された一つのポートと前記共有メモリ領域間のデータアクセスパスが形成されるようにするアクセスパス形成部と、前記複数のプロセッサ間の通信の際にインターフェイシング機能の提供のために前記共有メモリ領域の特定アドレスに対応して対置的にアクセスされるセマフォ領域及びメールボックス領域を有するインターフェイス部と、を備えることを特徴とする。
本発明の好適な他の実施形態に係るプロセッサ間のインターフェイシング方法は、プロセッサ間の通信の際にDRAMインターフェイスを使用し、セマフォ領域とメールボックス領域を有するDRAM内のインターフェイス部を用いて前記プロセッサが共通にアクセス可能な共有メモリ領域を通じてデータ通信を行い得ることを特徴とする。
本発明の好適なさらに他の実施形態に係る携帯用通信システムは、第1設定タスクを行う第1プロセッサと、第2設定タスクを行う第2プロセッサと、前記第1,2プロセッサのすべてによりアクセスされる共有メモリ領域および前記第1,2プロセッサのそれぞれによりそれぞれアクセスされる専用メモリ領域を有するメモリセルアレイと、前記第1,2プロセッサのバスとそれぞれに対応して接続される第1,2ポートと、前記第1,2プロセッサから印加される外部信号に応じて前記ポートのうち選択された一つのポートと前記共有メモリ領域間のデータアクセスパスが形成されるようにするアクセスパス形成部と、前記第1,2プロセッサ間の通信の際にインターフェイシング機能の提供のために前記共有メモリ領域の特定アドレスに対応して対置的にアクセスされるセマフォ(semaphore)領域及びメールボックス領域を有するレジスタ部を含むダイナミックランダムアクセスメモリと、を備える。
本発明の好適なさらに他の実施形態に係る半導体メモリ装置は、複数のプロセッサの数に対応して互いに独立して設置されたポートのうち選択された一つのポートとのデータアクセスパスが形成されて前記複数のプロセッサにより選択的にアクセスされ、メモリセルアレイ内に少なくとも一つ以上割り当てられた共有メモリ領域と、前記複数のプロセッサ間の通信の際にインターフェイシング機能の提供のために前記共有メモリ領域の特定アドレスに対応して対置的にアクセスされるセマフォ領域、メールボックス領域、及びチェック領域を有するインターフェイス部と、を備える。
上述のような本発明の好適な実施形態に係る構成によれば、プロセッサ間のホストインターフェイシングがメモリ内部を通じて提供されて割り当てられた共有メモリ領域を複数のプロセッサが高速にアクセスできるようになる。従って、データ伝送及び処理速度が改善され、システムサイズがコンパクトになり、必要メモリ個数を減少させることによりシステムにおいて占めるメモリのコストが大幅に減すとの効果がある。
以下、プロセッサ間のインターフェイシング機能を有するマルチパスアクセス可能な半導体メモリ装置に関する本発明の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
以下の実施形態では、多くの特定の詳細が図面に基づいて説明されているが、これは本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が理解できるようにすることを意図したものであり、本発明は、これらの特定の詳細のみに限定されない。
図1は本発明の好適な一実施形態に係るマルチパスアクセス可能なDRAMをもつマルチプロセッサシステムのブロック図である。図1を参照すると、携帯用通信システムは、第1設定タスクを行う第1プロセッサ10と、第2設定タスクを行う第2プロセッサ12と、第1,2プロセッサ10,20によりアクセスされるメモリ領域をメモリセルアレイ内に有するDRAM17を備える。また、前記携帯用通信システムはそれぞれのバスを通じて第1,2プロセッサ10,12と接続されるフラッシュメモリ101,102を含む。
図1に示されるDRAM17は互いに独立した二つのポートを有するが、本発明はこれに限定されない。便意上、信号INTaが出力されるポートAを第1ポートとすれば、これは汎用入出力(GPIO)ラインを通じて第1プロセッサ10と接続される。信号INTbが出力されるポートBを第2ポートとすれば、これは汎用入出力(GPIO)ラインを通じて第2プロセッサ12と接続される。ここで、第1プロセッサ10は通信信号の変調及び復調を行うモデム機能を有するが、ベースバンド処理機能をプロセッシングタスクとして有してもよいし、第2プロセッサ12は通信データの処理及びゲーム、動画、娯楽などの実行のためのアプリケーション機能をプロセッシングタスクとして有してもよい。必要な場合には、第2プロセッサ12はマルチメディアコプロセッサであってもよい。
また、フラッシュメモリ101,102はメモリセルアレイのセル接続構成がNOR型またはNAND型となり、メモリセルがフローティングゲートを有するMOSトランジスタで構成された不揮発性メモリである。フラッシュメモリ101,102は電源がオフされても消去されてはならないデータ、例えば携帯用機器の固有コード及び保存データの記憶のためのメモリとして搭載される。
図1に示したように、デュアルポートを有するDRAM17はプロセッサ10,12に実行される命令とデータを記憶するために使用されうる。また、DRAM17は第1,2プロセッサ10,12間のインターフェイシング機能を有する。詳細については後述するが、プロセッサ10,12間の通信の際に外部インターフェイスに代わってDRAMインターフェイスが使用される。セマフォ領域とメールボックス領域を有するDRAM内のインターフェイス部を活用することにより、プロセッサ10,12は共通にアクセス可能な共有メモリ領域を通じてデータ通信を行う。プロセッサ間のホストインターフェイシングがメモリ内部を通じて提供される場合、割り当てられた共有メモリ領域を複数のプロセッサが高速にアクセスできるようになって、データ伝送及び処理速度が改善されシステムサイズがコンパクトになる。
図1のシステムは移動通信デバイス(例えばセルラーフォン)、両方向ラジオ通信システム、単方向ポケベル(pager)、個人用通信システム、または携帯用コンピューターなどのような携帯用コンピューティングデバイスまたは携帯用通信デバイスであることができる。しかしながら、本発明の範囲と応用はこれらのみに限定されない。
図1のシステムにおいてプロセッサの個数は3個以上に拡張されることができる。前記システムのプロセッサはマイクロプロセッサ、CPU、デジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラー、縮小命令セットコンピューター、コンプレックス命令セットコンピューター、またはこれらと同様なものを用いることができる。しかしながら、システム内のプロセッサの個数により本発明の範囲は制限されない。すなわち、本発明の範囲は、プロセッサが同一及び異なる場合のいずれにおいても、プロセッサの特別な組合せに限定されない。
以下、図1のDRAM17内のインターフェイス部と共有メモリ領域の配置関係及びプロセッサ間のデータ通信動作の詳細について、メモリ装置の内部の一部を示す図面を参照して説明する。
図2は図1におけるマルチパスアクセス可能なDRAMのメモリ領域とポート及び内部バッファの配置関係を示すブロック図である。図2において四つのメモリ領域B1−B4がメモリセルアレイ内に配置される。まず、Aバンクメモリ領域B1は第1ポートAを通じて第1プロセッサ10によりアクセスされ、C及びDバンクメモリ領域B3,B4は第2ポートBを通じて第2プロセッサ12によりアクセスされ、Bバンクメモリ領域B2は第1,2ポートA,Bを通じて第1,2プロセッサ10,12のすべてによりアクセスされる。つまり、Bバンクメモリ領域B2は共有メモリ領域であり、A,C,Dバンクメモリ領域B1,B3,B4はそれぞれ対応するプロセッサのみによりアクセスされる専用メモリ領域である。四つのメモリ領域B1−B4はそれぞれDRAMのバンク単位で構成され、一つのバンクは例えば64MB,128MB、256MB、512MBまたは1024MBのメモリストレージを有し得る。
図2において、プロセッサ間のインターフェイスをDRAMを通じて提供するため、DRAM内部にはレジスタ及びバッファなどのようなインターフェイス部が具備される。前記インターフェイス部はプロセッシングシステム開発者に周知の概念であるセマフォ領域とメールボックス領域を有する。ここで、DRAM内の共有メモリ領域の任意の1行をイネーブルさせる特定ローアドレス(1FFF800h−1FFFFFFh、2KBサイズ=1ローサイズ)が前記インターフェイス部としての内部レジスタに可変的に割り当てられる。よって、特定ローアドレス(1FFF800h−1FFFFFFh)が印加されるとき、共有メモリ領域の対応する特定ワードラインはディスエーブルされ、代わりに前記インターフェイス部がイネーブルされる。つまり、システム的にはダイレクトアドレスマッピング方法を用いて前記インターフェイス部のセマフォ領域とメールボックス領域がアクセスされるようにし、DRAM内部的にはディスエーブルされた該当アドレスに接近する命令語を解釈してDRAM内部のレジスタにマッピングをさせるのである。従って、チップセットのメモリコントローラーはこの領域を他のメモリのセルと同一な方法によりコマンドを発生させ、これはオープンポリシを使用するコントローラーにより引き起こされるプリチャージミスの問題を事前に防止することができるようになる。
図2において前記内部レジスタ内に16ビットとして割り当てられたセマフォ領域、16ビットして割り当てられたメールボックスAtoB領域、16ビットとして割り当てられたメールボックスBtoA領域、及び予備領域Rvdなどは前記特定ローアドレスにより共通イネーブルされ、印加されるコラムアドレスに従い個別にアクセス(マッピング)される。つまり、特定ローアドレス(1FFF800h−1FFFFFFh)が印加されるとき、共有メモリ領域の対応する一部領域A2はディスエーブルされ、代わりに前記DRAM内のレジスタがイネーブルされて、プロセッサにDRAMインターフェイスが提供される。
前記レジスタに割り当てられたセマフォ領域には共有メモリ領域に対する制御権限が表示され、メールボックス領域には予め設定された伝送方向に従い相対プロセッサに与えるメッセージ(権限要請、データ伝達、命令語の伝送など)が用いられる。特に、メールボックス領域を通じて相対プロセッサにメッセージを伝達しようとする場合、メールボックスライト命令語が使用される。前記ライト命令語が発生されると、予め定められた方向に該当プロセッサのインタラプト処理サービスを実行するようにDRAMは出力信号(以下、INTa,INTb)を生成し、この出力信号はハードウェア的に該当プロセッサのGPI0或いはUARTなどに接続される。
図3及び図4は図1のDRAMにおいてホストインターフェイシング機能の実現と関連して共有メモリ領域の制御権を得る方法を示す。図3及び図4の例示はセマフォとメールボックスを活用してプロセッサが制御権限を得る場合の例として、これはプロセッサの共有資源の共有メモリ領域を互いに衝突なしに使用するために必要な作用である。通常のDRAMメモリの初期化過程において2回のオートリフレッシュ実行後のMRS(モードレジスタセット)信号がセットされ、ここではメモリの初期化が完了される以前であるため、オートリフレッシュが実行されることができない。オートリフレッシュが実行できないことを防止するため、共有メモリ領域B2の制御権限をディフォルトとして一方のプロセッサ(以下、“AP/MC”)に割り当てる。この後、権限のない他のプロセッサ(以下、“モデム”と称する)が共有メモリ領域B2を使用したいときには権限のあるプロセッサに権限を要請するメールボックスを矢印符号1の経路を通じて送り、モデム10は制御権限の獲得有無を確認するために周期的に前記セマフォ領域を矢印符号2の経路を通じてモニタリングする。このとき、DRAM17は該当メールボックスライト命令語を確認した後にAP/MC12にインタラプトを発生させるように矢印符合3の経路を通じて出力を活性化させ、AP/MC12のインタラプトコントローラー15では矢印符号4の経路を通じて該当メールボックスリード命令語が入ると、活性化信号を非活性化信号に転換する。以後、AP/MC12のCPU14はインタラプトサービスルーチンを実行して本作業が完了すると、セマフォを相対プロセッサ10が使用できるように矢印符号5の経路を通じて解放(release)する。従って、これを周期的にモニタリングしているモデム10は矢印符号5の経路を通じてセマフォのリリースを確認し、共有資源の共有メモリ領域B2のアクセス権限を確保する。
図5は図1のプロセッサが図2のDRAMを通じてデータを収受することを示す例示的フローチャートである。また、図6及び図7はホストインターフェイシング機能と関連した図2のDRAMのライト/リード動作関連のタイミングを示す。
図5〜図7においては第2プロセッサが共有メモリ領域B2のアクセス権限を有する場合、第1プロセッサのモデム10がアクセス権限を得る例と、モデム10のデータが第2プロセッサのAP12に伝送するようにする例が図示されている。ここで、図8に示される共有メモリバンクA1にモデム10がデータをライトし、AP12がデータをリードする場合、図8の内部レンジス50に具備されたセマフォとメールボックスを活用する例が図6及び図7のタイミングを通じて詳しく示されている。
DRAM内部インターフェイスを通じてデータを伝送する過程を説明する前に、図2の具体的な回路ブロック図を示す図8を参照してマルチパスアクセス可能なDRAMのマルチパスアクセス動作に対し説明する。
図8において例えば、第1ポート500を通じて第1プロセッサ10が共有メモリバンクA1をアクセスするとき、第2プロセッサ12は実質的に同時に第2ポート510を通じてさらに他のメモリ領域をアクセスすることができるために、このようなマルチパスアクセス動作が図8のパス決定部200を基本的に含むアクセスパス形成部により具現される。
第1,2プロセッサ10,12のすべてによりアクセスされる共有メモリバンクA1の場合を挙げると、共有メモリ領域A1内のグローバル入出力ラインGI0は前記第1,2プロセッサにそれぞれに対応して接続される第1,2ポート500,510のうち一つに選択的に接続されることができる。そのような選択的接続はパス決定部200の制御動作により実現される。
前記アクセスパス形成部に含まれるパス決定部200は第1,2プロセッサ10,12から印加される外部信号IN_A,IN_Bに応じてポートA,Bのうち選択された一つのポートと共有メモリ領域A1間のデータアクセスパスが形成されるようにするパス決定信号MA,MBを生成する。ここで、前記外部信号は第1,2ポート500,510を通じてそれぞれ印加されるローアドレスストローブ信号RASBとライトイネーブル信号WEB及びバンク選択アドレスBAを含む。
前記アクセスパス形成部はまた、パス決定信号MA,MBに応じて第1,2ポート500,510を通じてそれぞれ印加されるロー及びコラムアドレスA_ADD,B_ADD,A_CADD,B_CADDのうち一つのロー及びコラムアドレスA_ADD,A_CADDを選択し、これを共有メモリ領域A1と接続されたローデコーダー30及びコラムデコーダー40にそれぞれ印加するためのロー及びコラムアドレスマルチプレクサ28,38と、パス決定信号MA,MBに応じて共有メモリ領域A1のグローバル入出力ラインGI0を第1または第2ポートに接続するためのグローバル第1,2マルチプレクサ120,121と、グローバル第1マルチプレクサ120と第1ポート500間に設置された第1入出力関連回路130,300及びグローバル第2マルチプレクサ121と第2ポート510間に設置された第2入出力関連回路131,310を含む入出力関連パス部と、を含む。
前記第1入出力関連回路は、グローバル第1マルチプレクサ120と動作可能に接続された入出力センスアンプおよびデータ入出力ドライバを含むことができる。
共有メモリ領域A1に行と列のマトリックス形態で配置される複数のメモリセルは、一つのアクセストランジスタとストレージキャパシタで構成されたDRAMメモリセルである。
図8に示される共有メモリ領域A1には入出力センスアンプ及びライトドライバ130,131が配置され、グローバル第1,2マルチプレクサ120,121は互いに相補的な(反対の)スイッチング動作を行う。
第1、2プロセッサ10,12はアクセス動作のときにグローバル入出力ラインGI0とメモリセル間に存在する回路素子及びラインを共通に使用し、各ポートでグローバルマルチプレクサ120,121までの入出力関連回路素子及びラインを独立して使用する。
詳しくは、共有メモリ領域A1のグローバル入出力ラインGI0と、前記グローバル入出力ラインと動作可能に接続されるローカル入出力ラインLI0と、前記ローカル入出力ラインとはコラム選択信号により動作可能に接続されるビットラインBLと、前記ビットラインに設置されてビットラインのデータを感知増幅するビットラインセンスアンプと、前記ビットラインにメモリセルを形成するアクセストランジスタATが接続されたメモリセルは前記第1,2ポートを通じてそれぞれ第1,2プロセッサ10,12により共有される。
パス決定部200は複数の論理ゲートで構成され、第1,2ポート500,510を通じてそれぞれ印加されるローアドレスストローブ信号RASB_A,Bとライトイネーブル信号WEB_A,B及びバンク選択アドレスBA_A,Bを受信する。パス決定部200はポートのうち一つのポートでローアドレスストローブ信号RASBが先に入ると、その入ったポートに共有メモリ領域A1が配列されるようにパス決定信号MA,MBを生成する。もし、同時にローアドレスストローブ信号RASBが印加される場合、システムのスペックにより遮断することにより、優先権を付与されたプロセッサが共有メモリ領域A1をアクセスできるようにするのが好ましい。
第1プロセッサ10が共有バンクの共有メモリ領域A1をアクセスする場合と仮定し、そのときの動作モードをリード動作と仮定すると、図8のパス決定部200は第1プロセッサ10から印加される外部信号を論理組合せしてパス決定信号MAを活性化し、パス決定信号MBを非活性化する。ローアドレスマルチプレクサ28は第1ポートAを通じて印加されるローアドレスA_ADDを選択し、これをローデコーダー30に印加する。ローデコーダー30は第1プロセッサ10がアクセスを所望の共有メモリ領域A1内のワードラインWLiが活性化されるようにする。ワードラインWLiが活性化されると、同一ワードラインにアクセストランジスタのゲートが接続されたメモリセルのデータは対応するビットラインに展開(develop)される。ビットラインセンスアンプは上記展開を感知及び増幅して出力し、このビットラインデータはコラム選択信号の活性化に応答するコラムゲートがターンオンされるとき、対応するローカル入出力ラインLI0にようやく伝達される。前記コラムゲートのターンオン過程は以下のようである。ワードラインWLiが活性化されて前記ビットラインにメモリセルのデータがハイまたはローレベルのポテンシャルとして現れた以後、コラムアドレスマルチプレクサ38は第1ポートAのコラムアドレスA_CADDを選択し、これをコラムデコーダー40に出力する。コラムデコーダー40はつまり第1プロセッサ10がアクセスを所望するコラムを選択するコラム選択信号を活性化する。
電位レベルとして現れるローカル入出力ラインLI0のデータは第1マルチプレクサ20(F−MUX)を構成するトランジスタがターンオンされるとき、グローバル入出力ラインGI0に伝達される。ここで、前記トランジスタのゲートに共通に印加されるスイッチング信号はローデコーダー30から出力されるデコーディング信号に応じて生成される信号であることができる。
この場合にはパス決定信号MAが活性化状態として出力される場合であるので、グローバル入出力ラインGI0に伝達されたデータは第2マルチプレクサ120を通じて入出力センスアンプ及びドライバ130に伝達される。入出力センスアンプは今までの経路を通じて伝達されるに従いレベルが微弱になったデータを再度増幅してマルチプレクサ及びドライバ300を通じて第1ポート500に伝達する。
一方、この場合、第2マルチプレクサ121はディスエーブルされるので、共有メモリ領域A1に対する第2プロセッサ12のアクセス動作は遮断される。ところが、この場合に第2プロセッサ12は第2ポート510を通じて共有メモリ領域A1以外のメモリ領域をアクセスすることができる。ここで、前記メモリ領域のサイズ及び個数の設定は前記第1,2プロセッサの動作負荷によって変更できる。
再度図5〜図7に戻って、これからは共有メモリバンクA1にモデム10がデータをライトし、AP12がデータをリードする場合の例が説明される。
まず、図5の段階S91を参照すると、Bポートがディフォルトとしてアクセス権限を有することがわかる。従って、図6で権限を意味する信号AUTは“B−マスタ”に表示される。この場合にモデム10は図8の内部レジスタ50のセマフォ領域51を周期的にリードしてみても、AP12が権限を有しているものと確認される。次に、Aポートに接続されたモデム10がアクセス権限を要請する場合、AtoBのメールボックス52に権限を要請するデータをライトする。これは図5の段階S94に対応する。つまり、段階S94は、段階S93のアクセス権限のチェックの結果、Bポートが権限を有したと判明された以後に行われるようになる。前記アクセス要請の結果に従い図6の矢印符号A1のようにAP12にはDRAM17の出力信号INTbがローレベルとして印加される(段階S96)。よって、AP12のインタラプトコントローラー15は相対プロセッサ10からアクセス要請が入ったことを認知する。AP12は図6のタイムポイントS1で共有メモリ領域A1のアクセス動作を一応停止し、共有メモリ領域A1のメモリセルに記憶されたデータの滅失を防止するためにプリチャージを行う。段階S97でAP12はモデム10がデータをライトしたAtoBのメールボックス52をリードし、DRAM17の出力信号INTbをハイレベル状態にクリアする。従って、図6の矢印符号A2のように波形INTbのレベルはハイレベルに復帰される。図6のタイムポイントR1においてタイムポイントR2区間内でAP12は共有メモリ領域A1に対するプリチャージ及びアクセス権限を再度回復し、タイムポイントR2が過ぎるとセマフォ領域51にBマスタ解除とのデータをライトする。この場合、例えば、セマフォ領域51に“1”に表示されたデータは“0”に変わってAP12がアクセス権限を渡すとの意味をモデム10がわかるようにすることができる。セマフォ領域51を含む内部レジスタまたはバッファはフリップフロップ及びラッチ形態のメモリセルを有していてプリチャージ動作を必要としない。図5の段階S98はタイムポイントR2が過ぎた直後に完了される。図6のタイム区間a4においてセマフォ領域51を周期的にチェックしたモデム10はタイムポイントR2以後にセマフォ領域51をリードしてからアクセス権限が自分にあることを今になって認知する。図6及び図7のタイミングはバースト長さ4、CASレイテンシー3、及びWL1を有するDRAMの場合を挙げたもので、ここで、WLは図6に示される1クロック周期に対応するタイム区間a2をさす。図6において説明されなかったタイム区間a1、a3、a4、a5、a6、a7はtRCD、BL/2+tWR、アクセス権限獲得所要区間、tRP、tRCD、CL+BL/2をそれぞれさす。タイム区間a4は図5のモデム10が段階S95を行うのにかかる時間に対応する。これまでは図5のオーナーシップに含まれる各段階と図6のタイミングを通じて第1プロセッサのモデム10が、第2プロセッサのAP12がディフォルトタイプとして有していたアクセス権限を得ることに対する実施形態を説明してきた。
以下、アクセス権限を獲得したモデム10がデータをライトし、そのライトされたデータがAP12に伝送されることに対する説明が図5のデータプロセッシングに含まれた各段階と図7を参照にして説明される。
図5の段階S98が行われるに従いアクセス権限を獲得したモデム10は図5の段階S100、S101、S102を順次行う。段階S100、S101、S102はそれぞれ順次DRAMの共有メモリ領域にデータをライトする段階、相対プロセッサ向けメールボックスにメッセージデータをライトする段階、及びセマフォ領域51を解放する段階である。図7において権限を意味する信号AUTは全体タイム区間の前半部に“A−マスタ”に、全体タイム区間の後半部に“B−マスタ”に表示されたものであることが分かる。モデム10はtRPをさすタイム区間b1が過ぎた後に、タイム区間b2内で伝送するデータを共有メモリ領域A1にライトする。前記ライト動作は前述したマルチパスアクセス動作により実行される。ライト動作の終了後にモデム10はタイム区間b3の開始時点の以前にBtoAのメールボックス53に、たとえば「ライトされた伝送データがありますので、時間があるときご確認下さい」との旨のメッセージデータをライトする。その後、モデム10はタイム区間b3の終了時点をさすタイムポイントR3でセマフォ領域51の占有権限データを変更する。
AP12はモデム10がBtoAのメールボックス53にメッセージをライトすると、図7で示されるDRAM17のインタラプト出力信号INTbをローレベルとして受信する。従って、タイムポイントR4でAP12はインタラプトに応答する(段階S104)。そして、AP12は段階S105でBtoAのメールボックス53をリードし、DRAM17の出力信号INTbをハイレベル状態にクリアする。従って、図7の矢印符号A4のように波形INTbのレベルはハイレベルに復帰する。段階S106でAP12はセマフォ領域51をリードする。図7のタイムポイントR5でAP12は共有メモリ領域A1に対するプリチャージ及びアクセス権限を再度回復する。段階S107段階においてAP12は共有メモリ領域A1に書かれたモデムのデータをリードする。段階S107の実行は図7のタイム区間b5内で行われる。共有メモリ領域に記憶されたデータのリード動作は前述のマルチパスアクセス動作によりBポートを通じて行われる。
段階S108はAP12がメールボックスにメッセージデータをライトすることを示し、段階S109はアクセス権限を解除するためにセマフォを解放することを示すもので、データ伝送の以後に起こり得る段階を示す。段階S108に応じて、モデム10ではDRAMから伝送されたインタラプトを受け(段階S110)、メールボックスのメッセージデータをリードする動作(段階S111)が実行される。
上述のように、インターフェイシング動作がDRAM内部のレジスタを通じて行われ、いずれか一方のプロセッサがライトしたデータは相手のプロセッサによりリードされることがわかる。
また、ここでメールボックスを通じてデータ或いはコマンドを伝送する場合に対する利点を説明する。共有メモリ領域のアクセスは共有メモリ領域の制御権限を獲得したプロセッサのみにより許容されるが、メールボックス領域は制御権限とは関係なくいつでも両方のプロセッサのすべてをアクセスすることができる。従って、両方のプロセッサは特定ビットを割り当てて相対プロセッサにデータ或いはコマンドの伝送を行うことができる。メールボックスを通じてデータ或いはコマンドを伝送すると、制御権限を要請する時間の損失なしにもメールボックス大きさほどのデータを収めてやりとりできるとの長所もある。
図9は本発明の好適な他の実施形態に従い、図1におけるマルチパスアクセス可能なDRAMを有するマルチプロセッサシステムにおけるマルチパスアクセス可能なDRAMのメモリ領域とポート及び内部バッファの配置関係を示すブロック図である。
図9に示すように、本発明の好適な他の実施形態においては図2とは異なって、前記インターフェイス領域にチェック領域をさらに具備する。前記チェック領域は前記メールボックス領域に相対プロセッサに伝えるメッセージを記憶した場合、相手プロセッサで前記メッセージをリードしたかどうかがわかるようにする内容のチェック情報を記憶する領域である。
図9において前記内部レジスタ内に4ビットとして割り当てられたセマフォ領域、32ビットとして割り当てられたメールボックスAtoB領域、32ビットとして割り当てられたメールボックスBtoA領域、1ビットとして割り当てられたチェックAtoB領域、1ビットとして割り当てられたチェックBtoA領域、及び予備領域Rvdは前記特定ローアドレスにより共通イネーブルされ、印加されるコラムアドレスに従い個別にアクセス(マッピング)される。ここで、チェックAtoB領域及びチェックBtoA領域はそれぞれ2ビットに割り当て、1ビットは情報を記憶し、残りの1ビットは予備領域に活用されることができる。他の例として図2でのように前記セマフォ領域、メールボックスAtoB領域、メールボックスBtoA領域のそれぞれは16ビットとして割り当てられることができる。
つまり、特定ローアドレス(1FFF800h−1FFFFFFh)が印加されるとき、共有メモリ領域の対応する一部領域A2はディスエーブルされ、代わりに前記DRAM内のレジスタがイネーブルされて、プロセッサにDRAMインターフェイスが提供される。メールボックスAtoB領域は第1プロセッサ10ではリード及びライトが可能であるが、第2プロセッサ12ではリードだけ可能でライト動作は禁止され、メールボックスBtoA領域はこれと反対に第2プロセッサ12ではリード及びライトが可能であるが、第1プロセッサ10ではリードだけが可能でライト動作は禁止される。
前記レジスタに割り当てられたセマフォ領域には共有メモリ領域に対する制御権限が表示され、メールボックス領域には予め設定された伝送方向に応じて相対プロセッサに与えるメッセージ(権限要請、データ伝達、命令語伝送など)が書かれる。特に、メールボックス領域を通じて相対プロセッサにメッセージを伝達しようとする場合にはメールボックスライト命令語が使用される。前記ライト命令語が発生されると、予め定められた方向に該当プロセッサのインタラプト処理サービスを実行するようにDRAMは出力信号のインタラプト信号INTa,INTbを生成し、この出力信号はハードウェハ的に該当プロセッサのGPIO或いはUARTなどに接続される。
以下、上述のようなマルチパスアクセス可能な半導体メモリ装置におけるメールボックス領域を用いたメッセージ伝達方法とチェック領域のインターフェイス動作及びチェックのための別のピンを備えた場合に関してのみ図2〜図8で説明した。
図10には図9に示したようなDRAM構造を有するシステムにおいてプロセッサ間のメールボックス及びチェック領域に対するインターフェイス動作の例が図示される。
図10に示したように、まず、第1プロセッサ10で権限要請、データ伝達、命令語伝送などのメッセージを第2プロセッサ12に伝達しようとする場合、メールボックスAtoB領域にメッセージをライト(記憶)する。このとき、DRAM17は該当メールボックス、即ちメールボックスAtoB領域にメッセージがライトされたことを第2プロセッサ12に知らせるためにインタラプト信号INTbをイネーブル(発生)させる。
インタラプトINTbはメールボックスAtoB領域にメッセージがライトされるとイネーブルされ、第2プロセッサ12でメールボックスAtoB領域に記憶されたメッセージをリードした場合にディスエーブルされる。
以後、第1プロセッサ10ではチェックAtoB領域をモニタリングして第2プロセッサ12でメールボックスAtoB領域に記憶されたメッセージをリードしたかどうかをチェックする。チェックAtoB領域に具備されたチェックレジスタは第2プロセッサ12でメッセージをリードしたかどうかを知らせる情報を記憶する。チェックAtoB領域に具備されたチェックレジスタはインタラプト信号INTbの位相と同一位相または反対位相を有する情報が記憶されることができる。
同一位相を有する場合の動作を挙げて説明する。即ち、インタラプト信号INTbがローイネーブル状態の場合には第2プロセッサ12でメールボックスAtoB領域に記憶されたメッセージをリードしない場合なので、チェックAtoB領域にはローデータ(例えば、データ‘0’)が記憶される。以後、インタラプト信号INTbがハイディスエーブル状態の場合には第2プロセッサ12でメールボックスAtoB領域に記憶されたメッセージをリードした場合なので、チェックAtoB領域にはハイデータ(例えば、データ‘1’)が記憶される。第1プロセッサ10ではメールボックスAtoB領域にメッセージを記憶した後にチェックAtoB領域を随時にモニタリングしてチェックAtoB領域に記憶された情報をチェックすることにより、第2プロセッサ12でメールボックスAtoB領域に記憶されたメッセージをリードしたかどうかをチェックする。
第2プロセッサ12でメールボックスAtoB領域に記憶されたメッセージをリードしたことが確認される場合にはメールボックスAtoB領域に他のメッセージをライトする。上述のようなチェックAtoB領域を具備することにより、メールボックスAtoB領域にメッセージがオーバーライティングされる場合を防止することができる。
次いで、第2プロセッサ12で権限要請、データ伝達、命令語伝送などのメッセージを第1プロセッサ10に伝達しようとする場合を説明する。この場合、第2プロセッサ12ではメールボックスBtoA領域にメッセージをライト(記憶)する。このとき、DRAM17は該当メールボックス、即ちメールボックスBtoA領域にメッセージがライトされたことを第1プロセッサ10に知らせるためにインタラプト信号INTaをイネーブル(発生)させる。
インタラプトINTaはメールボックスBtoA領域にメッセージがライトされるとイネーブルされ、第1プロセッサ10でメールボックスBtoA領域に慮増されたメッセージをリードした場合にディスエーブルされる。
以後、第2プロセッサ12ではチェックBtoA領域をモニタリングして第1プロセッサ10でメールボックスBtoA領域に記憶されたメッセージをリードしたかどうかをチェックする。チェックBtoA領域に具備されたチェックレジスタは第1プロセッサ10でメッセージをリードしたかどうかを知らせる情報を記憶する。チェックBtoA領域に具備されたチェックレジスタはインタラプト信号INTaの位相と同一位相または反対位相を有する情報が記憶されることができる。
同一位相を有する場合の動作を挙げて説明する。即ち、インタラプト信号INTaがローイネーブル状態の場合には第1プロセッサ10でメールボックスBtoA領域に記憶されたメッセージをリードしない場合なので、チェックBtoA領域にはローデータ(例えば、データ‘0’)が記憶される。以後、インタラプト信号INTaがハイディスエーブル状態の場合には第1プロセッサ10でメールボックスBtoA領域に記憶されたメッセージをリードした場合なので、チェックBtoA領域にはハイデータ(例えば、データ‘1’)が記憶される。第2プロセッサ12ではメールボックスBtoA領域にメッセージを記憶した後にチェックBtoA領域を随時にモニタリングしてチェックBtoA領域に記憶された情報をチェックすることにより、第1プロセッサ10でメールボックスBtoA領域に記憶されたメッセージをリードしたかどうかをチェックする。
第1プロセッサ10でメールボックスBtoA領域に記憶されたメッセージをリードしたことが確認された場合にメールボックスBtoA領域に他のメッセージをライトする。上述のようなチェックBtoA領域を備えることにより、メールボックスBtoA領域にメッセージがオーバーライティングされる場合を防止することができる。
図10では二つのプロセッサを有する場合のみを説明したが、複数のプロセッサを有する場合の動作及び構造は本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者により容易に具現または理解されることができる。この場合、チェックAtoB領域及びチェックBtoA領域はメッセージをリードした相対プロセッサを除いた残りのプロセッサでモニタリングできるようにすることができる。
図11及び図12は本発明の好適なさらに他の実施形態に関するもので、図9及び図10で説明したようなチェック領域を具備せずに別の出力ピンを追加する方法により相対プロセッサでメッセージをリードしたかどうかを知り得る構成が図示される。
図11は図1と同様の構成を有しているので、異なった構成を有する部分に関してのみ説明する。
図11に示したように、DRAM17は互いに独立した二つのポートを有する。便意上、信号INTa,CHbが出力されるポートAを第1ポートとすれば、これは第1プロセッサ10及び第2プロセッサ12と接続される。ここで、第1プロセッサ10に入力される信号INTaはインタラプト信号として機能し、第2プロセッサ12に入力される信号CHbは第1プロセッサ10でメールボックスBtoA領域に記憶されたメッセージをリードしたかどうかを知らせるチェック信号である。
そして、信号INTb,CHaが出力されるポートBを第2ポートとすれば、これは第1プロセッサ10及び第2プロセッサ12と接続される。ここで、第2プロセッサ12に入力される信号INTbはインタラプト信号として機能し、第1プロセッサ10に入力される信号CHaは第2プロセッサ12でメールボックスAtoB領域に記憶されたメッセージをリードしたかどうかを知らせるチェック信号である。
図11には従来のインタラプト信号を用いて相対プロセッサメールボックス領域に記憶されたメッセージをリードしたかどうかを知り得るようにしている。これは前記インタラプト信号がプロセッサでメールボックスにメッセージをライトするとイネーブルされ、相対プロセッサで前記メールボックス領域に記憶されたメッセージをリードした場合にディスエーブルされる特性を用いたものである。この場合にチェック信号はインタラプト信号と同一位相を有する。但し、前記チェック信号はインタラプト信号がイネーブルされた場合にディスエーブルされ、インタラプト信号がディスエーブル状態の場合にイネーブルされた状態を有する。
以下、この場合の動作を図12を用いて説明する。
まず、第1プロセッサ10で権限要請、データ伝達、命令語伝送などのメッセージを第2プロセッサ12に伝達しようとする場合、メールボックスAtoB領域にメッセージをライト(記憶)する。このとき、DRAM17では該当メールボックス、即ちメールボックスAtoB領域にメッセージがライトされたことを第2プロセッサ12に知らせるためにインタラプト信号INTbがローイネーブル(発生)される。この場合、チェック信号CHaはインタラプト信号INTbと同一位相にディスエーブル状態を維持する。
以後、第2プロセッサ12でメールボックスAtoB領域に記憶されたメッセージをリードする場合、インタラプト信号INTbはハイディスエーブルされる。これと同時にチェック信号CHaはハイにイネーブルされて第1プロセッサ12にメールボックスAtoB領域に記憶されたメッセージがリードされたことを知らせる。
第1プロセッサ10では第2プロセッサ12でメールボックスAtoB領域に記憶されたメッセージをリードしたことがチェック信号CHaを通じて確認される場合にメールボックスAtoB領域に他のメッセージをライトする。
次いで、第2プロセッサ12で権限要請、データ伝達、命令語伝送などのメッセージを第1プロセッサ10に伝達しようとする場合、メールボックスBtoA領域にメッセージをライト(記憶)する。このとき、DRAM17では該当メールボックス、即ちメールボックスBtoA領域にメッセージがライトされたことを第1プロセッサ10に知らせるためにインタラプト信号INTaがローイネーブル(発生)される。この場合、チェック信号CHaはインタラプト信号INTaと同一位相にディスエーブル状態を維持する。
以後、第1プロセッサ10でメールボックスBtoA領域に記憶されたメッセージをリードする場合にインタラプト信号INTaはハイディスエーブルされる。これと同時にチェック信号CHbはハイにイネーブルされて第2プロセッサ12にメールボックスBtoA領域に記憶されたメッセージがリードされたことを知らせる。
第2プロセッサ12では第1プロセッサ10でメールボックスBtoA領域に記憶されたメッセージをリードしたことがチェック信号CHbを通じて確認される場合にメールボックスBtoA領域に他のメッセージをライトする。
図13は図10及び図12の動作タイミング図を一緒に示す。図面上には説明の便意上一緒に示したが、チェックレジスタを具備するか、またはインタラプト信号を用いたチェック信号を具備する場合には互いに異なった構成である。即ち、チェックレジスタ、いわばチェック領域が存在する場合には前記インタラプト信号を用いたチェック信号は発生せず、インタラプトを用いたチェック信号が存在する場合には前記チェックレジスタは存在しない。
また、図13は第1プロセッサ10でメールボックスにメッセージを記憶し、第2プロセッサ12でリードする場合の例である。
図13に示したように、第1プロセッサ10ではチェック領域内のチェックレジスタまたはチェック信号を通じてメールボックスにメッセージを記憶できるかどうかをチェックする。この場合には前記チェックレジスタがデータ‘1’を記憶しているかまたはチェック信号がハイイネーブル状態なので、第1プロセッサ10では前記メールボックスにメッセージをライトする。即ち、D0〜D3のメッセージを記憶する。以後、第1プロセッサ10は前記メールボックスにメッセージをライトしてから継続的にチェック領域またはチェック信号をモニタリングするかまたは他のメッセージを伝達しようとする場合のみにモニタリングできる。
第1プロセッサ10で前記メールボックスにメッセージを記憶する場合に前記DRAMではインタラプト信号INTbをローイネーブルさせて第2プロセッサ12に伝達する。そして、前記チェックレジスタはデータ‘0’を記憶するかまたはチェック信号がローディスエーブル状態に変わるようになる。
そこで、第2プロセッサ12では前記メールボックスに記憶されたメッセージをリードする。第2プロセッサ12では前記メールボックスに記憶されたメッセージをリードする前までは前記チェック情報がディスエーブル状態またはデータ‘0’状態を維持するので、第1プロセッサ10ではチェック情報CHaを通じて前記メールボックスに他のメッセージをライトするのが可能かどうかをチェックすることができる。
インタラプト信号INTbを通じてメールボックスにメッセージが記憶されていることがわかった第2プロセッサ12で前記メールボックスに記憶されたメッセージをリードすると、インタラプト信号INTbはハイディスエーブルされ、チェック情報CHaはデータ‘1’状態またはハイイネーブル状態に変わる。
以後、第1プロセッサ10では前記チェック情報を通じて前記メールボックスに他のメッセージを記憶する。
上述したような構成によりメールボックスを通じてメッセージを送ったプロセッサは相対プロセッサがメッセージをりーどしたかどうかを知ることができるし、従って、メッセージ重複及びメールボックスへのオーバーライティングが防止されるようになる。
上述した実施形態で言及されたシステムにおいて前記インターフェイス部の動作のためには、特定ローアドレス(1FFF800h−1FFFFFFh)が印加されるとき、共有メモリ領域の対応する特定ワードラインはディスエーブルされ、その代わりに前記インターフェイス部がイネーブルされるようにする別途の回路が必要である。ここではこれを‘レジスタアクセス回路’と称する。
前記レジスタアクセス回路のブロック図が図14に図示される。
図14に示すように、レジスタアクセス回路100は、レジスタアドレス判断部110、共有メモリ領域アドレス判断部120、及びレジスタアクセス信号発生部130を備える。レジスタアクセス回路100は前記特定アドレスに対応するメモリセルのアクセスを防止し、前記DRAMインターフェイス部をイネーブルするための回路である。
レジスタアドレス判断部110は印加されるアドレスが前記インターフェイス部をアクセスするためのアドレスであるかどうかを判断して、印加されるアドレスが特定ローアドレス(1FFF800h−1FFFFFFh)の場合に第1イネーブル信号REG_ADDを発生(イネーブル)させる。即ち、特定ローアドレス(1FFF800h−1FFFFFFh)を除いたロードレスが印加される場合には第1イネーブル信号REG_ADDは発生しない。
共有メモリ領域アドレス判断部120はメモリ領域B1−B4のうちいずれ一つのメモリ領域を選択するために印加されるメモリアドレスが前記共有メモリ領域を選択するためのメモリアドレスであるかどうかを判断する。即ち、前記共有メモリ領域を選択するためのメモリアドレスが印加される場合に第2イネーブル信号SBを発生(イネーブル)させる。
前記共有メモリ領域がバンクメモリ領域にして構成される場合、例えばBバンクで構成される場合にBバンクB2を選択するためのバンクアドレスが前記共有メモリ領域を選択するためのメモリアドレスであることができる。
前記共有メモリ領域に対する特定ローアドレス(1FFF80h−1FFFFFFh)をここでは‘レジスタアドレス’と称する。
第2イネーブル信号SBが必要な理由は特定ローアドレス(1FFF800h−1FFFFFFh)がバンクメモリごとに存在するので、前記インターフェイス部に対するレジスタアドレスを特定するためには共有メモリ領域に対するアドレスであるかどうかを確認する必要があるためである。
レジスタアドレス信号発生部130は第1イネーブル信号REG_ADD及び第2イネーブル信号SBに応じてレジスタアクセス信号REG_ACCESSを発生させる。レジスタアクセス信号REG_ACCESSは第1イネーブル信号REG_ADD及び第2イネーブル信号SBがすべてイネーブルされた場合のみに発生(イネーブル)され、いずれ一つでもイネーブルされていないと発生(イネーブル)されない。
レジスタアクセス信号REG_ACCESSは優先的にインターフェイス部170をイネーブルさせる。インターフェイス部170を構成するレジスタがイネーブルされるようになる。
そして、レジスタアクセス信号REG_ACCESSは特定ローアドレス(1FFF800h−1FFFFFFh)に対応するワードラインがイネーブルされないように制御する。即ち、ワードライン駆動部140でワードラインイネーブルのための信号が発生されないようにする。これは特定ローアドレス(1FFF800h−1FFFFFFh)に対応するワードラインに接続されるメモリセルに対するアクセスを防止するためのものである。
ワードライン駆動部140を構成する回路には本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者によく知られたサブワードラインドライバ、ノーマルワードラインイネーブル信号(NWE)発生回路、及びワードライン選択信号(PXI)発生回路などが含まれる。
レジスタアクセス信号REG_ACCESSは上述のようなサブワードラインドライバ、ノーマルワードラインイネーブル信号(NWE)発生回路、及びワードライン選択信号(PXI)発生回路などの動作を制御することができる。即ち、前記サブワードラインドライバ、ノーマルワードラインイネーブル信号(NWE)発生回路、及びワードライン選択信号(PXI)発生回路などの動作を実行しないように制御することができる。言い替えれば、サブワードラインドライバ、ノーマルワードラインイネーブル信号(NWE)発生回路、及びワードライン選択信号(PXI)発生回路をイネーブルさせるためのイネーブル信号が発生しないように制御することができる。
次いで、レジスタアクセス信号(REG_ACCESS)はデータリード動作のためのセンシングパス部150をディスエーブルさせる。センシングパス部150はメモリセルでデータをリードするために動作されるセンスアンプを含むリード関連回路を含む。これは特定ローアドレス(1FFF800h−1FFFFFFh)が印加される場合、これに対応するメモリセルのデータセンシングのためにリードと関連されたセンシングパス部150をイネーブルするための信号が発生されるので、これらのイネーブルを防止するためのものである。
レジスタアクセス信号(REG_ACCESS)はリード動作と関連されたセンシングパス部150はディスエーブルさせるが、ライト動作及びデータ入出力と関連されたデータパス部160はディスエーブルさせずにイネーブルさせる。これはインターフェイス部170を構成するレジスタに情報を記憶するためにはデータパス部160がディスエーブルされてはいけないためである。
前記DRAMがセンシングパス部150とデータパス部160を同時にイネーブルまたはディスエーブルするように制御される構造を有する場合には前記レジスタアクセス信号REG_ACCESSはこれらのイネーブルを同時に制御する制御信号がイネーブルされずにディスエーブル状態を維持するようにし、データパス部160のイネーブルのための信号が別途に発生されるように制御する。
要約すると、レジスタアクセス信号REG_ACCESSは前記インターフェイス部の動作と関連された回路はイネーブルさせ、これと関連されずに前記特定ローアドレスに対応するワードラインがイネーブルさせた場合に必要な回路はディスエーブルさせる。
上述したように、DRAM内にインターフェイス部を備えるマルチパスアクセス可能な半導体メモリ装置において、前記インターフェイス部をイネーブルさせるためのレジスタアドレスが入力される場合にこれに対応するワードラインをディスエーブルさせることができるようになる。また、前記インターフェイス動作を関連のないセンシングパス部をディスエーブルさせることにより、電力消費を減らすことができるという長所がある。
上述の説明では本発明の実施形態を主にして図面に基づき説明したが、本発明の技術的思想の範囲内で本発明を多様に変形または変更可能であることは、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者には明らかなことである。例えば、思案の異なった場合に本発明の技術的思想を逸脱しない限り、メモリ内部のレジスタ構成及びバンク構成、または回路構成及びアクセス方法を多様に変形または変更できる。
例えば、4個のメモリ領域のうち1個を共有メモリ領域に、残りの3個を専用メモリ領域に指定するか、或いは4個のメモリ領域のすべてを共有メモリ領域に設定することができる。また、2個のプロセッサを使用するシステムの場合を主にしてあげたが、3個以上のプロセッサがシステムに採用される場合に一つのDRAMに3個以上のポートを設置し、特定な時間に3個のうち一つのプロセッサが設定された共有メモリをアクセスするようにすることができる。そして、DRAMの場合を挙げたが、ここに限定されずにスタティックランダムアクセスメモリ及び不揮発性メモリなども本発明の技術的思想に含まれる。
Claims (30)
- 半導体メモリ装置であって、
複数のプロセッサの数に対応して互いに独立して設けられたポートと動作可能に接続されて前記複数のプロセッサにより選択的にアクセスされ、メモリセルアレイ内に少なくとも一つ以上割り当てられた共有メモリ領域と、
前記プロセッサから印加される外部信号に応じて前記ポートのうち選択された一つのポートと前記共有メモリ領域間のデータアクセスパスが形成されるようにするアクセスパス形成部と、
前記複数のプロセッサ間の通信の際にインターフェイシング機能の提供のために前記共有メモリ領域の特定アドレスに対応して対置的にアクセスされるセマフォ領域及びメールボックス領域を有するインターフェイス部と、を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記アクセスパス形成部は、前記外部信号を論理組合せしてパス決定信号を生成するパス決定部と、
前記パス決定信号に応じて前記ポートを通じてそれぞれ印加されるロー及びコラムアドレスのうち一つのロー及びコラムアドレスを選択し、これを前記共有メモリ領域と接続されたローデコーダー及びコラムデコーダーにそれぞれ印加するためのロー及びコラムアドレスマルチプレクサと、
前記パス決定信号に応じて前記共有メモリ領域のグローバル入出力ライン対と第1データ入出力ライン対間、または前記共有メモリ領域のグローバル入出力ライン対と第2データ入出力ライン対間を接続するためのグローバル第1,2マルチプレクサと、
前記グローバル第1マルチプレクサと前記ポートのうち一つの第1ポート間に設けられた第1入出力関連回路及び前記グローバル第2マルチプレクサと前記ポートのうち他の一つの第2ポート間に設けられた第2入出力関連回路を含む入出力関連パス部と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1入出力関連回路は、前記グローバル第1マルチプレクサと動作可能に接続された入出力センスアンプ、前記入出力センスアンプと動作可能に接続されたデータマルチプレクサ、前記マルチプレクサと接続されたデータ出力バッファ、及び前記データ出力バッファと接続されて出力データを駆動するデータ出力ドライバで構成されたデータ出力パス回路と、
前記第1ポートに接続されたデータ入力バッファ、前記データ入力バッファに接続されてライトデータを1次的に駆動する第1入力ドライバ、及び前記第1入力ドライバに接続されて前記ライトデータを2次的に駆動する第2入力ドライバで構成されたデータ入力パス回路と、を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。 - 前記共有メモリ領域に行と列のマトリックス形態で配置される複数のメモリセルは、一つのアクセストランジスタとストレージキャパシタで構成されたDRAMメモリセルであることを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。
- 前記共有メモリ領域の一つには前記入出力センスアンプが二つ配置されることを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。
- 前記グローバル第1,2マルチプレクサは互いに反対のスイッチング動作を行うことを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。
- 前記パス決定部は、前記ポートを通じてそれぞれ印加されるローアドレスストローブ信号とライトイネーブル信号及びバンク選択アドレスを論理組合せして前記パス決定信号を生成することを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ装置。
- 前記複数のプロセッサは、前記共有メモリ領域のグローバル入出力ライン対、前記グローバル入出力ライン対と動作可能に接続されるローカル入出力ライン対、前記ローカル入出力ライン対とはコラム選択信号により動作可能に接続されるビットライン対、前記ビットライン対に設けられてビットラインのデータを感知増幅するビットラインセンスアンプ、及び前記ビットライン対にメモリセルを形成するアクセストランジスタが接続されたメモリセルを前記ポートを通じて共有することを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ装置。
- 前記特定アドレスにより前記インターフェイス部がアクセスされるときに前記共有メモリ領域の特定ワードラインに接続されたメモリセルはすべてディスエーブルされることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記インターフェイス部は内部バッファを有し、前記特定アドレスが行アドレスの場合に前記セマフォ領域とメールボックス領域はコラムアドレスによりアクセスされることを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。
- 前記セマフォ領域とメールボックス領域はそれぞれ16ビットメモリ領域を有することを特徴とする請求項10に記載の半導体メモリ装置。
- 携帯用通信システムであって、
第1設定タスクを行う第1プロセッサと、
第2設定タスクを行う第2プロセッサと、
前記第1,2プロセッサのすべてによりアクセスされる共有メモリ領域と前記第1,2プロセッサのそれぞれによりアクセスされる専用メモリ領域を有するメモリセルアレイ、前記第1,2プロセッサのバスとそれぞれに対応して接続される第1,2ポート、前記第1,2プロセッサから印加される外部信号に応じて前記ポートのうち選択された一つのポートと前記共有メモリ領域間のデータアクセスパスが形成されるようにするアクセスパス形成部、及び前記第1,2プロセッサ間の通信の際にインターフェイシング機能の提供のために前記共有メモリ領域の特定アドレスに対応して対置的にアクセスされるセマフォ領域とメールボックス領域を有するレジスタ部を含むダイナミックランダムアクセスメモリと、を備えることを特徴とする携帯用通信システム。 - プロセッサ間の通信の際にDRAMインターフェイスを使用し、セマフォ領域とメールボックス領域を有するDRAM内のインターフェイス部を用いて前記プロセッサが共通にアクセス可能な共有メモリ領域を通じてデータ通信が行われるようにすることを特徴とするプロセッサ間のインターフェイシング方法。
- 半導体メモリ装置であって、
複数のプロセッサの数に対応して互いに独立して設けられたポートのうち選択された一つのポートとのデータアクセスパスが形成されて前記複数のプロセッサにより選択的にアクセスされ、メモリセルアレイ内に少なくとも一つ以上割り当てられた共有メモリ領域と、
前記複数のプロセッサ間の通信の際にインターフェイシング機能の提供のために前記共有メモリ領域の特定アドレスに対応して対置的にアクセスされるセマフォ領域、メールボックス領域、及びチェック領域を有するインターフェイス部と、を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記共有メモリ領域に行と列のマトリックス形態で配置される複数のメモリセルは、一つのアクセストランジスタとストレージキャパシタで構成されたDRAMメモリセルであることを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置。
- 前記特定アドレスにより前記インターフェイス部がアクセスされるときに前記共有メモリ領域の特定ワードラインに接続されたメモリセルはすべてディスエーブルされることを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置。
- 前記インターフェイス部は特定ローアドレスが印加される場合に共通イネーブルされ、個別に印加されるコラムアドレスに従い前記セマフォ領域、メールボックス領域、及びチェック領域がアクセスされることを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ装置。
- 前記メールボックス領域及び前記チェック領域は前記ポートの数だけそれぞれ具備されることを特徴とする請求項17に記載の半導体メモリ装置。
- 前記メールボックス領域は予め設定された伝送方向に従い相対プロセッサに伝達する権限要請、データ伝達及び命令語伝送などのメッセージが記憶されることを特徴とする請求項18に記載の半導体メモリ装置。
- 前記メールボックス領域にメッセージが記憶された場合、メールボックスにメッセージが記憶されたことを相対プロセッサに知らせる信号のインタラプト信号を備えることを特徴とする請求項19に記載の半導体メモリ装置。
- 前記インタラプト信号は対応するメールボックスにメッセージがライトされるとイネーブルされ、相対プロセッサで前記メールボックスに記憶されたメッセージをリードした場合にディスエーブルされることを特徴とする請求項20に記載の半導体メモリ装置。
- 前記チェック領域は相対プロセッサで前記メールボックスに記憶されたメッセージをリードしたかどうかに対する情報を記憶することを特徴とする請求項21に記載の半導体メモリ装置。
- 前記チェック領域に記憶された情報は前記メールボックスに記憶されたメッセージをリードした相対プロセッサを除いた残りのプロセッサでモニタリングできることを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置。
- 前記半導体メモリ装置が二つのポートを有する場合、前記セマフォ領域及びメールボックス領域のそれぞれは16ビットメモリ領域を有し、前記チェック領域はそれぞれ1びっとまたは2ビットメモリ領域を有することを特徴とする請求項23に記載の半導体メモリ装置。
- 前記半導体メモリ装置が二つのポートを有する場合、前記セマフォ領域は4ビットメモリ領域を有し、前記メールボックス領域のそれぞれは32ビットメモリ領域を有し、前記チェック領域のそれぞれは1ビットまたは2ビットメモリ領域を有することを特徴とする請求項23に記載の半導体メモリ装置。
- 前記特定アドレスに対応するメモリセルのアクセスを防止し、前記インターフェイス部をイネーブルするためのレジスタアクセス回路を備えることを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ装置。
- 前記レジスタアクセス回路は、印加されるアドレスが前記インターフェイス部をアクセスするためのアドレスであるかどうかを判断して、印加されるアドレスが前記特定アドレスである場合に第1イネーブル信号を発生するレジスタアドレス判断部と、
メモリ領域のうちいずれ一つのメモリ領域を選択するためのメモリアドレスが前記共有メモリ領域を選択するためのメモリアドレスであるかどうかを判断して、前記共有メモリ領域を選択するためのメモリアドレスが印加される場合に第2イネーブル信号を発生させる共有メモリ領域アドレス判断部と、
前記第1イネーブル信号及び前記第2イネーブル信号に応じてレジスタアクセス信号を発生するレジスタアクセス信号発生部と、を備えることを特徴とする請求項26に記載の半導体メモリ装置。 - 前記レジスタアクセス信号は、前記特定ローアドレスに対応するワードラインのイネーブルのための回路を含むワードライン駆動部をディスエーブルさせ、前記ワードラインに接続されたメモリセルのデータをリードするためのセンスアンプを含むリード関連回路を備えるセンシングパス部をディスエーブルさせ、データライティング関連回路及びデータ入出力のための入出力ラインを含むデータパス部をイネーブルさせることを特徴とする請求項27に記載の半導体メモリ装置。
- 前記ワードライン駆動部はサブワードラインドライバ、ノーマルワードラインイネーブル信号(NWE)発生回路、ワードライン選択信号(PXI)発生回路を含むことを特徴とする請求項28に記載の半導体メモリ装置。
- 前記レジスタアクセス信号は前記ワードライン駆動部をイネーブルさせるためのイネーブル信号の発生を防止することを特徴とする請求項29に記載の半導体メモリ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060071455A KR100772841B1 (ko) | 2006-07-28 | 2006-07-28 | 프로세서들간 호스트 인터페이싱 기능을 갖는 멀티패쓰억세스블 반도체 메모리 장치 |
KR1020060112559A KR100781983B1 (ko) | 2006-11-15 | 2006-11-15 | 체크 정보 제공기능을 가지는 멀티패쓰 억세스블 반도체메모리 장치 |
KR1020060112557A KR100781974B1 (ko) | 2006-11-15 | 2006-11-15 | 레지스터 억세스회로를 가지는 멀티패스 억세스블 반도체메모리 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008034095A true JP2008034095A (ja) | 2008-02-14 |
Family
ID=38955085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007197758A Pending JP2008034095A (ja) | 2006-07-28 | 2007-07-30 | プロセッサ間のホストインターフェイシング機能を有するマルチパスアクセス可能な半導体メモリ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7941612B2 (ja) |
JP (1) | JP2008034095A (ja) |
DE (1) | DE102007036547A1 (ja) |
TW (1) | TW200813724A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012108886A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Micron Technology Inc | 組込み型チャネル選択を備えるマルチチャネルメモリ |
JP2013516010A (ja) * | 2009-12-29 | 2013-05-09 | ゼットティーイー コーポレイション | マルチプロセッサの完全な相互アクセス方法及びシステム |
JP2017091543A (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-25 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | マルチプロセッサによって共有されるメモリを含むマルチプロセッサシステム、及び該システムの動作方法 |
US10846132B2 (en) | 2017-12-07 | 2020-11-24 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Information processing apparatus |
Families Citing this family (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100855587B1 (ko) * | 2007-01-17 | 2008-09-01 | 삼성전자주식회사 | 메일박스 영역을 가지는 멀티 패스 액세스블 반도체 메모리장치 및 그에 따른 메일박스 액세스 제어방법 |
KR101414774B1 (ko) * | 2007-08-29 | 2014-08-07 | 삼성전자주식회사 | 멀티포트 반도체 메모리 장치 |
US8621137B2 (en) * | 2007-12-27 | 2013-12-31 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Metadata rebuild in a flash memory controller following a loss of power |
JP2009199344A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Toshiba Corp | データ処理装置 |
KR20090092370A (ko) * | 2008-02-27 | 2009-09-01 | 삼성전자주식회사 | 프로세서들 간의 데이터 이동 이벤트를 감소시키는멀티포트 반도체 메모리 장치 및 그를 채용한 멀티프로세서 시스템과 멀티포트 반도체 메모리 장치의구동방법 |
KR20090103070A (ko) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | 삼성전자주식회사 | 멀티 링크 아키텍쳐에서 저장 상태정보의 다이렉트전송기능을 갖는 멀티 프로세서 시스템 |
JP2009289307A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US8667504B2 (en) * | 2008-06-20 | 2014-03-04 | Netapp, Inc. | System and method for achieving high performance data flow among user space processes in storage system |
KR20100032504A (ko) * | 2008-09-18 | 2010-03-26 | 삼성전자주식회사 | 공유 버스를 갖는 불휘발성 메모리와 멀티포트 반도체 메모리 장치를 채용한 멀티 프로세서 시스템 |
US8402188B2 (en) * | 2008-11-10 | 2013-03-19 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for devices with a self-selecting bus decoder |
US8561138B2 (en) * | 2008-12-31 | 2013-10-15 | Intel Corporation | System and method to provide added security to a platform using locality-based data |
DE102009037158B4 (de) * | 2009-08-04 | 2016-01-21 | Lenze Automation Gmbh | Steuervorrichtung zur Steuerung eines elektrischen Antriebs |
KR20120017237A (ko) * | 2010-08-18 | 2012-02-28 | 삼성전자주식회사 | 서브 워드 라인 드라이버 및 이를 포함한 장치들 |
CN102654858B (zh) * | 2011-03-04 | 2015-02-04 | 国基电子(上海)有限公司 | 双处理器系统及双处理器系统的通信方法 |
US8909982B2 (en) | 2011-06-19 | 2014-12-09 | Sandisk Enterprise Ip Llc | System and method for detecting copyback programming problems |
US8910020B2 (en) | 2011-06-19 | 2014-12-09 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Intelligent bit recovery for flash memory |
US8938658B2 (en) | 2011-11-07 | 2015-01-20 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Statistical read comparison signal generation for memory systems |
US9048876B2 (en) | 2011-11-18 | 2015-06-02 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Systems, methods and devices for multi-tiered error correction |
US8924815B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-12-30 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Systems, methods and devices for decoding codewords having multiple parity segments |
US8954822B2 (en) | 2011-11-18 | 2015-02-10 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Data encoder and decoder using memory-specific parity-check matrix |
US9699263B1 (en) | 2012-08-17 | 2017-07-04 | Sandisk Technologies Llc. | Automatic read and write acceleration of data accessed by virtual machines |
US9501398B2 (en) | 2012-12-26 | 2016-11-22 | Sandisk Technologies Llc | Persistent storage device with NVRAM for staging writes |
US9239751B1 (en) | 2012-12-27 | 2016-01-19 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Compressing data from multiple reads for error control management in memory systems |
US9612948B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-04-04 | Sandisk Technologies Llc | Reads and writes between a contiguous data block and noncontiguous sets of logical address blocks in a persistent storage device |
US9454420B1 (en) | 2012-12-31 | 2016-09-27 | Sandisk Technologies Llc | Method and system of reading threshold voltage equalization |
US9003264B1 (en) | 2012-12-31 | 2015-04-07 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Systems, methods, and devices for multi-dimensional flash RAID data protection |
US9214965B2 (en) | 2013-02-20 | 2015-12-15 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Method and system for improving data integrity in non-volatile storage |
US9329928B2 (en) | 2013-02-20 | 2016-05-03 | Sandisk Enterprise IP LLC. | Bandwidth optimization in a non-volatile memory system |
US9870830B1 (en) | 2013-03-14 | 2018-01-16 | Sandisk Technologies Llc | Optimal multilevel sensing for reading data from a storage medium |
US9236886B1 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-12 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Universal and reconfigurable QC-LDPC encoder |
US9367246B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-06-14 | Sandisk Technologies Inc. | Performance optimization of data transfer for soft information generation |
US9136877B1 (en) | 2013-03-15 | 2015-09-15 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Syndrome layered decoding for LDPC codes |
US9244763B1 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-26 | Sandisk Enterprise Ip Llc | System and method for updating a reading threshold voltage based on symbol transition information |
US9009576B1 (en) | 2013-03-15 | 2015-04-14 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Adaptive LLR based on syndrome weight |
US9092350B1 (en) | 2013-03-15 | 2015-07-28 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Detection and handling of unbalanced errors in interleaved codewords |
US10049037B2 (en) | 2013-04-05 | 2018-08-14 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Data management in a storage system |
US9170941B2 (en) | 2013-04-05 | 2015-10-27 | Sandisk Enterprises IP LLC | Data hardening in a storage system |
US9159437B2 (en) | 2013-06-11 | 2015-10-13 | Sandisk Enterprise IP LLC. | Device and method for resolving an LM flag issue |
US9043517B1 (en) | 2013-07-25 | 2015-05-26 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Multipass programming in buffers implemented in non-volatile data storage systems |
US9524235B1 (en) | 2013-07-25 | 2016-12-20 | Sandisk Technologies Llc | Local hash value generation in non-volatile data storage systems |
US9384126B1 (en) | 2013-07-25 | 2016-07-05 | Sandisk Technologies Inc. | Methods and systems to avoid false negative results in bloom filters implemented in non-volatile data storage systems |
US9639463B1 (en) | 2013-08-26 | 2017-05-02 | Sandisk Technologies Llc | Heuristic aware garbage collection scheme in storage systems |
US9235509B1 (en) | 2013-08-26 | 2016-01-12 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Write amplification reduction by delaying read access to data written during garbage collection |
US9519577B2 (en) | 2013-09-03 | 2016-12-13 | Sandisk Technologies Llc | Method and system for migrating data between flash memory devices |
US9442670B2 (en) | 2013-09-03 | 2016-09-13 | Sandisk Technologies Llc | Method and system for rebalancing data stored in flash memory devices |
US9158349B2 (en) | 2013-10-04 | 2015-10-13 | Sandisk Enterprise Ip Llc | System and method for heat dissipation |
US9323637B2 (en) | 2013-10-07 | 2016-04-26 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Power sequencing and data hardening architecture |
US9442662B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-09-13 | Sandisk Technologies Llc | Device and method for managing die groups |
US9298608B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-03-29 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Biasing for wear leveling in storage systems |
US9436831B2 (en) | 2013-10-30 | 2016-09-06 | Sandisk Technologies Llc | Secure erase in a memory device |
US9263156B2 (en) | 2013-11-07 | 2016-02-16 | Sandisk Enterprise Ip Llc | System and method for adjusting trip points within a storage device |
US9244785B2 (en) | 2013-11-13 | 2016-01-26 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Simulated power failure and data hardening |
US9152555B2 (en) | 2013-11-15 | 2015-10-06 | Sandisk Enterprise IP LLC. | Data management with modular erase in a data storage system |
US9703816B2 (en) | 2013-11-19 | 2017-07-11 | Sandisk Technologies Llc | Method and system for forward reference logging in a persistent datastore |
US9520197B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-12-13 | Sandisk Technologies Llc | Adaptive erase of a storage device |
US9122636B2 (en) | 2013-11-27 | 2015-09-01 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Hard power fail architecture |
US9520162B2 (en) | 2013-11-27 | 2016-12-13 | Sandisk Technologies Llc | DIMM device controller supervisor |
US9280429B2 (en) | 2013-11-27 | 2016-03-08 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Power fail latching based on monitoring multiple power supply voltages in a storage device |
US9250676B2 (en) | 2013-11-29 | 2016-02-02 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Power failure architecture and verification |
US9582058B2 (en) | 2013-11-29 | 2017-02-28 | Sandisk Technologies Llc | Power inrush management of storage devices |
US9092370B2 (en) | 2013-12-03 | 2015-07-28 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Power failure tolerant cryptographic erase |
US9235245B2 (en) | 2013-12-04 | 2016-01-12 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Startup performance and power isolation |
US9129665B2 (en) | 2013-12-17 | 2015-09-08 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Dynamic brownout adjustment in a storage device |
US9549457B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-01-17 | Sandisk Technologies Llc | System and method for redirecting airflow across an electronic assembly |
US9497889B2 (en) | 2014-02-27 | 2016-11-15 | Sandisk Technologies Llc | Heat dissipation for substrate assemblies |
US9703636B2 (en) | 2014-03-01 | 2017-07-11 | Sandisk Technologies Llc | Firmware reversion trigger and control |
US9485851B2 (en) | 2014-03-14 | 2016-11-01 | Sandisk Technologies Llc | Thermal tube assembly structures |
US9348377B2 (en) | 2014-03-14 | 2016-05-24 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Thermal isolation techniques |
US9519319B2 (en) | 2014-03-14 | 2016-12-13 | Sandisk Technologies Llc | Self-supporting thermal tube structure for electronic assemblies |
US9454448B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-09-27 | Sandisk Technologies Llc | Fault testing in storage devices |
US9448876B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-09-20 | Sandisk Technologies Llc | Fault detection and prediction in storage devices |
US9390814B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-07-12 | Sandisk Technologies Llc | Fault detection and prediction for data storage elements |
US9390021B2 (en) | 2014-03-31 | 2016-07-12 | Sandisk Technologies Llc | Efficient cache utilization in a tiered data structure |
US9626399B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-04-18 | Sandisk Technologies Llc | Conditional updates for reducing frequency of data modification operations |
US9626400B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-04-18 | Sandisk Technologies Llc | Compaction of information in tiered data structure |
US9697267B2 (en) | 2014-04-03 | 2017-07-04 | Sandisk Technologies Llc | Methods and systems for performing efficient snapshots in tiered data structures |
US9645749B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-05-09 | Sandisk Technologies Llc | Method and system for recharacterizing the storage density of a memory device or a portion thereof |
US9703491B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-07-11 | Sandisk Technologies Llc | Using history of unaligned writes to cache data and avoid read-modify-writes in a non-volatile storage device |
US8891303B1 (en) | 2014-05-30 | 2014-11-18 | Sandisk Technologies Inc. | Method and system for dynamic word line based configuration of a three-dimensional memory device |
US10114557B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-10-30 | Sandisk Technologies Llc | Identification of hot regions to enhance performance and endurance of a non-volatile storage device |
US10162748B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-12-25 | Sandisk Technologies Llc | Prioritizing garbage collection and block allocation based on I/O history for logical address regions |
US10146448B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-12-04 | Sandisk Technologies Llc | Using history of I/O sequences to trigger cached read ahead in a non-volatile storage device |
US10656842B2 (en) | 2014-05-30 | 2020-05-19 | Sandisk Technologies Llc | Using history of I/O sizes and I/O sequences to trigger coalesced writes in a non-volatile storage device |
US9070481B1 (en) | 2014-05-30 | 2015-06-30 | Sandisk Technologies Inc. | Internal current measurement for age measurements |
US9093160B1 (en) | 2014-05-30 | 2015-07-28 | Sandisk Technologies Inc. | Methods and systems for staggered memory operations |
US10656840B2 (en) | 2014-05-30 | 2020-05-19 | Sandisk Technologies Llc | Real-time I/O pattern recognition to enhance performance and endurance of a storage device |
US10372613B2 (en) | 2014-05-30 | 2019-08-06 | Sandisk Technologies Llc | Using sub-region I/O history to cache repeatedly accessed sub-regions in a non-volatile storage device |
US9652381B2 (en) | 2014-06-19 | 2017-05-16 | Sandisk Technologies Llc | Sub-block garbage collection |
US9443601B2 (en) | 2014-09-08 | 2016-09-13 | Sandisk Technologies Llc | Holdup capacitor energy harvesting |
US9785593B2 (en) * | 2014-09-17 | 2017-10-10 | Htc Corporation | Portable device with data transmission between main system and subsystem and control method therefor |
DE102016222691A1 (de) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Mikrocontrollersystem und Verfahren zur Kontrolle von Speicherzugriffen in einem Mikrocontrollersystem |
KR20180080463A (ko) * | 2017-01-04 | 2018-07-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법 |
US10649771B2 (en) | 2017-03-31 | 2020-05-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102235803B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2021-04-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
GB2570474B (en) * | 2018-01-26 | 2020-04-15 | Advanced Risc Mach Ltd | Region fusing |
US11169953B2 (en) * | 2018-02-28 | 2021-11-09 | SK Hynix Inc. | Data processing system accessing shared memory by using mailbox |
TWI811038B (zh) * | 2022-07-25 | 2023-08-01 | 慧榮科技股份有限公司 | 記憶體控制器與偵錯訊息輸出控制方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5398211A (en) | 1993-10-14 | 1995-03-14 | Integrated Device Technology, Inc. | Structure and method for providing prioritized arbitration in a dual port memory |
FR2739510A1 (fr) * | 1995-10-02 | 1997-04-04 | Canon Kk | Convertisseur de communication, appareils de communication, procede d'identification, procede de transmission de trames et systemes de communication les mettant en oeuvre |
US5946262A (en) | 1997-03-07 | 1999-08-31 | Mitsubishi Semiconductor America, Inc. | RAM having multiple ports sharing common memory locations |
US6460120B1 (en) | 1999-08-27 | 2002-10-01 | International Business Machines Corporation | Network processor, memory organization and methods |
US6545935B1 (en) | 2000-08-29 | 2003-04-08 | Ibm Corporation | Dual-port DRAM architecture system |
US6938253B2 (en) * | 2001-05-02 | 2005-08-30 | Portalplayer, Inc. | Multiprocessor communication system and method |
US7380085B2 (en) | 2001-11-14 | 2008-05-27 | Intel Corporation | Memory adapted to provide dedicated and or shared memory to multiple processors and method therefor |
US7562193B2 (en) | 2004-04-19 | 2009-07-14 | Nokia Corporation | Memory with single and dual mode access |
KR100855587B1 (ko) * | 2007-01-17 | 2008-09-01 | 삼성전자주식회사 | 메일박스 영역을 가지는 멀티 패스 액세스블 반도체 메모리장치 및 그에 따른 메일박스 액세스 제어방법 |
KR100879463B1 (ko) * | 2007-05-11 | 2009-01-20 | 삼성전자주식회사 | 억세스 권한 이양 시 프리차아지 스킵을 방지하는 동작을갖는 멀티패쓰 억세스블 반도체 메모리 장치 |
-
2007
- 2007-07-19 TW TW096126410A patent/TW200813724A/zh unknown
- 2007-07-26 DE DE102007036547A patent/DE102007036547A1/de not_active Withdrawn
- 2007-07-27 US US11/829,859 patent/US7941612B2/en active Active
- 2007-07-30 JP JP2007197758A patent/JP2008034095A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013516010A (ja) * | 2009-12-29 | 2013-05-09 | ゼットティーイー コーポレイション | マルチプロセッサの完全な相互アクセス方法及びシステム |
JP2012108886A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Micron Technology Inc | 組込み型チャネル選択を備えるマルチチャネルメモリ |
US8918594B2 (en) | 2010-11-16 | 2014-12-23 | Micron Technology, Inc. | Multi-interface memory with access control |
US9405475B2 (en) | 2010-11-16 | 2016-08-02 | Micron Technology, Inc. | Multi-interface memory with access control |
JP2017091543A (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-25 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | マルチプロセッサによって共有されるメモリを含むマルチプロセッサシステム、及び該システムの動作方法 |
CN107015940A (zh) * | 2015-11-12 | 2017-08-04 | 三星电子株式会社 | 包含由多处理器共享的存储器的多处理器系统及其方法 |
US10949364B2 (en) | 2015-11-12 | 2021-03-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-processor system including memory shared by multi-processor and method thereof |
CN107015940B (zh) * | 2015-11-12 | 2021-12-21 | 三星电子株式会社 | 包含由多处理器共享的存储器的多处理器系统及其方法 |
JP7042552B2 (ja) | 2015-11-12 | 2022-03-28 | 三星電子株式会社 | マルチプロセッサによって共有されるメモリを含むマルチプロセッサシステム |
US10846132B2 (en) | 2017-12-07 | 2020-11-24 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Information processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102007036547A1 (de) | 2008-02-21 |
US20080077937A1 (en) | 2008-03-27 |
US7941612B2 (en) | 2011-05-10 |
TW200813724A (en) | 2008-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008034095A (ja) | プロセッサ間のホストインターフェイシング機能を有するマルチパスアクセス可能な半導体メモリ装置 | |
KR100772841B1 (ko) | 프로세서들간 호스트 인터페이싱 기능을 갖는 멀티패쓰억세스블 반도체 메모리 장치 | |
KR100745369B1 (ko) | 포트상태 시그날링 기능을 갖는 멀티패쓰 억세스블 반도체메모리 장치 | |
KR100725100B1 (ko) | 포트간 데이터 전송기능을 갖는 멀티패쓰 억세스블 반도체메모리 장치 | |
JP6986369B2 (ja) | メモリモジュール、これを含むシステム及びその動作方法 | |
US20080256305A1 (en) | Multipath accessible semiconductor memory device | |
KR100816053B1 (ko) | 셀프 카피 기능을 가지는 메모리 장치, 메모리 시스템 및듀얼 포트 메모리 장치 | |
US20090089487A1 (en) | Multiport semiconductor memory device having protocol-defined area and method of accessing the same | |
US20070186061A1 (en) | Shared interface for components in an embedded system | |
JP2008176913A (ja) | メールボックス領域を有するマルチパスアクセス可能な半導体メモリ装置及びそれに従うメールボックスアクセス制御方法 | |
KR20160122483A (ko) | 메모리 시스템, 메모리 모듈 및 메모리 모듈의 동작 방법 | |
JP2009026439A (ja) | 半導体メモリ装置及びそれによる共有レジスタ運用方法 | |
JP6710219B2 (ja) | 統合プロセッサを備えたdram回路 | |
KR100879463B1 (ko) | 억세스 권한 이양 시 프리차아지 스킵을 방지하는 동작을갖는 멀티패쓰 억세스블 반도체 메모리 장치 | |
KR101430687B1 (ko) | 다이렉트 억세스 부팅동작을 갖는 멀티 프로세서 시스템 및그에 따른 다이렉트 억세스 부팅방법 | |
KR20100032504A (ko) | 공유 버스를 갖는 불휘발성 메모리와 멀티포트 반도체 메모리 장치를 채용한 멀티 프로세서 시스템 | |
JP2007157150A (ja) | メモリシステム及びそれを含むメモリ処理方法 | |
KR20230069234A (ko) | Dram을 위한 리프레시 관리 목록 | |
KR100781974B1 (ko) | 레지스터 억세스회로를 가지는 멀티패스 억세스블 반도체메모리 장치 | |
KR20090005786A (ko) | 메모리 사용확장 기능을 갖는 멀티패쓰 억세스블 반도체메모리 장치 및 그에 따른 메모리 사용확장 방법 | |
KR100781983B1 (ko) | 체크 정보 제공기능을 가지는 멀티패쓰 억세스블 반도체메모리 장치 | |
KR20080103183A (ko) | 부트 램을 반도체 메모리 장치 내에 구비한 멀티 프로세서시스템 및 그를 이용한 프로세서 부팅 방법 | |
KR20080113896A (ko) | 공유 메모리 영역에 대한 리얼타임 억세스를 제공하는멀티패쓰 억세스블 반도체 메모리 장치 | |
KR20080043909A (ko) | 멀티패쓰 억세스블 반도체 메모리 장치에서의 뱅크어드레스 할당방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080201 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080702 |