JP2008034087A - マルチフェロイック記録媒体を使用する電界アシスト書き込み - Google Patents

Abstract

【課題】適切な熱安定性及び適切な信号対雑音比を提供することができる磁気データ記憶方法及び装置を提供すること。
【解決手段】装置は、圧電性材料及び強磁性材料を含むデータ記憶媒体と、データ記憶媒体の一部に電界を印加する電界源と、データ記憶媒体の当該一部に磁界を印加する書き込みポールとを備える。当該装置によって実行される方法も提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、データ記憶用の方法及び装置に関し、より詳細には、電界アシスト（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ ａｓｓｉｓｔｅｄ）磁気記録において使用され得るような方法及び装置に関する。

磁気データ記憶装置の容量を増加させる試みは、磁気データ記憶媒体におけるライタビリティ（ｗｒｉｔａｂｉｌｉｔｙ）と、粒径（ｇｒａｉｎ ｓｉｚｅ）と、磁気異方性（ｍａｇｎｅｔｉｃ ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ）のバランスを取らなければならない。書き込みヘッドは、限定された磁界を生成できるに過ぎず、この限界は、材料において達成され得る最大体積磁化（ｖｏｌｕｍｅ ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ）と、導体に流され得る最大電流密度（ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｅｎｓｉｔｙ）と、ヘッド−媒体間隔（ｈｅａｄ−ｔｏ−ｍｅｄｉａ ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）とによって定められる。媒体が書き込みヘッドによって書き込まれ得る点まで媒体における異方性が低下させられ、許容可能な信号対雑音比を維持するのに十分なほど粒子が小さくされた場合、媒体は、大きな面密度（ａｒｅａｌ ｄｅｎｓｉｔｙ）に対して熱的に安定でないことがある。これは、超常磁性限界（ｓｕｐｅｒｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ ｌｉｍｉｔ）と呼ばれる。

強誘電性（ＦＥ）データ記憶媒体は、それが電界を使用して書き込まれ、非常に大きな電界値が薄膜デバイスを用いて生成され得るという利点を有する。したがって、非常に大きな異方性を有するＦＥ媒体は、薄膜デバイスによって書き込まれることができ、非常に小さな磁区（及び狭い磁壁）を有する熱的に安定なＦＥ媒体は、書き込まれることができる。ＦＥ記録を使用することに伴う１つの問題は、リードバック（ｒｅａｄｂａｃｋ）が困難なことである。自由電荷は、ＦＥ媒体内で分極パターンを遮蔽する傾向にあり、その場合、このことは、リードバックのためにライト・ビフォア・リード（ｗｒｉｔｅ ｂｅｆｏｒｅ ｒｅａｄ）方法を使用することを要求する。自由磁荷は存在しないので、このことは磁気媒体にとって問題でなく、リードバックは相対的に容易である。

最近、磁気弾性材料と強誘電性材料を組み合わせた複合材料が開発され、これらの材料は、室温より高い温度で、強磁性（ＦＭ）特性とＦＥ特性を共に有する。複合材の２つの例は、ＢｉＦｅＯ_３−ＣｏＦｅ_２Ｏ_４及びＢａＴｉＯ_３−ＣｏＦｅ_２Ｏ_４である。これらの例では、ＢｉＦｅＯ_３及びＢａＴｉＯ_３がＦＥ材料であり、ＣｏＦｅ_２Ｏ_４がＦＭ材料である。

他のものは、ＢｉＦｅＯ_３−ＣｏＦｅ_２Ｏ_４複合材内の磁化をスイッチするための電界の使用を例示している。この複合材は、ＢｉＦｅＯ_３マトリックスの中のＣｏＦｅ_２Ｏ_４ナノピラーから構成された。この材料は、パルス・レーザ蒸着（ｐｕｌｓｅｄ ｌａｓｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を使用して、７００℃でＳｒＲｕＯ_３上に蒸着され、ＢｉＦｅＯ_３−ＣｏＦｅ_２Ｏ_４粒界を越えるものを含めて、完全なエピタキシャル膜（ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｆｉｌｍ）を生じさせた。磁化は、大きな一様磁界を印加することによって飽和させられ、その後、磁化の５０％から６０％が、圧電気力顕微鏡（ＰＦＭ：ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を使用して電界を印加することによってスイッチさせられた。上で言及された膜は、データ記憶用に使用されなかった。

適切な熱安定性及び適切な信号対雑音比（ＳＮＲ）を提供することができる磁気データ記憶方法及び装置に対する必要性が依然として存在する。

一態様では、本発明は、圧電性材料及び強磁性材料を含むデータ記憶媒体と、データ記憶媒体の一部に電界を印加する電界源と、データ記憶媒体の当該一部に磁界を印加する磁界源とを備える装置を提供する。

別の態様では、本発明は、圧電性材料及び強磁性材料を含むデータ記憶媒体の一部に電界を印加するステップと、データ記憶媒体内の強磁性材料の磁区の磁化方向をスイッチするために、データ記憶媒体の当該一部に磁界を印加するステップとを含む方法を提供する。

様々な実施例において、データ記憶媒体は、圧電性材料の層に隣接する強磁性材料の層、圧電性材料のマトリックス内の強磁性材料の複数のアイランド、非強誘電性且つ非圧電性の材料のマトリックス内の複数のピラーであって、ピラーの各々が強磁性材料の層及び圧電性材料の層を含むピラー、圧電性材料のマトリックス内の複数の強磁性ナノ粒子、若しくは強磁性材料のマトリックス内の複数の圧電性ナノ粒子、又は非強誘電性且つ非圧電性の材料のマトリックス内の複数のナノ粒子であって、ナノ粒子の各々が強磁性材料及び圧電性材料を含むナノ粒子を備えることができる。

電界源は、電極と、電圧源とを備えることができ、電圧源は、電極とデータ記憶媒体の間か、又は電極と磁界源の間に接続される。

別の実施例では、電界源は、第１及び第２の電極と、第１及び第２の電極の間に接続される電圧源とを備えることができる。

本発明は、圧電性材料（ＰＥ）及び強磁性又はフェリ磁性材料（ＦＭ）を含むデータ記憶媒体と、例えば、磁気書き込みポール（ｗｒｉｔｅ ｐｏｌｅ）などの磁界源と、記憶媒体を電界の影響下に置くための電界源とを使用して実施される、電界アシスト磁気記録用の方法及び装置を提供する。この媒体は、マルチフェロイック（ＭＦ）媒体と呼ばれる。本明細書で使用されるマルチフェロイック媒体は、圧電性材料及び強磁性又はフェリ磁性材料を含む記憶媒体であり、圧電性材料は、必ずではないが、強誘電性材料とすることができる。また、この説明で使用される強誘電性材料という用語は、強誘電性及びフェリ誘電性材料の両方を含む。また、この説明で使用される強磁性材料という用語は、強磁性又はフェリ磁性材料の両方を含む。

一実施例では、磁気材料内の面外磁気異方性を低下させるために、電界が印加され、その後、磁気材料に書き込むために、大きな面外成分を有する磁界が印加される。より具体的には、磁気材料の磁気異方性を面外方向から面内方向に回転させるために、電界が使用される。これは、本発明が、垂直記録用に使用されることを仮定する。しかし、本発明が水平記録と共にも機能し得ることを理解されたい。水平記録の場合、磁気材料内の面内磁気異方性を低下させるために、電界が印加され、その後、磁気材料に書き込むために、大きな面内成分を有する磁界が印加される。各場合とも、記憶データ・ビットは、磁気センサを使用してリードバックされることができる。

一態様では、本発明は、磁気記録用の装置を提供する。図１は、本発明の一実施例を利用することができるディスク・ドライブ１０の絵図である。ディスク・ドライブは、ディスク・ドライブの様々な構成要素を格納するサイズに作られ、構成されるハウジング１２（この図では上側部分が取り除かれ、下側部分が見えている）を含む。ディスク・ドライブは、ハウジング内の少なくとも１つのデータ記憶媒体１６、この例では、磁気ディスクを回転させるためのスピンドル・モータ１４を含む。少なくとも１つのアーム１８が、ハウジング１２内に含まれ、各アーム１８は、記録及び／又は読み取りヘッド又はスライダ２２を有する第１の端部２０と、ベアリング２６によって軸に回転可能に取り付けられる第２の端部２４とを有する。アクチュエータ・モータ２８が、アーム１８を回転して、ヘッド２２をディスク１６の所望セクタ上に位置付けるために、アームの第２の端部２４の所に配置される。アクチュエータ・モータ２８は、この図には示されていないコントローラによって調節され、当技術分野においてよく知られている。

本発明は図１に示されるようなディスク・ドライブにおいて使用されることができるが、プローブ記録装置など、その他のタイプのデータ記憶装置にも本発明が適用可能であることを理解されたい。

図２は、本発明の一実施例によって構成された装置の一部の概略図である。装置は、データ記憶媒体３２に隣接して位置付けられ、エア・ベアリング３４によって媒体から隔てられる記録ヘッド３０を含む。記録ヘッドは、書き込みポール３６と、リターン・ポール３８とを含む。書き込みポールとリターン・ポールは、ヨーク４０によって磁気的に結合される。書き込みポールから媒体を通ってリターン・ポールに延びる磁束４４を生成するために、コイル４２内の電流が使用される。電極４６が、書き込みポールの近くに位置付けられる。この実施例では、電極は、絶縁材料４８の層によって書き込みポールから電気的に絶縁される。電圧源５０が、電極と、この実施例では媒体とに接続される。電圧源は、電極と媒体の間に電圧を確立し、それによって、媒体を電界の影響下に置く。電界は、書き込み中にだけオンになるように、オン及びオフにされる。したがって、電圧は、書き込み電流と比べて低い周波数でスイッチする。

図３〜図６は、電界アシスト書き込みとマルチフェロイック媒体を利用するデータ・ビット書き込みを説明する、書き込みポールと記憶媒体の概略図である。図３は、マルチフェロイック媒体６４に隣接して位置付けられた、磁気書き込みポール６２の周囲に巻き付けられたコイル６０を含む、書き込みヘッドの要素の概略図である。媒体は、単一の磁区を各々が有する磁気材料の複数の記録ビット６８、７０、７２を含む、記録層６６を含む。様々な実施例では、例えば、記録ビットは、圧電性材料によって隔てられることができ、それ自体、圧電性／強磁性の多層であることができ、又はマトリックス内に埋め込まれた球であることができる。

磁区の磁気異方性は、矢印で示される磁化の方向を生じさせる。記録層は、絶縁材料の層７４上に配置され、絶縁材料の層は、媒体を電極から分離するために基板７６上に配置される。絶縁体は、使用される媒体タイプに応じて、必要であることもあり、又は必要でないこともある。圧電性（ＰＥ）マトリックス内の強磁性（ＦＭ）ピラーを通るなど、媒体を通る電気的短絡が存在する場合、絶縁体が必要とされる。媒体が絶縁ＰＥマトリックス内にＦＭ球を含む場合、絶縁体はおそらく必要とされない。

図４は、磁化が面内の向きへと回転されるようにビット７０の（矢印７８によって示される）面外磁気異方性を低下させる電界を生成するために、電圧が書き込みポールと媒体の間に印加された所を示している。

図５は、書き込みポールによって媒体に印加される磁界を生成するために、コイルに電流が流された所を示している。磁界及び電界の両方が印加された場合、磁気異方性は電界によって低下させられ、磁化は磁界によってスイッチさせられる。磁界及び電界が印加される順序は、少なくとも静的な場合には、重要でない。図２の装置の場合、最初に電極、次に磁極の下をビットが通過するのがおそらく望ましい。このように、電界がより弱くなる時にビットは磁界にさらされ、磁化方向が設定される。

図６は、磁界及び電界がオフにされた後の最終的な磁化状態を示している。要約すると、図３は、初期状態を示し、図４は、電界が媒体に印加された時の状態を示し、図５は、媒体に書き込むために、磁界及び電界の両方が印加された時の状態を示し、図６は、媒体内のビットの磁化が図３に示された初期状態に対してスイッチされた最終的な状態を示している。

図７は、本発明の一実施例に従って使用され得るデータ記憶媒体９０の横断面図である。データ記憶媒体は、基板９４上に記録層９２を含む。記録層は、圧電性材料１００のマトリックス内に強磁性材料９６、及び９８のピラーを含む。図８は、図７のデータ記憶媒体の上面図である。

図９は、本発明の別の実施例に従って使用され得るデータ記憶媒体１０２の横断面図である。データ記憶媒体は、基板１０６上に記録層１０４を含む。記録層は、圧電性材料の層１１０上に強磁性材料の層１０８を含む。ＦＭ及びＰＥ材料の順序は、逆転させることができ、媒体は、ＦＭ及びＰＥの層が２度以上繰り返される多層構造をとることもできる。

図１０は、本発明の別の実施例に従って構成されるデータ記憶媒体１１２の横断面図である。データ記憶媒体は、基板１１６上に記録層１１４を含む。記録層は、強誘電性でも強磁性でもない材料のマトリックス１２２内にピラー（又はアイランド）１１８、及び１２０を含む。ピラーの各々は、強磁性材料の層１２４と、圧電性材料の層１２６とを含む。ＦＭ材料とＰＥ材料の順序は、変更されることができ、ピラーは、２度以上繰り返される多層構成を使用して構成されることができる。

図９及び図１０の媒体は、簡単な２層の形態をとるＦＥ及びＦＭ材料の多層を含む。多層媒体内の電気磁気結合（ｅｌｅｃｔｒｉｃ−ｔｏ−ｍａｇｎｅｔｉｃ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）は、それがビット・パターン化媒体（ＢＰＭ：ｂｉｔ ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｍｅｄｉａ）と同様にパターン化される場合、強化される。これらの膜は、エピタキシャル的に成長させられる必要はなく、このことが、その蒸着を簡単にする。例えば、単一結晶基板上で成長させられたＰＺＴ膜から開始し、ローカルエピタキシを分解するためにＴａ層を蒸着させ、その後、Ｔｅｒｆｅｎｏ−Ｄ膜を蒸着させることができる。その後、これらの膜は、ＢＰＭと同様にパターン化されることができる。

図１１は、本発明の別の実施例に従って構成されるデータ記憶媒体１３０の概略図である。データ記憶媒体は、圧電性材料のマトリックス１３６内に強磁性材料の複数のナノ粒子１３４を含む記録層１３２を含む。代替として、マトリックスがＦＭ材料で、ナノ粒子がＰＥ材料とすることもできる。別の実施例では、ナノ粒子は、圧電性材料及び強磁性材料の両方を含むことができる。その場合、一方の材料が、他方の材料の周囲の殻となることができる。

図１２及び図１３は、本発明のその他の実施例に従って構成された装置の概略図である。図１２は、マルチフェロイック（ＭＦ）媒体１４２に隣接して位置付けられた記録ヘッドの書き込みポール１４０を示している。電極１４４が、書き込みポールに隣接して位置付けられ、電極と書き込みポールの間に電圧を供給するために、電圧源１４６が使用される。この実施例では、媒体は、線１４８によって示されるような漏れ電界（ｆｒｉｎｇｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）の影響下に置かれる。

図１３は、マルチフェロイック（ＭＦ）媒体１５２に隣接して位置付けられた記録ヘッドの書き込みポール１５０を示している。第１及び第２の電極１５４、及び１５６が、書き込みポールに隣接して、その両側に位置付けられる。電極に電圧を供給するために、電圧源１５８が使用される。この実施例では、媒体は、線１６０によって示されるような漏れ電界の影響下に置かれる。

上で述べられたように、圧電性材料は、必ずしも強誘電性である必要はなく、このことが、材料選択のより広い多様性を可能にする。加えて、ＦＥ及びＦＭ材料は、完全にエピタキシャルである必要はない。標準的な磁気媒体合金、Ｔｂ_ｘＤｙ_１−ｘＦｅ_ｙ［０．３０＜ｘ＜０．３３且つ１．８＜ｙ＜２．２］、ＮｉＦｅ_２Ｏ_４、ＦｅＰｔ、Ｃｏ_３Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｔ多層、又はＣｏ合金、及びＰＺＴ（ＰｂＺｒＴｉＯ_３）、ＰＴ（ＰｂＴｉＯ_３）、ＰＺ（ＰｂＺｒＯ_３）、ＰＬＺＴ（ＰｂＬａ）（ＺｒＴｉ）Ｏ_３、Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３、Ｐｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ_３、又はＰｂ（Ｓｃ，Ｎｂ）Ｏ_３などの、しかしこれらに限定されない、記録層で使用され得る多くのＦＥ及びＦＭ材料が存在する。マルチフェロイック媒体は、ビット・パターン化媒体（ＢＰＭ）と同様の方法で形成されることができ、磁気ビットが媒体内にパターン化され、マトリックス・フィラ（ｍａｔｒｉｘ ｆｉｌｌｅｒ）は圧電性材料である。

データ記憶媒体は、上で説明された層に加えて、その他の層も含むことができる。さらに、電界が少なくとも圧電性材料上で作用する限り、電圧は、強磁性又は圧電性層以外の層に直接印加されることもできる。

垂直記録用の本発明の使用が上で説明されたが、本発明は、水平媒体にも適用されることができ、その場合、媒体内の磁気異方性は、垂直方向ではなく水平方向である必要があり、記録ヘッドによって印加される磁界は、かなりの面内成分を有する必要がある。どちらの場合も、磁気材料の磁気歪み及び圧電効果についての正しい符号が選択される必要がある。電界が印加されると、ＰＥ材料は、材料及びその結晶学的向きに応じて、一方の方向で伸長し、他の方向で収縮する。これは、磁気材料が、一方の方向で伸長し、且つ／又は他の方向で収縮する原因となる。これは、材料及びその結晶学的向きに応じて、異方性を増大させ、又は低下させることができる。

本発明がいくつかの実施例に関して説明されたが、添付の特許請求の範囲で説明される本発明の範囲から逸脱することなく、説明された実施例に様々な変更が施され得ることは、当業者には明らかであろう。

本発明を含むことができるディスク・ドライブの絵図である。 本発明の一実施例に従って構成された記録ヘッドの概略図である。 本発明の動作を説明する記録ヘッド及び媒体の概略図である。 本発明の動作を説明する記録ヘッド及び媒体の概略図である。 本発明の動作を説明する記録ヘッド及び媒体の概略図である。 本発明の動作を説明する記録ヘッド及び媒体の概略図である。 本発明の一実施例に従って使用され得るデータ記憶媒体の横断面図である。 図７のデータ記憶媒体の上面図である。 本発明の一実施例に従って使用され得るデータ記憶媒体の横断面図である。 本発明の一実施例に従って使用され得るデータ記憶媒体の横断面図である。 本発明の別の実施例に従って使用され得るデータ記憶媒体の概略図である。 本発明の他の実施例に従って構成された他の装置の概略図である。 本発明の他の実施例に従って構成された他の装置の概略図である。

符号の説明

１０ ディスク・ドライブ
１２ ハウジング
１４ スピンドル・モータ
１８ アーム
２０ 第１の端部
２２ 記録及び／又は読み取りヘッド
２４ 第２の端部
２６ ベアリング
２８ アクチュエータ・モータ
３０ 記録ヘッド
３２ データ記憶媒体
３４ エア・ベアリング
３６ 書き込みポール
３８ リターン・ポール
４０ ヨーク
４２ コイル
４４ 磁束
４６ 電極
４８ 絶縁材料
５０ 電圧源
６０ コイル
６２ 書き込みポール
６４ 媒体
６６ 記録層
６８ 記録ビット
７０ 記録ビット
７２ 記録ビット
７４ 絶縁材料の層
７６ 基板
９０ データ記憶媒体
９２ 記録層
９４ 基板
９６ 強磁性材料のピラー
９８ 強磁性材料のピラー
１００ 圧電性材料のマトリックス
１０２ データ記憶媒体
１０４ 記録層
１０６ 基板
１０８ 強磁性材料の層
１１０ 圧電性材料の層
１１２ データ記憶媒体
１１４ 記録層
１１６ 基板
１１８ ピラー（又はアイランド）
１２０ ピラー（又はアイランド）
１２２ 強誘電性でも強磁性でもない材料のマトリックス
１２４ 強磁性材料の層
１２６ 圧電性材料の層
１３０ データ記憶媒体
１３２ 記録層
１３４ 強磁性材料のナノ粒子
１３６ 圧電性材料のマトリックス
１４０ 書き込みポール
１４２ マルチフェロイック媒体
１４４ 電極
１４６ 電圧源
１５０ 書き込みポール
１５２ マルチフェロイック媒体
１５４ 電極
１５６ 電極
１５８ 電圧源

Claims (20)

1. 圧電性材料及び強磁性材料を含むデータ記憶媒体と、
   前記データ記憶媒体の一部に電界を印加する電界源と、
   前記データ記憶媒体の前記一部に磁界を印加する磁界源と、を備える装置。
2. 前記データ記憶媒体が、
   前記圧電性材料の層に隣接する前記強磁性材料の層を備える、請求項１に記載の装置。
3. 前記データ記憶媒体が、
   前記圧電性材料のマトリックス内に前記強磁性材料の複数のアイランドを備える、請求項１に記載の装置。
4. 前記データ記憶媒体が、
   非強誘電性且つ非圧電性の材料のマトリックス内に複数のピラーを備え、前記ピラーの各々が、前記強磁性材料の層及び前記圧電性材料の層を含む、請求項１に記載の装置。
5. 前記データ記憶媒体が、
   前記圧電性材料のマトリックス内に複数の強磁性ナノ粒子を備え、又は強磁性材料のマトリックス内に複数の圧電性ナノ粒子を備える、請求項１に記載の装置。
6. 前記データ記憶媒体が、
   非強誘電性且つ非圧電性の材料のマトリックス内に複数のナノ粒子を備え、前記ナノ粒子の各々が、前記強磁性材料及び前記圧電性材料を含む、請求項１に記載の装置。
7. 前記電界源が、
   電極と、
   前記電極と前記データ記憶媒体の間に接続される電圧源と、を備える、請求項１に記載の装置。
8. 前記電界源が、
   電極と、
   前記電極と前記磁界源の間に接続される電圧源と、を備える、請求項１に記載の装置。
9. 前記電界源が、
   第１及び第２の電極と、
   前記第１及び第２の電極の間に接続される電圧源と、を備える、請求項１に記載の装置。
10. 前記強磁性材料が、磁気合金、０．３０＜ｘ＜０．３３且つ１．８＜ｙ＜２．２であるＴｂ_ｘＤｙ_１−ｘＦｅ_ｙ、ＮｉＦｅ_２Ｏ_４、ＦｅＰｔ、Ｃｏ_３Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｔ多層、又はＣｏ合金のうちの１つを含み、
    前記圧電性材料が、ＰＺＴ（ＰｂＺｒＴｉＯ_３）、ＰＴ（ＰｂＴｉＯ_３）、ＰＺ（ＰｂＺｒＯ_３）、ＰＬＺＴ（ＰｂＬａ）（ＺｒＴｉ）Ｏ_３、Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３、Ｐｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ_３、又はＰｂ（Ｓｃ，Ｎｂ）Ｏ_３のうちの１つを含む、請求項１に記載の装置。
11. 圧電性材料及び強磁性材料を含むデータ記憶媒体の一部に電界を印加するステップと、
    前記マルチフェロイック・データ記憶媒体内の強磁性材料の磁区の磁化方向をスイッチするために、データ記憶媒体の前記一部に磁界を印加するステップと、を含む方法。
12. 前記データ記憶媒体が、
    前記圧電性材料の層に隣接する前記強磁性材料の層を備える、請求項１１に記載の方法。
13. 前記データ記憶媒体が、
    前記圧電性材料のマトリックス内に前記強磁性材料の複数のアイランドを備える、請求項１１に記載の方法。
14. 前記データ記憶媒体が、
    非強誘電性且つ非圧電性の材料のマトリックス内に複数のピラーを備え、前記ピラーの各々が、前記強磁性材料の層及び前記圧電性材料の層を含む、請求項１１に記載の方法。
15. 前記データ記憶媒体が、
    前記圧電性材料のマトリックス内に複数の強磁性ナノ粒子を備え、又は強磁性材料のマトリックス内に複数の圧電性ナノ粒子を備える、請求項１１に記載の方法。
16. 前記データ記憶媒体が、
    非強誘電性且つ非圧電性の材料のマトリックス内に複数のナノ粒子を備え、前記ナノ粒子の各々が、前記強磁性材料及び前記圧電性材料を含む、請求項１１に記載の方法。
17. 前記電界が、
    電極と、
    前記電極と前記データ記憶媒体の間に接続される電圧源と、を備える電界源を使用して印加される、請求項１１に記載の方法。
18. 前記電界が、
    電極と、
    前記電極と磁界源の間に接続される電圧源と、を備える電界源を使用して印加される、請求項１１に記載の方法。
19. 前記電界が、
    第１及び第２の電極と、
    前記第１及び第２の電極の間に接続される電圧源と、を備える電界源を使用して印加される、請求項１１に記載の方法。
20. 前記強磁性材料が、磁気合金、０．３０＜ｘ＜０．３３且つ１．８＜ｙ＜２．２であるＴｂ_ｘＤｙ_１−ｘＦｅ_ｙ、ＮｉＦｅ_２Ｏ_４、ＦｅＰｔ、Ｃｏ_３Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｔ多層、又はＣｏ合金のうちの１つを含み、
    前記圧電性材料が、ＰＺＴ（ＰｂＺｒＴｉＯ_３）、ＰＴ（ＰｂＴｉＯ_３）、ＰＺ（ＰｂＺｒＯ_３）、ＰＬＺＴ（ＰｂＬａ）（ＺｒＴｉ）Ｏ_３、Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３、Ｐｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ_３、又はＰｂ（Ｓｃ，Ｎｂ）Ｏ_３のうちの１つを含む、請求項１１に記載の方法。

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